| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDP6060L | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 48A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 60nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS0605 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -180mA Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 2.5nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 578 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS0610 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -120mA Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 10Ω Case: SOT23 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1197 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS331N | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23 Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.3A Gate charge: 3.5nC On-state resistance: 210/160mΩ Power dissipation: 0.5/0.46W Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3372 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS332P | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.74Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 5nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2655 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS352AP | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -900mA Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 3nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 314 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS355AN | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.7A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 5nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1302 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NDS7002A | ONSEMI |
NDS7002A SMD N channel transistors |
на замовлення 1556 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NDS9948 | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1602 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NDSH25170A | ONSEMI |
NDSH25170A THT Schottky diodes |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NDSH40120CDN | ONSEMI |
NDSH40120CDN THT Schottky diodes |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NDSH50120C | ONSEMI |
NDSH50120C THT Schottky diodes |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NDT2955 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223 Kind of package: reel; tape Case: SOT223 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.5A On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 3W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3703 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NDT3055 | ONSEMI |
NDT3055 SMD N channel transistors |
на замовлення 2852 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NDT3055L | ONSEMI |
NDT3055L SMD N channel transistors |
на замовлення 3899 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NDT451AN | ONSEMI |
NDT451AN SMD N channel transistors |
на замовлення 3082 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NDT452AP | ONSEMI |
NDT452AP SMD P channel transistors |
на замовлення 3922 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NGTB15N120FL2WG | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 147W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 15A Power dissipation: 147W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 109nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 144 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NGTB40N120FL2WG | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 267W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 313nC Kind of package: tube Collector current: 40A Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NGTB40N120FL3WG | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 227W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 212nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 40A Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NJT4031NT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 3A Power dissipation: 2W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 200...500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 215MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NJVMJD44H11RLG | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1549 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NJVNJD2873T4G | ONSEMI |
NJVNJD2873T4G NPN SMD transistors |
на замовлення 2327 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NJW0281G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 15A Power dissipation: 150W Case: TO3P Current gain: 75...150 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 318 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NJW0302G | ONSEMI |
NJW0302G PNP THT transistors |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NJW1302G | ONSEMI |
NJW1302G PNP THT transistors |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NJW21193G | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P Polarisation: bipolar Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: PNP Case: TO3P Current gain: 20...70 Collector current: 16A Power dissipation: 200W Collector-emitter voltage: 250V Frequency: 4MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NJW21194G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P Application: automotive industry Polarisation: bipolar Kind of package: tube Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO3P Power dissipation: 200W Current gain: 20...70 Collector current: 16A Collector-emitter voltage: 250V Frequency: 4MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 387 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NJW3281G | ONSEMI |
