| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTR5198NLT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT23 On-state resistance: 155mΩ Power dissipation: 0.6W Drain current: 1.6A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2809 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTS2101PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SC70; SOT323 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -1.1A On-state resistance: 0.1Ω Power dissipation: 0.29W Gate-source voltage: ±8V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTS4001NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323 Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.33W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: 0.2A On-state resistance: 1.5Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2339 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTS4101PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SC70; SOT323 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.62A Gate charge: 6.4nC On-state resistance: 0.16Ω Power dissipation: 0.329W Gate-source voltage: ±8V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2933 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTS4173PT1G | ONSEMI |
NTS4173PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 2220 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTS4409NT1G | ONSEMI |
NTS4409NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTZD3152PT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.43A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.7nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTZD3154NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.54A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±7V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.5nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1393 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTZD3155CT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.39/-0.31A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563F Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 400/500mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.5/1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3198 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTZD3155CT2G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.39/-0.31A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563F Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.55/0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3459 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NUD4001DR2G | ONSEMI |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; SO8; 500mA; 28V; Ch: 1; PWM Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: LED driver Output current: 0.5A Case: SO8 Mounting: SMD Number of channels: 1 Operating temperature: -40...125°C Integrated circuit features: PWM Output voltage: 28V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NUF2042XV6T1G | ONSEMI |
Category: Filters - integrated circuitsDescription: Filter: digital; line terminator; lowpass,EMI; SOT563; Ch: 2 Type of filter: digital Kind of integrated circuit: line terminator Kind of filter: EMI; lowpass Case: SOT563 Mounting: SMD Number of channels: 2 Application: USB port ESD protection кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NUF2101MT1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; bidirectional; TSOP6; Ch: 3; reel,tape Kind of package: reel; tape Case: TSOP6 Type of diode: TVS array Mounting: SMD Number of channels: 3 Application: USB Semiconductor structure: bidirectional кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NUP1301ML3T1G | ONSEMI |
NUP1301ML3T1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 2740 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NUP2105LT1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23 Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 26.2...32V Peak pulse power dissipation: 0.35kW Semiconductor structure: bidirectional; double Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 24V Number of channels: 2 Kind of package: reel; tape Application: CAN Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6048 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NUP2114UPXV5T1G | ONSEMI |
NUP2114UPXV5T1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NUP2201MR6T1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 6V; 25A; 500W; unidirectional; TSOP6; Ch: 2; ESD Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Semiconductor structure: unidirectional Leakage current: 5µA Number of channels: 2 Max. forward impulse current: 25A Breakdown voltage: 6V Peak pulse power dissipation: 0.5kW Case: TSOP6 Application: universal Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5369 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NUP2301MW6T1G | ONSEMI |
NUP2301MW6T1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 2668 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NUP4114HMR6T1G | ONSEMI |
