Продукція > RQ5

Description: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5A020ZPTL

MOSFETs RQ5A020ZP is a MOSFET with G-S Protection Diode and low on-switching, suitable for load switch.

на замовлення 2741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.36 грн
10+	34.00 грн
100+	19.35 грн
500+	14.92 грн
1000+	13.49 грн
3000+	10.83 грн
9000+	9.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5A020ZPTL

Description: ROHM - RQ5A020ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.105 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	37.99 грн
29+	28.37 грн
100+	19.63 грн
500+	14.24 грн
1000+	11.38 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

RQ5A020ZPTL

Description: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V

на замовлення 1636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.35 грн
10+	30.77 грн
100+	19.85 грн
500+	14.22 грн
1000+	12.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5A025ZPTL

Description: ROHM - RQ5A025ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.044 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.16 грн
500+	17.71 грн
1000+	14.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5A025ZPTL

Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5A025ZPTL

на замовлення 1875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	46.25 грн
25+	33.06 грн
100+	24.16 грн
500+	17.71 грн
1000+	14.92 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

RQ5A025ZPTL

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -12V(Vdss), -2.5A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)

на замовлення 7832 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.07 грн
11+	28.83 грн
100+	19.21 грн
500+	16.55 грн
1000+	14.85 грн
3000+	12.26 грн
6000+	11.72 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5A025ZPTL

Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 6 V

на замовлення 2690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.54 грн
10+	36.01 грн
100+	23.38 грн
500+	16.84 грн
1000+	15.20 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5A030APTL

Description: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5A030APTL

MOSFETs -12V P-CHANNEL -3A

на замовлення 6494 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.28 грн
13+	24.83 грн
100+	14.71 грн
1000+	8.24 грн
3000+	7.56 грн
9000+	6.68 грн
24000+	6.06 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ5A030APTL

Description: ROHM - RQ5A030APTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.062 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 10995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.02 грн
500+	9.74 грн
1000+	8.58 грн
5000+	8.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5A030APTL

Description: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V

на замовлення 5067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.79 грн
14+	22.21 грн
100+	14.12 грн
500+	9.99 грн
1000+	8.94 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ5A030APTL

Description: ROHM - RQ5A030APTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.062 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 10995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	32.90 грн
36+	22.09 грн
100+	15.02 грн
500+	9.74 грн
1000+	8.58 грн
5000+	8.17 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

RQ5A040ZPTL

Description: ROHM - RQ5A040ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.03 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	38.54 грн
29+	28.37 грн
100+	23.44 грн
500+	18.45 грн
1000+	16.83 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

RQ5A040ZPTL

Description: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 6 V

на замовлення 3607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.93 грн
10+	47.67 грн
100+	31.35 грн
500+	22.84 грн
1000+	20.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ5A040ZPTL

Description: ROHM - RQ5A040ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.03 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.44 грн
500+	18.45 грн
1000+	16.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5A040ZPTL

Description: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 6 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5A040ZPTL

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -12V(Vdss), -4.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)

на замовлення 7168 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.31 грн
12+	26.56 грн
100+	19.69 грн
500+	18.80 грн
1000+	18.19 грн
3000+	15.87 грн
9000+	15.60 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ5C020TPTL

Description: ROHM - RQ5C020TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.1 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	53.09 грн
24+	34.17 грн
100+	22.73 грн
500+	16.38 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

RQ5C020TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V

на замовлення 2241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.65 грн
10+	31.95 грн
100+	20.65 грн
500+	14.81 грн
1000+	13.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5C020TPTL

MOSFET -20V P-CHANNEL -2A

на замовлення 2485 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ5C020TPTL

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.73 грн
500+	16.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5C020TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5C025TPTL

Description: ROHM - RQ5C025TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 24015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.89 грн
500+	13.73 грн
1500+	12.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5C025TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5C025TPTL

MOSFET -20V P-CHANNEL -2.5A

на замовлення 1105 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ5C025TPTL

на замовлення 24015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	34.89 грн
50+	28.93 грн
100+	22.89 грн
500+	13.73 грн
1500+	12.47 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

RQ5C025TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.61 грн
10+	37.93 грн
100+	24.61 грн
500+	17.71 грн
1000+	15.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5C030TPTL

