Продукція > NXV

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NXV04V120DB1ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV04V120DB1 - MOSFET-Transistor, AEC-Q101, Sechsfach n-Kanal, 160 A, 40 V, 850 µohm, 10 V, 4 V
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 160
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV04V120DB1ON SemiconductorPower MOSFET Module Automotive 19-Pin APM-CBC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV04V120DB1onsemiDescription: 3-PHASE INVERTER AUTOMOTI
Packaging: Tube
Package / Case: 19-PowerDIP Module (1.480", 37.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Grade: Automotive
Current: 160 A
Voltage: 40 V
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2135.95 грн
44+1282.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV04V120DB1onsemiMOSFET Modules APM19 3-Phase
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2170.63 грн
10+1901.04 грн
25+1374.99 грн
44+1240.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV04V120DB1ON SemiconductorPower MOSFET Module Automotive AEC-Q100 19-Pin APM-CBC Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+1427.18 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
NXV04V120DB1ON Semiconductor
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV04V120DB1ON SemiconductorPower MOSFET Module Automotive AEC-Q100 19-Pin APM-CBC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08A170DB1onsemiDiscrete Semiconductor Modules APM12-CBA, MV7 80V, AL2O3, HALF BRIDGE
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1522.62 грн
10+1322.35 грн
25+1118.97 грн
50+1057.17 грн
100+994.64 грн
288+963.01 грн
576+901.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08A170DB1ON SemiconductorMV7 80V APM12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08A170DB1ON SemiconductorNXV08A170DB1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08A170DB1onsemiDescription: MV7 80V APM12
Packaging: Tray
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08A170DB2ON SemiconductorSingle Phase Inverter Automotive Power MOSFET Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08A170DB2onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA
Packaging: Tray
Package / Case: 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: APM12-CBA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1512.04 грн
10+1042.68 грн
25+933.67 грн
80+775.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08A170DB2onsemiDiscrete Semiconductor Modules APM12-CBA, MV7 80V, AL2O3, HALF BRIDGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08B800DT1onsemiMOSFET Modules APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, DUAL BTB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H250DPT2onsemiDescription: APM17-MFA, MV7 80V, AL2O3, 2 PHA
Packaging: Tube
Package / Case: 17-PowerDIP Module (2.020", 51.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24350pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 160A, 14V, 0.71mOhm @ 160A, 14V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: APM17-MFA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H250DPT2onsemiDiscrete Semiconductor Modules Automotive 80V Dual Half Bridge Mosfet Module with pressfit signal pins, APM17 APM17M 80V AL2O3 MFA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H250DT1onsemiDiscrete Semiconductor Modules APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHASE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H250DT1onsemiDescription: APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHA
Packaging: Tube
Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24350pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.039mOhm @ 160A, 12V, 762µOhm @ 160A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: APM17-MDC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+4441.33 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H250DT1ON SemiconductorDual Half Bridge Automotive AEC-Q101 Power MOSFET MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H300DT1onsemiMOSFET Modules Dual Half Bridge Automotive Power MOSFET Module, APM17
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5422.71 грн
10+5044.06 грн
40+4090.39 грн
120+4009.47 грн
280+3944.73 грн
520+3909.41 грн
1000+3908.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H300DT1onsemiDescription: APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHA
Packaging: Tube
Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30150pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.580mOhm @ 160A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 502nC @ 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: APM17-MDC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+4664.24 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H300DT1ON SemiconductorDual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H350XT1ON SemiconductorDual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H350XT1onsemiMOSFET Modules APM17-MDC, MV7 80V, ALN, 2 PHASE
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5814.95 грн
10+5194.65 грн
30+4361.12 грн
50+4010.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H400XT1ON SemiconductorDual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H400XT2ON SemiconductorDual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V080DB1onsemiInverters 3-PHASE INVERTER
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2667.58 грн
11+2425.58 грн
22+2014.30 грн
110+1800.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V080DB1ON Semiconductor
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V080DB1onsemiDescription: 3-PHASE INVERTER AUTOMOTI
Packaging: Tube
Package / Case: 19-PowerDIP Module (1.470", 37.34mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Supplier Device Package: APM-19-CBC
Grade: Automotive
Part Status: Active
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2300.69 грн
44+1396.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V080DB1ON SemiconductorThree Phase Inverter Automotive Power MOSFET Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V110DB1onsemiDescription: IC INVERTER 3-PHASE MOD198
Packaging: Tube
Package / Case: 19-PowerDIP Module (1.470", 37.34mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Voltage: 80 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2498.05 грн
10+1763.95 грн
44+1586.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V110DB1ON SemiconductorPower MOSFET Module Automotive Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V110DB1ON SemiconductorPower MOSFET Module 19-Pin APM Tube Automotive AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V110DB1onsemiMOSFET Modules 3-PHASE INVERTER
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1956.91 грн
11+1928.11 грн
253+1568.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08V110DB1ON Semiconductor
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNEXPERIATrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV100XPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.104 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.32 грн
500+8.51 грн
1000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNexperiaMOSFETs NXV100XP/SOT23/TO-236AB
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.47 грн
17+20.73 грн
100+8.83 грн
1000+7.87 грн
3000+5.59 грн
9000+4.86 грн
24000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNexperia USA Inc.Description: NXV100XP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 15 V
на замовлення 11024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.42 грн
16+19.46 грн
100+10.02 грн
500+8.63 грн
1000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV100XPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.104 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.27 грн
39+21.37 грн
100+10.32 грн
500+8.51 грн
1000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV100XPRNexperia USA Inc.Description: NXV100XP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.24 грн
6000+5.72 грн
9000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NXV10V160ST1onsemiMOSFET Modules 100V 3 Phase Automotive Power MOSFET Module, APM21
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3893.23 грн
11+3499.20 грн
55+2827.23 грн
110+2774.99 грн
253+2723.49 грн
506+2635.21 грн
1001+2607.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV40UNRNexperia USA Inc.Description: NXV40UN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.05 грн
6000+4.44 грн
9000+4.22 грн
15000+3.73 грн
21000+3.59 грн