NJW3281G NPN THT transistors |
на замовлення 56 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NL17SG02DFT2G | ONSEMI |
NL17SG02DFT2G Gates, inverters |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NL17SG07DFT2G | ONSEMI |
NL17SG07DFT2G Buffers, transceivers, drivers |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NL17SG125DFT2G | ONSEMI |
NL17SG125DFT2G Buffers, transceivers, drivers |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NL17SG32DFT2G | ONSEMI |
Category: Gates, invertersDescription: IC: digital; OR; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SC88A; MiniGate; -55÷125°C Type of integrated circuit: digital Kind of gate: OR Number of channels: 1 Number of inputs: 2 Technology: CMOS Mounting: SMD Case: SC88A Supply voltage: 0.9...3.6V DC Operating temperature: -55...125°C Kind of package: reel; tape Family: NL Manufacturer series: MiniGate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NL17SV08XV5T2G | ONSEMI |
NL17SV08XV5T2G Gates, inverters |
на замовлення 3968 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NL17SZ07DFT2G | ONSEMI |
NL17SZ07DFT2G Buffers, transceivers, drivers |
на замовлення 2907 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NL17SZ125DFT2G | ONSEMI |
Category: Buffers, transceivers, driversDescription: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; CMOS,TTL; SMD; SC88A Operating temperature: -55...125°C Type of integrated circuit: digital Mounting: SMD Case: SC88A Number of channels: 1 Supply voltage: 1.65...5.5V DC Kind of output: 3-state Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting Technology: CMOS; TTL кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NL17SZ17DFT2G | ONSEMI |
NL17SZ17DFT2G Buffers, transceivers, drivers |
на замовлення 1871 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NL17SZ74USG | ONSEMI |
Category: Flip-FlopsDescription: IC: digital; D flip-flop; Ch: 1; CMOS; 7SZ; SMD; US8 Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: D flip-flop Number of channels: 1 Technology: CMOS Mounting: SMD Case: US8 Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 2...6V DC Trigger: positive-edge-triggered Manufacturer series: 7SZ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2213 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NL27WZ00USG | ONSEMI |
NL27WZ00USG Interfaces others - integrated circuits |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NL27WZ07DTT1G | ONSEMI |
Category: Buffers, transceivers, driversDescription: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; CMOS; SMD; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Operating temperature: -55...125°C Supply voltage: 1.65...5.5V DC Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting Technology: CMOS Number of channels: 2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NL27WZ08USG | ONSEMI |
NL27WZ08USG Gates, inverters |
на замовлення 5970 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NL27WZ125USG | ONSEMI |
Category: Buffers, transceivers, driversDescription: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; SMD; US8; -55÷125°C Operating temperature: -55...125°C Type of integrated circuit: digital Mounting: SMD Case: US8 Number of channels: 2 Supply voltage: 1.65...5.5V DC Kind of output: 3-state Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NL27WZ14DFT2G | ONSEMI |
NL27WZ14DFT2G Gates, inverters |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NL27WZ16DFT2G | ONSEMI |
NL27WZ16DFT2G Buffers, transceivers, drivers |
на замовлення 2804 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NL27WZ16DTT1G | ONSEMI |
Category: Buffers, transceivers, driversDescription: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; CMOS; SMD; TSOP6 Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting Technology: CMOS Case: TSOP6 Mounting: SMD Operating temperature: -55...125°C Number of channels: 2 Supply voltage: 1.65...5.5V DC Type of integrated circuit: digital кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 614 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NLSV1T34DFT2G | ONSEMI |
Category: Level translatorsDescription: IC: digital; non-inverting,logic level voltage translator; Ch: 1 Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: logic level voltage translator; non-inverting Number of channels: 1 Case: SOT353 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Quiescent current: 2µA Supply voltage: 0.9...4.5V DC Number of outputs: 1 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 958 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NLV17SZ02DFT2G | ONSEMI |
NLV17SZ02DFT2G Gates, inverters |
на замовлення 2644 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NLV17SZ08DFT2G | ONSEMI |
NLV17SZ08DFT2G Gates, inverters |
на замовлення 484 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NLVASB3157DFT2G | ONSEMI |
NLVASB3157DFT2G Analog multiplexers and switches |
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() +1 |
NLVVHC1G66DTT1G | ONSEMI |
