| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSR0130P2T5G | ONSEMI |
NSR0130P2T5G SMD Schottky diodes |
на замовлення 4924 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NSR0230M2T5G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD723; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SOD723 Semiconductor structure: single diode Load current: 0.2A Max. forward voltage: 0.5V Max. forward impulse current: 1A Max. off-state voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NSR0320MW2T1G | ONSEMI |
NSR0320MW2T1G SMD Schottky diodes |
на замовлення 3124 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NSR0340HT1G | ONSEMI |
NSR0340HT1G SMD Schottky diodes |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NSR0340V2T1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 0.25A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 0.25A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.7V Max. forward impulse current: 1A Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1680 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NSR0520V2T1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 20V; 0.5A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 20V Load current: 0.5A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.48V Max. forward impulse current: 2A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4730 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NSR0620P2T5G | ONSEMI |
NSR0620P2T5G SMD Schottky diodes |
на замовлення 2673 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NSR10F40NXT5G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; 0502; SMD; 40V; 1A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: 0502 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.49V Max. forward impulse current: 18A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
NSR20F30NXT5G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; DSN0603-2; SMD; 30V; 2A; reel,tape Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Mounting: SMD Load current: 2A Max. forward voltage: 0.48V Max. off-state voltage: 30V Max. load current: 4A Max. forward impulse current: 28A Case: DSN0603-2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 966 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NSS12100XV6T1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 1A; 0.65W; SOT563 Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.65W Collector current: 1A Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 100 Application: automotive industry Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NSS40201LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.54W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector current: 2A Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 200 Frequency: 150MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3070 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NSVR0320MW2T1G | ONSEMI |
NSVR0320MW2T1G SMD Schottky diodes |
на замовлення 270 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTA4153NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.915A; 0.3W; SC75; ESD Mounting: SMD Case: SC75 Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.915A Gate charge: 1.82nC Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 0.95Ω Gate-source voltage: ±6V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2413 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTA7002NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.154A; 0.3W; SC75 Mounting: SMD Case: SC75 Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.154A Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 7Ω Gate-source voltage: ±10V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4167 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTD14N03RT4G | ONSEMI |
NTD14N03RT4G SMD N channel transistors |
на замовлення 2497 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTD20N06T4G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2487 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTD20P06LT4G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -15.5A Power dissipation: 65W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 330 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTD24N06LT4G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 24A Power dissipation: 62.5W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTD25P03LT4G | ONSEMI |
NTD25P03LT4G SMD P channel transistors |
на замовлення 711 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTD2955T4G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK Kind of package: reel; tape Case: DPAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -18A Drain current: -12A Gate charge: 15nC On-state resistance: 0.18Ω Power dissipation: 55W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1667 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTD3055-094T4G | ONSEMI |
NTD3055-094T4G SMD N channel transistors |
на замовлення 2403 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTD3055L104T4G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC On-state resistance: 0.104Ω Drain current: 12A Gate-source voltage: ±15V Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 48W Case: DPAK Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 528 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTE4151PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89 Polarisation: unipolar Case: SC89 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.76A Gate charge: 2.1nC Power dissipation: 313mW On-state resistance: 1Ω Gate-source voltage: ±6V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5620 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTE4153NT1G | ONSEMI |