Description: ROHM - RQ5C030TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3061 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.83 грн
500+	18.97 грн
1000+	15.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5C030TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.82 грн
6000+	12.23 грн
9000+	11.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5C030TPTL

на замовлення 3061 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	43.31 грн
24+	34.33 грн
100+	25.83 грн
500+	18.97 грн
1000+	15.53 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

RQ5C030TPTL

MOSFETs SOT346 P-CH 20V 3A

на замовлення 9131 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.01 грн
10+	31.65 грн
100+	20.64 грн
500+	17.58 грн
1000+	15.46 грн
3000+	11.58 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5C030TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V

на замовлення 11748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.61 грн
10+	38.23 грн
100+	24.90 грн
500+	17.98 грн
1000+	16.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5C035BCTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V

на замовлення 17398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.58 грн
10+	29.96 грн
100+	19.32 грн
500+	13.82 грн
1000+	12.43 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ5C035BCTCL

MOSFET Pch -20V -3.5A Si MOSFET

на замовлення 4851 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.76 грн
11+	30.24 грн
100+	19.69 грн
500+	15.46 грн
1000+	11.99 грн
3000+	11.31 грн
6000+	10.22 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ5C035BCTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.80 грн
6000+	10.41 грн
9000+	9.93 грн
15000+	8.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5C060BCTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5C060BCTCL

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R

на замовлення 2951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

329+	39.34 грн
342+	37.76 грн
500+	36.40 грн
1000+	33.95 грн
2500+	30.51 грн

Мінімальне замовлення: 329

В кошику од. на суму грн.

RQ5C060BCTCL

Description: ROHM - RQ5C060BCTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0161 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.68 грн
500+	26.49 грн
1000+	21.59 грн
5000+	16.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5C060BCTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V

на замовлення 4925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.17 грн
10+	47.01 грн
100+	30.88 грн
500+	22.48 грн
1000+	20.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ5C060BCTCL

Description: ROHM - RQ5C060BCTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0211 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0211ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 5278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	77.73 грн
18+	46.17 грн
100+	31.95 грн
500+	22.07 грн
1000+	18.39 грн
5000+	16.08 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ5C060BCTCL

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

201+	64.43 грн
411+	31.41 грн
450+	28.72 грн
452+	27.59 грн
556+	20.74 грн
1000+	18.62 грн

Мінімальне замовлення: 201

В кошику од. на суму грн.

RQ5C060BCTCL

MOSFETs Pch -20V -6A Si MOSFET

на замовлення 9401 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.24 грн
10+	49.82 грн
100+	29.50 грн
500+	24.66 грн
1000+	20.98 грн
3000+	19.01 грн
6000+	17.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5E015RPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

на замовлення 7202 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.58 грн
10+	29.96 грн
100+	19.32 грн
500+	13.82 грн
1000+	12.43 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ5E015RPTL

MOSFET RQ5E015RP is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.

на замовлення 9749 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.33 грн
10+	35.25 грн
100+	22.89 грн
500+	17.98 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5E015RPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5E020SPTL

Description: ROHM - RQ5E020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	56.43 грн
22+	36.16 грн
100+	23.44 грн
500+	15.35 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

RQ5E020SPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.07 грн
10+	36.97 грн
100+	23.92 грн
500+	17.18 грн
1000+	15.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5E020SPTL

MOSFETs RQ5E020SP is a Small Signal MOSFET with Low on - resistance, suitable for Switching.

на замовлення 2598 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.87 грн
10+	38.15 грн
100+	21.87 грн
500+	16.89 грн
1000+	14.85 грн
3000+	11.99 грн
9000+	10.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5E020SPTL

Description: ROHM - RQ5E020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.44 грн
500+	15.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E020SPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025ATTCL

Description: ROHM - RQ5E025ATTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	40.77 грн
31+	25.67 грн
100+	13.99 грн
500+	11.44 грн
1000+	9.13 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025ATTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V

на замовлення 3702 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.38 грн
12+	24.80 грн
100+	15.87 грн
500+	11.27 грн
1000+	10.10 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025ATTCL

MOSFETs Pch -30V -2.5A Si MOSFET

на замовлення 21090 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.61 грн
12+	26.87 грн
100+	15.67 грн
500+	12.19 грн
1000+	10.97 грн
3000+	7.97 грн
9000+	7.36 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025ATTCL