30000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NXV40UNRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV40UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.18 грн
1500+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NXV40UNRNexperiaMOSFET NXV40UN/SOT23/TO-236AB
на замовлення 13216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.56 грн
15+23.35 грн
100+8.39 грн
1000+6.25 грн
3000+5.00 грн
9000+4.34 грн
24000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NXV40UNRNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV40UNRNexperia USA Inc.Description: NXV40UN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 10 V
на замовлення 38443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.10 грн
25+12.26 грн
100+8.24 грн
500+5.94 грн
1000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NXV40UNRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV40UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+20.47 грн
60+13.78 грн
116+7.16 грн
500+6.18 грн
1500+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
NXV55UNRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV55UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.45 грн
57+14.61 грн
124+6.67 грн
500+5.89 грн
1500+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
NXV55UNRNexperiaMOSFET NXV55UN/SOT23/TO-236AB
на замовлення 61304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.53 грн
13+26.06 грн
100+12.87 грн
500+8.61 грн
1000+6.55 грн
3000+5.66 грн
6000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NXV55UNRNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
NXV55UNRNexperia USA Inc.Description: NXV55UN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 352 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.43 грн
6000+4.12 грн
9000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NXV55UNRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV55UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.89 грн
1500+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NXV55UNRNexperia USA Inc.Description: NXV55UN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 352 pF @ 15 V
на замовлення 16462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.87 грн
25+12.41 грн
100+6.21 грн
500+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS1ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV65HR82DS1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1432.69 грн
5+1431.87 грн
10+1431.04 грн
50+1328.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS1onsemiDescription: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2822.74 грн
10+2506.76 грн
25+2394.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS1onsemiMOSFET APM16-CAA SF3 650V 82MOHM CAP AL2O3 Y-FORMING H-BRIDGE
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2831.52 грн
10+2545.72 грн
25+2098.16 грн
50+2079.04 грн
72+1734.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS1ON SemiconductorH Bridge Power Module For On Board Charger
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS2onsemiDescription: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Grade: Automotive
Current: 26 A
Voltage: 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2527.49 грн
10+2244.90 грн
72+2144.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS2onsemiMOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter APM16-CAB L-Shape
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1844.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS2ON SemiconductorH Bridge Power Module For On Board Charger
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS2ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV65HR82DS2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1358.42 грн
5+1357.59 грн
10+1356.77 грн
50+1259.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ1ON SemiconductorH Bridge Power Module For On Board Charger
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ1ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV65HR82DZ1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1432.69 грн
5+1431.87 грн
10+1431.04 грн
50+1328.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ1onsemiDescription: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2928.58 грн
10+2600.64 грн
25+2483.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ1onsemiMOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter APM16-CAA, Y-Shape
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1929.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ2ONSEMIDescription: ONSEMI - NXV65HR82DZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1715.77 грн
5+1458.28 грн
10+1457.45 грн
50+1326.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ2onsemiDescription: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2605.48 грн
10+2313.72 грн
25+2209.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ2onsemiMOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter APM16-CAB, L-Shape
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1844.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ2ON SemiconductorH Bridge Power Module For On Board Charger
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNexperiaMOSFETs NXV65UP/SOT23/TO-236AB
на замовлення 9819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.95 грн
21+16.41 грн
100+5.96 грн
1000+4.41 грн
3000+3.46 грн
9000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.82 грн
1500+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNEXPERIANXV65UPR SMD P channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+25.58 грн
203+5.31 грн
558+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNexperia USA Inc.Description: NXV65UP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 10 V
на замовлення 45805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.30 грн
29+10.73 грн
100+6.75 грн
500+4.70 грн
1000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+20.47 грн
60+13.78 грн
121+6.85 грн
500+5.82 грн
1500+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPRNexperia USA Inc.Description: NXV65UP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 10 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.88 грн
6000+3.37 грн
9000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NXV75UPRNexperia USA Inc.Description: NXV75UP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NXV75UPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV75UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NXV75UPRNexperia USA Inc.Description: NXV75UP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 8641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.67 грн
19+16.55 грн
100+8.36 грн
500+6.40 грн
1000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NXV75UPRNexperiaMOSFET NXV75UP/SOT23/TO-236AB
на замовлення 6384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.98 грн
18+19.54 грн
100+7.06 грн
1000+5.22 грн
3000+4.12 грн
9000+3.53 грн
24000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NXV75UPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV75UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+18.07 грн
69+11.97 грн
133+6.22 грн
500+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
NXV75UPRNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
NXV90EPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV90EPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.70 грн
50+21.62 грн
100+10.32 грн
500+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NXV90EPRNEXPERIANXV90EPR SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV90EPRNexperia USA Inc.Description: NXV90EP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 15 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.92 грн
6000+6.52 грн
9000+5.77 грн
30000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NXV90EPRNexperiaMOSFET NXV90EP/SOT23/TO-236AB
на замовлення 4351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.48 грн
12+29.61 грн
100+16.04 грн
500+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NXV90EPRNEXPERIATrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV90EPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NXV90EPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NXV90EPRNXPNXV90EP/SOT23/TO-236AB NXV90EPR TNXV90EPR
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NXV90EPRNexperia USA Inc.Description: NXV90EP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 15 V
на замовлення 44951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.83 грн
15+21.46 грн
100+10.80 грн
500+8.98 грн
1000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NXVB1202M3TT81ON SemiconductorAPM32 1200V M3e Battery Switch module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.