НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RQ5A020ZPTLROHMDescription: ROHM - RQ5A020ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.105 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.56 грн
24+33.84 грн
100+21.86 грн
500+14.28 грн
1000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A020ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A020ZPTLROHMDescription: ROHM - RQ5A020ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.075 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.62 грн
500+11.20 грн
1000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A020ZPTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -12V(Vdss), -2.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.32 грн
10+33.11 грн
100+18.59 грн
500+14.22 грн
1000+12.77 грн
3000+10.89 грн
6000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A020ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.30 грн
10+31.34 грн
100+20.22 грн
500+14.48 грн
1000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A025ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 6 V
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.66 грн
10+36.68 грн
100+23.81 грн
500+17.15 грн
1000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A025ZPTLROHMDescription: ROHM - RQ5A025ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.044 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.11 грн
25+33.67 грн
100+24.61 грн
500+18.04 грн
1000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A025ZPTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -12V(Vdss), -2.5A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)
на замовлення 7832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.87 грн
11+29.36 грн
100+19.57 грн
500+16.86 грн
1000+15.13 грн
3000+12.49 грн
6000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A025ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A025ZPTLROHMDescription: ROHM - RQ5A025ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.044 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.61 грн
500+18.04 грн
1000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A030APTLROHMDescription: ROHM - RQ5A030APTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.062 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.30 грн
500+9.92 грн
1000+8.74 грн
5000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A030APTLROHM SemiconductorMOSFETs -12V P-CHANNEL -3A
на замовлення 6494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.84 грн
13+25.29 грн
100+14.99 грн
1000+8.40 грн
3000+7.70 грн
9000+6.80 грн
24000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A030APTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A030APTLROHMDescription: ROHM - RQ5A030APTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.062 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.51 грн
36+22.50 грн
100+15.30 грн
500+9.92 грн
1000+8.74 грн
5000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A030APTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
на замовлення 5067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.47 грн
14+22.62 грн
100+14.39 грн
500+10.18 грн
1000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A040ZPTLROHMDescription: ROHM - RQ5A040ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.03 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.19 грн
500+21.35 грн
1000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A040ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 6 V
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.40 грн
10+48.56 грн
100+31.93 грн
500+23.26 грн
1000+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A040ZPTLROHMDescription: ROHM - RQ5A040ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.03 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.65 грн
20+40.88 грн
100+30.19 грн
500+21.35 грн
1000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A040ZPTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -12V(Vdss), -4.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)
на замовлення 7076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.65 грн
10+40.29 грн
100+25.88 грн
500+21.44 грн
1000+19.91 грн
3000+17.97 грн
6000+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A040ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C020TPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C020TPTLROHM SemiconductorMOSFET -20V P-CHANNEL -2A
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C020TPTLROHMDescription: ROHM - RQ5C020TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.1 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.15 грн
500+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C020TPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.64 грн
10+32.55 грн
100+21.03 грн
500+15.08 грн
1000+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C020TPTLROHMDescription: ROHM - RQ5C020TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.1 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.07 грн
24+34.81 грн
100+23.15 грн
500+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C025TPTLROHMDescription: ROHM - RQ5C025TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.54 грн
50+29.46 грн
100+23.31 грн
500+13.98 грн
1500+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C025TPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C025TPTLROHMDescription: ROHM - RQ5C025TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.31 грн
500+13.98 грн
1500+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C025TPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.79 грн
10+38.64 грн
100+25.07 грн
500+18.04 грн
1000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C025TPTLROHM SemiconductorMOSFET -20V P-CHANNEL -2.5A
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C030TPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 11748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.79 грн
10+38.94 грн
100+25.36 грн
500+18.31 грн
1000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C030TPTLROHMDescription: ROHM - RQ5C030TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.12 грн
24+34.97 грн
100+26.31 грн
500+19.32 грн
1000+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C030TPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.07 грн
6000+12.45 грн
9000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C030TPTLROHM SemiconductorMOSFETs SOT346 P-CH 20V 3A
на замовлення 9131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.77 грн
10+32.24 грн
100+21.02 грн
500+17.90 грн
1000+15.75 грн