Category: Analog multiplexers and switchesDescription: IC: analog switch; Ch: 1; Outputs: 1; TSSOP5; 2÷5.5VDC; reel,tape Type of integrated circuit: analog switch Number of channels: 1 Number of inputs: 2 Technology: CMOS Mounting: SMD Case: TSSOP5 Supply voltage: 2...5.5V DC Operating temperature: -55...125°C Kind of package: reel; tape Quiescent current: 40µA Number of outputs: 1 Application: automotive industry Kind of output: SPST-NO кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 453 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NRVA4007T3G | ONSEMI |
NRVA4007T3G SMD universal diodes |
на замовлення 4680 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NRVB0530T1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.5A; reel,tape Application: automotive industry Case: SOD123 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of diode: Schottky switching Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.43V Load current: 0.5A Max. forward impulse current: 5.5A Max. off-state voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NRVB0540T1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 40V; 0.5A; reel,tape Application: automotive industry Case: SOD123 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of diode: Schottky switching Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.61V Load current: 0.5A Max. load current: 1A Max. forward impulse current: 5.5A Max. off-state voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6595 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NRVB120VLSFT1G | ONSEMI |
NRVB120VLSFT1G SMD Schottky diodes |
на замовлення 2514 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NRVBS540T3G | ONSEMI |
NRVBS540T3G SMD Schottky diodes |
на замовлення 875 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NRVBSS14HE | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SOD323HE; SMD; 40V; 1A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: SOD323HE Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.55V Max. forward impulse current: 25A Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1827 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NRVTS10100MFST1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 100V; 10A; reel,tape Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Mounting: SMD Max. forward voltage: 0.69V Load current: 10A Max. off-state voltage: 100V Max. forward impulse current: 200A Max. load current: 16A Application: automotive industry Case: DFN5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NSI45015WT1G | ONSEMI |
Category: LED driversDescription: IC: driver; current regulator,LED driver; SOD123; 15mA; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver Output current: 15mA Case: SOD123 Mounting: SMD Number of channels: 1 Operating temperature: -55...150°C Operating voltage: 45V DC Power dissipation: 0.46W Operating current: 15mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2375 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NSI45020T1G | ONSEMI |
Category: LED driversDescription: IC: driver; current regulator,LED driver; SOD123; 20mA; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver Output current: 20mA Case: SOD123 Mounting: SMD Number of channels: 1 Operating temperature: -55...150°C Operating voltage: 45V DC Power dissipation: 0.46W Operating current: 20mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1034 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NSI45030AT1G | ONSEMI |
Category: LED driversDescription: IC: driver; current regulator,LED driver; SOD123; 30mA; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver Output current: 30mA Case: SOD123 Mounting: SMD Number of channels: 1 Operating temperature: -55...150°C Operating voltage: 45V DC Power dissipation: 0.46W Operating current: 30mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3083 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| NDP6060L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 60nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 60nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 260.70 грн |
| 10+ | 225.84 грн |
| 50+ | 201.73 грн |
| 100+ | 191.89 грн |
| 250+ | 173.20 грн |
| 800+ | 170.24 грн |
| NDS0605 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -180mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -180mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 578 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.20 грн |
| 24+ | 12.98 грн |
| 50+ | 8.07 грн |
| 100+ | 6.78 грн |
| 500+ | 4.87 грн |
| 1000+ | 4.38 грн |
| 1500+ | 4.15 грн |
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 10Ω
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 10Ω
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.84 грн |
| 28+ | 11.34 грн |
| 50+ | 8.96 грн |
| 100+ | 8.19 грн |
| 500+ | 6.67 грн |
| 1000+ | 6.12 грн |
| 1500+ | 5.83 грн |
| NDS331N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Gate charge: 3.5nC
On-state resistance: 210/160mΩ
Power dissipation: 0.5/0.46W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Gate charge: 3.5nC
On-state resistance: 210/160mΩ
Power dissipation: 0.5/0.46W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.33 грн |
| 11+ | 28.41 грн |
| 50+ | 21.16 грн |
| 100+ | 18.99 грн |
| 500+ | 14.96 грн |
| 1000+ | 13.58 грн |
| 1500+ | 12.89 грн |
| NDS332P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.45 грн |
