Продукція > RQ5

Description: ROHM - RQ5A020ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.075 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.11 грн
500+	11.55 грн
1000+	9.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5A020ZPTL

RQ5A020ZPTL SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5A020ZPTL

Description: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5A020ZPTL

на замовлення 4725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	37.48 грн
35+	24.29 грн
100+	16.11 грн
500+	11.55 грн
1000+	9.66 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

RQ5A020ZPTL

MOSFETs RQ5A020ZP is a MOSFET with G-S Protection Diode and low on-switching, suitable for load switch.

на замовлення 2741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.38 грн
10+	37.14 грн
100+	21.13 грн
500+	16.30 грн
1000+	14.73 грн
3000+	11.83 грн
9000+	10.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5A025ZPTL

Description: ROHM - RQ5A025ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.044 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.38 грн
500+	18.60 грн
1000+	15.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5A025ZPTL

MOSFETs RQ5A025ZP is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.

на замовлення 8445 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.35 грн
10+	37.65 грн
100+	22.99 грн
500+	17.78 грн
1000+	16.22 грн
3000+	13.10 грн
9000+	12.87 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ5A025ZPTL

на замовлення 1875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	48.58 грн
25+	34.73 грн
100+	25.38 грн
500+	18.60 грн
1000+	15.67 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

RQ5A030APTL

Description: ROHM - RQ5A030APTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.044 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 11155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	24.54 грн
44+	19.03 грн
100+	12.35 грн
500+	10.85 грн
1000+	9.52 грн
5000+	8.94 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

RQ5A030APTL

MOSFETs -12V P-CHANNEL -3A

на замовлення 6494 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.08 грн
13+	27.13 грн
100+	16.07 грн
1000+	9.00 грн
3000+	8.26 грн
9000+	7.29 грн
24000+	6.62 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ5A030APTL

Description: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.25 грн
6000+	6.33 грн
9000+	5.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5A030APTL

на замовлення 11155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.35 грн
500+	10.85 грн
1000+	9.52 грн
5000+	8.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5A030APTL

Description: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V

на замовлення 14875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.66 грн
13+	25.66 грн
100+	16.36 грн
500+	11.57 грн
1000+	10.35 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5A030APTL

RQ5A030APTL SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5A040ZPTL

Description: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5A040ZPTL

Description: ROHM - RQ5A040ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.022 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	43.74 грн
24+	34.81 грн
100+	27.38 грн
500+	18.37 грн
1000+	16.39 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

RQ5A040ZPTL

RQ5A040ZPTL SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5A040ZPTL

MOSFETs RQ5A040ZP is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.

на замовлення 7908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.40 грн
10+	44.41 грн
100+	27.98 грн
500+	19.12 грн
1000+	18.90 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5A040ZPTL

на замовлення 2672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.38 грн
500+	18.37 грн
1000+	16.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5C020TPTL

Description: ROHM - RQ5C020TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.1 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.87 грн
500+	17.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5C020TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V

на замовлення 2481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.79 грн
10+	37.21 грн
100+	24.04 грн
500+	17.24 грн
1000+	15.52 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5C020TPTL

MOSFET -20V P-CHANNEL -2A

на замовлення 2485 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ5C020TPTL

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	55.76 грн
24+	35.90 грн
100+	23.87 грн
500+	17.21 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

RQ5C020TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5C025TPTL

Description: ROHM - RQ5C025TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 24015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.04 грн
500+	14.42 грн
1500+	13.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5C025TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.81 грн
10+	39.84 грн
100+	25.85 грн
500+	18.61 грн
1000+	16.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5C025TPTL

на замовлення 24015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	36.65 грн
50+	30.39 грн
100+	24.04 грн
500+	14.42 грн
1500+	13.09 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

RQ5C025TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5C025TPTL

MOSFET -20V P-CHANNEL -2.5A

на замовлення 1105 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ5C030TPTL

Description: ROHM - RQ5C030TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3061 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.13 грн
500+	19.92 грн
1000+	16.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5C030TPTL

MOSFET MOSFET WITH G-S PROTECTION DIO

на замовлення 10609 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.01 грн
10+	37.23 грн
100+	23.37 грн
500+	19.94 грн
1000+	16.97 грн
3000+	15.03 грн
6000+	14.29 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5C030TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.69 грн
10+	39.38 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ5C030TPTL