3000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C030TPTLROHMDescription: ROHM - RQ5C030TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.31 грн
500+19.32 грн
1000+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C035BCTCLROHM SemiconductorMOSFET Pch -20V -3.5A Si MOSFET
на замовлення 4851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.43 грн
11+30.80 грн
100+20.05 грн
500+15.75 грн
1000+12.21 грн
3000+11.52 грн
6000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C035BCTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
на замовлення 13120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.74 грн
10+30.37 грн
100+19.60 грн
500+14.02 грн
1000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C035BCTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.97 грн
6000+10.56 грн
9000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C035BCTCLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; Idm: -12A; 1W; TSMT3
Case: TSMT3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -12A
Drain current: -3.5A
Gate charge: 6.5nC
On-state resistance: 135mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C060BCTCLROHMDescription: ROHM - RQ5C060BCTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0161 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.35 грн
500+26.98 грн
1000+21.99 грн
5000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C060BCTCLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 1W; TSMT3
Case: TSMT3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -18A
Drain current: -6A
Gate charge: 19.2nC
On-state resistance: 51mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C060BCTCLROHMDescription: ROHM - RQ5C060BCTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0211 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0211ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.17 грн
18+47.03 грн
100+32.54 грн
500+22.47 грн
1000+18.73 грн
5000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C060BCTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C060BCTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+69.50 грн
411+33.88 грн
450+30.98 грн
452+29.76 грн
556+22.38 грн
1000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 201
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C060BCTCLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -20V -6A Si MOSFET
на замовлення 9401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.48 грн
10+50.75 грн
100+30.04 грн
500+25.12 грн
1000+21.37 грн
3000+19.36 грн
6000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C060BCTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.62 грн
10+47.66 грн
100+31.34 грн
500+22.82 грн
1000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C060BCTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+42.44 грн
342+40.74 грн
500+39.26 грн
1000+36.63 грн
2500+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 329
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E015RPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E015RPTLROHM SemiconductorMOSFET RQ5E015RP is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.
на замовлення 9749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.09 грн
10+35.91 грн
100+23.31 грн
500+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E015RPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 7202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.52 грн
10+30.52 грн
100+19.68 грн
500+14.08 грн
1000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E020SPTLROHMDescription: ROHM - RQ5E020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.88 грн
500+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E020SPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.23 грн
10+37.66 грн
100+24.36 грн
500+17.50 грн
1000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E020SPTLROHMDescription: ROHM - RQ5E020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.41 грн
20+40.47 грн
100+26.23 грн
500+18.64 грн
1000+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E020SPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E020SPTLROHM SemiconductorMOSFETs RQ5E020SP is a Small Signal MOSFET with Low on - resistance, suitable for Switching.
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.91 грн
10+38.86 грн
100+22.27 грн
500+17.21 грн
1000+15.13 грн
3000+12.21 грн
9000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025ATTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025ATTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E025ATTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.25 грн
500+11.65 грн
1000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025ATTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
на замовлення 4967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.15 грн
12+25.18 грн
100+16.10 грн
500+11.43 грн
1000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025ATTCLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -30V -2.5A Si MOSFET
на замовлення 15397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.63 грн
12+28.57 грн
100+15.96 грн
500+12.07 грн
1000+10.82 грн
3000+9.16 грн
9000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025ATTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E025ATTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.53 грн
31+26.15 грн
100+14.25 грн
500+11.65 грн
1000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025SNTLROHM SemiconductorMOSFET 30V N-CHANNEL 2.5A
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.05 грн
10+32.63 грн
100+21.16 грн
500+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025SNTLROHMDescription: ROHM - RQ5E025SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.28 грн
500+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.59 грн
10+33.75 грн
100+25.20 грн
500+18.58 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025SNTLROHMDescription: ROHM - RQ5E025SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.81 грн
23+35.21 грн
100+24.28 грн
500+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025SPTLROHMDescription: ROHM - RQ5E025SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.37 грн
20+41.04 грн
100+27.60 грн
500+18.34 грн
1000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025SPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025SPTLROHM SemiconductorMOSFET -30V P-CHANNEL -2.5A
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.33 грн
10+38.86 грн
100+25.26 грн
500+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025SPTLROHMDescription: ROHM - RQ5E025SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.35 грн
500+13.98 грн
1000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025SPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.10 грн