NTE4153NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 6879 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTF2955T1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223 Kind of package: reel; tape Case: SOT223 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A On-state resistance: 0.185Ω Power dissipation: 2.3W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 281 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTF3055-100T1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 10.6nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1365 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTF3055L108T1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.4A Power dissipation: 1.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 15nC Pulsed drain current: 9A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1246 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTGS4141NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.6A On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4619 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTH4L040N65S3F | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 158nC Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar On-state resistance: 32mΩ Drain current: 45A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 162.5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTH4L080N120SC1 | ONSEMI |
NTH4L080N120SC1 THT N channel transistors |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTHD3100CT1G | ONSEMI |
NTHD3100CT1G Multi channel transistors |
на замовлення 1612 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTHL041N60S5H | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 329W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 128 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTJD1155LT1G | ONSEMI |
NTJD1155LT1G Power switches - integrated circuits |
на замовлення 647 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTJD4001NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.18A Power dissipation: 0.272W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1789 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTJD4401NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.46A Gate charge: 1.3nC On-state resistance: 445mΩ Power dissipation: 0.27W Gate-source voltage: ±12V Case: SC70-6; SC88; SOT363 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4569 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTJD5121NT1G | ONSEMI |
NTJD5121NT1G Multi channel transistors |
на замовлення 465 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTJS4151PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A Power dissipation: 1W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 160 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTK3043NT1G | ONSEMI |
NTK3043NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1636 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTK3134NT1G | ONSEMI |
NTK3134NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 160 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTK3139PT1G | ONSEMI |
NTK3139PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 1845 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTMFS5C426NT1G | ONSEMI |
NTMFS5C426NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1447 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTMFS5C604NLT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6 Case: DFN5x6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 203A Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.2mΩ Power dissipation: 100W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1488 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS5C628NLT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 900A; 56W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 56W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS5C670NLT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 440A; 1.8W; DFN5x6 Case: DFN5x6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 50A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 20nC Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 8.8mΩ Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 440A Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1654 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTP165N65S3H | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 142W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 86 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTP360N80S3Z | ONSEMI |
NTP360N80S3Z THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTP6412ANG | ONSEMI |
NTP6412ANG THT N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTR0202PLT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.4A Gate charge: 2.18nC Power dissipation: 0.225W On-state resistance: 0.55Ω Gate-source voltage: ±20V Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 988 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTR1P02LT1G | ONSEMI |
NTR1P02LT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 2216 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR1P02T1G | ONSEMI |
NTR1P02T1G SMD P channel transistors |
на замовлення 140 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR2101PT1G | ONSEMI |
NTR2101PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 1431 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR3C21NZT1G | ONSEMI |
NTR3C21NZT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR4003NT1G | ONSEMI |
NTR4003NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 4015 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ONSEMI |
NTR4101PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 2529 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR4170NT1G | ONSEMI |
NTR4170NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR4171PT1G | ONSEMI |
