Продукція > NXV

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NXV04V120DB1ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV04V120DB1 - MOSFET-Transistor, AEC-Q101, Sechsfach n-Kanal, 160 A, 40 V, 850 µohm, 10 V, 4 V
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 160
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV04V120DB1ON SemiconductorPower MOSFET Module Automotive 19-Pin APM-CBC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV04V120DB1onsemiMOSFET Modules APM19 3-Phase
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2183.46 грн
11+1912.93 грн
22+1248.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV04V120DB1onsemiDescription: 3-PHASE INVERTER AUTOMOTI
Packaging: Tube
Package / Case: 19-PowerDIP Module (1.480", 37.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Grade: Automotive
Current: 160 A
Voltage: 40 V
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2221.49 грн
44+1333.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV04V120DB1ON SemiconductorPower MOSFET Module Automotive AEC-Q100 19-Pin APM-CBC Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+1416.87 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
NXV04V120DB1ONSEMICategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 40V; 160A; APM19-CBC; THT; Ugs: ±20V
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Kind of package: tube
Electrical mounting: THT
Semiconductor structure: transistor/transistor
On-state resistance: 2.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Case: APM19-CBC
Topology: MOSFET three-phase bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV04V120DB1ON Semiconductor
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV04V120DB1ON SemiconductorPower MOSFET Module Automotive AEC-Q100 19-Pin APM-CBC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08A170DB1ON SemiconductorMV7 80V APM12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08A170DB1ON SemiconductorNXV08A170DB1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08A170DB1onsemiDiscrete Semiconductor Modules APM12-CBA, MV7 80V, AL2O3, HALF BRIDGE
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1513.96 грн
10+981.10 грн
100+846.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08A170DB1onsemiDescription: MV7 80V APM12
Packaging: Tray
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08A170DB2ON SemiconductorSingle Phase Inverter Automotive Power MOSFET Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08A170DB2onsemiDiscrete Semiconductor Modules APM12-CBA, MV7 80V, AL2O3, HALF BRIDGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08A170DB2onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA
Packaging: Tray
Package / Case: 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: APM12-CBA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1572.59 грн
10+1084.43 грн
25+971.06 грн
80+807.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08B800DT1ONSEMICategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 80V; APM17-MDC; THT; Ugs: ±20V; tube
Case: APM17-MDC
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Topology: MOSFET x2 half-bridge
Kind of package: tube
Electrical mounting: THT
Mechanical mounting: screw
On-state resistance: 810µΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08B800DT1onsemiMOSFET Modules APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, DUAL BTB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H250DPT2onsemiDescription: APM17-MFA, MV7 80V, AL2O3, 2 PHA
Packaging: Tube
Package / Case: 17-PowerDIP Module (2.020", 51.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24350pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 160A, 14V, 0.71mOhm @ 160A, 14V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: APM17-MFA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H250DPT2onsemiMOSFET Modules APM17-MFA MV7 80V AL2O3 2 PHASE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H250DT1onsemiDiscrete Semiconductor Modules APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHASE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H250DT1onsemiDescription: APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHA
Packaging: Tube
Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24350pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.039mOhm @ 160A, 12V, 762µOhm @ 160A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: APM17-MDC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+4619.19 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H250DT1ON SemiconductorDual Half Bridge Automotive AEC-Q101 Power MOSFET MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H300DT1onsemiDescription: APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHA
Packaging: Tube
Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30150pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.580mOhm @ 160A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 502nC @ 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: APM17-MDC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+4851.02 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H300DT1ON SemiconductorDual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H300DT1onsemiMOSFET Modules Dual Half Bridge Automotive Power MOSFET Module, APM17
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5639.87 грн
10+5246.05 грн
40+4254.19 грн
120+4170.03 грн
280+4102.70 грн
520+4065.97 грн
1000+4065.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H350XT1ON SemiconductorDual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H350XT1onsemiMOSFET Modules Dual Half Bridge Automotive Power MOSFET Module, AMP17
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6469.16 грн
10+4954.80 грн
100+4238.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H350XT1onsemiDescription: MOSFET 80V APM17-MDC
Packaging: Bulk
Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24350pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.762mOhm @ 160A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: APM17-MDC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6153.79 грн
10+4939.00 грн
40+4588.84 грн
120+4123.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H400XT1ON SemiconductorDual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H400XT2ON SemiconductorDual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V080DB1ON Semiconductor