10+35.93 грн
100+23.29 грн
500+16.76 грн
1000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025TNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.02 грн
6000+10.71 грн
9000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025TNTLROHM SemiconductorMOSFET 30V N-CHANNEL 2.5A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.91 грн
11+31.04 грн
100+20.12 грн
500+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025TNTLROHMDescription: ROHM - RQ5E025TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.066 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.26 грн
35+23.72 грн
100+15.70 грн
500+11.35 грн
1000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025TNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
на замовлення 9630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.15 грн
11+27.36 грн
100+18.60 грн
500+13.70 грн
1000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025TNTLROHMDescription: ROHM - RQ5E025TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.066 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.01 грн
500+9.55 грн
1000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E030AJTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E030AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.057 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.53 грн
500+15.71 грн
1000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E030AJTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
на замовлення 19699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.40 грн
11+28.79 грн
100+18.51 грн
500+13.21 грн
1000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E030AJTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E030AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.057 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.95 грн
27+30.19 грн
100+20.08 грн
500+14.36 грн
1000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E030AJTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.24 грн
6000+9.91 грн
9000+9.44 грн
15000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E030AJTCLROHM SemiconductorMOSFET Nch 30V 3Ad Si MOSFET
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.92 грн
13+25.69 грн
100+16.37 грн
500+13.39 грн
1000+10.89 грн
3000+9.02 грн
9000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E030RPTLROHMDescription: ROHM - RQ5E030RPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.36 грн
500+19.99 грн
1000+12.97 грн
5000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E030RPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E030RPTLROHM SemiconductorMOSFET P-CHANNEL -30V 3A
на замовлення 11359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.44 грн
10+36.62 грн
100+23.38 грн
500+18.39 грн
1000+14.22 грн
3000+12.91 грн
9000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E030RPTLROHMDescription: ROHM - RQ5E030RPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.08 грн
20+41.45 грн
100+27.36 грн
500+19.99 грн
1000+12.97 грн
5000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E030RPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.98 грн
10+34.35 грн
100+22.23 грн
500+15.98 грн
1000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035ATTCLROHM SemiconductorMOSFET Pch -30V -3.5A Power MOSFET
на замовлення 31136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.38 грн
14+22.90 грн
100+11.10 грн
1000+7.56 грн
3000+6.45 грн
9000+5.97 грн
24000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035ATTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.14 грн
6000+7.14 грн
9000+6.78 грн
15000+5.98 грн
21000+5.76 грн
30000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035ATTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
на замовлення 62611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.91 грн
14+21.57 грн
100+13.73 грн
500+9.70 грн
1000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035BNTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E035BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.028 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.28 грн
500+9.02 грн
1000+7.84 грн
5000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035BNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035BNTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E035BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.028 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.72 грн
30+27.77 грн
100+10.28 грн
500+9.02 грн
1000+7.84 грн
5000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035BNTCLROHM SemiconductorMOSFET Nch 30V 3.5A Power MOSET
на замовлення 13020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.37 грн
14+24.26 грн
100+8.74 грн
1000+6.45 грн
3000+4.86 грн
9000+4.44 грн
24000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035BNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.54 грн
20+15.56 грн
100+9.76 грн
500+6.82 грн
1000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035BNTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E035BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.028 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.19 грн
44+18.54 грн
100+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035XNTCLROHM SemiconductorMOSFET RQ5E035XN is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.17 грн
10+33.99 грн
100+21.44 грн
500+16.10 грн
1000+13.04 грн
3000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035XNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035XNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 5951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.42 грн
10+32.77 грн
100+21.23 грн
500+15.23 грн
1000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E040AJTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V
на замовлення 5728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.08 грн
10+31.64 грн
100+20.42 грн
500+14.63 грн
1000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E040AJTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E040AJTCLROHM SemiconductorMOSFETs NPN Low VCE(sat) Transistor
на замовлення 5011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.77 грн
12+26.89 грн
100+18.11 грн
500+14.36 грн
1000+12.97 грн
3000+11.73 грн
6000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E040RPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.69 грн
10+41.34 грн
100+27.01 грн
500+19.55 грн
1000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E040RPTLROHM SemiconductorMOSFET RQ5E040RP is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for DC/DC converters.