NTR4171PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 568 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTR4501NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6921 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTR4503NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 0.73W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2846 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTR5103NT1G | ONSEMI |
NTR5103NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1268 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTR5105PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.141A Power dissipation: 0.347W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1144 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| NSR0130P2T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NSR0130P2T5G SMD Schottky diodes
NSR0130P2T5G SMD Schottky diodes
на замовлення 4924 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.06 грн |
| 184+ | 6.40 грн |
| 506+ | 6.00 грн |
| NSR0230M2T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD723; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD723
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD723; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD723
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.66 грн |
| 42+ | 7.36 грн |
| 56+ | 5.33 грн |
| 100+ | 4.79 грн |
| 250+ | 4.24 грн |
| 1000+ | 3.67 грн |
| 2000+ | 3.48 грн |
| NSR0320MW2T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NSR0320MW2T1G SMD Schottky diodes
NSR0320MW2T1G SMD Schottky diodes
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.10 грн |
| 365+ | 3.21 грн |
| 1002+ | 3.03 грн |
| NSR0340HT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NSR0340HT1G SMD Schottky diodes
NSR0340HT1G SMD Schottky diodes
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 8.85 грн |
| 356+ | 3.29 грн |
| 978+ | 3.11 грн |
| NSR0340V2T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 0.25A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 0.25A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.48 грн |
| 58+ | 5.31 грн |
| 67+ | 4.41 грн |
| 100+ | 4.12 грн |
| 500+ | 3.48 грн |
| 1000+ | 3.22 грн |
| 1500+ | 3.07 грн |
| NSR0520V2T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 20V; 0.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.48V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 20V; 0.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.48V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4730 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.20 грн |
| 19+ | 16.86 грн |
| 25+ | 13.68 грн |
| 50+ | 11.51 грн |
| 100+ | 9.74 грн |
| 500+ | 6.49 грн |
| 1000+ | 5.61 грн |
| NSR0620P2T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NSR0620P2T5G SMD Schottky diodes
NSR0620P2T5G SMD Schottky diodes
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.00 грн |
| 163+ | 7.18 грн |
| 447+ | 6.79 грн |
| NSR10F40NXT5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; 0502; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: 0502
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.49V
Max. forward impulse current: 18A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; 0502; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: 0502
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.49V
Max. forward impulse current: 18A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.79 грн |
| 14+ | 22.28 грн |
| 25+ | 18.60 грн |
| 100+ | 15.06 грн |
| 250+ | 13.09 грн |
| 500+ | 11.91 грн |
| 1000+ | 11.71 грн |
| NSR20F30NXT5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DSN0603-2; SMD; 30V; 2A; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Load current: 2A
Max. forward voltage: 0.48V
Max. off-state voltage: 30V
Max. load current: 4A
Max. forward impulse current: 28A
Case: DSN0603-2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DSN0603-2; SMD; 30V; 2A; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Load current: 2A
Max. forward voltage: 0.48V
Max. off-state voltage: 30V
Max. load current: 4A
Max. forward impulse current: 28A
Case: DSN0603-2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 966 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.81 грн |
| 10+ | 33.11 грн |
| 50+ | 24.21 грн |
| 100+ | 21.45 грн |
| NSS12100XV6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 1A; 0.65W; SOT563
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.65W
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 100
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 1A; 0.65W; SOT563
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.65W
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 100
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.39 грн |
| 10+ | 30.66 грн |
| 100+ | 17.32 грн |
| 500+ | 13.58 грн |
| NSS40201LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 200
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 200
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.09 грн |
| 12+ | 26.06 грн |
| 50+ | 18.21 грн |
| 100+ | 15.84 грн |
| 500+ | 11.91 грн |
| 1000+ | 10.63 грн |
| 1500+ | 10.23 грн |
| NSVR0320MW2T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NSVR0320MW2T1G SMD Schottky diodes
NSVR0320MW2T1G SMD Schottky diodes
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.35 грн |
| 119+ | 9.84 грн |
| 326+ | 9.35 грн |
| NTA4153NT1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.915A; 0.3W; SC75; ESD
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.915A
Gate charge: 1.82nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.95Ω
Gate-source voltage: ±6V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.915A; 0.3W; SC75; ESD
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.915A
Gate charge: 1.82nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.95Ω
Gate-source voltage: ±6V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.43 грн |
| 18+ | 17.37 грн |
| 21+ | 14.56 грн |
| 50+ | 10.29 грн |
| 100+ | 8.80 грн |
