Продукція > NXV

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NXV04V120DB1ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV04V120DB1 - MOSFET-Transistor, AEC-Q101, Sechsfach n-Kanal, 160 A, 40 V, 850 µohm, 10 V, 4 V
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 160
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV04V120DB1onsemiDescription: 3-PHASE INVERTER AUTOMOTI
Packaging: Tube
Package / Case: 19-PowerDIP Module (1.480", 37.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Grade: Automotive
Current: 160 A
Voltage: 40 V
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2103.76 грн
44+1263.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV04V120DB1onsemiMOSFET Modules APM19 3-Phase
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV04V120DB1ON Semiconductor
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV04V120DB1ON SemiconductorPower MOSFET Module Automotive AEC-Q100 19-Pin APM-CBC Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+1654.40 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV04V120DB1ON Semiconductor3-фазовий інвертор MOSFET, Ізол. = 2500 В, I = 160 А,... Інтегральні мікросхеми Корпус: PowerDIP-19 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 11 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV04V120DB1ON SemiconductorPower MOSFET Module Automotive AEC-Q100 19-Pin APM-CBC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08A170DB1ON SemiconductorMV7 80V APM12
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08A170DB1onsemiDescription: MV7 80V APM12
Packaging: Tray
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08A170DB1onsemiDiscrete Semiconductor Modules APM12-CBA, MV7 80V, AL2O3, HALF BRIDGE
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08A170DB2onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA
Packaging: Tray
Package / Case: 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: APM12-CBA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1489.25 грн
10+1026.96 грн
25+919.60 грн
80+764.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08A170DB2onsemiDiscrete Semiconductor Modules APM12-CBA, MV7 80V, AL2O3, HALF BRIDGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08B800DT1onsemiMOSFET Modules APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, DUAL BTB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H250DPT2onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 80V APM17-MFA
Packaging: Tube
Package / Case: 17-PowerDIP Module (2.020", 51.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24350pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 160A, 14V, 0.71mOhm @ 160A, 14V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: APM17-MFA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H250DPT2onsemiMOSFET Modules APM17-MFA MV7 80V AL2O3 2 PHASE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H250DT1onsemiDiscrete Semiconductor Modules APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHASE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H250DT1onsemiDescription: APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHA
Packaging: Tube
Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24350pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.039mOhm @ 160A, 12V, 762µOhm @ 160A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: APM17-MDC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+4374.39 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H300DT1onsemiDescription: APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHA
Packaging: Tube
Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30150pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.580mOhm @ 160A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 502nC @ 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: APM17-MDC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+4593.94 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H300DT1onsemiMOSFET Modules Dual Half Bridge Automotive Power MOSFET Module, APM17
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H350XT1onsemiMOSFET Modules Dual Half Bridge Automotive Power MOSFET Module, AMP17
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H350XT1onsemiDescription: MOSFET 80V APM17-MDC
Packaging: Bulk
Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24350pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.762mOhm @ 160A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: APM17-MDC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5685.79 грн
10+4563.35 грн
40+4239.89 грн
120+3809.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V080DB1onsemiInverters 3-PHASE INVERTER
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V080DB1onsemiDescription: 3-PHASE INVERTER AUTOMOTI
Packaging: Tube
Package / Case: 19-PowerDIP Module (1.470", 37.34mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Supplier Device Package: APM-19-CBC
Grade: Automotive
Part Status: Active
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2146.87 грн
44+1316.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V080DB1ON Semiconductor
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V110DB1onsemiDescription: MOSFET IPM 80V 19-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 19-PowerDIP Module (1.470", 37.34mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Voltage: 80 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2356.15 грн
10+1842.35 грн
44+1682.59 грн
132+1501.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V110DB1ON Semiconductor
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V110DB1ONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 80V; APM19-CBC; THT; Ugs: ±20V; tube
Case: APM19-CBC
On-state resistance: 3.2mΩ
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: THT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Topology: MOSFET three-phase bridge
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V110DB1onsemiMOSFET Modules 3-PHASE INVERTER
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V110DB1ON SemiconductorPower MOSFET Module 19-Pin APM Tube Automotive AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNexperia USA Inc.Description: NXV100XP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNexperiaMOSFETs SOT23 P-CH 30V 1.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV100XPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.104 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNexperia USA Inc.Description: NXV100XP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV100XPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.104 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV10V125DT1onsemiDescription: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: 21-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 6 N-Channel (Three Phase Inverter)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: APM21-CGA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1987.75 грн
