Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142408) > Сторінка 1783 з 2374

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1778 1779 1780 1781 1782 1783 1784 1785 1786 1787 1788 1896 2133 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BZX84C5V1LT1G BZX84C5V1LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C5V1LT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 62832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.17 грн
1500+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C5V1LT3G BZX84C5V1LT3G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C5V1LT3G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+9.04 грн
177+4.78 грн
410+2.06 грн
500+1.76 грн
1000+1.42 грн
5000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C5V1LT3G BZX84C5V1LT3G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C5V1LT3G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.76 грн
1000+1.42 грн
5000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57090BDWR2G NCD57090BDWR2G ONSEMI 3191472.pdf Description: ONSEMI - NCD57090BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+128.90 грн
250+114.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57090BDWR2G NCD57090BDWR2G ONSEMI 3191472.pdf Description: ONSEMI - NCD57090BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.40 грн
10+217.12 грн
25+185.86 грн
50+156.11 грн
100+128.90 грн
250+114.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57090FDWR2G NCD57090FDWR2G ONSEMI 3621456.pdf Description: ONSEMI - NCD57090FDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85429000
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57090y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+118.03 грн
250+106.45 грн
500+102.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57090FDWR2G NCD57090FDWR2G ONSEMI 3621456.pdf Description: ONSEMI - NCD57090FDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85429000
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57090y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.05 грн
10+208.67 грн
25+196.84 грн
50+155.33 грн
100+118.03 грн
250+106.45 грн
500+102.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB521S30T1G RB521S30T1G ONSEMI rb521s30t1-d.pdf Description: ONSEMI - RB521S30T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RB521
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 195013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+9.21 грн
129+6.56 грн
186+4.55 грн
500+3.04 грн
1500+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
RB521S30T5G RB521S30T5G ONSEMI RB521S30T1-D.PDF Description: ONSEMI - RB521S30T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521S30 RB521S30 ONSEMI 1863519.pdf Description: ONSEMI - RB521S30 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 500 mV, 125 °C
Bauform - Diode: SOD-523F
Durchlassspannung Vf max.: 500
Diodenkonfiguration: Einfach
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: RB521
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB521S30 RB521S30 ONSEMI 2287955.pdf Description: ONSEMI - RB521S30 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 500 mV, 125 °C
Bauform - Diode: SOD-523F
Durchlassspannung Vf max.: 500
Diodenkonfiguration: Einfach
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: RB521
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945 NDS9945 ONSEMI ONSM-S-A0003585173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDS9945 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.076 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.076
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952A NDS9952A ONSEMI 2303860.pdf Description: ONSEMI - NDS9952A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926A FDS9926A ONSEMI fds9926a-d.pdf Description: ONSEMI - FDS9926A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.34 грн
50+46.72 грн
100+34.64 грн
500+26.59 грн
1000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A FDS9933A ONSEMI fds9933a-d.pdf Description: ONSEMI - FDS9933A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.36 грн
12+72.74 грн
100+49.93 грн
500+34.52 грн
1000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953A FDS9953A ONSEMI 705114.pdf Description: ONSEMI - FDS9953A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.095 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 FDS9958 ONSEMI fds9958-d.pdf Description: ONSEMI - FDS9958 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.082ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.91 грн
13+69.70 грн
100+48.58 грн
500+36.40 грн
1000+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640A IRL640A ONSEMI ONSM-S-A0003590291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - IRL640A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UC2844BDR2G UC2844BDR2G ONSEMI 1748817.pdf Description: ONSEMI - UC2844BDR2G - PWM-Controller, 12V bis 25V Versorgungsspannung, 52kHz, 200mAout, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Boost, Flyback, invertierend
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: UC2844B
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25V
Tastverhältnis, min.: 0%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: 50%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.47 грн
15+59.98 грн
100+39.79 грн
500+28.79 грн
1000+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
UC2844BNG UC2844BNG ONSEMI 1748817.pdf Description: ONSEMI - UC2844BNG - PWM-Controller, 25V-12V Versorgungsspannung, 250kHz, 13.4V/12mAout, DIP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Controller-IC: DIP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 12mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 13.4V
Frequenz: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Eingangsspannung: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 46460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.93 грн
50+38.27 грн
100+24.75 грн
250+21.42 грн
500+18.32 грн
1000+16.87 грн
2500+15.13 грн
5000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1N5231CTR 1N5231CTR ONSEMI 1N5231C-D.pdf Description: ONSEMI - 1N5231CTR - Zener-Diode, 5 V, 500 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+9.04 грн
111+7.67 грн
270+3.13 грн
500+2.83 грн
1000+2.33 грн
5000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5118SDI-50GT3 CAT5118SDI-50GT3 ONSEMI CAT5119-D.PDF Description: ONSEMI - CAT5118SDI-50GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C2V4LT1G BZX84C2V4LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C2V4LT1G - Zener-Diode, 2.4 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.4V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+9.04 грн
160+5.28 грн
342+2.48 грн
500+2.23 грн