NUP4114HMR6T1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NUP4114UCLW1T2G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; unidirectional; SC88; Ch: 4; reel,tape Case: SC88 Version: ESD Application: universal Mounting: SMD Type of diode: TVS array Semiconductor structure: unidirectional Leakage current: 1µA Number of channels: 4 Max. off-state voltage: 5.5V Breakdown voltage: 6.5V Max. forward impulse current: 12A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1478 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NUP4114UCW1T2G | ONSEMI |
NUP4114UCW1T2G Protection diodes - arrays |
на замовлення 2603 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NUP4301MR6T1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: diode arrays; SC74; Ch: 4; reel,tape; ESD Type of diode: diode arrays Mounting: SMD Case: SC74 Number of channels: 4 Kind of package: reel; tape Version: ESD Max. off-state voltage: 70V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVD5C688NLT4G | ONSEMI |
NVD5C688NLT4G SMD N channel transistors |
на замовлення 1712 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NVF2955T1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223 Kind of package: reel; tape Case: SOT223 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.6A Gate charge: 14.3nC On-state resistance: 154mΩ Power dissipation: 2.3W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 710 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVJD5121NT1G | ONSEMI |
NVJD5121NT1G Multi channel transistors |
на замовлення 3050 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NVMFS6H800NLT1G | ONSEMI |
NVMFS6H800NLT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NVR4501NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2341 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVR5124PLT1G | ONSEMI |
NVR5124PLT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NVR5198NLT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 27A; 0.4W; SOT23 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT23 Gate charge: 5.1nC On-state resistance: 0.205Ω Power dissipation: 0.4W Drain current: 1.2A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 27A Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1493 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVTFS5116PLTAG | ONSEMI |
NVTFS5116PLTAG SMD P channel transistors |
на замовлення 1044 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NVTJD4001NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.18A Power dissipation: 0.272W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2910 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NVTR4503NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.5A Power dissipation: 0.73W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 112 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NZT560A | ONSEMI |
NZT560A NPN SMD transistors |
на замовлення 3345 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NZT605 | ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 110V; 1.5A; 1W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 110V Collector current: 1.5A Power dissipation: 1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 493 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NZT7053 | ONSEMI |
NZT7053 NPN SMD Darlington transistors |
на замовлення 3957 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PACDN042Y3R | ONSEMI |
PACDN042Y3R Protection diodes - arrays |
на замовлення 2042 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PCA9306DTR2G | ONSEMI |
Category: Level translatorsDescription: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2 Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator Number of channels: 2 Case: TSSOP8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -55...125°C Supply voltage: 1...3.6V DC Number of outputs: 2 Number of inputs: 2 Kind of output: open drain Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1683 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PCA9306USG | ONSEMI |
Category: Level translatorsDescription: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2 Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator Number of channels: 2 Case: US8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -55...125°C Supply voltage: 1...3.6V DC Number of outputs: 2 Number of inputs: 2 Kind of output: open drain Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PN2222ABU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5563 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PN2222ATA | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 808 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PN2222ATF | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 549 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PN2907ATFR | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1904 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PZT2222AT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4316 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PZT2907AT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 891 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PZT3904T1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Case: SOT223-4; TO261-4 Collector current: 0.2A Power dissipation: 1.5W Current gain: 100...300 Collector-emitter voltage: 40V Frequency: 300MHz Polarisation: bipolar Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 603 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PZTA06 | ONSEMI |
