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DF06S1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DF06S1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 1 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 VDurchlassspannung Vf max.: 1.1 Durchlassspannung, max.: 1.1 Bauform - Brückengleichrichter: SDIP Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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DF06S. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DF06S. - DIODE, FULL REELDurchlassspannung Vf max.: 1.1 Durchlassspannung, max.: 1.1 Bauform - Brückengleichrichter: SDIP Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount Anzahl der Phasen: Single Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600 SVHC: Lead |
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FSFR2100XS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSFR2100XS - Leistungsschalter für Halbbrücken-Resonanzwandler, High-Side, Low-Side, 1 Ausgang, 25V, 10.5A, SIP-9tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.41ohm rohsCompliant: Y-EX Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Strombegrenzung: 10.5A MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: High-Side, Low-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 25V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SIP Betriebstemperatur, max.: 130°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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2N3773G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3773G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 16 A, 150 W, TO-204AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-204AA Dauerkollektorstrom: 16A Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX79-C8V2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C8V2 - Zener-Diode, 8.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 8.2V SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 4070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX79C8V2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79C8V2 - Zener-Diode, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °CBauform - Diode: DO-35 (DO-204AH) Qualifikation: - Zener-Spannung Vz, typ.: 8.2 Verlustleistung Pd: 500 Toleranz ±: 5 Verlustleistung: 500 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 200 Zener-Spannung, nom.: 8.2 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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BZX79C8V2-T50A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79C8V2-T50A - Zener-Diode, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °CBauform - Diode: DO-35 (DO-204AH) Qualifikation: - Zener-Spannung Vz, typ.: 8.2 Verlustleistung Pd: 500 Toleranz ±: 5 Verlustleistung: 500 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 200 Zener-Spannung, nom.: 8.2 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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BZX85-C5V6 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX85-C5V6 - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °CBauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Qualifikation: - Zener-Spannung Vz, typ.: 5.6 Verlustleistung Pd: 1 Toleranz ±: 5 Verlustleistung: 1 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: BZX85C Betriebstemperatur, max.: 200 Zener-Spannung, nom.: 5.6 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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BZX85-C6V8 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX85-C6V8 - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °CBauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Qualifikation: - Zener-Spannung Vz, typ.: 6.8 Verlustleistung Pd: 1 Toleranz ±: 5 Verlustleistung: 1 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: BZX85C Betriebstemperatur, max.: 200 Zener-Spannung, nom.: 6.8 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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J105 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J105 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 500 mA, 10 V, TO-92, JFETMSL: MSL 1 - unbegrenzt Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: - Durchbruchspannung Vbr: -25 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 500 Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 10 Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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BZX84C3V3LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 3.3V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 40612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N5404RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5404RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5404 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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US1GFA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - US1GFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 30 AtariffCode: 85412900 Bauform - Diode: SOD-123FA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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US1GFA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - US1GFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 30 AtariffCode: 85412900 Bauform - Diode: SOD-123FA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV1406SNT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV1406SNT1G - BOOST CONVERTER, PFM, DC-DC, 25 V, 25 MAMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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BZX79C15 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79C15 - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 15V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 37211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX79-C4V7 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C4V7 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 4.7V SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 4231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX79C3V3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79C3V3 - Zener-Diode, 3.3 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 3.3V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX79-C10 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C10 - Zener-Diode, 10 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 10V SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 8652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX79-C9V1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C9V1 - Zener-Diode, 9.