| 10+ | 33.01 грн |
| 50+ | 24.21 грн |
| 100+ | 21.35 грн |
| 250+ | 18.30 грн |
| 500+ | 16.34 грн |
| 1000+ | 14.66 грн |
| NDS352AP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -900mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -900mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.45 грн |
| 10+ | 31.48 грн |
| 50+ | 22.93 грн |
| 100+ | 20.37 грн |
| 250+ | 17.42 грн |
| 500+ | 15.65 грн |
| NDS355AN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.75 грн |
| 8+ | 40.67 грн |
| 10+ | 35.52 грн |
| 50+ | 27.06 грн |
| 100+ | 24.01 грн |
| 500+ | 18.40 грн |
| 1000+ | 17.32 грн |
| NDS7002A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDS7002A SMD N channel transistors
NDS7002A SMD N channel transistors
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.62 грн |
| 300+ | 3.90 грн |
| 825+ | 3.68 грн |
| NDS9948 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.72 грн |
| 6+ | 52.32 грн |
| 10+ | 44.87 грн |
| 50+ | 35.03 грн |
| 100+ | 31.69 грн |
| 500+ | 27.26 грн |
| NDSH25170A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDSH25170A THT Schottky diodes
NDSH25170A THT Schottky diodes
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1504.87 грн |
| 2+ | 1111.01 грн |
| 3+ | 1050.00 грн |
| NDSH40120CDN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDSH40120CDN THT Schottky diodes
NDSH40120CDN THT Schottky diodes
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1499.57 грн |
| 2+ | 1076.57 грн |
| 3+ | 1017.53 грн |
| NDSH50120C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDSH50120C THT Schottky diodes
NDSH50120C THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1525.31 грн |
| 3+ | 1441.66 грн |
| NDT2955 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.77 грн |
| 10+ | 49.15 грн |
| 50+ | 36.61 грн |
| 100+ | 32.57 грн |
| 250+ | 27.85 грн |
| 500+ | 24.80 грн |
| 1000+ | 21.94 грн |
| NDT3055 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDT3055 SMD N channel transistors
NDT3055 SMD N channel transistors
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.04 грн |
| 34+ | 34.74 грн |
| 93+ | 32.87 грн |
| NDT3055L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDT3055L SMD N channel transistors
NDT3055L SMD N channel transistors
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.28 грн |
| 40+ | 29.23 грн |
| 110+ | 27.65 грн |
| NDT451AN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDT451AN SMD N channel transistors
NDT451AN SMD N channel transistors
на замовлення 3082 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.42 грн |
| 22+ | 54.03 грн |
| 60+ | 51.07 грн |
| NDT452AP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDT452AP SMD P channel transistors
NDT452AP SMD P channel transistors
на замовлення 3922 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.46 грн |
| 23+ | 50.97 грн |
| 63+ | 48.22 грн |
| NGTB15N120FL2WG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 561.68 грн |
| 10+ | 487.46 грн |
| 30+ | 414.29 грн |
| 150+ | 372.96 грн |
| 300+ | 348.36 грн |
| NGTB40N120FL2WG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 313nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 313nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 597.71 грн |
| 10+ | 519.13 грн |
| 30+ | 440.86 грн |
| 150+ | 396.58 грн |
| 300+ | 370.01 грн |
| NGTB40N120FL3WG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 775.75 грн |
| 3+ | 672.42 грн |
| 10+ | 571.74 грн |
| 30+ | 514.67 грн |
| NJT4031NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 200...500
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 215MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 200...500
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 215MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.41 грн |
| 10+ | 37.91 грн |
| 100+ | 26.57 грн |
| 200+ | 24.21 грн |
| 250+ | 23.52 грн |
| 500+ | 23.42 грн |
| NJVMJD44H11RLG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.48 грн |
| 10+ | 57.33 грн |
| 100+ | 37.49 грн |
| 500+ | 34.44 грн |
| NJVNJD2873T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NJVNJD2873T4G NPN SMD transistors
NJVNJD2873T4G NPN SMD transistors
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.86 грн |
| 37+ | 32.38 грн |
| 100+ | 30.60 грн |
| 2500+ | 30.56 грн |
| NJW0281G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Current gain: 75...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Current gain: 75...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 285.08 грн |
| 10+ | 184.97 грн |
| 30+ | 160.40 грн |
| NJW0302G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NJW0302G PNP THT transistors
NJW0302G PNP THT transistors
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 346.54 грн |
| 8+ | 165.32 грн |
| 20+ | 156.47 грн |
| 270+ | 156.35 грн |
| NJW1302G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NJW1302G PNP THT transistors
NJW1302G PNP THT transistors
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 432.39 грн |
| 6+ | 223.38 грн |
| 15+ | 211.58 грн |
| NJW21193G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO3P
Current gain: 20...70
Collector current: 16A
Power dissipation: 200W
Collector-emitter voltage: 250V
Frequency: 4MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO3P
Current gain: 20...70
Collector current: 16A
Power dissipation: 200W
Collector-emitter voltage: 250V