на замовлення 13686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.46 грн
10+42.93 грн
100+28.66 грн
500+22.62 грн
1000+18.11 грн
3000+16.44 грн
9000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E040RPTLROHMDescription: ROHM - RQ5E040RPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E040RPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E040TNTLROHM SemiconductorMOSFETs SOT346 N-CH 30V 4A
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.38 грн
10+38.78 грн
100+21.93 грн
500+16.86 грн
1000+15.20 грн
3000+12.77 грн
6000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E040TNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V
на замовлення 4190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.10 грн
10+36.00 грн
100+23.38 грн
500+16.84 грн
1000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E040TNTLROHMDescription: ROHM - RQ5E040TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.53 грн
19+43.06 грн
100+27.85 грн
500+19.84 грн
1000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E040TNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E040TNTLROHMDescription: ROHM - RQ5E040TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.85 грн
500+19.84 грн
1000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E050ATTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E050ATTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.026 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.49 грн
500+20.22 грн
1000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E050ATTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.73 грн
6000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E050ATTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E050ATTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.026 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.68 грн
21+40.39 грн
100+28.49 грн
500+20.22 грн
1000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E050ATTCLROHM SemiconductorMOSFETs RQ5E050AT is a small signal MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.
на замовлення 5317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.97 грн
10+46.12 грн
100+26.85 грн
500+21.44 грн
1000+18.87 грн
3000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E050ATTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V
на замовлення 11580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.03 грн
10+42.99 грн
100+28.16 грн
500+20.42 грн
1000+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E065AJTCLROHM SemiconductorMOSFET RQ5E065AJ is a Small Signal MOSFET for switching application that features Low on-resistance.
на замовлення 3027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.07 грн
10+49.63 грн
100+33.17 грн
500+26.23 грн
1000+20.95 грн
3000+18.94 грн
9000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E065AJTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E065AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.0137 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.27 грн
17+49.14 грн
100+33.43 грн
500+25.93 грн
1000+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E065AJTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E065AJTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E065AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.0137 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.43 грн
500+25.93 грн
1000+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E065AJTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
на замовлення 6163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.71 грн
10+45.93 грн
100+30.13 грн
500+21.90 грн
1000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E070BNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.71 грн
10+45.93 грн
100+30.13 грн
500+21.90 грн
1000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E070BNTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E070BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0124 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0124ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.60 грн
500+20.67 грн
1000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E070BNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E070BNTCLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 30V 7Ad Si MOSFET
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.68 грн
10+48.75 грн
100+27.82 грн
500+21.51 грн
1000+19.50 грн
3000+16.93 грн
6000+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E070BNTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E070BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0124 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.68 грн
20+40.88 грн
100+27.60 грн
500+20.67 грн
1000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E070BNTCLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 18A; 1W; TSMT3
Case: TSMT3
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
On-state resistance: 20.4mΩ
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5G040ATTCLRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -4.0A, SOT-346T, SMALL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5G040ATTCLRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -4.0A, SOT-346T, SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 20 V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.64 грн
10+32.40 грн
100+20.96 грн
500+15.03 грн
1000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5G060BGTCLRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 6A SOT-346T, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.6mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.45 грн
10+37.43 грн
100+24.38 грн
500+17.58 грн
1000+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5G060BGTCLROHM SemiconductorMOSFETs UF6 DUAL CHAN 30V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.83 грн
10+35.99 грн
100+21.93 грн
500+19.15 грн
1000+15.40 грн
3000+14.29 грн
9000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5G060BGTCLRohm SemiconductorDescription: NCH 40V 6A SOT-346T, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.6mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H020SPTLROHMDescription: ROHM - RQ5H020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.17 грн
24+35.13 грн
100+23.72 грн
500+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H020SPTLROHMDescription: ROHM - RQ5H020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.41 грн
21+38.85 грн
100+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H020SPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.02 грн
6000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H020SPTLROHMDescription: ROHM - RQ5H020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H020SPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 7530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.23 грн
10+37.66 грн
100+24.36 грн
500+17.50 грн
1000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H020SPTLRohmMOSFET P-CH 45V 2A TSMT3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H020SPTLROHM SemiconductorMOSFET Pch -45V -2.0A Power MOSFET
на замовлення 10120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.45 грн
10+35.59 грн
100+23.17 грн
500+18.18 грн
1000+14.08 грн
3000+12.77 грн
9000+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H020TNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 5117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.18 грн
10+52.77 грн
100+36.69 грн
500+27.63 грн
1000+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H020TNTLROHM SemiconductorMOSFET RQ5H020TN is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.