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 9.1V SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 3806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KSP13BU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSP13BU - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625mW euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KSP13TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSP13TA - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625mW euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUV21G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-3 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BD682G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD682G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 40W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-225 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 4A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDG6322C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NUP4114UCW1T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP4114UCW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SC-88 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: NUP4114 productTraceability: No SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NUP4114UCLW1T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP4114UCLW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SC-88 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: NUP4114 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDD9511L-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 48.4 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.8 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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FDD9511L-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 48.4 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.8 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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BC847AWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PCA9655EDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PCA9655EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, 1.65 V, 5.5 V, SOICMSL: MSL 3 - 168 Stunden IC-Schnittstelle: I2C Versorgungsspannung, min.: 1.65 Busfrequenz: 1 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16 Anzahl der Pins: 24 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC Chipkonfiguration: 16bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NLVVHC1GT126DT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT126DT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NLVVHC1GT126DF1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT126DF1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NLVVHCT125ADTRG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVVHCT125ADTRG - QUAD BUS BUFFER, 3-STATE, TTL LEVELMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NLVVHCT126ADTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVVHCT126ADTR2G - QUAD BUS BUFFER, 3-STATE, TTL LEVEL MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NLVVHC1GT50DFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT50DFT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NL17VHC1GT50DF1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL17VHC1GT50DF1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVELMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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NCL30086BHDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCL30086BHDR2G - LED-Treiber, Buck-Boost, Flyback, SEPIC, 8.2V bis 20Vin, 1 Ausgang, 12V/500mAout, SOIC-10tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 12V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 20V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 500mA Eingangsspannung, min.: 8.2V Topologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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NCL37733BSNT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCL37733BSNT1G - LED-Treiber, Buck-Boost/Flyback/SEPIC, TSOP-6, -40 bis 125°CtariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSOP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 25.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: - Eingangsspannung, min.: 9.4V Topologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code LED-Treiber: Isoliert, nicht isoliert Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KA78R05CTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KA78R05CTU - LDO-Festspannungsregler, 35Vin, 500mV Dropout-Spannung, 5V/1Aout, TO-220FP-4Ausgang: Fest Feste Ausgangsspannung, nom.: 5 Ausgangsstrom: 1 Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Bauform - LDO-Regler: TO-220FP Betriebstemperatur, min.: -20 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 35 Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: 5V 1A LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 500 Betriebstemperatur, max.: 80 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
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KA5H0365RTU.. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KA5H0365RTU.. - HIGH-SIDE POWER SWITCH, 28V, TO220-4Durchlasswiderstand: 4.5 Überhitzungsschutz: Yes Strombegrenzung: 2.15 Betriebstemperatur, min.: -25 Polarität der Eingänge On / Enable: Active High Leistungsschaltertyp: High Side Eingangsspannung: 28 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-220 Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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RB520S30T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RB520S30T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 200 mA, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 200mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RB520 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 25796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RB520S30T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RB520S30T5G - SCHOTTKY BARRIER DIODE, 30 VSVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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RB520S30 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RB520S30 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °CDurchlassspannung Vf max.: 600 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: SOD-523F Diodenkonfiguration: Einfach Betriebstemperatur, max.: 150 Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 1 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200 Produktpalette: RB520 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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NL37WZ07USG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL37WZ07USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8Logik-IC-Sockelnummer: - Logik-IC-Familie: 37WZ Bauform - Logikbaustein: US8 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: - Logikbaustein: Puffer, invertierend Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NL37WZ07USG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL37WZ07USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8Logik-IC-Sockelnummer: - Logik-IC-Familie: 37WZ Bauform - Logikbaustein: US8 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: - Logikbaustein: Puffer, invertierend Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NRVB230LSFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVB230LSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s)Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 40 Durchlassspannung Vf max.: 430 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 430 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 40 Betriebstemperatur, max.: 