на замовлення 3061 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	45.49 грн
24+	36.06 грн
100+	27.13 грн
500+	19.92 грн
1000+	16.31 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

RQ5C030TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5C035BCTCL

MOSFET Pch -20V -3.5A Si MOSFET

на замовлення 4851 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.07 грн
11+	33.03 грн
100+	21.51 грн
500+	16.89 грн
1000+	13.10 грн
3000+	12.35 грн
6000+	11.16 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ5C035BCTCL

RQ5C035BCTCL SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5C035BCTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.25 грн
6000+	9.45 грн
9000+	9.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5C035BCTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V

на замовлення 19753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.88 грн
11+	30.54 грн
100+	20.66 грн
500+	14.78 грн
1000+	13.29 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5C060BCTCL

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

201+	60.91 грн
411+	29.69 грн
450+	27.15 грн
452+	26.08 грн
556+	19.61 грн
1000+	17.60 грн

Мінімальне замовлення: 201

В кошику од. на суму грн.

RQ5C060BCTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V

на замовлення 7148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.25 грн
10+	48.68 грн
100+	32.67 грн
500+	24.04 грн
1000+	21.80 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5C060BCTCL

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R

на замовлення 2951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

329+	37.19 грн
342+	35.70 грн
500+	34.41 грн
1000+	32.10 грн
2500+	28.84 грн

Мінімальне замовлення: 329

В кошику од. на суму грн.

RQ5C060BCTCL

Description: ROHM - RQ5C060BCTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0161 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.48 грн
500+	27.83 грн
1000+	22.68 грн
5000+	17.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5C060BCTCL

MOSFETs Pch -20V -6A Si MOSFET

на замовлення 9401 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.45 грн
10+	54.43 грн
100+	32.22 грн
500+	26.94 грн
1000+	22.92 грн
3000+	20.76 грн
6000+	19.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5C060BCTCL

RQ5C060BCTCL SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5C060BCTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.12 грн
6000+	17.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5C060BCTCL

на замовлення 5893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	81.31 грн
15+	55.76 грн
100+	37.48 грн
500+	27.83 грн
1000+	22.68 грн
5000+	17.17 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ5E015RPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

на замовлення 7256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.96 грн
10+	34.65 грн
100+	22.36 грн
500+	16.00 грн
1000+	14.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5E015RPTL

MOSFET RQ5E015RP is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.

на замовлення 9749 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.14 грн
10+	38.51 грн
100+	25.00 грн
500+	19.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5E015RPTL

RQ5E015RPTL SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E015RPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5E020SPTL

Description: ROHM - RQ5E020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	58.93 грн
21+	40.90 грн
100+	26.96 грн
500+	19.30 грн
1000+	15.67 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

RQ5E020SPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E020SPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.20 грн
10+	38.83 грн
100+	25.12 грн
500+	18.05 грн
1000+	16.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5E020SPTL

на замовлення 1241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.96 грн
500+	19.38 грн
1000+	12.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E020SPTL

MOSFETs RQ5E020SP is a Small Signal MOSFET with Low on - resistance, suitable for Switching.

на замовлення 2598 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.03 грн
10+	41.68 грн
100+	23.89 грн
500+	18.45 грн
1000+	16.22 грн
3000+	13.10 грн
9000+	11.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025ATTCL

Description: ROHM - RQ5E025ATTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	42.82 грн
31+	26.96 грн
100+	14.69 грн
500+	12.01 грн
1000+	9.59 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025ATTCL

MOSFETs Pch -30V -2.5A Si MOSFET

на замовлення 21090 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.00 грн
12+	29.35 грн
100+	17.12 грн
500+	13.32 грн
1000+	11.98 грн
3000+	8.71 грн
9000+	8.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025ATTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.18 грн
6000+	8.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025ATTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V

на замовлення 6916 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.42 грн
12+	26.51 грн
100+	17.17 грн
500+	12.04 грн
1000+	10.80 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025ATTCL

на замовлення 1564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.69 грн
500+	12.01 грн
1000+	9.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025SNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.86 грн
10+	34.80 грн
100+	25.98 грн
500+	19.16 грн
1000+	14.80 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025SNTL