Frequency: 4MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 380.46 грн |
| 3+ | 347.45 грн |
| 10+ | 287.35 грн |
| 30+ | 234.21 грн |
| NJW21194G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO3P
Power dissipation: 200W
Current gain: 20...70
Collector current: 16A
Collector-emitter voltage: 250V
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO3P
Power dissipation: 200W
Current gain: 20...70
Collector current: 16A
Collector-emitter voltage: 250V
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 387 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 369.86 грн |
| 10+ | 255.48 грн |
| NJW3281G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NJW3281G NPN THT transistors
NJW3281G NPN THT transistors
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 414.37 грн |
| 5+ | 284.40 грн |
| 12+ | 268.65 грн |
| NL17SG02DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL17SG02DFT2G Gates, inverters
NL17SG02DFT2G Gates, inverters
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.46 грн |
| 220+ | 5.31 грн |
| 602+ | 5.02 грн |
| NL17SG07DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL17SG07DFT2G Buffers, transceivers, drivers
NL17SG07DFT2G Buffers, transceivers, drivers
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.83 грн |
| 231+ | 5.07 грн |
| 634+ | 4.79 грн |
| NL17SG125DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL17SG125DFT2G Buffers, transceivers, drivers
NL17SG125DFT2G Buffers, transceivers, drivers
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.12 грн |
| 240+ | 4.92 грн |
| 657+ | 4.63 грн |
| NL17SG32DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; OR; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SC88A; MiniGate; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: OR
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SC88A
Supply voltage: 0.9...3.6V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Family: NL
Manufacturer series: MiniGate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; OR; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SC88A; MiniGate; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: OR
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SC88A
Supply voltage: 0.9...3.6V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Family: NL
Manufacturer series: MiniGate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.43 грн |
| 22+ | 14.31 грн |
| 27+ | 11.10 грн |
| 50+ | 9.53 грн |
| 100+ | 8.11 грн |
| 250+ | 6.61 грн |
| 1000+ | 4.96 грн |
| NL17SV08XV5T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL17SV08XV5T2G Gates, inverters
NL17SV08XV5T2G Gates, inverters
на замовлення 3968 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.58 грн |
| 192+ | 6.10 грн |
| 527+ | 5.81 грн |
| NL17SZ07DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL17SZ07DFT2G Buffers, transceivers, drivers
NL17SZ07DFT2G Buffers, transceivers, drivers
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 10.11 грн |
| 474+ | 2.46 грн |
| 1304+ | 2.33 грн |
| NL17SZ125DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; CMOS,TTL; SMD; SC88A
Operating temperature: -55...125°C
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Case: SC88A
Number of channels: 1
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Kind of output: 3-state
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Technology: CMOS; TTL
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; CMOS,TTL; SMD; SC88A
Operating temperature: -55...125°C
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Case: SC88A
Number of channels: 1
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Kind of output: 3-state
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Technology: CMOS; TTL
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 7.42 грн |
| 82+ | 3.78 грн |
| 94+ | 3.15 грн |
| 112+ | 2.66 грн |
| 250+ | 2.42 грн |
| 500+ | 2.27 грн |
| 1000+ | 2.25 грн |
| NL17SZ17DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL17SZ17DFT2G Buffers, transceivers, drivers
NL17SZ17DFT2G Buffers, transceivers, drivers
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.83 грн |
| 402+ | 2.91 грн |
| 1104+ | 2.76 грн |
| NL17SZ74USG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 1; CMOS; 7SZ; SMD; US8
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: US8
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Trigger: positive-edge-triggered
Manufacturer series: 7SZ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 1; CMOS; 7SZ; SMD; US8
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: US8
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Trigger: positive-edge-triggered
Manufacturer series: 7SZ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.08 грн |
| 21+ | 15.12 грн |
| 23+ | 12.89 грн |
| 27+ | 11.02 грн |
| 100+ | 10.14 грн |
| NL27WZ00USG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL27WZ00USG Interfaces others - integrated circuits
NL27WZ00USG Interfaces others - integrated circuits
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.93 грн |
| 149+ | 7.87 грн |
| 408+ | 7.48 грн |
| NL27WZ07DTT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; CMOS; SMD; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Technology: CMOS
Number of channels: 2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; CMOS; SMD; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Technology: CMOS