10+1546.40 грн
44+1408.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV10V125DT1onsemiMOSFET Modules 3-PHASE AUTOMOTIVE POWER MOSFET MODULE APM21
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV10V160ST1onsemiDescription: MOSFET 6N-CH 100V APM21-CGA
Packaging: Tube
Package / Case: 21-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 6 N-Channel
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: APM21-CGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV10V160ST1onsemiMOSFET Modules 3-PHASE AUTOMOTIVE POWER MOSFET MODULE APM21
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV40UNRNexperiaMOSFET NXV40UN/SOT23/TO-236AB
на замовлення 13216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV40UNRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV40UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV40UNRNexperia USA Inc.Description: NXV40UN/SOT23/TO-236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
на замовлення 38290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.72 грн
100+9.19 грн
500+6.39 грн
1000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV40UNRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV40UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV40UNRNexperia USA Inc.Description: NXV40UN/SOT23/TO-236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.25 грн
6000+4.56 грн
9000+4.30 грн
15000+3.77 грн
21000+3.61 грн
30000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV55UNRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV55UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.066 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV55UNRNexperia USA Inc.Description: NXV55UN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 352 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.08 грн
6000+4.41 грн
9000+4.17 грн
15000+3.65 грн
21000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV55UNRNexperiaMOSFET NXV55UN/SOT23/TO-236AB
на замовлення 61304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV55UNRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV55UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV55UNRNexperia USA Inc.Description: NXV55UN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 352 pF @ 15 V
на замовлення 22190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
22+14.27 грн
100+8.93 грн
500+6.20 грн
1000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS1onsemiMOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS1ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV65HR82DS1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS1onsemiDescription: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2780.19 грн
10+2468.98 грн
25+2358.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS2onsemiMOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS2ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV65HR82DS2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS2onsemiDescription: MOSFET IPM 650V 26A 16-SSIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Grade: Automotive
Current: 26 A
Voltage: 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2354.58 грн
10+1841.22 грн
72+1641.79 грн
144+1496.07 грн
288+1459.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ1onsemiMOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ1ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV65HR82DZ1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 126W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ1onsemiDescription: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2884.44 грн
10+2561.44 грн
25+2446.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ2ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV65HR82DZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 126W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ2onsemiDescription: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2566.21 грн
10+2278.85 грн
25+2176.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ2onsemiMOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNexperia USA Inc.Description: NXV65UP/SOT23/TO-236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 45805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
29+10.57 грн
100+6.65 грн
500+4.63 грн
1000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNexperiaMOSFETs NXV65UP/SOT23/TO-236AB
на замовлення 9819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNexperia USA Inc.Description: NXV65UP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 10 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.82 грн
6000+3.32 грн
9000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV75UPRNexperiaMOSFETs SOT23 P-CH 20V 1.8A
на замовлення 29902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV75UPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV75UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV75UPRNexperia USA Inc.Description: NXV75UP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 31909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
22+14.04 грн
50+10.07 грн
100+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV75UPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV75UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV75UPRNexperia USA Inc.Description: NXV75UP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.93 грн
6000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV90EPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV90EPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV90EPRNexperia USA Inc.Description: NXV90EP/SOT23/TO-236AB
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.82 грн
6000+6.42 грн
9000+5.68 грн
30000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV90EPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV90EPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV90EPRNXPNXV90EP/SOT23/TO-236AB NXV90EPR TNXV90EPR
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV90EPRNexperia USA Inc.Description: NXV90EP/SOT23/TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 44951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
15+21.13 грн
100+10.63 грн
500+8.85 грн
1000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV90EPRNexperiaMOSFET NXV90EP/SOT23/TO-236AB
на замовлення 4351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXVF6532M3TG01onsemiSiC MOSFETs SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.