на замовлення 1564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.99 грн
500+	11.44 грн
1000+	9.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025ATTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025SNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025SNTL

MOSFET 30V N-CHANNEL 2.5A

на замовлення 57 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.35 грн
10+	32.04 грн
100+	20.78 грн
500+	16.35 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025SNTL

Description: ROHM - RQ5E025SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	50.86 грн
23+	34.57 грн
100+	23.84 грн
500+	16.90 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025SNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.85 грн
10+	33.14 грн
100+	24.74 грн
500+	18.24 грн
1000+	14.09 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025SNTL

на замовлення 985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.84 грн
500+	16.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025SPTL

Description: ROHM - RQ5E025SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.99 грн
500+	13.73 грн
1000+	10.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025SPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025SPTL

на замовлення 2471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.42 грн
20+	40.29 грн
100+	27.10 грн
500+	18.01 грн
1000+	14.24 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025SPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V

на замовлення 2534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.01 грн
10+	35.28 грн
100+	22.87 грн
500+	16.46 грн
1000+	14.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025SPTL

MOSFET -30V P-CHANNEL -2.5A

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.51 грн
10+	38.15 грн
100+	24.80 грн
500+	19.89 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025TNTL

Description: ROHM - RQ5E025TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.066 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.81 грн
500+	9.37 грн
1000+	8.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025TNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V

на замовлення 9630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.38 грн
11+	26.86 грн
100+	18.26 грн
500+	13.46 грн
1000+	12.24 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025TNTL

MOSFET 30V N-CHANNEL 2.5A

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.24 грн
11+	30.47 грн
100+	19.76 грн
500+	16.62 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025TNTL

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	35.60 грн
35+	23.29 грн
100+	15.42 грн
500+	11.14 грн
1000+	7.97 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

RQ5E025TNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.81 грн
6000+	10.52 грн
9000+	10.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5E030AJTCL

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V

на замовлення 8490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.51 грн
11+	28.19 грн
100+	18.14 грн
500+	12.95 грн
1000+	11.63 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ5E030AJTCL

MOSFET Nch 30V 3Ad Si MOSFET

на замовлення 5478 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.30 грн
13+	25.23 грн
100+	16.08 грн
500+	13.15 грн
1000+	10.69 грн
3000+	8.86 грн
9000+	8.38 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

RQ5E030AJTCL

Description: ROHM - RQ5E030AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.057 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.14 грн
500+	15.42 грн
1000+	10.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E030AJTCL

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.02 грн
6000+	9.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5E030AJTCL

на замовлення 2485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	46.10 грн
27+	29.64 грн
100+	19.71 грн
500+	14.10 грн
1000+	9.26 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

RQ5E030RPTL

Description: ROHM - RQ5E030RPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	50.15 грн
20+	40.69 грн
100+	26.86 грн
500+	19.63 грн
1000+	12.74 грн
5000+	11.99 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

RQ5E030RPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E030RPTL

MOSFET P-CHANNEL -30V 3A

на замовлення 11359 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.63 грн
10+	35.96 грн
100+	22.96 грн
500+	18.05 грн
1000+	13.96 грн
3000+	12.67 грн
9000+	11.99 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5E030RPTL

на замовлення 5484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.86 грн
500+	19.63 грн
1000+	12.74 грн
5000+	11.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E030RPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V

на замовлення 1903 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.94 грн
10+	33.73 грн
100+	21.83 грн
500+	15.69 грн
1000+	14.14 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035ATTCL

MOSFET Pch -30V -3.5A Power MOSFET

на замовлення 31136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.85 грн
14+	22.48 грн
100+	10.90 грн
1000+	7.43 грн
3000+	6.34 грн
9000+	5.86 грн
24000+	5.79 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035ATTCL

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V

на замовлення 68725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.02 грн
14+	21.25 грн
100+	13.53 грн
500+	9.56 грн
1000+	8.54 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035ATTCL

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V

на замовлення 66000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.02 грн
6000+	7.03 грн
9000+	6.68 грн
15000+	5.89 грн
21000+	5.67 грн
30000+	5.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035BNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035BNTCL

Description: ROHM - RQ5E035BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.028 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	39.98 грн
30+	27.26 грн
100+	10.09 грн
500+	7.27 грн
1000+	4.77 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035BNTCL