PZTA06 NPN SMD transistors |
на замовлення 3332 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PZTA42T1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 497 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PZTA92T1G | ONSEMI |
PZTA92T1G PNP SMD transistors |
на замовлення 1673 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| QED123 | ONSEMI |
QED123 IR LEDs |
на замовлення 336 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| QED123A4R0 | ONSEMI |
QED123A4R0 IR LEDs |
на замовлення 1037 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| QED223 | ONSEMI |
QED223 IR LEDs |
на замовлення 253 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| QED234 | ONSEMI |
QED234 IR LEDs |
на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
QEE113 | ONSEMI |
Category: IR LEDsDescription: IR transmitter; 940nm; transparent; 7.5mW; 50°; 1.5VDC; THT; 100mA Type of diode: IR transmitter Wavelength: 940nm LED lens: transparent Radiant power: 7.5mW Viewing angle: 50° Operating voltage: 1.5V DC Mounting: THT Dimensions: 4.44x2.54x5.08mm LED current: 100mA LED version: angular Shape: rectangular Wavelength of peak sensitivity: 940nm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 302 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| QEE123 | ONSEMI |
QEE123 IR LEDs |
на замовлення 121 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
QRD1114 | ONSEMI |
Category: PCB Photoelectric SensorsDescription: Sensor: photoelectric; diffuse-reflective; NPN; Usup: 5VDC; PCB Type of sensor: photoelectric Operation mode: diffuse-reflective Output configuration: NPN Supply voltage: 5V DC Mounting: PCB Body dimensions: 4.39x6.1x4.65mm Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 179 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
QSD123 | ONSEMI |
Category: PhototransistorsDescription: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 30V; 24° LED lens: black with IR filter Mounting: THT Type of photoelement: phototransistor Wavelength of peak sensitivity: 880nm LED diameter: 5mm Viewing angle: 24° Collector-emitter voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 603 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
QSD2030 | ONSEMI |
Category: PhotodiodesDescription: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 400÷1100nm; 40°; 1.3V; convex Type of photoelement: photodiode Wavelength: 400...1100nm Wavelength of peak sensitivity: 880nm LED diameter: 5mm Operating voltage: 1.3V Viewing angle: 40° LED lens: transparent Front: convex Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 503 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
QSD2030F | ONSEMI |
Category: PhotodiodesDescription: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 700÷1100nm; 20°; 1.3V; convex; black Type of photoelement: photodiode Wavelength: 700...1100nm Wavelength of peak sensitivity: 880nm LED diameter: 5mm Operating voltage: 1.3V Viewing angle: 20° LED lens: black Front: convex Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1974 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| QSE113 | ONSEMI |
QSE113 Phototransistors |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
RB520S30T1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.6V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8879 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| NTR5198NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 155mΩ
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 155mΩ
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2809 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.61 грн |
| 20+ | 16.04 грн |
| 25+ | 12.60 грн |
| 100+ | 9.55 грн |
| 250+ | 8.27 грн |
| 500+ | 7.58 грн |
| 1000+ | 6.89 грн |
| NTS2101PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.43 грн |
| 16+ | 20.23 грн |
| 25+ | 17.61 грн |
| 50+ | 16.04 грн |
| 100+ | 14.47 грн |
| 500+ | 10.82 грн |
| 1000+ | 9.15 грн |
| NTS4001NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.33W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.33W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.72 грн |
| 31+ | 10.01 грн |
| 36+ | 8.27 грн |
| 53+ | 5.59 грн |
| 100+ | 4.87 грн |
| 250+ | 4.28 грн |
| 500+ | 4.01 грн |
| NTS4101PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Gate charge: 6.4nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 0.329W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Gate charge: 6.4nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 0.329W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.73 грн |