на замовлення 16548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.22 грн
10+51.70 грн
100+36.01 грн
500+31.01 грн
1000+25.33 грн
3000+23.80 грн
6000+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H020TNTLROHMDescription: ROHM - RQ5H020TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H020TNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H025TNTLROHMDescription: ROHM - RQ5H025TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.23 грн
500+19.02 грн
1000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H025TNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.82 грн
6000+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H025TNTLROHM SemiconductorMOSFET 45V N-CHANNEL 2.5A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.52 грн
10+37.58 грн
100+24.42 грн
500+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H025TNTLROHMDescription: ROHM - RQ5H025TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2.5 A, 0.13 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.06 грн
26+31.41 грн
100+20.97 грн
500+15.18 грн
1000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H025TNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
на замовлення 7577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.76 грн
10+34.50 грн
100+22.35 грн
500+16.08 грн
1000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H030TNTLROHMDescription: ROHM - RQ5H030TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 3 A, 0.048 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.89 грн
500+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H030TNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H030TNTLROHMDescription: ROHM - RQ5H030TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 3 A, 0.048 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.21 грн
50+47.68 грн
100+31.89 грн
500+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H030TNTLROHM SemiconductorMOSFETs SOT346 N CHAN 45V
на замовлення 58582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.90 грн
11+29.92 грн
100+18.80 грн
500+14.92 грн
1000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H030TNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
на замовлення 3177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.25 грн
10+42.32 грн
100+27.66 грн
500+20.04 грн
1000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L015SPTLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -60V -1.5A Small Signal MOSFET
на замовлення 98745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.95 грн
15+22.34 грн
100+16.10 грн
500+12.91 грн
1000+11.38 грн
3000+8.81 грн
6000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L015SPTLROHMDescription: ROHM - RQ5L015SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.28 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.55 грн
500+17.21 грн
1500+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L015SPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 4168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.96 грн
11+29.92 грн
100+19.26 грн
500+13.77 грн
1000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L015SPTLROHMDescription: ROHM - RQ5L015SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.28 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.30 грн
50+38.85 грн
100+26.55 грн
500+17.21 грн
1500+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L015SPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L020SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 4934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.76 грн
10+34.50 грн
100+22.35 грн
500+16.08 грн
1000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L020SNTLROHMDescription: ROHM - RQ5L020SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.23 грн
500+19.02 грн
1000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L020SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L020SNTLROHM SemiconductorMOSFET RQ5L020SN is a MOSFET with G-S Protection Diode and low on-switching, suitable for DC/DC Converter.
на замовлення 8561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.63 грн
10+34.55 грн
100+21.65 грн
500+17.48 грн
1000+14.22 грн
3000+12.00 грн
9000+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L020SNTLROHMDescription: ROHM - RQ5L020SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.17 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.27 грн
20+41.85 грн
100+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L030ATTCLRohm SemiconductorDescription: PCH -60V -3.0A, SOT-346T, SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.98 грн
10+34.20 грн
100+22.16 грн
500+15.92 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L030ATTCLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -60V -3.0A, SOT-346T, Small Signal MOSFET
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.17 грн
10+36.31 грн
100+20.47 грн
500+15.61 грн
1000+14.08 грн
3000+12.14 грн
6000+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L030ATTCLRohm SemiconductorDescription: PCH -60V -3.0A, SOT-346T, SMALL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L030SNTLROHM SemiconductorMOSFETs RQ5L030SN is a Small Signal MOSFET with Low on - resistance, suitable for DC-DC converters.
на замовлення 7467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.02 грн
10+44.28 грн
100+26.92 грн
500+21.58 грн
1000+19.50 грн
3000+16.10 грн
6000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L030SNTLROHMDescription: ROHM - RQ5L030SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.06 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.95 грн
50+38.21 грн
100+29.38 грн
500+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L030SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.22 грн
6000+15.30 грн
9000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L030SNTLROHMDescription: ROHM - RQ5L030SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.06 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.38 грн
500+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L030SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
на замовлення 9744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.47 грн
10+41.87 грн
100+27.38 грн
500+19.85 грн
1000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L035GNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V
на замовлення 3254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.06 грн
10+46.98 грн
100+30.85 грн
500+22.45 грн
1000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L035GNTCLROHMDescription: ROHM - RQ5L035GNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.038 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.68 грн
16+53.43 грн
100+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L035GNTCLROHM SemiconductorMOSFET RQ5L035GN is the high reliability transistor, suitable for switching applications.