125 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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| NRVB230LSFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVB230LSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s)Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 40 Durchlassspannung Vf max.: 430 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 430 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 40 Betriebstemperatur, max.: 125 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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PZT2907AT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2907AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PZT2907AT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2907AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCP54 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP54 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCP54 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP54 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CAT5120SDI-50GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5120SDI-50GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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SI4435DY | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TCP-5027UB-DT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TCP-5027UB-DT - SPECIAL FUNCTION ICMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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| AR0140AT3C00XUEAH3-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0140AT3C00XUEAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 1.2MP, 1/4", RGBProzessorkern: AR0140AT3C00XUEA0-DPBR, AR0140AT3C00XUEA0-DRBR, AR0140AT3C00XUEA0-TPBR Kit-Anwendungsbereich: Sensor Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0140AT3C00XUEA0-DPBR/AR0140AT3C00XUEA0-DRBR/AR0140AT3C00XUEA0-TPBR Unterart Anwendung: Bildsensor Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AR0130CSSC00SPCAH-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCAH-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, 1.2MP, 1/3", RGBtariffCode: 84715000 productTraceability: No rohsCompliant: YES Leiterplatte: Evaluationsboard Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0130CSSC00SPCA0-DPBR/AR0130CSSC00SPCA0-DRBR euEccn: NLR Unterart Anwendung: Bildsensor hazardous: false Verwendeter IC / verwendetes Modul: AR0130CS rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AR0230CSSC00SUEAH3-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 2MP, 1/3", RGBtariffCode: 84715000 Prozessorkern: AR0230CSSC00SUEA0-DRBR Kit-Anwendungsbereich: Sensor productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0230CSSC00SUEA0-DRBR euEccn: NLR Unterart Anwendung: Bildsensor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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| AR0238CSSC12SHRAH3-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 2MP, 1/3", MonoProzessorkern: AR0238CSSC12SHRA0-DR Kit-Anwendungsbereich: Sensor Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0238CSSC12SHRA0-DR Unterart Anwendung: Bildsensor Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| AR0330CS1C12SPKAH3-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0330CS1C12SPKAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, 3.5MP, 1/3", RGBProzessorkern: AR0330CS1C12SPKA0-CP, AR0330CS1C12SPKA0-CR Kit-Anwendungsbereich: Sensor Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0330CS1C12SPKA0-CP/AR0330CS1C12SPKA0-CR Unterart Anwendung: Bildsensor Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| DF06S1 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF06S1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 1 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - DF06S1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 1 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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| DF06S. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF06S. - DIODE, FULL REEL
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - DF06S. - DIODE, FULL REEL
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead
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| FSFR2100XS |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSFR2100XS - Leistungsschalter für Halbbrücken-Resonanzwandler, High-Side, Low-Side, 1 Ausgang, 25V, 10.5A, SIP-9
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.41ohm
rohsCompliant: Y-EX
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 10.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side, Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SIP
Betriebstemperatur, max.: 130°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FSFR2100XS - Leistungsschalter für Halbbrücken-Resonanzwandler, High-Side, Low-Side, 1 Ausgang, 25V, 10.5A, SIP-9
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.41ohm
rohsCompliant: Y-EX
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 10.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side, Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SIP
Betriebstemperatur, max.: 130°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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| 2N3773G | ![]() |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3773G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 16 A, 150 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 16A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N3773G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 16 A, 150 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 16A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 561.81 грн |
| 5+ | 484.93 грн |
| 10+ | 408.05 грн |
| 50+ | 352.23 грн |
| 100+ | 299.79 грн |
| 250+ | 294.00 грн |
| BZX79-C8V2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C8V2 - Zener-Diode, 8.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 8.2V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BZX79-C8V2 - Zener-Diode, 8.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 8.2V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 102+ | 8.35 грн |
| 159+ | 5.34 грн |
| 338+ | 2.50 грн |
| 500+ | 2.17 грн |
| 1000+ | 1.78 грн |
| BZX79C8V2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C8V2 - Zener-Diode, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 8.2
Verlustleistung Pd: 500
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 8.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - BZX79C8V2 - Zener-Diode, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 8.2
Verlustleistung Pd: 500
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 8.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| BZX79C8V2-T50A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C8V2-T50A - Zener-Diode, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 8.2
Verlustleistung Pd: 500
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 8.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - BZX79C8V2-T50A - Zener-Diode, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 8.2
Verlustleistung Pd: 500