Number of channels: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.59 грн |
| 25+ | 15.12 грн |
| 100+ | 12.20 грн |
| 250+ | 10.73 грн |
| 1500+ | 10.23 грн |
| NL27WZ08USG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL27WZ08USG Gates, inverters
NL27WZ08USG Gates, inverters
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.96 грн |
| 25+ | 16.96 грн |
| 89+ | 13.09 грн |
| 245+ | 12.40 грн |
| NL27WZ125USG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; SMD; US8; -55÷125°C
Operating temperature: -55...125°C
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Case: US8
Number of channels: 2
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Kind of output: 3-state
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; SMD; US8; -55÷125°C
Operating temperature: -55...125°C
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Case: US8
Number of channels: 2
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Kind of output: 3-state
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.20 грн |
| 22+ | 14.51 грн |
| 25+ | 12.40 грн |
| 100+ | 10.92 грн |
| NL27WZ14DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL27WZ14DFT2G Gates, inverters
NL27WZ14DFT2G Gates, inverters
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 8.79 грн |
| 540+ | 2.16 грн |
| 1485+ | 2.05 грн |
| NL27WZ16DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL27WZ16DFT2G Buffers, transceivers, drivers
NL27WZ16DFT2G Buffers, transceivers, drivers
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 9.06 грн |
| 405+ | 2.88 грн |
| 500+ | 2.79 грн |
| 1114+ | 2.73 грн |
| NL27WZ16DTT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; CMOS; SMD; TSOP6
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Technology: CMOS
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Number of channels: 2
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Type of integrated circuit: digital
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; CMOS; SMD; TSOP6
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Technology: CMOS
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Number of channels: 2
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Type of integrated circuit: digital
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 614 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.55 грн |
| 14+ | 22.38 грн |
| 25+ | 17.52 грн |
| 100+ | 11.71 грн |
| NLSV1T34DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; non-inverting,logic level voltage translator; Ch: 1
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 1
Case: SOT353
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 2µA
Supply voltage: 0.9...4.5V DC
Number of outputs: 1
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Level translators
Description: IC: digital; non-inverting,logic level voltage translator; Ch: 1
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 1
Case: SOT353
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 2µA
Supply voltage: 0.9...4.5V DC
Number of outputs: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 958 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.94 грн |
| 6+ | 54.37 грн |
| 25+ | 45.46 грн |
| 100+ | 39.26 грн |
| 500+ | 36.61 грн |
| NLV17SZ02DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NLV17SZ02DFT2G Gates, inverters
NLV17SZ02DFT2G Gates, inverters
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.08 грн |
| 235+ | 5.00 грн |
| 645+ | 4.72 грн |
| NLV17SZ08DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NLV17SZ08DFT2G Gates, inverters
NLV17SZ08DFT2G Gates, inverters
на замовлення 484 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.88 грн |
| 136+ | 8.66 грн |
| 373+ | 8.17 грн |
| NLVASB3157DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NLVASB3157DFT2G Analog multiplexers and switches
NLVASB3157DFT2G Analog multiplexers and switches
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.97 грн |
| 61+ | 19.19 грн |
| 168+ | 18.21 грн |
| NLVVHC1G66DTT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 1; Outputs: 1; TSSOP5; 2÷5.5VDC; reel,tape
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP5
Supply voltage: 2...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 40µA
Number of outputs: 1
Application: automotive industry
Kind of output: SPST-NO
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 1; Outputs: 1; TSSOP5; 2÷5.5VDC; reel,tape
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP5
Supply voltage: 2...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 40µA
Number of outputs: 1
Application: automotive industry
Kind of output: SPST-NO
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 453 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.43 грн |
| 25+ | 19.52 грн |
| 100+ | 14.07 грн |
| 250+ | 9.35 грн |
| 1000+ | 7.09 грн |
| NRVA4007T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NRVA4007T3G SMD universal diodes
NRVA4007T3G SMD universal diodes
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 15.40 грн |
| 211+ | 5.56 грн |
| 578+ | 5.25 грн |
| NRVB0530T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.5A; reel,tape
Application: automotive industry
Case: SOD123
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.43V
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 5.5A