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.50 грн
10+48.03 грн
100+28.93 грн
500+24.21 грн
1000+20.61 грн
3000+18.25 грн
6000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L035GNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L035GNTCLROHMDescription: ROHM - RQ5L035GNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.038 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L045BGTCLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 4.5A, TSMT3, Power MOSFET
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.49 грн
10+41.57 грн
100+26.99 грн
500+21.23 грн
1000+16.37 грн
3000+14.92 грн
9000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L045BGTCLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 4.5A, TSMT3, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L045BGTCLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 4.5A, TSMT3, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 30 V
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.45 грн
10+37.43 грн
100+24.38 грн
500+17.58 грн
1000+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5P010SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 13387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.96 грн
10+40.89 грн
100+28.42 грн
500+20.83 грн
1000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5P010SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.74 грн
6000+15.31 грн
9000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5P010SNTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 1.0A(Id), (2.5V, 4.0V Drive)
на замовлення 5976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.76 грн
10+37.90 грн
100+22.41 грн
500+17.21 грн
1000+15.54 грн
3000+13.39 грн
6000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5P035BGTCLROHMDescription: ROHM - RQ5P035BGTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.06 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.09 грн
500+18.49 грн
1000+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5P035BGTCLRohm SemiconductorDescription: 100V 3.5A TSMT3, POWER MOSFET :
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.35 грн
10+39.91 грн
100+26.03 грн
500+18.82 грн
1000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5P035BGTCLROHM SemiconductorMOSFETs 100V 3.5A TSMT3, Power MOSFET
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.41 грн
10+39.90 грн
100+23.66 грн
500+19.70 грн
1000+16.79 грн
3000+15.20 грн
6000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5P035BGTCLROHMDescription: ROHM - RQ5P035BGTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.06 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.97 грн
19+42.98 грн
100+28.09 грн
500+18.49 грн
1000+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5P035BGTCLRohm SemiconductorDescription: 100V 3.5A TSMT3, POWER MOSFET :
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5PW27BA-TR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RN25BA-TR
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW151BA-TRRICOHSOT343-1FDP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW151BA-TR SOT343-1FDRICOH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW151BA-TR SOT343-1FDPRICOH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW151BA-TRSOT343-1FDP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW15BA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW15BA-TRRICOH2003
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW15BA-TR SOT343-1FRICOH
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW15BA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.76 грн
10+49.31 грн
25+36.01 грн
100+27.34 грн
250+23.66 грн
500+20.75 грн
1000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW15BA-TRSOT343-1FRICOH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW15CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators 1000mA Buck-Boost DC/DC Converter with Synchronous Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW16BARICOH
на замовлення 8100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW16BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators 1000mA Buck-Boost DC/DC Converter with Synchronous Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW16BA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 1.6V 50MA SC82AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW17CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators 1000mA Buck-Boost DC/DC Converter with Synchronous Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW18AA-TR-FARICOH
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW18AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators 1000mA Buck-Boost DC/DC Converter with Synchronous Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW18BA
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW18BA-TR-FRICOH
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW18BA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 1.8V 50MA SC-82AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.09V @ 1mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.69 грн
13+25.03 грн
25+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW18BA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.16 грн
10+39.58 грн
100+26.09 грн
500+22.20 грн
1000+17.76 грн
3000+16.37 грн
6000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW18BA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 1.8V 50MA SC-82AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.09V @ 1mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW18CARICOH
на замовлення 12200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW18CA-TRRICOH
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW18CA-TR-FARICOH5
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW18CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators 1000mA Buck-Boost DC/DC Converter with Synchronous Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW18RB-TR
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW19B-FARICOH
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW19BA
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW19BA-TRRICOH
на замовлення 13400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW19BA-TR SOT343-1BRICOH
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW19BA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.16 грн
10+39.58 грн
100+26.09 грн
500+22.20 грн
1000+17.76 грн
3000+16.72 грн
6000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW19BA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 1.9V 50MA SC-82AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.9V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.09V @ 1mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.25 грн
12+25.78 грн
25+23.09 грн
100+18.86 грн
250+17.52 грн
500+16.72 грн
1000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW19BA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 1.9V 50MA SC-82AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.9V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.09V @ 1mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW19BA-TRSOT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW19BA-TRSOT343-1B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW19BA/1B
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW19CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW20AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW20AA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 2V 50MA SC82AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.09V @ 1mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW20BA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW20BA-TR
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW20BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW20BA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 2V 50MA SC-82AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.09V @ 1mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW20BA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 2V 50MA SC-82AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.09V @ 1mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW20BA/7A
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW20CA-TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW20CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW20CA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 2V 50MA SC82AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.09V @ 1mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW21AA-TR-FA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW21AA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW21AA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 2.1V 50MA SC-82AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.1V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.09V @ 1mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW21AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW21BA-TR
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW21BA-TR-FRICOHSOT343