Description: ROHM - RQ5E025SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.04 грн
500+	17.75 грн
1000+	14.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025SNTL

на замовлення 1185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	53.43 грн
23+	36.31 грн
100+	25.04 грн
500+	17.75 грн
1000+	14.02 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025SNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025SNTL

MOSFET 30V N-CHANNEL 2.5A

на замовлення 57 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.80 грн
10+	35.00 грн
100+	22.70 грн
500+	17.86 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025SPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3

на замовлення 341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.10 грн
10+	40.07 грн
100+	29.89 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025SPTL

Description: ROHM - RQ5E025SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.95 грн
500+	14.42 грн
1000+	11.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025SPTL

MOSFET -30V P-CHANNEL -2.5A

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.62 грн
10+	41.68 грн
100+	27.09 грн
500+	21.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025SPTL

на замовлення 2471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	54.01 грн
20+	42.32 грн
100+	28.47 грн
500+	18.91 грн
1000+	14.95 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025SPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025TNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V

на замовлення 9630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.47 грн
11+	28.22 грн
100+	19.18 грн
500+	14.13 грн
1000+	12.85 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025TNTL

MOSFET 30V N-CHANNEL 2.5A

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.59 грн
11+	33.29 грн
100+	21.58 грн
500+	18.16 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025TNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.40 грн
6000+	11.05 грн
9000+	10.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025TNTL

Description: ROHM - RQ5E025TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.066 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.35 грн
500+	9.84 грн
1000+	8.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025TNTL

RQ5E025TNTL SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025TNTL

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	37.40 грн
35+	24.46 грн
100+	16.19 грн
500+	11.70 грн
1000+	8.37 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

RQ5E030AJTCL

Description: ROHM - RQ5E030AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.057 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	48.42 грн
27+	31.14 грн
100+	20.70 грн
500+	14.81 грн
1000+	9.73 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

RQ5E030AJTCL

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5E030AJTCL

RQ5E030AJTCL SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E030AJTCL

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V

на замовлення 4802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.66 грн
11+	28.53 грн
100+	19.49 грн
500+	13.92 грн
1000+	12.50 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5E030AJTCL

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.20 грн
500+	16.20 грн
1000+	10.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E030AJTCL

MOSFET Nch 30V 3Ad Si MOSFET

на замовлення 5478 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.38 грн
13+	27.56 грн
100+	17.56 грн
500+	14.36 грн
1000+	11.68 грн
3000+	9.67 грн
9000+	9.15 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

RQ5E030RPTL

RQ5E030RPTL SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E030RPTL

Description: ROHM - RQ5E030RPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	52.67 грн
20+	42.74 грн
100+	28.22 грн
500+	20.62 грн
1000+	13.38 грн
5000+	12.59 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

RQ5E030RPTL

MOSFET P-CHANNEL -30V 3A

на замовлення 11359 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.66 грн
10+	39.28 грн
100+	25.08 грн
500+	19.72 грн
1000+	15.25 грн
3000+	13.84 грн
9000+	13.10 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5E030RPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ5E030RPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E030RPTL

на замовлення 5484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.22 грн
500+	20.62 грн
1000+	13.38 грн
5000+	12.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035ATTCL

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V

на замовлення 91915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.81 грн
14+	22.79 грн
100+	14.47 грн
500+	10.22 грн
1000+	9.00 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035ATTCL

RQ5E035ATTCL SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035ATTCL

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.84 грн
6000+	6.30 грн
9000+	6.08 грн
15000+	5.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035ATTCL

MOSFET Pch -30V -3.5A Power MOSFET

на замовлення 31136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.51 грн
14+	24.56 грн
100+	11.91 грн
1000+	8.11 грн
3000+	6.92 грн
9000+	6.40 грн
24000+	6.33 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035BNTCL

Description: ROHM - RQ5E035BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.028 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	41.99 грн
30+	28.63 грн
100+	10.60 грн
500+	9.30 грн
1000+	8.09 грн
5000+	7.58 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035BNTCL

RQ5E035BNTCL SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035BNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V

на замовлення 18713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	27.37 грн
19+	16.36 грн
100+	10.29 грн
500+	7.18 грн
1000+	6.38 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035BNTCL