1500+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C2V4LT1G BZX84C2V4LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C2V4LT1G - Zener-Diode, 2.4 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.4V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.23 грн
1500+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FOD3184 FOD3184 ONSEMI 2303985.pdf Description: ONSEMI - FOD3184 - Optokoppler, Gate-Treiber-Ausgang, 1 Kanal, DIP, 8 Pin(s), 5 kV
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.03 грн
10+137.71 грн
25+134.33 грн
50+120.81 грн
100+108.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SV157P6X NC7SV157P6X ONSEMI nc7sv157-d.pdf Description: ONSEMI - NC7SV157P6X - Multiplexer, 1 Kanal, 2:1, 0.9V bis 3.6V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74157
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S157
Logiktyp: Multiplexer
euEccn: NLR
Leitungskonfiguration: 2:1
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+20.87 грн
61+13.94 грн
100+10.64 грн
500+8.63 грн
1000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHDF FGA40T65SHDF ONSEMI FGA40T65SHDF-D.pdf Description: ONSEMI - FGA40T65SHDF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD FGA40T65SHD ONSEMI FGA40T65SHD-D.pdf Description: ONSEMI - FGA40T65SHD - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84-C9V1 BZX84-C9V1 ONSEMI 2287699.pdf Description: ONSEMI - BZX84-C9V1 - Zener-Diode, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 9.1
Verlustleistung Pd: 350
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 350
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BZX84C
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 9.1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84-C9V1 BZX84-C9V1 ONSEMI 2287699.pdf Description: ONSEMI - BZX84-C9V1 - Zener-Diode, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 9.1
Verlustleistung Pd: 350
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 350
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BZX84C
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 9.1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX70K BCX70K ONSEMI 1863377.pdf Description: ONSEMI - BCX70K - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Übergangsfrequenz ft: 125
Bauform - Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX70K BCX70K ONSEMI 1863377.pdf Description: ONSEMI - BCX70K - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Übergangsfrequenz ft: 125
Bauform - Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20 ONSEMI 2907382.pdf Description: ONSEMI - FDN028N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.1 A, 0.023 ohm, SuperSOT
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.48 грн
19+46.04 грн
100+34.38 грн
500+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N30 FQP3N30 ONSEMI ONSM-S-A0003584516-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP3N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 3.2 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3P20 FQP3P20 ONSEMI ONSM-S-A0003585537-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP3P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.8 A, 2.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 2.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 52
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.06
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N60 FCPF400N60 ONSEMI 2304389.pdf Description: ONSEMI - FCPF400N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.35 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.76 грн
10+199.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N60NZ FDPF10N60NZ ONSEMI fdpf10n60nz-d.pdf Description: ONSEMI - FDPF10N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.64 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 640
Verlustleistung Pd: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.05 грн
10+222.19 грн
100+189.24 грн
500+144.34 грн
1000+110.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60C. FQPF5N60C. ONSEMI ONSM-S-A0003585476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQPF5N60C. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.19 грн
10+98.00 грн
100+82.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C FQPF3N80C ONSEMI 1847582.pdf Description: ONSEMI - FQPF3N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.93 грн
10+127.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C ONSEMI ONSM-S-A0003584724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP6N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.5 A, 2.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 158
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+162.21 грн
10+141.09 грн
100+114.05 грн
500+87.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCH085N80-F155 FCH085N80-F155 ONSEMI 2304826.pdf Description: ONSEMI - FCH085N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 46 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 46
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0238CSSC12SHRA0-DP2 AR0238CSSC12SHRA0-DP2 ONSEMI 2830061.pdf Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRA0-DP2 - Bildsensor, 1928 x 1088, 3µm x 3µm, 60, RGB, LCC, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
usEccn: EAR99
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Bauform - Sensor: LCC
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Aktiver Pixelbereich: 1928 x 1088
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: 3.1V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+555.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KSP2222ATA KSP2222ATA ONSEMI ONSM-S-A0013297940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSP2222ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.70 грн
60+14.28 грн
100+10.14 грн
500+7.21 грн
1000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
KSP2907ATA KSP2907ATA ONSEMI ONSM-S-A0003589489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSP2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+23.23 грн
59+14.45 грн
100+9.04 грн
500+6.18 грн
1000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
KSP2222ABU KSP2222ABU ONSEMI ONSM-S-A0013297940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSP2222ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+24.84 грн
57+14.95 грн
100+9.38 грн
500+6.06 грн
1000+4.75 грн
5000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
KSP2907ACTA KSP2907ACTA ONSEMI ONSM-S-A0003589489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSP2907ACTA - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86210-F085 FDBL86210-F085 ONSEMI 4320266.pdf Description: ONSEMI - FDBL86210-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+434.24 грн
10+319.34 грн
100+266.12 грн
500+235.34 грн