Description: ROHM - RQ5E035BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.028 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.09 грн
500+	8.86 грн
1000+	7.70 грн
5000+	7.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035BNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V

на замовлення 5565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.29 грн
20+	15.05 грн
100+	9.45 грн
500+	6.59 грн
1000+	5.86 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035BNTCL

MOSFET Nch 30V 3.5A Power MOSET

на замовлення 13020 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.73 грн
14+	23.81 грн
100+	8.58 грн
1000+	6.34 грн
3000+	4.77 грн
9000+	4.36 грн
24000+	4.09 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035BNTCL

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	39.98 грн
30+	27.26 грн
100+	10.09 грн
500+	8.86 грн
1000+	7.70 грн
5000+	7.22 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035XNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035XNTCL

MOSFET RQ5E035XN is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.41 грн
10+	33.37 грн
100+	21.05 грн
500+	15.80 грн
1000+	12.81 грн
3000+	10.83 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5E035XNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

на замовлення 5986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.88 грн
10+	31.81 грн
100+	20.85 грн
500+	15.27 грн
1000+	13.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040AJTCL

MOSFETs NPN Low VCE(sat) Transistor

на замовлення 5011 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.01 грн
12+	26.40 грн
100+	17.78 грн
500+	14.10 грн
1000+	12.74 грн
3000+	11.51 грн
6000+	9.47 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040AJTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040AJTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V

на замовлення 1702 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.11 грн
10+	30.99 грн
100+	20.01 грн
500+	14.34 грн
1000+	12.90 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040RPTL

Description: ROHM - RQ5E040RPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040RPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

на замовлення 1370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.44 грн
10+	40.59 грн
100+	26.52 грн
500+	19.20 грн
1000+	17.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040RPTL

MOSFET RQ5E040RP is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for DC/DC converters.

на замовлення 13686 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.56 грн
10+	42.15 грн
100+	28.13 грн
500+	22.21 грн
1000+	17.78 грн
3000+	16.14 грн
9000+	15.80 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040RPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040TNTL

MOSFETs SOT346 N-CH 30V 4A

на замовлення 1785 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.23 грн
10+	38.07 грн
100+	21.53 грн
500+	16.55 грн
1000+	14.92 грн
3000+	12.53 грн
6000+	11.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040TNTL

Description: ROHM - RQ5E040TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.34 грн
500+	19.48 грн
1000+	16.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040TNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040TNTL

на замовлення 2785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	68.27 грн
19+	42.28 грн
100+	27.34 грн
500+	19.48 грн
1000+	16.35 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

RQ5E040TNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V

на замовлення 4190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.01 грн
10+	35.35 грн
100+	22.96 грн
500+	16.54 грн
1000+	14.92 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5E050ATTCL

Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.53 грн
6000+	13.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5E050ATTCL

Description: ROHM - RQ5E050ATTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.026 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4697 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.97 грн
500+	19.85 грн
1000+	16.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E050ATTCL

Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V

на замовлення 11717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.50 грн
10+	42.36 грн
100+	27.75 грн
500+	20.12 грн
1000+	18.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5E050ATTCL

MOSFETs RQ5E050AT is a small signal MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.

на замовлення 5317 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.08 грн
10+	45.28 грн
100+	26.36 грн
500+	21.05 грн
1000+	18.53 грн
3000+	14.44 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ5E050ATTCL

Description: ROHM - RQ5E050ATTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.026 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 4687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	63.50 грн
21+	39.66 грн
100+	27.97 грн
500+	19.85 грн
1000+	16.55 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

RQ5E065AJTCL

Description: ROHM - RQ5E065AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.0137 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.82 грн
500+	25.46 грн
1000+	20.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E065AJTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5E065AJTCL

MOSFET RQ5E065AJ is a Small Signal MOSFET for switching application that features Low on-resistance.