Description: ROHM - RQ5E035BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.028 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	41.99 грн
30+	28.63 грн
100+	10.60 грн
500+	7.64 грн
1000+	5.01 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035BNTCL

MOSFET Nch 30V 3.5A Power MOSET

на замовлення 13020 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.94 грн
14+	26.02 грн
100+	9.38 грн
1000+	6.92 грн
3000+	5.21 грн
9000+	4.76 грн
24000+	4.46 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035BNTCL

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.60 грн
500+	9.30 грн
1000+	8.09 грн
5000+	7.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035BNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.93 грн
6000+	5.17 грн
9000+	4.45 грн
15000+	4.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035XNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035XNTCL

MOSFET RQ5E035XN is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.23 грн
10+	36.46 грн
100+	22.99 грн
500+	17.26 грн
1000+	13.99 грн
3000+	11.83 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035XNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

на замовлення 5986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.54 грн
10+	33.41 грн
100+	21.90 грн
500+	16.04 грн
1000+	14.45 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040AJTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040AJTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V

на замовлення 3723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.66 грн
12+	27.21 грн
100+	20.22 грн
500+	15.41 грн
1000+	13.52 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040AJTCL

MOSFETs NPN Low VCE(sat) Transistor

на замовлення 2156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.08 грн
15+	24.30 грн
100+	14.73 грн
500+	11.46 грн
1000+	10.34 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040AJTCL

RQ5E040AJTCL SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040RPTL

Description: ROHM - RQ5E040RPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040RPTL

MOSFET RQ5E040RP is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for DC/DC converters.

на замовлення 13686 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.04 грн
10+	46.04 грн
100+	30.73 грн
500+	24.26 грн
1000+	19.42 грн
3000+	17.64 грн
9000+	17.26 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040RPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040RPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3

на замовлення 179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.15 грн
10+	48.37 грн
100+	37.10 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040TNTL

RQ5E040TNTL SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040TNTL

Description: ROHM - RQ5E040TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.72 грн
500+	20.46 грн
1000+	17.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040TNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.47 грн
10+	35.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040TNTL

на замовлення 2785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	71.71 грн
19+	44.41 грн
100+	28.72 грн
500+	20.46 грн
1000+	17.17 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040TNTL

MOSFET 30V N-CHANNEL 4A

на замовлення 135 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.49 грн
10+	42.19 грн
100+	21.58 грн
1000+	18.08 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040TNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E050ATTCL

RQ5E050ATTCL SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E050ATTCL

Description: ROHM - RQ5E050ATTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.021 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	58.02 грн
17+	50.09 грн
100+	30.97 грн
500+	24.03 грн
1000+	17.10 грн
5000+	15.31 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

RQ5E050ATTCL

Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V

на замовлення 13318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.96 грн
10+	40.46 грн
100+	27.60 грн
500+	21.51 грн
1000+	19.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5E050ATTCL

MOSFETs RQ5E050AT is a small signal MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.

на замовлення 5317 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.52 грн
10+	49.46 грн
100+	28.80 грн
500+	22.99 грн
1000+	20.24 грн
3000+	15.78 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ5E050ATTCL

на замовлення 5026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.97 грн
500+	24.03 грн
1000+	17.10 грн
5000+	15.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E050ATTCL

Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.75 грн
6000+	15.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5E065AJTCL

MOSFET RQ5E065AJ is a Small Signal MOSFET for switching application that features Low on-resistance.

на замовлення 3027 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.21 грн
10+	53.23 грн
100+	35.57 грн
500+	28.13 грн
1000+	22.47 грн
3000+	20.31 грн
9000+	18.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5E065AJTCL

Description: ROHM - RQ5E065AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.0137 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.48 грн
500+	26.74 грн
1000+	21.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E065AJTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V

на замовлення 7484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.79 грн
10+	44.26 грн
100+	30.10 грн
500+	23.07 грн
1000+	20.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5E065AJTCL

на замовлення 2002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	69.37 грн
17+	50.67 грн
100+	34.48 грн
500+	26.74 грн
1000+	21.04 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

RQ5E065AJTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5E070BNTCL

Description: ROHM - RQ5E070BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0124 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0124ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1554 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.47 грн
500+	21.32 грн
1000+	16.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E070BNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E070BNTCL