1000+206.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150 FDBL0630N150 ONSEMI 2859344.pdf Description: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+503.52 грн
10+355.67 грн
100+271.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GF1A GF1A ONSEMI GF1A-D.PDF Description: ONSEMI - GF1A - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: GF1A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 27341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.93 грн
34+25.60 грн
100+20.19 грн
500+14.28 грн
1000+10.07 грн
5000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL3595 FDLL3595 ONSEMI 2572335.pdf Description: ONSEMI - FDLL3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 mA, 1 V, 3 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+8.03 грн
147+5.78 грн
182+4.66 грн
500+3.58 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT3G NSVBAS21HT3G ONSEMI BAS21HT1-D.PDF Description: ONSEMI - NSVBAS21HT3G - 250 V SWITCHING DIODE HIGH VOLTAGE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SHN2D02FUTW1T1G SHN2D02FUTW1T1G ONSEMI HN2D02FUTW1T1-D.PDF Description: ONSEMI - SHN2D02FUTW1T1G - ULTRA HIGH SPEED SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSD914XV2T5G NSD914XV2T5G ONSEMI NSD914XV2T1-D.PDF Description: ONSEMI - NSD914XV2T5G - 100 V HIGH SPEED SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAWH56WT1G BAWH56WT1G ONSEMI BAWH56W-D.PDF Description: ONSEMI - BAWH56WT1G - 70V COMMON ANODE SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T5G NSV1SS400T5G ONSEMI 1SS400T1-D.PDF Description: ONSEMI - NSV1SS400T5G - SWITCHING DIODE, 100 V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS20LT3G NSVBAS20LT3G ONSEMI BAS19LT1-D.PDF Description: ONSEMI - NSVBAS20LT3G - 200 V SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C18LT1G SZBZX84C18LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013707653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZBZX84C18LT1G - Zener-Diode, 18 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+18.16 грн
52+16.47 грн
101+8.38 грн
500+4.53 грн
1000+2.90 грн
3000+2.14 грн
6000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
BDV64BG BDV64BG ONSEMI bdv65b-d.pdf Description: ONSEMI - BDV64BG - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.71 грн
10+184.17 грн
100+157.98 грн
500+121.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DF06S2 DF06S2 ONSEMI ONSM-S-A0003584401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DF06S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 85A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF06S2 DF06S2 ONSEMI ONSM-S-A0003584401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DF06S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 85A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C5V1LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C5V1LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C5V1LT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 62832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.17 грн
1500+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C5V1LT3G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C5V1LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C5V1LT3G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+9.04 грн
177+4.78 грн
410+2.06 грн
500+1.76 грн
1000+1.42 грн
5000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C5V1LT3G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C5V1LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C5V1LT3G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.76 грн
1000+1.42 грн
5000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57090BDWR2G 3191472.pdf
NCD57090BDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+128.90 грн
250+114.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57090BDWR2G 3191472.pdf
NCD57090BDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+335.40 грн
10+217.12 грн
25+185.86 грн
50+156.11 грн
100+128.90 грн
250+114.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57090FDWR2G 3621456.pdf
NCD57090FDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090FDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85429000
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57090y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+118.03 грн
250+106.45 грн
500+102.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57090FDWR2G 3621456.pdf
NCD57090FDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090FDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85429000
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57090y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+261.05 грн
10+208.67 грн
25+196.84 грн
50+155.33 грн
100+118.03 грн
250+106.45 грн
500+102.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB521S30T1G rb521s30t1-d.pdf
RB521S30T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RB521S30T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RB521
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 195013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
92+9.21 грн
129+6.56 грн
186+4.55 грн
500+3.04 грн
1500+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
RB521S30T5G RB521S30T1-D.PDF
RB521S30T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RB521S30T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521S30 1863519.pdf
RB521S30
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RB521S30 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 500 mV, 125 °C
Bauform - Diode: SOD-523F
Durchlassspannung Vf max.: 500
Diodenkonfiguration: Einfach
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: RB521
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB521S30 2287955.pdf
RB521S30
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RB521S30 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 500 mV, 125 °C
Bauform - Diode: SOD-523F
Durchlassspannung Vf max.: 500
Diodenkonfiguration: Einfach
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: RB521
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945 ONSM-S-A0003585173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NDS9945
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9945 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.076 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.076
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952A 2303860.pdf
NDS9952A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9952A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926A fds9926a-d.pdf
FDS9926A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9926A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.34 грн
50+46.72 грн
100+34.64 грн
500+26.59 грн
1000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A fds9933a-d.pdf