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW21BA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW21BA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 2.1V 50MA SC82AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.1V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.09V @ 1mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW22AA-TR-FRICOHSOT23
на замовлення 345000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW22AA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW22AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW22BA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW22BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW23BA-TR-FRICOH09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW23BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW24AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW24BA-TRRICOH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW24BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW24CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW25AA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW25AA-TR
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW25AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW25BA-TRRICOH
на замовлення 40230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW25BA-TR-FARICOH06+
на замовлення 23768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW25BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW25BA-TR/7FES
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW25BA/7FEZRICOH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW25CA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW25CA-TRRICOH
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW25CA-TR-FA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW25CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW26AA-TR-FERICOH Electronic Devices Co., LTD.Description: LOW SUPPLY CURRENT 8V INPUT VOLT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW26AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW26BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW26CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW27AARICOH
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW27AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW27BA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 2.7V 50MA SC-82AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.7V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.075V @ 1mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW27BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW2813A-TR
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW28AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW28BARICOH
на замовлення 15300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW28BA-TRRICOHSOT-343
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW28BA-TR-F
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW28BA-TR-FA
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW28BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW29B
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW29BA
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW29BA-TRRICOH
на замовлення 24200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW29CA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW30AARICOH04+ SOT343
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW30AA-TRRICOH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW30AA-TR(2AEF)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW30AA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW30AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW30BA-TRRICOH04+
на замовлення 8418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW30BA-TR-FRICOH2006
на замовлення 1686 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW30BA-TR-FARICOH04PB
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW30BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW30BA/8ADYRICOH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW30CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW30CA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 3V 50MA SC82AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.06V @ 1mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.08 грн
10+44.72 грн
25+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW30CA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 3V 50MA SC82AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.06V @ 1mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW313A-TR
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW31BA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW31BA-TR
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW31BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW31BA-TR/8B
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW32BA-TR
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW32BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW32BA-TR-FERICOH Electronic Devices Co., LTD.Description: LOW SUPPLY CURRENT 8V INPUT VOLT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW32CA-TR-FERICOH Electronic Devices Co., LTD.Description: LOW SUPPLY CURRENT 8V INPUT VOLT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW32CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW33AA-TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW33AA-TR-F
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW33AA-TR-FARICOHSOT343
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW33AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW33BARICOH
на замовлення 21700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW33BA-TRRICOH2001
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW33BA-TR-FARICOHSOT343
на замовлення 142642 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW33BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW33BA/8DGFRICOH
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW33BA\8DGFRICOHSOT-343
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW33CA-TR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW33CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW34BA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW34BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW35AA-TR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW35AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW35BARICOH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW35BA-TRRICOH09+
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW35BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW37BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW37BA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 3.7V 50MA SC-82AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.7V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.04V @ 1mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW38BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW40AA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 4V 50MA SC82AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 4V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.04V @ 1mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.08 грн
10+44.72 грн
25+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW40AA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 4V 50MA SC82AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 4V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.04V @ 1mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW40AA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW40BARICOH
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW40BA-TRRICOHSOT-343
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW40BA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.73 грн
10+44.60 грн
100+29.77 грн
250+27.68 грн
500+23.52 грн
1000+18.87 грн
3000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW40BA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 4V 50MA SC82AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82AB
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 4V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.04V @ 1mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW42BA-TR-FRICOHHSOT23-4
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW42BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW43CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW45AA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW45AA-TR-FERICOH Electronic Devices Co., LTD.Description: LOW SUPPLY CURRENT 8V INPUT VOLT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW45BARICOH
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW45BA-TRRICOH04+ SOT-343
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW45BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW46BA-TR-FRICOH
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW46BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW48BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW50AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW50BARICOH
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW50BA-TRRICOH
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW50BA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW50CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW60BA-TRRICOH
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5RW60BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.