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 8.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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| BZX85-C5V6 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C5V6 - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 5.6
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX85C
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 5.6
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - BZX85-C5V6 - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 5.6
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX85C
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 5.6
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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| BZX85-C6V8 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C6V8 - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 6.8
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX85C
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 6.8
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - BZX85-C6V8 - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 6.8
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX85C
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 6.8
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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| J105 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J105 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 500 mA, 10 V, TO-92, JFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -
Durchbruchspannung Vbr: -25
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 500
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 10
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - J105 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 500 mA, 10 V, TO-92, JFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -
Durchbruchspannung Vbr: -25
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 500
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 10
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| BZX84C3V3LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BZX84C3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 40612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 84+ | 10.14 грн |
| 174+ | 4.87 грн |
| 295+ | 2.86 грн |
| 1000+ | 2.11 грн |
| 15000+ | 1.01 грн |
| 1N5404RLG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5404RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5404
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N5404RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5404
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 32.10 грн |
| 56+ | 15.12 грн |
| 59+ | 14.36 грн |
| 200+ | 12.55 грн |
| 500+ | 11.15 грн |
| US1GFA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - US1GFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - US1GFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 29.15 грн |
| 43+ | 19.94 грн |
| 100+ | 16.64 грн |
| 500+ | 14.04 грн |
| 1000+ | 11.51 грн |
| US1GFA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - US1GFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - US1GFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.64 грн |
| 500+ | 14.04 грн |
| 1000+ | 11.51 грн |
| NCV1406SNT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV1406SNT1G - BOOST CONVERTER, PFM, DC-DC, 25 V, 25 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCV1406SNT1G - BOOST CONVERTER, PFM, DC-DC, 25 V, 25 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| BZX79C15 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C15 - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BZX79C15 - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 37211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 74+ | 11.49 грн |
| 164+ | 5.15 грн |
| 344+ | 2.46 грн |
| 500+ | 2.05 грн |
| 1000+ | 1.47 грн |
| 5000+ | 1.40 грн |
| BZX79-C4V7 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C4V7 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BZX79-C4V7 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 69+ | 12.33 грн |
| 106+ | 7.98 грн |
| 257+ | 3.29 грн |
| 500+ | 2.82 грн |
| 1000+ | 2.25 грн |
| BZX79C3V3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C3V3 - Zener-Diode, 3.3 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BZX79C3V3 - Zener-Diode, 3.3 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 94+ | 9.04 грн |
| 132+ | 6.44 грн |
| 353+ | 2.40 грн |
| 500+ | 2.07 грн |
| 1000+ | 1.77 грн |
| 5000+ | 1.73 грн |
| BZX79-C10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C10 - Zener-Diode, 10 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BZX79-C10 - Zener-Diode, 10 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 8652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 101+ | 8.42 грн |
| 167+ | 5.06 грн |
| 347+ | 2.44 грн |
| 500+ | 2.11 грн |
| 1000+ | 1.81 грн |
| 5000+ | 1.73 грн |
| BZX79-C9V1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C9V1 - Zener-Diode, 9.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BZX79-C9V1 - Zener-Diode, 9.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 73+ | 11.57 грн |
| 133+ | 6.35 грн |
| 218+ | 3.88 грн |
| 500+ | 2.91 грн |
| 1000+ | 1.84 грн |
| KSP13BU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP13BU - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - KSP13BU - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 27.29 грн |
| 46+ | 18.67 грн |
| 100+ | 10.90 грн |
| 500+ | 7.30 грн |
| 1000+ | 5.92 грн |
| 5000+ | 4.54 грн |
| KSP13TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP13TA - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - KSP13TA - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 25.77 грн |
| 51+ | 16.64 грн |
| 100+ | 10.81 грн |
| 500+ | 7.40 грн |
| 1000+ | 5.87 грн |
| BUV21G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1698.10 грн |
| 5+ | 1391.43 грн |
| 10+ | 1084.76 грн |
| 50+ | 975.11 грн |
| BD682G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD682G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BD682G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 125.03 грн |
| 11+ | 78.99 грн |
| 100+ | 52.29 грн |
| 500+ | 38.36 грн |
| FDG6322C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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| NUP4114UCW1T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4114UCW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NUP4114UCW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 32.69 грн |
| 50+ | 21.97 грн |
| 100+ | 14.87 грн |
| 500+ | 10.75 грн |
| 1500+ | 8.76 грн |
| NUP4114UCLW1T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4114UCLW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NUP4114UCLW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 30.67 грн |
| 40+ | 21.12 грн |
| 100+ | 13.94 грн |
| 500+ | 10.28 грн |
| 1000+ | 8.04 грн |
| 5000+ | 6.57 грн |
| FDD9511L-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 48.4
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 48.4