FDS9933A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9933A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.36 грн
12+72.74 грн
100+49.93 грн
500+34.52 грн
1000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953A 705114.pdf
FDS9953A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9953A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.095 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 fds9958-d.pdf
FDS9958
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9958 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.082ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+103.91 грн
13+69.70 грн
100+48.58 грн
500+36.40 грн
1000+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640A ONSM-S-A0003590291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL640A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRL640A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UC2844BDR2G 1748817.pdf
UC2844BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UC2844BDR2G - PWM-Controller, 12V bis 25V Versorgungsspannung, 52kHz, 200mAout, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Boost, Flyback, invertierend
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: UC2844B
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25V
Tastverhältnis, min.: 0%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: 50%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+95.47 грн
15+59.98 грн
100+39.79 грн
500+28.79 грн
1000+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
UC2844BNG 1748817.pdf
UC2844BNG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UC2844BNG - PWM-Controller, 25V-12V Versorgungsspannung, 250kHz, 13.4V/12mAout, DIP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Controller-IC: DIP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 12mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 13.4V
Frequenz: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Eingangsspannung: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 46460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.93 грн
50+38.27 грн
100+24.75 грн
250+21.42 грн
500+18.32 грн
1000+16.87 грн
2500+15.13 грн
5000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1N5231CTR 1N5231C-D.pdf
1N5231CTR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5231CTR - Zener-Diode, 5 V, 500 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+9.04 грн
111+7.67 грн
270+3.13 грн
500+2.83 грн
1000+2.33 грн
5000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5118SDI-50GT3 CAT5119-D.PDF
CAT5118SDI-50GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5118SDI-50GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C2V4LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C2V4LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C2V4LT1G - Zener-Diode, 2.4 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.4V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+9.04 грн
160+5.28 грн
342+2.48 грн
500+2.23 грн
1500+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C2V4LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C2V4LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C2V4LT1G - Zener-Diode, 2.4 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.4V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.23 грн
1500+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FOD3184 2303985.pdf
FOD3184
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD3184 - Optokoppler, Gate-Treiber-Ausgang, 1 Kanal, DIP, 8 Pin(s), 5 kV
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+223.03 грн
10+137.71 грн
25+134.33 грн
50+120.81 грн
100+108.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SV157P6X nc7sv157-d.pdf
NC7SV157P6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SV157P6X - Multiplexer, 1 Kanal, 2:1, 0.9V bis 3.6V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74157
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S157
Logiktyp: Multiplexer
euEccn: NLR
Leitungskonfiguration: 2:1
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+20.87 грн
61+13.94 грн
100+10.64 грн
500+8.63 грн
1000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHDF FGA40T65SHDF-D.pdf
FGA40T65SHDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA40T65SHDF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD FGA40T65SHD-D.pdf
FGA40T65SHD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA40T65SHD - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84-C9V1 2287699.pdf
BZX84-C9V1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84-C9V1 - Zener-Diode, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 9.1
Verlustleistung Pd: 350
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 350
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BZX84C
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 9.1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84-C9V1 2287699.pdf
BZX84-C9V1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84-C9V1 - Zener-Diode, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 9.1
Verlustleistung Pd: 350
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 350
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BZX84C
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 9.1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX70K 1863377.pdf
BCX70K
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCX70K - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Übergangsfrequenz ft: 125
Bauform - Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX70K 1863377.pdf
BCX70K
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCX70K - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Übergangsfrequenz ft: 125
Bauform - Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20 2907382.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN028N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.1 A, 0.023 ohm, SuperSOT
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.48 грн
19+46.04 грн
100+34.38 грн
500+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N30 ONSM-S-A0003584516-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP3N30
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP3N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 3.2 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3P20 ONSM-S-A0003585537-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP3P20
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP3P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.8 A, 2.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 2.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 52
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.06
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N60 2304389.pdf
FCPF400N60
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF400N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.35 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+251.76 грн