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V080DB1onsemiDescription: 3-PHASE INVERTER AUTOMOTI
Packaging: Tube
Package / Case: 19-PowerDIP Module (1.470", 37.34mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Supplier Device Package: APM-19-CBC
Grade: Automotive
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2192.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V080DB1ON SemiconductorThree Phase Inverter Automotive Power MOSFET Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V080DB1onsemiInverters 3-PHASE INVERTER
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2774.41 грн
11+2522.71 грн
22+2094.96 грн
110+1872.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V110DB1onsemiDescription: IC INVERTER 3-PHASE MOD198
Packaging: Tube
Package / Case: 19-PowerDIP Module (1.470", 37.34mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Voltage: 80 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2598.08 грн
10+1834.59 грн
44+1650.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V110DB1ON SemiconductorPower MOSFET Module Automotive Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V110DB1onsemiMOSFET Modules 3-PHASE INVERTER
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2035.28 грн
11+2005.32 грн
253+1631.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V110DB1ON SemiconductorPower MOSFET Module 19-Pin APM Tube Automotive AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V110DB1ON Semiconductor
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNEXPERIATrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNexperiaMOSFETs SOT23 P CHAN 30V
на замовлення 5160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.15 грн
17+21.82 грн
100+10.64 грн
500+9.03 грн
1000+7.27 грн
3000+6.12 грн
6000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV100XPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.104 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.73 грн
500+8.85 грн
1000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNexperia USA Inc.Description: NXV100XP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 15 V
на замовлення 5806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.28 грн
17+18.81 грн
100+11.07 грн
500+8.36 грн
1000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV100XPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.104 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.56 грн
39+22.23 грн
100+10.73 грн
500+8.85 грн
1000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNexperia USA Inc.Description: NXV100XP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV10V125DT1onsemiMOSFET Modules 3-PHASE AUTOMOTIVE POWER MOSFET MODULE APM21
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2302.19 грн
11+1896.22 грн
110+1442.29 грн
506+1441.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV10V160ST1onsemiMOSFET Modules 3-PHASE AUTOMOTIVE POWER MOSFET MODULE APM21
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4049.14 грн
11+3556.61 грн
22+2910.60 грн
110+2495.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV40UNRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV40UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.42 грн
1500+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NXV40UNRNexperia USA Inc.Description: NXV40UN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 10 V
на замовлення 38443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.86 грн
25+12.75 грн
100+8.57 грн
500+6.18 грн
1000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NXV40UNRNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV40UNRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV40UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+21.29 грн
60+14.33 грн
116+7.45 грн
500+6.42 грн
1500+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
NXV40UNRNexperia USA Inc.Description: NXV40UN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.25 грн
6000+4.61 грн
9000+4.39 грн
15000+3.87 грн
21000+3.73 грн
30000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NXV40UNRNexperiaMOSFET NXV40UN/SOT23/TO-236AB
на замовлення 13216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.90 грн
15+24.29 грн
100+8.72 грн
1000+6.50 грн
3000+5.20 грн
9000+4.51 грн
24000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NXV55UNRNexperia USA Inc.Description: NXV55UN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 352 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.61 грн
6000+4.28 грн
9000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NXV55UNRNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
NXV55UNRNexperiaMOSFET NXV55UN/SOT23/TO-236AB
на замовлення 61304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.96 грн
13+27.10 грн
100+13.39 грн
500+8.95 грн
1000+6.81 грн
3000+5.89 грн
6000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NXV55UNRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV55UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.13 грн
1500+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NXV55UNRNexperia USA Inc.Description: NXV55UN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 352 pF @ 15 V
на замовлення 16462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.83 грн
25+12.91 грн
100+6.46 грн
500+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NXV55UNRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV55UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.066 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+27.38 грн
63+13.73 грн
117+7.40 грн
500+6.49 грн
1500+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS1onsemiMOSFETs APM16-CAA SF3 650V 82MOHM CAP AL2O3 Y-FORMING H-BRIDGE
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2670.86 грн
12+1967.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS1ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV65HR82DS1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2463.42 грн
5+2169.01 грн
10+1873.74 грн
50+1466.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS1onsemiDescription: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2935.78 грн
10+2607.14 грн
25+2489.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS1ON SemiconductorH Bridge Power Module For On Board Charger