| 16+ | 19.93 грн |
| 50+ | 12.30 грн |
| 100+ | 10.23 грн |
| 500+ | 7.18 грн |
| 1000+ | 6.40 грн |
| NTS4173PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTS4173PT1G SMD P channel transistors
NTS4173PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 24.06 грн |
| 182+ | 6.40 грн |
| 500+ | 6.10 грн |
| NTS4409NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTS4409NT1G SMD N channel transistors
NTS4409NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 52.99 грн |
| 161+ | 7.28 грн |
| 441+ | 6.89 грн |
| NTZD3152PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.43A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.43A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.55 грн |
| 18+ | 17.58 грн |
| 25+ | 13.48 грн |
| 100+ | 9.64 грн |
| NTZD3154NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.54A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±7V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.54A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±7V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.61 грн |
| 15+ | 21.66 грн |
| 17+ | 17.42 грн |
| 50+ | 10.63 грн |
| 100+ | 8.76 грн |
| 500+ | 6.69 грн |
| NTZD3155CT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5/1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5/1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.67 грн |
| 13+ | 23.91 грн |
| 50+ | 14.96 грн |
| 100+ | 12.40 грн |
| 250+ | 9.94 грн |
| 500+ | 8.86 грн |
| NTZD3155CT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.85 грн |
| 15+ | 20.44 грн |
| 25+ | 15.15 грн |
| 100+ | 10.43 грн |
| 500+ | 8.17 грн |
| NUD4001DR2G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO8; 500mA; 28V; Ch: 1; PWM
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 0.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: PWM
Output voltage: 28V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO8; 500mA; 28V; Ch: 1; PWM
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 0.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: PWM
Output voltage: 28V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.23 грн |
| 10+ | 67.04 грн |
| 25+ | 55.50 грн |
| 50+ | 49.99 грн |
| 100+ | 45.37 грн |
| 250+ | 43.10 грн |
| NUF2042XV6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Filters - integrated circuits
Description: Filter: digital; line terminator; lowpass,EMI; SOT563; Ch: 2
Type of filter: digital
Kind of integrated circuit: line terminator
Kind of filter: EMI; lowpass
Case: SOT563
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Application: USB port ESD protection
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Filters - integrated circuits
Description: Filter: digital; line terminator; lowpass,EMI; SOT563; Ch: 2
Type of filter: digital
Kind of integrated circuit: line terminator
Kind of filter: EMI; lowpass
Case: SOT563
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Application: USB port ESD protection
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.48 грн |
| 5+ | 61.32 грн |
| 10+ | 30.90 грн |
| 50+ | 26.08 грн |
| 250+ | 22.24 грн |
| NUF2101MT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; bidirectional; TSOP6; Ch: 3; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP6
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Number of channels: 3
Application: USB
Semiconductor structure: bidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; bidirectional; TSOP6; Ch: 3; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP6
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Number of channels: 3
Application: USB
Semiconductor structure: bidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.21 грн |
| 10+ | 31.27 грн |
| 25+ | 27.36 грн |
| 50+ | 25.39 грн |
| 100+ | 23.62 грн |
| 250+ | 22.34 грн |
| NUP1301ML3T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP1301ML3T1G Protection diodes - arrays
NUP1301ML3T1G Protection diodes - arrays
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.18 грн |
| 157+ | 7.48 грн |
| 431+ | 7.09 грн |
| NUP2105LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...32V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: CAN
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...32V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: CAN
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6048 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.67 грн |
| 27+ | 11.45 грн |
| 50+ | 9.23 грн |
| 100+ | 8.53 грн |
| 500+ | 7.10 грн |
| 1000+ | 6.53 грн |
| 1500+ | 6.23 грн |
| NUP2114UPXV5T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP2114UPXV5T1G Protection diodes - arrays
NUP2114UPXV5T1G Protection diodes - arrays
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.73 грн |
| 102+ | 11.61 грн |
| 278+ | 10.92 грн |
| NUP2201MR6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 25A; 500W; unidirectional; TSOP6; Ch: 2; ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 5µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 25A