на замовлення 3027 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.03 грн
10+	48.73 грн
100+	32.56 грн
500+	25.75 грн
1000+	20.57 грн
3000+	18.60 грн
9000+	16.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5E065AJTCL

на замовлення 2002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	66.04 грн
17+	48.24 грн
100+	32.82 грн
500+	25.46 грн
1000+	20.03 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

RQ5E065AJTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V

на замовлення 7484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.78 грн
10+	42.14 грн
100+	28.66 грн
500+	21.97 грн
1000+	19.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5E070BNTCL

MOSFETs Nch 30V 7Ad Si MOSFET

на замовлення 1455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.58 грн
10+	40.19 грн
100+	23.64 грн
500+	19.01 грн
1000+	17.78 грн
3000+	16.01 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5E070BNTCL

Description: ROHM - RQ5E070BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0124 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1554 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	43.87 грн
20+	40.13 грн
100+	27.10 грн
500+	20.29 грн
1000+	15.40 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

RQ5E070BNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5E070BNTCL

Description: ROHM - RQ5E070BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0124 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0124ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1554 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.10 грн
500+	20.29 грн
1000+	15.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5E070BNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 1055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.57 грн
10+	44.43 грн
100+	29.15 грн
500+	21.19 грн
1000+	19.20 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5G060BGTCL

MOSFETs UF6 DUAL CHAN 30V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.85 грн
10+	35.33 грн
100+	21.53 грн
500+	18.80 грн
1000+	15.12 грн
3000+	14.03 грн
9000+	12.53 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020SPTL

Description: ROHM - RQ5H020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020SPTL

Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

на замовлення 7530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.07 грн
10+	36.97 грн
100+	23.92 грн
500+	17.18 грн
1000+	15.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020SPTL

ROHM SEMICONDUCTOR

RQ5H020SPTL SMD P channel transistors

на замовлення 2697 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	72.59 грн
84+	14.07 грн
229+	13.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020SPTL

MOSFET Pch -45V -2.0A Power MOSFET

на замовлення 10120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	40.69 грн
10+	34.94 грн
100+	22.75 грн
500+	17.85 грн
1000+	13.83 грн
3000+	12.53 грн
9000+	10.97 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020SPTL

Description: ROHM - RQ5H020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	58.73 грн
21+	38.62 грн
100+	25.11 грн
500+	15.79 грн
1000+	10.29 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020SPTL

на замовлення 1176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	58.73 грн
21+	38.62 грн
100+	25.11 грн
500+	18.01 грн
1000+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020SPTL

Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.75 грн
6000+	13.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020TNTL

Description: ROHM - RQ5H020TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020TNTL

MOSFET RQ5H020TN is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.

на замовлення 16548 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.01 грн
10+	50.76 грн
100+	35.35 грн
500+	30.45 грн
1000+	24.86 грн
3000+	23.37 грн
6000+	22.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5H020TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V

на замовлення 5117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.70 грн
10+	51.81 грн
100+	36.02 грн
500+	27.13 грн
1000+	24.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ5H025TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V

на замовлення 7577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.71 грн
10+	33.87 грн
100+	21.95 грн
500+	15.78 грн
1000+	14.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5H025TNTL

MOSFET 45V N-CHANNEL 2.5A

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.71 грн
10+	36.90 грн
100+	23.98 грн
500+	18.80 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5H025TNTL

Description: ROHM - RQ5H025TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.75 грн
500+	18.67 грн
1000+	11.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5H025TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.57 грн
6000+	12.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5H025TNTL

Description: ROHM - RQ5H025TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2.5 A, 0.13 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	45.22 грн
26+	30.84 грн
100+	20.58 грн
500+	14.91 грн
1000+	12.19 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

RQ5H030TNTL

MOSFETs SOT346 N CHAN 45V

на замовлення 58582 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.12 грн
11+	29.38 грн
100+	18.46 грн
500+	14.65 грн
1000+	14.10 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5H030TNTL

Description: ROHM - RQ5H030TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 3 A, 0.048 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	70.89 грн
50+	46.81 грн
100+	31.31 грн
500+	23.47 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

RQ5H030TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V

на замовлення 7438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.21 грн
10+	40.74 грн
100+	26.63 грн
500+	19.30 грн
1000+	17.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5H030TNTL

на замовлення 528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.31 грн
500+	23.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5H030TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.75 грн
6000+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5L015SPTL

Description: ROHM - RQ5L015SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.2 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 13407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	39.58 грн
50+	31.87 грн
100+	22.89 грн
500+	19.04 грн
1500+	15.46 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

RQ5L015SPTL

Description: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5L015SPTL

MOSFETs Pch -60V -1.5A Small Signal MOSFET

на замовлення 98745 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.41 грн
15+	21.93 грн
100+	15.80 грн
500+	12.67 грн
1000+	11.17 грн
3000+	8.65 грн
6000+	8.45 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ5L015SPTL

на замовлення 13407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.89 грн
500+	19.04 грн
1500+	15.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5L015SPTL

Description: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

на замовлення 4168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.05 грн
11+	29.37 грн
100+	18.91 грн
500+	13.52 грн
1000+	12.15 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ5L020SNTL

Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5L020SNTL

MOSFET RQ5L020SN is a MOSFET with G-S Protection Diode and low on-switching, suitable for DC/DC Converter.