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS2ON SemiconductorH Bridge Power Module For On Board Charger
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS2onsemiMOSFETs APM16-CAB SF3 650V 82MOHM CAP AL2O3 L-FORMING H-BRIDGE
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2464.65 грн
12+1921.73 грн
108+1636.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS2ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV65HR82DS2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1454.02 грн
5+1453.16 грн
10+1452.30 грн
50+1347.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS2onsemiDescription: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Grade: Automotive
Current: 26 A
Voltage: 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2628.71 грн
10+2334.80 грн
72+2229.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ1ON SemiconductorH Bridge Power Module For On Board Charger
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ1onsemiMOSFETs APM16-CAA SF3 650V 82MOHM AL2O3 Y-FORMING H-BRIDGE
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1816.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ1ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV65HR82DZ1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1519.25 грн
5+1518.39 грн
10+1517.53 грн
50+1408.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ1onsemiDescription: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3045.86 грн
10+2704.78 грн
25+2583.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ2onsemiDescription: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2709.82 грн
10+2406.37 грн
25+2298.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ2ON SemiconductorH Bridge Power Module For On Board Charger
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ2onsemiMOSFETs APM16-CAB SF3 650V 82MOHM AL2O3 L-FORMING H-BRIDGE
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1737.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ2ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV65HR82DZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1749.28 грн
5+1673.75 грн
10+1598.22 грн
50+1413.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.05 грн
1500+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNexperia USA Inc.Description: NXV65UP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 10 V
на замовлення 45805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+19.04 грн
29+11.16 грн
100+7.02 грн
500+4.89 грн
1000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNexperiaMOSFETs NXV65UP/SOT23/TO-236AB
на замовлення 9819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.91 грн
21+17.07 грн
100+6.20 грн
1000+4.59 грн
3000+3.60 грн
9000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+21.29 грн
60+14.33 грн
121+7.12 грн
500+6.05 грн
1500+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -8.4A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8.4A
Power dissipation: 0.34W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Gate charge: 5.8nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.87 грн
14+22.65 грн
16+18.17 грн
50+11.02 грн
100+8.92 грн
204+5.52 грн
559+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNexperia USA Inc.Description: NXV65UP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 10 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.03 грн
6000+3.51 грн
9000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -8.4A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8.4A
Power dissipation: 0.34W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Gate charge: 5.8nC
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.89 грн
22+18.17 грн
27+15.14 грн
50+9.18 грн
100+7.44 грн
204+4.60 грн
559+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NXV75UPRNexperiaMOSFET NXV75UP/SOT23/TO-236AB
на замовлення 6384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+29.10 грн
18+20.33 грн
100+7.35 грн
1000+5.43 грн
3000+4.28 грн
9000+3.67 грн
24000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NXV75UPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV75UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NXV75UPRNexperia USA Inc.Description: NXV75UP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 8641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.66 грн
19+17.22 грн
100+8.70 грн
500+6.66 грн
1000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NXV75UPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV75UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+18.80 грн
69+12.45 грн
133+6.47 грн
500+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
NXV75UPRNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
NXV75UPRNexperia USA Inc.Description: NXV75UP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NXV90EPRNexperia USA Inc.Description: NXV90EP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 15 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.20 грн
6000+6.78 грн
9000+6.00 грн
30000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NXV90EPRNEXPERIANXV90EPR SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV90EPRNEXPERIATrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV90EPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV90EPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NXV90EPRNexperia USA Inc.Description: NXV90EP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 15 V
на замовлення 44951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.11 грн
15+22.32 грн
100+11.23 грн
500+9.34 грн
1000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NXV90EPRNexperiaMOSFET NXV90EP/SOT23/TO-236AB
на замовлення 4351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.06 грн
12+30.80 грн
100+16.68 грн
500+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NXV90EPRNXPNXV90EP/SOT23/TO-236AB NXV90EPR TNXV90EPR
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NXV90EPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV90EPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXVB1202M3TT81ON SemiconductorAPM32 1200V M3e Battery Switch module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXVF6532M3TG01onsemiSiC MOSFETs SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1916.56 грн
10+1546.01 грн
100+1187.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.