Breakdown voltage: 6V
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
Case: TSOP6
Application: universal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 25A; 500W; unidirectional; TSOP6; Ch: 2; ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 5µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 25A
Breakdown voltage: 6V
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
Case: TSOP6
Application: universal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 52.99 грн |
| 10+ | 36.38 грн |
| 30+ | 29.52 грн |
| 50+ | 27.16 грн |
| 100+ | 24.31 грн |
| 500+ | 19.68 грн |
| NUP2301MW6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP2301MW6T1G Protection diodes - arrays
NUP2301MW6T1G Protection diodes - arrays
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.35 грн |
| 65+ | 18.11 грн |
| 178+ | 17.12 грн |
| NUP4114HMR6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP4114HMR6T1G Protection diodes - arrays
NUP4114HMR6T1G Protection diodes - arrays
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.52 грн |
| 60+ | 19.58 грн |
| 164+ | 18.50 грн |
| NUP4114UCLW1T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; unidirectional; SC88; Ch: 4; reel,tape
Case: SC88
Version: ESD
Application: universal
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.5V
Max. forward impulse current: 12A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; unidirectional; SC88; Ch: 4; reel,tape
Case: SC88
Version: ESD
Application: universal
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.5V
Max. forward impulse current: 12A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.73 грн |
| 13+ | 23.91 грн |
| 15+ | 20.57 грн |
| 50+ | 15.45 грн |
| 100+ | 13.68 грн |
| 250+ | 11.42 грн |
| 500+ | 9.94 грн |
| NUP4114UCW1T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP4114UCW1T2G Protection diodes - arrays
NUP4114UCW1T2G Protection diodes - arrays
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.06 грн |
| 113+ | 10.43 грн |
| 309+ | 9.84 грн |
| NUP4301MR6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: diode arrays; SC74; Ch: 4; reel,tape; ESD
Type of diode: diode arrays
Mounting: SMD
Case: SC74
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Max. off-state voltage: 70V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: diode arrays; SC74; Ch: 4; reel,tape; ESD
Type of diode: diode arrays
Mounting: SMD
Case: SC74
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Max. off-state voltage: 70V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.31 грн |
| 16+ | 19.62 грн |
| 19+ | 16.24 грн |
| 25+ | 12.40 грн |
| 100+ | 8.17 грн |
| 500+ | 7.48 грн |
| NVD5C688NLT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVD5C688NLT4G SMD N channel transistors
NVD5C688NLT4G SMD N channel transistors
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.20 грн |
| 13+ | 90.53 грн |
| 25+ | 85.84 грн |
| 36+ | 85.61 грн |
| NVF2955T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Gate charge: 14.3nC
On-state resistance: 154mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Gate charge: 14.3nC
On-state resistance: 154mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.84 грн |
| 10+ | 62.34 грн |
| NVJD5121NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVJD5121NT1G Multi channel transistors
NVJD5121NT1G Multi channel transistors
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.33 грн |
| 152+ | 7.68 грн |
| 417+ | 7.28 грн |
| NVMFS6H800NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVMFS6H800NLT1G SMD N channel transistors
NVMFS6H800NLT1G SMD N channel transistors
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 471.60 грн |
| 5+ | 275.54 грн |
| 12+ | 259.79 грн |
| NVR4501NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.35 грн |
| 10+ | 35.05 грн |
| 100+ | 22.04 грн |
| 250+ | 18.89 грн |
| 500+ | 16.93 грн |
| 1000+ | 15.25 грн |
| 3000+ | 14.76 грн |
| NVR5124PLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVR5124PLT1G SMD P channel transistors
NVR5124PLT1G SMD P channel transistors
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.83 грн |
| 72+ | 16.34 грн |
| 197+ | 15.45 грн |
| NVR5198NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 27A; 0.4W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate charge: 5.1nC
On-state resistance: 0.205Ω
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 27A; 0.4W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate charge: 5.1nC
On-state resistance: 0.205Ω
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.97 грн |
| 14+ | 22.89 грн |
| 19+ | 16.34 грн |
| 25+ | 12.40 грн |
| NVTFS5116PLTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVTFS5116PLTAG SMD P channel transistors
NVTFS5116PLTAG SMD P channel transistors
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.52 грн |
| 26+ | 45.96 грн |
| 70+ | 43.50 грн |
| NVTJD4001NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.79 грн |
