Продукція > WMQ
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WMQ | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses BUSS HEAT LIMITER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMQ-882 | NS | 1992 | на замовлення 466 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMQ020N03LG4 | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; Idm: 472A; 44.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 75A Pulsed drain current: 472A Power dissipation: 44.6W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 65 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ020N03LG4 | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; Idm: 472A; 44.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 75A Pulsed drain current: 472A Power dissipation: 44.6W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ023N03LG2 | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; Idm: 248A; 46.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 48A Pulsed drain current: 248A Power dissipation: 46.2W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 67nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ023N03LG2 | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; Idm: 248A; 46.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 48A Pulsed drain current: 248A Power dissipation: 46.2W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 67nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 75 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ032N04LG2 | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; Idm: 360A; 44W; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 56A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 44W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 16 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ032N04LG2 | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; Idm: 360A; 44W; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 56A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 44W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ040N03LG2 | WAYON | WMQ040N03LG2-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 298 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ048NV6HG4 | WAYON | WMQ048NV6HG4-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ048NV6LG4 | WAYON | WMQ048NV6LG4-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ050N03LG4 | WAYON | WMQ050N03LG4-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 365 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ050N04LG2 | WAYON | WMQ050N04LG2-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 108 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ060N04LG2 | WAYON | WMQ060N04LG2-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ060N08LG2 | WAYON | WMQ060N08LG2-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 96 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ080N03LG2 | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17.7A; Idm: 112A; 21.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 17.7A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 21.5W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ080N03LG2 | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17.7A; Idm: 112A; 21.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 17.7A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 21.5W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ090N04LG2 | WAYON | WMQ090N04LG2-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 490 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ090NV6LG4 | WAYON | WMQ090NV6LG4-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 422 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ098N03LG2 | WAYON | WMQ098N03LG2-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ099N10LG2 | WAYON | WMQ099N10LG2-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ10N10TS | WAYON | WMQ10N10TS-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 195 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ119N10LG2 | WAYON | WMQ119N10LG2-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 68 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ12P10TS | WAYON | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -12A; Idm: -48A; 30W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -12A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 30W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ12P10TS | WAYON | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -12A; Idm: -48A; 30W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -12A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 30W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ140DNV6LG4 | WAYON | WMQ140DNV6LG4-CYG Multi channel transistors | на замовлення 1200 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ140NV6LG4 | WAYON | WMQ140NV6LG4-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 480 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ15DN04TS | WAYON | WMQ15DN04TS-CYG Multi channel transistors | на замовлення 388 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ175N10HG4 | WAYON | WMQ175N10HG4-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 475 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ175N10LG4 | WAYON | WMQ175N10LG4-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 501 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ18P04TS | WAYON | WMQ18P04TS-CYG SMD P channel transistors | на замовлення 497 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ20DN06TS | WAYON | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 22.7W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 22.7W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 450 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ20DN06TS | WAYON | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 22.7W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 22.7W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ20N06TS | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 25W; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 25W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 117 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ20N06TS | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 25W; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 25W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ24P04TS | WAYON | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -24A; Idm: -96A; 27W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -24A Pulsed drain current: -96A Power dissipation: 27W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 498 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ24P04TS | WAYON | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -24A; Idm: -96A; 27W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -24A Pulsed drain current: -96A Power dissipation: 27W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ25P03T1 | WAYON | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; Idm: -100A; 22W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -25A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 22W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 137 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ25P03T1 | WAYON | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; Idm: -100A; 22W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -25A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 22W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ25P04T1 | WAYON | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -25A; Idm: -100A; 31.2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -25A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 31.2W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 488 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ25P04T1 | WAYON | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -25A; Idm: -100A; 31.2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -25A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 31.2W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ25P06TS | WAYON | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; Idm: -100A; 30W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -25A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 30W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 59nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 262 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ25P06TS | WAYON | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; Idm: -100A; 30W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -25A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 30W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 59nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ26P02TS | WAYON | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -26A; Idm: -104A; 20W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -26A Pulsed drain current: -104A Power dissipation: 20W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ26P02TS | WAYON | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -26A; Idm: -104A; 20W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -26A Pulsed drain current: -104A Power dissipation: 20W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ28N03T1 | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 54A; 21W; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 28A Pulsed drain current: 54A Power dissipation: 21W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 466 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ28N03T1 | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 54A; 21W; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 28A Pulsed drain current: 54A Power dissipation: 21W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ30DN04TS | WAYON | WMQ30DN04TS-CYG Multi channel transistors | на замовлення 389 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ30DP03TS | WAYON | WMQ30DP03TS-CYG Multi channel transistors | на замовлення 490 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ30N02T1 | WAYON | WMQ30N02T1-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 490 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ30N03T2 | WAYON | WMQ30N03T2-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 399 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ30N04TS | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 120A; 18.9W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 18.9W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ30N04TS | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 120A; 18.9W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 18.9W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 499 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ30N06TS | WAYON | WMQ30N06TS-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 305 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ30P03T1 | WAYON | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; Idm: -120A; 29.7W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -30A Pulsed drain current: -120A Power dissipation: 29.7W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 483 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ30P03T1 | WAYON | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; Idm: -120A; 29.7W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -30A Pulsed drain current: -120A Power dissipation: 29.7W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ30P04T1 | WAYON | WMQ30P04T1-CYG SMD P channel transistors | на замовлення 340 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ35P02TS | WAYON | WMQ35P02TS-CYG SMD P channel transistors | на замовлення 500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ37N03T1 | WAYON | WMQ37N03T1-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 480 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ40N03T1 | WAYON | WMQ40N03T1-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 155 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ42P03T1 | WAYON | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -42A; Idm: -168A; 37W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -42A Pulsed drain current: -168A Power dissipation: 37W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ42P03T1 | WAYON | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -42A; Idm: -168A; 37W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -42A Pulsed drain current: -168A Power dissipation: 37W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 377 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ46N03T1 | WAYON | WMQ46N03T1-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 411 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ50N04T1 | WAYON | WMQ50N04T1-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 395 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ50P03T1 | WAYON | WMQ50P03T1-CYG SMD P channel transistors | на замовлення 2696 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ55N04T1 | WAYON | WMQ55N04T1-CYG SMD N channel transistors | на замовлення 465 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ60P02TS | WAYON | WMQ60P02TS-CYG SMD P channel transistors | на замовлення 281 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ80N03T1 | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 44.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 44.6W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2950 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMQ80N03T1 | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 44.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 44.6W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|