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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| FDD9511L-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48.4
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48.4
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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| BC847AWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC847AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 70+ | 12.17 грн |
| 110+ | 7.70 грн |
| 171+ | 4.94 грн |
| 500+ | 3.54 грн |
| 1500+ | 2.85 грн |
| PCA9655EDWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCA9655EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, 1.65 V, 5.5 V, SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: I2C
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Busfrequenz: 1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - PCA9655EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, 1.65 V, 5.5 V, SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: I2C
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Busfrequenz: 1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 320.19 грн |
| 10+ | 266.97 грн |
| 100+ | 223.88 грн |
| NLVVHC1GT126DT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT126DT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT126DT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NLVVHC1GT126DF1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT126DF1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT126DF1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NLVVHCT125ADTRG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHCT125ADTRG - QUAD BUS BUFFER, 3-STATE, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLVVHCT125ADTRG - QUAD BUS BUFFER, 3-STATE, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NLVVHCT126ADTR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHCT126ADTR2G - QUAD BUS BUFFER, 3-STATE, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLVVHCT126ADTR2G - QUAD BUS BUFFER, 3-STATE, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NLVVHC1GT50DFT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT50DFT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT50DFT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NL17VHC1GT50DF1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17VHC1GT50DF1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NL17VHC1GT50DF1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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| NCL30086BHDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCL30086BHDR2G - LED-Treiber, Buck-Boost, Flyback, SEPIC, 8.2V bis 20Vin, 1 Ausgang, 12V/500mAout, SOIC-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: 8.2V
Topologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCL30086BHDR2G - LED-Treiber, Buck-Boost, Flyback, SEPIC, 8.2V bis 20Vin, 1 Ausgang, 12V/500mAout, SOIC-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: 8.2V
Topologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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| NCL37733BSNT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCL37733BSNT1G - LED-Treiber, Buck-Boost/Flyback/SEPIC, TSOP-6, -40 bis 125°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 25.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 9.4V
Topologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Isoliert, nicht isoliert
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCL37733BSNT1G - LED-Treiber, Buck-Boost/Flyback/SEPIC, TSOP-6, -40 bis 125°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 25.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 9.4V
Topologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Isoliert, nicht isoliert
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 34.89 грн |
| 35+ | 24.75 грн |
| 100+ | 19.35 грн |
| 500+ | 15.92 грн |
| 1000+ | 13.32 грн |
| 2500+ | 13.03 грн |
| KA78R05CTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KA78R05CTU - LDO-Festspannungsregler, 35Vin, 500mV Dropout-Spannung, 5V/1Aout, TO-220FP-4
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 1
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-220FP
Betriebstemperatur, min.: -20
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 35
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: 5V 1A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 500
Betriebstemperatur, max.: 80
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - KA78R05CTU - LDO-Festspannungsregler, 35Vin, 500mV Dropout-Spannung, 5V/1Aout, TO-220FP-4
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 1
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-220FP
Betriebstemperatur, min.: -20
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 35
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: 5V 1A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 500
Betriebstemperatur, max.: 80
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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| KA5H0365RTU.. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KA5H0365RTU.. - HIGH-SIDE POWER SWITCH, 28V, TO220-4
Durchlasswiderstand: 4.5
Überhitzungsschutz: Yes
Strombegrenzung: 2.15
Betriebstemperatur, min.: -25
Polarität der Eingänge On / Enable: Active High
Leistungsschaltertyp: High Side
Eingangsspannung: 28
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-220
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - KA5H0365RTU.. - HIGH-SIDE POWER SWITCH, 28V, TO220-4
Durchlasswiderstand: 4.5
Überhitzungsschutz: Yes
Strombegrenzung: 2.15
Betriebstemperatur, min.: -25
Polarität der Eingänge On / Enable: Active High
Leistungsschaltertyp: High Side
Eingangsspannung: 28
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-220
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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| RB520S30T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RB520S30T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RB520
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - RB520S30T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RB520
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 84+ | 10.14 грн |
| 140+ | 6.06 грн |
| 219+ | 3.87 грн |
| 500+ | 2.66 грн |
| 1500+ | 2.16 грн |
| RB520S30T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RB520S30T5G - SCHOTTKY BARRIER DIODE, 30 V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - RB520S30T5G - SCHOTTKY BARRIER DIODE, 30 V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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| RB520S30 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RB520S30 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °C
Durchlassspannung Vf max.: 600
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-523F
Diodenkonfiguration: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 1
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Produktpalette: RB520
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - RB520S30 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °C
Durchlassspannung Vf max.: 600
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-523F