| 13+ | 24.83 грн |
| 15+ | 20.67 грн |
| 19+ | 16.14 грн |
| 26+ | 11.51 грн |
| 50+ | 9.25 грн |
| NVTR4503NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.73W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.73W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.85 грн |
| 25+ | 12.26 грн |
| 28+ | 10.82 грн |
| 50+ | 9.15 грн |
| 100+ | 8.66 грн |
| 500+ | 7.48 грн |
| 1000+ | 6.89 грн |
| NZT560A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NZT560A NPN SMD transistors
NZT560A NPN SMD transistors
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.19 грн |
| 50+ | 23.62 грн |
| 137+ | 22.24 грн |
| NZT605 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 110V; 1.5A; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 110V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 110V; 1.5A; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 110V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 493 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.29 грн |
| 10+ | 41.18 грн |
| 100+ | 24.11 грн |
| 250+ | 19.88 грн |
| 500+ | 17.71 грн |
| NZT7053 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NZT7053 NPN SMD Darlington transistors
NZT7053 NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 3957 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.09 грн |
| 66+ | 17.71 грн |
| 182+ | 16.73 грн |
| PACDN042Y3R |
![]() |
Виробник: ONSEMI
PACDN042Y3R Protection diodes - arrays
PACDN042Y3R Protection diodes - arrays
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.32 грн |
| 167+ | 6.99 грн |
| 457+ | 6.69 грн |
| PCA9306DTR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Case: TSSOP8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 1...3.6V DC
Number of outputs: 2
Number of inputs: 2
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Case: TSSOP8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 1...3.6V DC
Number of outputs: 2
Number of inputs: 2
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.59 грн |
| 10+ | 58.76 грн |
| 100+ | 50.88 грн |
| 250+ | 48.22 грн |
| PCA9306USG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Case: US8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 1...3.6V DC
Number of outputs: 2
Number of inputs: 2
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Case: US8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 1...3.6V DC
Number of outputs: 2
Number of inputs: 2
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.10 грн |
| 25+ | 62.95 грн |
| 100+ | 54.52 грн |
| 500+ | 46.35 грн |
| PN2222ABU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.26 грн |
| 18+ | 17.58 грн |
| 21+ | 14.37 грн |
| 100+ | 7.20 грн |
| 500+ | 4.96 грн |
| 1000+ | 4.86 грн |
| PN2222ATA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 808 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.26 грн |
| 38+ | 8.18 грн |
| 50+ | 6.38 грн |
| 100+ | 5.85 грн |
| 500+ | 4.84 грн |
| 1000+ | 4.49 грн |
| 2000+ | 4.43 грн |
| PN2222ATF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.26 грн |
| 19+ | 16.35 грн |
| 100+ | 8.86 грн |
| 200+ | 7.41 грн |
| 500+ | 5.93 грн |
| 1000+ | 5.11 грн |
| 2000+ | 4.56 грн |
| PN2907ATFR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.78 грн |
| 50+ | 6.23 грн |
| 100+ | 5.26 грн |
| 500+ | 4.76 грн |
| 2000+ | 4.18 грн |
| 4000+ | 4.02 грн |
| PZT2222AT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4316 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.51 грн |
| 11+ | 28.20 грн |
| 50+ | 19.88 грн |
| 100+ | 17.52 грн |
| 250+ | 14.96 грн |
| 500+ | 13.28 грн |
| 1000+ | 12.20 грн |
| PZT2907AT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 891 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.63 грн |
| 10+ | 31.07 грн |
| 50+ | 21.85 грн |
| 100+ | 19.09 грн |
| 250+ | 16.04 грн |
| 500+ | 14.66 грн |
| PZT3904T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Case: SOT223-4; TO261-4
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1.5W
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Case: SOT223-4; TO261-4
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1.5W
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.21 грн |
| 12+ | 25.75 грн |
| 50+ | 17.71 грн |
| 100+ | 15.45 грн |
| 500+ | 11.32 грн |
| 1000+ | 10.43 грн |
| PZTA06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
PZTA06 NPN SMD transistors
PZTA06 NPN SMD transistors
на замовлення 3332 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.72 грн |
| 41+ | 28.92 грн |
| 112+ | 27.34 грн |
| PZTA42T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.85 грн |
| 15+ | 21.46 грн |
| 50+ | 15.55 грн |
| 100+ | 13.78 грн |
| 250+ | 11.91 грн |
| 500+ | 10.73 грн |
| 1000+ | 9.74 грн |
| PZTA92T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
PZTA92T1G PNP SMD transistors
PZTA92T1G PNP SMD transistors
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.72 грн |
| 108+ | 10.82 грн |
| 297+ | 10.23 грн |
| QED123 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QED123 IR LEDs