Max. off-state voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.5A; reel,tape
Application: automotive industry
Case: SOD123
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.43V
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 5.5A
Max. off-state voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.66 грн |
| 35+ | 8.79 грн |
| 100+ | 8.07 грн |
| NRVB0540T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 40V; 0.5A; reel,tape
Application: automotive industry
Case: SOD123
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.61V
Load current: 0.5A
Max. load current: 1A
Max. forward impulse current: 5.5A
Max. off-state voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 40V; 0.5A; reel,tape
Application: automotive industry
Case: SOD123
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.61V
Load current: 0.5A
Max. load current: 1A
Max. forward impulse current: 5.5A
Max. off-state voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6595 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.49 грн |
| 16+ | 20.03 грн |
| 19+ | 16.14 грн |
| 25+ | 12.79 грн |
| 100+ | 9.25 грн |
| 250+ | 8.76 грн |
| NRVB120VLSFT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NRVB120VLSFT1G SMD Schottky diodes
NRVB120VLSFT1G SMD Schottky diodes
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.50 грн |
| 68+ | 17.22 грн |
| 187+ | 16.24 грн |
| NRVBS540T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NRVBS540T3G SMD Schottky diodes
NRVBS540T3G SMD Schottky diodes
на замовлення 875 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.99 грн |
| 33+ | 35.92 грн |
| 90+ | 33.95 грн |
| NRVBSS14HE |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323HE; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323HE
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.55V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323HE; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323HE
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.55V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.79 грн |
| 12+ | 26.88 грн |
| 100+ | 17.81 грн |
| 500+ | 13.88 грн |
| NRVTS10100MFST1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 100V; 10A; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.69V
Load current: 10A
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward impulse current: 200A
Max. load current: 16A
Application: automotive industry
Case: DFN5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 100V; 10A; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.69V
Load current: 10A
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward impulse current: 200A
Max. load current: 16A
Application: automotive industry
Case: DFN5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.59 грн |
| 6+ | 53.14 грн |
| 25+ | 46.05 грн |
| 100+ | 40.64 грн |
| 500+ | 38.18 грн |
| NSI45015WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; current regulator,LED driver; SOD123; 15mA; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Output current: 15mA
Case: SOD123
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -55...150°C
Operating voltage: 45V DC
Power dissipation: 0.46W
Operating current: 15mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; current regulator,LED driver; SOD123; 15mA; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Output current: 15mA
Case: SOD123
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -55...150°C
Operating voltage: 45V DC
Power dissipation: 0.46W
Operating current: 15mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.15 грн |
| 15+ | 21.56 грн |
| 25+ | 17.12 грн |
| 100+ | 12.89 грн |
| 250+ | 10.82 грн |
| 500+ | 9.74 грн |
| NSI45020T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; current regulator,LED driver; SOD123; 20mA; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Output current: 20mA
Case: SOD123
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -55...150°C
Operating voltage: 45V DC
Power dissipation: 0.46W
Operating current: 20mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; current regulator,LED driver; SOD123; 20mA; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Output current: 20mA
Case: SOD123
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -55...150°C
Operating voltage: 45V DC
Power dissipation: 0.46W
Operating current: 20mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.20 грн |
| 19+ | 16.56 грн |
| 21+ | 14.17 грн |
| 25+ | 12.20 грн |
| 50+ | 11.02 грн |
| 100+ | 10.14 грн |
| 250+ | 9.64 грн |
| NSI45030AT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; current regulator,LED driver; SOD123; 30mA; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Output current: 30mA
Case: SOD123
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -55...150°C
Operating voltage: 45V DC
Power dissipation: 0.46W
Operating current: 30mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; current regulator,LED driver; SOD123; 30mA; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Output current: 30mA
Case: SOD123
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -55...150°C
Operating voltage: 45V DC
Power dissipation: 0.46W
Operating current: 30mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3083 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.61 грн |
| 13+ | 23.91 грн |
| 15+ | 20.37 грн |
| 25+ | 17.12 грн |
| 100+ | 14.86 грн |




