Description: ROHM - RQ5E070BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0124 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1554 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	46.08 грн
20+	42.16 грн
100+	28.47 грн
500+	21.32 грн
1000+	16.17 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

RQ5E070BNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 2001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.66 грн
10+	37.52 грн
100+	25.37 грн
500+	20.16 грн
1000+	18.69 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5E070BNTCL

RQ5E070BNTCL SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E070BNTCL

MOSFETs Nch 30V 7Ad Si MOSFET

на замовлення 1455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.70 грн
10+	43.90 грн
100+	25.82 грн
500+	20.76 грн
1000+	19.42 грн
3000+	17.49 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5G060BGTCL

MOSFETs UF6 DUAL CHAN 30V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	57.73 грн
10+	38.59 грн
100+	23.51 грн
500+	20.54 грн
1000+	16.52 грн
3000+	15.33 грн
9000+	13.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020SPTL

RQ5H020SPTL SMD P channel transistors

на замовлення 2237 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

6+	56.10 грн
82+	13.30 грн
226+	12.56 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020SPTL

Description: ROHM - RQ5H020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.38 грн
500+	18.91 грн
1000+	15.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020SPTL

Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.49 грн
6000+	13.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020SPTL

Description: ROHM - RQ5H020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	61.69 грн
21+	40.57 грн
100+	26.38 грн
500+	16.59 грн
1000+	10.80 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020SPTL

Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

на замовлення 7530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.20 грн
10+	38.83 грн
100+	25.12 грн
500+	18.05 грн
1000+	16.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020SPTL

на замовлення 1176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	61.69 грн
21+	40.57 грн
100+	26.38 грн
500+	18.91 грн
1000+	15.53 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020SPTL

MOSFET Pch -45V -2.0A Power MOSFET

на замовлення 10120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.45 грн
10+	38.17 грн
100+	24.85 грн
500+	19.50 грн
1000+	15.11 грн
3000+	13.69 грн
9000+	11.98 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020TNTL

Description: ROHM - RQ5H020TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020TNTL

MOSFET RQ5H020TN is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.

на замовлення 16548 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.02 грн
10+	55.45 грн
100+	38.62 грн
500+	33.26 грн
1000+	27.16 грн
3000+	25.52 грн
6000+	24.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V

на замовлення 5117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.72 грн
10+	54.42 грн
100+	37.83 грн
500+	28.49 грн
1000+	26.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020TNTL

RQ5H020TNTL SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5H025TNTL

MOSFET 45V N-CHANNEL 2.5A

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.75 грн
10+	40.31 грн
100+	26.19 грн
500+	20.54 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5H025TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.62 грн
6000+	13.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5H025TNTL

RQ5H025TNTL SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5H025TNTL

Description: ROHM - RQ5H025TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.05 грн
500+	19.61 грн
1000+	12.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5H025TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V

на замовлення 10359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.47 грн
10+	35.73 грн
100+	24.81 грн
500+	18.18 грн
1000+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5H025TNTL

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	59.35 грн
21+	41.32 грн
100+	27.05 грн
500+	19.53 грн
1000+	12.66 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

RQ5H030TNTL

Description: ROHM - RQ5H030TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 3 A, 0.048 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4076 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	39.07 грн
50+	31.72 грн
100+	24.46 грн
500+	18.29 грн
1500+	16.53 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

RQ5H030TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5H030TNTL

MOSFETs SOT346 N CHAN 45V

на замовлення 58582 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.01 грн
11+	32.09 грн
100+	20.17 грн
500+	16.00 грн
1000+	15.40 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5H030TNTL

на замовлення 5786 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.04 грн
500+	16.05 грн
1500+	14.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5H030TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.06 грн
10+	44.57 грн
100+	29.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5H030TNTL

RQ5H030TNTL SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5L015SPTL

Description: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.66 грн
6000+	10.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5L015SPTL

MOSFETs Pch -60V -1.5A Small Signal MOSFET

на замовлення 102689 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.86 грн
13+	27.21 грн
100+	18.08 грн
500+	14.51 грн
1000+	12.80 грн
3000+	9.97 грн
9000+	9.75 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ5L015SPTL

Description: ROHM - RQ5L015SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.2 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 13407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	41.57 грн
50+	33.47 грн
100+	24.04 грн
500+	20.00 грн
1500+	16.24 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