10+199.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N60NZ fdpf10n60nz-d.pdf
FDPF10N60NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF10N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.64 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 640
Verlustleistung Pd: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+261.05 грн
10+222.19 грн
100+189.24 грн
500+144.34 грн
1000+110.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60C. ONSM-S-A0003585476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQPF5N60C.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF5N60C. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.19 грн
10+98.00 грн
100+82.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C 1847582.pdf
FQPF3N80C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF3N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+141.93 грн
10+127.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C ONSM-S-A0003584724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP6N80C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP6N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.5 A, 2.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 158
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+162.21 грн
10+141.09 грн
100+114.05 грн
500+87.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCH085N80-F155 2304826.pdf
FCH085N80-F155
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH085N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 46 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 46
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0238CSSC12SHRA0-DP2 2830061.pdf
AR0238CSSC12SHRA0-DP2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRA0-DP2 - Bildsensor, 1928 x 1088, 3µm x 3µm, 60, RGB, LCC, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
usEccn: EAR99
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Bauform - Sensor: LCC
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Aktiver Pixelbereich: 1928 x 1088
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: 3.1V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+555.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KSP2222ATA ONSM-S-A0013297940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSP2222ATA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP2222ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+26.70 грн
60+14.28 грн
100+10.14 грн
500+7.21 грн
1000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
KSP2907ATA ONSM-S-A0003589489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSP2907ATA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+23.23 грн
59+14.45 грн
100+9.04 грн
500+6.18 грн
1000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
KSP2222ABU ONSM-S-A0013297940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSP2222ABU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP2222ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+24.84 грн
57+14.95 грн
100+9.38 грн
500+6.06 грн
1000+4.75 грн
5000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
KSP2907ACTA ONSM-S-A0003589489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSP2907ACTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP2907ACTA - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86210-F085 4320266.pdf
FDBL86210-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86210-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+434.24 грн
10+319.34 грн
100+266.12 грн
500+235.34 грн
1000+206.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150 2859344.pdf
FDBL0630N150
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+503.52 грн
10+355.67 грн
100+271.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GF1A GF1A-D.PDF
GF1A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GF1A - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: GF1A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 27341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.93 грн
34+25.60 грн
100+20.19 грн
500+14.28 грн
1000+10.07 грн
5000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL3595 2572335.pdf
FDLL3595
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDLL3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 mA, 1 V, 3 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
106+8.03 грн
147+5.78 грн
182+4.66 грн
500+3.58 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT3G BAS21HT1-D.PDF
NSVBAS21HT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVBAS21HT3G - 250 V SWITCHING DIODE HIGH VOLTAGE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SHN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1-D.PDF
SHN2D02FUTW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SHN2D02FUTW1T1G - ULTRA HIGH SPEED SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSD914XV2T5G NSD914XV2T1-D.PDF
NSD914XV2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD914XV2T5G - 100 V HIGH SPEED SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAWH56WT1G BAWH56W-D.PDF
BAWH56WT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAWH56WT1G - 70V COMMON ANODE SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1SS400T5G 1SS400T1-D.PDF
NSV1SS400T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV1SS400T5G - SWITCHING DIODE, 100 V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS20LT3G BAS19LT1-D.PDF
NSVBAS20LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVBAS20LT3G - 200 V SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C18LT1G ONSM-S-A0013707653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZBZX84C18LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C18LT1G - Zener-Diode, 18 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+18.16 грн
52+16.47 грн
101+8.38 грн
500+4.53 грн
1000+2.90 грн
3000+2.14 грн
6000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
BDV64BG bdv65b-d.pdf
BDV64BG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDV64BG - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+333.71 грн
10+184.17 грн
100+157.98 грн
500+121.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DF06S2 ONSM-S-A0003584401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DF06S2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF06S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 85A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF06S2 ONSM-S-A0003584401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DF06S2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF06S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 85A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1778 1779 1780 1781 1782 1783 1784 1785 1786 1787 1788 1896 2133 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]