на замовлення 8561 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.84 грн
10+	33.92 грн
100+	21.25 грн
500+	17.17 грн
1000+	13.96 грн
3000+	11.78 грн
9000+	10.97 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5L020SNTL

Description: ROHM - RQ5L020SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	48.40 грн
20+	41.09 грн
100+	25.75 грн
500+	18.67 грн
1000+	11.85 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

RQ5L020SNTL

Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

на замовлення 4934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.71 грн
10+	33.87 грн
100+	21.95 грн
500+	15.78 грн
1000+	14.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5L020SNTL

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.75 грн
500+	18.67 грн
1000+	11.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5L030ATTCL

MOSFETs Pch -60V -3.0A, SOT-346T, Small Signal MOSFET

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.10 грн
10+	35.64 грн
100+	20.10 грн
500+	15.33 грн
1000+	13.83 грн
3000+	11.92 грн
6000+	10.97 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5L030SNTL

Description: ROHM - RQ5L030SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.06 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.85 грн
500+	19.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5L030SNTL

Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V

на замовлення 9744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.21 грн
10+	41.11 грн
100+	26.88 грн
500+	19.48 грн
1000+	17.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5L030SNTL

MOSFETs RQ5L030SN is a Small Signal MOSFET with Low on - resistance, suitable for DC-DC converters.

на замовлення 7467 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.75 грн
10+	43.48 грн
100+	26.43 грн
500+	21.19 грн
1000+	19.14 грн
3000+	15.80 грн
6000+	14.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5L030SNTL

на замовлення 695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	46.10 грн
50+	37.51 грн
100+	28.85 грн
500+	19.04 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

RQ5L030SNTL

Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.91 грн
6000+	15.02 грн
9000+	14.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5L035GNTCL

Description: ROHM - RQ5L035GNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.038 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ5L035GNTCL

Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V

на замовлення 5384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.07 грн
10+	38.23 грн
100+	28.12 грн
500+	22.52 грн
1000+	20.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5L035GNTCL

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	63.50 грн
16+	52.45 грн
100+	33.14 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

RQ5L035GNTCL

MOSFET RQ5L035GN is the high reliability transistor, suitable for switching applications.

на замовлення 3260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.47 грн
10+	47.16 грн
100+	28.41 грн
500+	23.77 грн
1000+	20.23 грн
3000+	17.92 грн
6000+	16.96 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ5L035GNTCL

Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5L045BGTCL

Description: NCH 60V 4.5A, TSMT3, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.84 грн
10+	37.56 грн
100+	24.45 грн
500+	17.63 грн
1000+	15.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ5L045BGTCL

MOSFETs Nch 60V 4.5A, TSMT3, Power MOSFET

на замовлення 2953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.61 грн
10+	40.81 грн
100+	26.50 грн
500+	20.84 грн
1000+	16.08 грн
3000+	14.65 грн
9000+	12.74 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ5L045BGTCL

Description: NCH 60V 4.5A, TSMT3, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5P010SNTL

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 1.0A(Id), (2.5V, 4.0V Drive)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ5P010SNTL

Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

на замовлення 13387 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.05 грн
10+	40.15 грн
100+	27.90 грн
500+	20.45 грн
1000+	16.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ5P010SNTL

Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.44 грн
6000+	15.03 грн
9000+	13.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ5P035BGTCL

Description: 100V 3.5A TSMT3, POWER MOSFET :
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V

на замовлення 2810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.62 грн
10+	34.83 грн
100+	23.76 грн
500+	18.88 грн
1000+	16.52 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5P035BGTCL

MOSFETs 100V 3.5A TSMT3, Power MOSFET

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.58 грн
10+	39.17 грн
100+	23.23 грн
500+	19.35 грн
1000+	16.49 грн
3000+	14.92 грн
6000+	13.83 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ5P035BGTCL