QED123 IR LEDs
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.38 грн |
| 79+ | 14.86 грн |
| 216+ | 14.07 грн |
| QED123A4R0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QED123A4R0 IR LEDs
QED123A4R0 IR LEDs
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.41 грн |
| 53+ | 22.04 грн |
| 146+ | 20.86 грн |
| QED223 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QED223 IR LEDs
QED223 IR LEDs
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.36 грн |
| 86+ | 13.58 грн |
| 236+ | 12.89 грн |
| 1000+ | 12.88 грн |
| QED234 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QED234 IR LEDs
QED234 IR LEDs
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.61 грн |
| 113+ | 10.43 грн |
| 309+ | 9.84 грн |
| QEE113 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 940nm; transparent; 7.5mW; 50°; 1.5VDC; THT; 100mA
Type of diode: IR transmitter
Wavelength: 940nm
LED lens: transparent
Radiant power: 7.5mW
Viewing angle: 50°
Operating voltage: 1.5V DC
Mounting: THT
Dimensions: 4.44x2.54x5.08mm
LED current: 100mA
LED version: angular
Shape: rectangular
Wavelength of peak sensitivity: 940nm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 940nm; transparent; 7.5mW; 50°; 1.5VDC; THT; 100mA
Type of diode: IR transmitter
Wavelength: 940nm
LED lens: transparent
Radiant power: 7.5mW
Viewing angle: 50°
Operating voltage: 1.5V DC
Mounting: THT
Dimensions: 4.44x2.54x5.08mm
LED current: 100mA
LED version: angular
Shape: rectangular
Wavelength of peak sensitivity: 940nm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.75 грн |
| 8+ | 40.67 грн |
| 10+ | 35.33 грн |
| 25+ | 29.92 грн |
| 50+ | 25.49 грн |
| 100+ | 21.26 грн |
| QEE123 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QEE123 IR LEDs
QEE123 IR LEDs
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.63 грн |
| 26+ | 45.86 грн |
| 71+ | 43.40 грн |
| QRD1114 | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PCB Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; diffuse-reflective; NPN; Usup: 5VDC; PCB
Type of sensor: photoelectric
Operation mode: diffuse-reflective
Output configuration: NPN
Supply voltage: 5V DC
Mounting: PCB
Body dimensions: 4.39x6.1x4.65mm
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PCB Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; diffuse-reflective; NPN; Usup: 5VDC; PCB
Type of sensor: photoelectric
Operation mode: diffuse-reflective
Output configuration: NPN
Supply voltage: 5V DC
Mounting: PCB
Body dimensions: 4.39x6.1x4.65mm
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.17 грн |
| 5+ | 114.45 грн |
| 10+ | 109.23 грн |
| QSD123 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 30V; 24°
LED lens: black with IR filter
Mounting: THT
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Viewing angle: 24°
Collector-emitter voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 30V; 24°
LED lens: black with IR filter
Mounting: THT
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Viewing angle: 24°
Collector-emitter voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.21 грн |
| 12+ | 25.55 грн |
| 25+ | 18.50 грн |
| 50+ | 16.04 грн |
| QSD2030 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 400÷1100nm; 40°; 1.3V; convex
Type of photoelement: photodiode
Wavelength: 400...1100nm
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Operating voltage: 1.3V
Viewing angle: 40°
LED lens: transparent
Front: convex
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 400÷1100nm; 40°; 1.3V; convex
Type of photoelement: photodiode
Wavelength: 400...1100nm
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Operating voltage: 1.3V
Viewing angle: 40°
LED lens: transparent
Front: convex
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.63 грн |
| 10+ | 31.88 грн |
| 25+ | 27.16 грн |
| 100+ | 22.83 грн |
| 250+ | 20.47 грн |
| 1000+ | 19.68 грн |
| QSD2030F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 700÷1100nm; 20°; 1.3V; convex; black
Type of photoelement: photodiode
Wavelength: 700...1100nm
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Operating voltage: 1.3V
Viewing angle: 20°
LED lens: black
Front: convex
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 700÷1100nm; 20°; 1.3V; convex; black
Type of photoelement: photodiode
Wavelength: 700...1100nm
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Operating voltage: 1.3V
Viewing angle: 20°
LED lens: black
Front: convex
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.87 грн |
| 10+ | 34.34 грн |
| 25+ | 24.90 грн |
| 50+ | 20.96 грн |
| QSE113 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QSE113 Phototransistors
QSE113 Phototransistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.94 грн |
| 35+ | 33.66 грн |
| 96+ | 31.79 грн |
| RB520S30T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.48 грн |
| 55+ | 5.62 грн |
| 79+ | 3.74 грн |
| 100+ | 3.18 грн |
| 500+ | 2.19 грн |
| 1000+ | 1.88 грн |
| 3000+ | 1.49 грн |






