Diodenkonfiguration: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 1
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Produktpalette: RB520
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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| NL37WZ07USG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL37WZ07USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 37WZ
Bauform - Logikbaustein: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NL37WZ07USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 37WZ
Bauform - Logikbaustein: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 38.52 грн |
| 26+ | 32.61 грн |
| 100+ | 22.56 грн |
| 500+ | 13.73 грн |
| NL37WZ07USG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL37WZ07USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 37WZ
Bauform - Logikbaustein: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NL37WZ07USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 37WZ
Bauform - Logikbaustein: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 22.56 грн |
| 500+ | 13.73 грн |
| NRVB230LSFT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVB230LSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40
Durchlassspannung Vf max.: 430
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 430
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 40
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NRVB230LSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40
Durchlassspannung Vf max.: 430
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 430
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 40
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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| NRVB230LSFT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVB230LSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40
Durchlassspannung Vf max.: 430
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 430
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 40
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NRVB230LSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40
Durchlassspannung Vf max.: 430
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 430
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 40
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
| PZT2907AT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2907AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - PZT2907AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 53.98 грн |
| 50+ | 33.20 грн |
| 250+ | 21.21 грн |
| 1000+ | 12.16 грн |
| 2000+ | 11.01 грн |
| PZT2907AT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2907AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - PZT2907AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.75 грн |
| 250+ | 21.21 грн |
| 1000+ | 12.24 грн |
| 2000+ | 11.08 грн |
| BCP54 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP54 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BCP54 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 33.62 грн |
| 250+ | 22.64 грн |
| 1000+ | 15.14 грн |
| 2000+ | 12.74 грн |
| BCP54 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP54 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BCP54 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 53.56 грн |
| 50+ | 33.62 грн |
| 250+ | 22.64 грн |
| 1000+ | 15.14 грн |
| 2000+ | 12.74 грн |
| CAT5120SDI-50GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5120SDI-50GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5120SDI-50GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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| SI4435DY |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 108.98 грн |
| 50+ | 72.82 грн |
| 100+ | 51.03 грн |
| 500+ | 37.97 грн |
| 1000+ | 31.64 грн |
| TCP-5027UB-DT |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TCP-5027UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - TCP-5027UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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| AR0140AT3C00XUEAH3-GEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0140AT3C00XUEAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 1.2MP, 1/4", RGB
Prozessorkern: AR0140AT3C00XUEA0-DPBR, AR0140AT3C00XUEA0-DRBR, AR0140AT3C00XUEA0-TPBR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0140AT3C00XUEA0-DPBR/AR0140AT3C00XUEA0-DRBR/AR0140AT3C00XUEA0-TPBR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - AR0140AT3C00XUEAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 1.2MP, 1/4", RGB
Prozessorkern: AR0140AT3C00XUEA0-DPBR, AR0140AT3C00XUEA0-DRBR, AR0140AT3C00XUEA0-TPBR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0140AT3C00XUEA0-DPBR/AR0140AT3C00XUEA0-DRBR/AR0140AT3C00XUEA0-TPBR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 21016.78 грн |
| AR0130CSSC00SPCAH-GEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCAH-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, 1.2MP, 1/3", RGB
tariffCode: 84715000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0130CSSC00SPCA0-DPBR/AR0130CSSC00SPCA0-DRBR
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: AR0130CS
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCAH-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, 1.2MP, 1/3", RGB
tariffCode: 84715000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0130CSSC00SPCA0-DPBR/AR0130CSSC00SPCA0-DRBR
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: AR0130CS
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20731.22 грн |
| AR0230CSSC00SUEAH3-GEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 2MP, 1/3", RGB
tariffCode: 84715000
Prozessorkern: AR0230CSSC00SUEA0-DRBR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0230CSSC00SUEA0-DRBR
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 2MP, 1/3", RGB
tariffCode: 84715000
Prozessorkern: AR0230CSSC00SUEA0-DRBR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0230CSSC00SUEA0-DRBR
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
| AR0238CSSC12SHRAH3-GEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 2MP, 1/3", Mono
Prozessorkern: AR0238CSSC12SHRA0-DR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0238CSSC12SHRA0-DR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 2MP, 1/3", Mono
Prozessorkern: AR0238CSSC12SHRA0-DR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0238CSSC12SHRA0-DR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
| AR0330CS1C12SPKAH3-GEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0330CS1C12SPKAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, 3.5MP, 1/3", RGB
Prozessorkern: AR0330CS1C12SPKA0-CP, AR0330CS1C12SPKA0-CR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0330CS1C12SPKA0-CP/AR0330CS1C12SPKA0-CR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - AR0330CS1C12SPKAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, 3.5MP, 1/3", RGB
Prozessorkern: AR0330CS1C12SPKA0-CP, AR0330CS1C12SPKA0-CR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0330CS1C12SPKA0-CP/AR0330CS1C12SPKA0-CR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


