RQ5L015SPTL

Description: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

на замовлення 6831 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.05 грн
12+	26.66 грн
100+	18.12 грн
500+	13.33 грн
1000+	12.11 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5L015SPTL

RQ5L015SPTL SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5L015SPTL

на замовлення 13407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.04 грн
500+	20.00 грн
1500+	16.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5L020SNTL

Description: ROHM - RQ5L020SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.05 грн
500+	19.61 грн
1000+	12.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5L020SNTL

RQ5L020SNTL SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5L020SNTL

Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.10 грн
10+	40.31 грн
100+	30.08 грн
500+	22.18 грн
1000+	17.14 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ5L020SNTL

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	50.84 грн
20+	43.16 грн
100+	27.05 грн
500+	19.61 грн
1000+	12.45 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

RQ5L020SNTL

Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5L020SNTL

MOSFET RQ5L020SN is a MOSFET with G-S Protection Diode and low on-switching, suitable for DC/DC Converter.

на замовлення 8561 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.79 грн
10+	37.05 грн
100+	23.22 грн
500+	18.75 грн
1000+	15.25 грн
3000+	12.87 грн
9000+	11.98 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5L030SNTL

Description: ROHM - RQ5L030SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.06 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.30 грн
500+	20.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5L030SNTL

MOSFETs RQ5L030SN is a Small Signal MOSFET with Low on - resistance, suitable for DC-DC converters.

на замовлення 7467 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.10 грн
10+	47.49 грн
100+	28.87 грн
500+	23.14 грн
1000+	20.91 грн
3000+	17.26 грн
6000+	16.30 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5L030SNTL

Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5L030SNTL

на замовлення 695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	48.42 грн
50+	39.40 грн
100+	30.30 грн
500+	20.00 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

RQ5L030SNTL

RQ5L030SNTL SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5L030SNTL

Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V

на замовлення 4787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.49 грн
10+	40.07 грн
100+	27.72 грн
500+	21.73 грн
1000+	18.50 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ5L035GNTCL

MOSFET RQ5L035GN is the high reliability transistor, suitable for switching applications.

на замовлення 3260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.60 грн
10+	51.52 грн
100+	31.03 грн
500+	25.97 грн
1000+	22.10 грн
3000+	19.57 грн
6000+	18.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5L035GNTCL

Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V

на замовлення 5384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.20 грн
10+	40.15 грн
100+	29.54 грн
500+	23.65 грн
1000+	21.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5L035GNTCL

RQ5L035GNTCL SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5L035GNTCL

Description: ROHM - RQ5L035GNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.038 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5L035GNTCL

Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5L035GNTCL

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	66.70 грн
16+	55.09 грн
100+	34.81 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

RQ5L045BGTCL

Description: NCH 60V 4.5A, TSMT3, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5L045BGTCL

MOSFETs Nch 60V 4.5A, TSMT3, Power MOSFET

на замовлення 2953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.00 грн
10+	44.59 грн
100+	28.95 грн
500+	22.77 грн
1000+	17.56 грн
3000+	16.00 грн
9000+	13.92 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ5L045BGTCL

Description: NCH 60V 4.5A, TSMT3, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.01 грн
10+	39.45 грн
100+	25.68 грн
500+	18.52 грн
1000+	16.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5P010SNTL

Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

на замовлення 13387 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.52 грн
10+	42.17 грн
100+	29.31 грн
500+	21.48 грн
1000+	17.46 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ5P010SNTL

MOSFETs RQ5P010SN is a MOSFET with G-S Protection Diode and low on-switching, suitable for DC-DC Converter.

на замовлення 14266 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.78 грн
100+	19.27 грн
500+	14.14 грн
1000+	12.95 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

RQ5P010SNTL

Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.27 грн
6000+	15.78 грн
9000+	14.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5P010SNTL

RQ5P010SNTL SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5P035BGTCL

Description: 100V 3.5A TSMT3, POWER MOSFET :
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V

на замовлення 2810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.66 грн
10+	36.59 грн
100+	24.96 грн
500+	19.83 грн
1000+	17.35 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5P035BGTCL

Description: 100V 3.5A TSMT3, POWER MOSFET :
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5P035BGTCL