| 500+ | 5.97 грн |
| 1000+ | 5.54 грн |
| NTA7002NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.154A; 0.3W; SC75
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.154A
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 7Ω
Gate-source voltage: ±10V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.154A; 0.3W; SC75
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.154A
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 7Ω
Gate-source voltage: ±10V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.90 грн |
| 32+ | 9.61 грн |
| 50+ | 7.05 грн |
| 100+ | 6.26 грн |
| 500+ | 4.67 грн |
| 1000+ | 4.09 грн |
| 1500+ | 3.78 грн |
| NTD14N03RT4G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD14N03RT4G SMD N channel transistors
NTD14N03RT4G SMD N channel transistors
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.81 грн |
| 42+ | 28.05 грн |
| 115+ | 26.47 грн |
| NTD20N06T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 161.08 грн |
| 5+ | 135.92 грн |
| 10+ | 122.02 грн |
| 50+ | 101.36 грн |
| 100+ | 92.50 грн |
| 200+ | 84.63 грн |
| 500+ | 75.77 грн |
| NTD20P06LT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15.5A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15.5A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.40 грн |
| 6+ | 57.67 грн |
| 10+ | 52.35 грн |
| 20+ | 47.14 грн |
| 50+ | 41.33 грн |
| 100+ | 38.08 грн |
| NTD24N06LT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTD25P03LT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD25P03LT4G SMD P channel transistors
NTD25P03LT4G SMD P channel transistors
на замовлення 711 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.50 грн |
| 18+ | 66.92 грн |
| 49+ | 62.98 грн |
| 100+ | 62.34 грн |
| NTD2955T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -18A
Drain current: -12A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 55W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -18A
Drain current: -12A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 55W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.92 грн |
| 10+ | 69.18 грн |
| 25+ | 59.14 грн |
| 100+ | 49.79 грн |
| 250+ | 44.68 грн |
| 500+ | 41.13 грн |
| 1000+ | 37.99 грн |
| NTD3055-094T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD3055-094T4G SMD N channel transistors
NTD3055-094T4G SMD N channel transistors
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.18 грн |
| 41+ | 28.64 грн |
| 113+ | 27.06 грн |
| NTD3055L104T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 0.104Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±15V
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 0.104Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±15V
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 528 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.08 грн |
| 10+ | 67.65 грн |
| 20+ | 59.44 грн |
| 100+ | 47.73 грн |
| 200+ | 43.79 грн |
| NTE4151PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89
Polarisation: unipolar
Case: SC89
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
Gate charge: 2.1nC
Power dissipation: 313mW
On-state resistance: 1Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89
Polarisation: unipolar
Case: SC89
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
Gate charge: 2.1nC
Power dissipation: 313mW
On-state resistance: 1Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.54 грн |
| 45+ | 6.95 грн |
| 49+ | 6.10 грн |
| 58+ | 5.12 грн |
| 100+ | 4.83 грн |
| 250+ | 4.59 грн |
| 3000+ | 4.24 грн |
| NTE4153NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTE4153NT1G SMD N channel transistors
NTE4153NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 6879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.40 грн |
| 154+ | 7.58 грн |
| 424+ | 7.18 грн |
| NTF2955T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.185Ω
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.185Ω
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.90 грн |
| 10+ | 56.41 грн |
| 50+ | 43.89 грн |
| 100+ | 40.05 грн |
| 200+ | 36.51 грн |
| 500+ | 35.03 грн |
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.6nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.6nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.02 грн |
| 10+ | 57.94 грн |
| 50+ | 46.05 грн |
| 100+ | 42.12 грн |
| 200+ | 37.99 грн |
| 500+ | 32.77 грн |
| 1000+ | 28.73 грн |
| NTF3055L108T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
Pulsed drain current: 9A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
Pulsed drain current: 9A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.75 грн |
| 50+ | 38.53 грн |
| 100+ | 33.66 грн |
| 200+ | 30.80 грн |
| NTGS4141NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.67 грн |
| 13+ | 23.71 грн |
| 15+ | 20.86 грн |
| 100+ | 19.09 грн |
| NTH4L040N65S3F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1874.73 грн |
| 5+ | 1627.92 грн |
| 30+ | 1385.57 грн |
| 120+ | 1254.69 грн |
| NTH4L080N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L080N120SC1 THT N channel transistors
NTH4L080N120SC1 THT N channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1016.32 грн |
| 4+ | 977.18 грн |
| 30+ | 975.93 грн |
| NTHD3100CT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHD3100CT1G Multi channel transistors
NTHD3100CT1G Multi channel transistors
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.19 грн |
| 25+ | 48.42 грн |
| 67+ | 45.76 грн |
| NTHL041N60S5H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 694.15 грн |
| NTJD1155LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTJD1155LT1G Power switches - integrated circuits
NTJD1155LT1G Power switches - integrated circuits
на замовлення 647 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.92 грн |
| 65+ | 18.11 грн |
| 178+ | 17.12 грн |
| 3000+ | 17.07 грн |
| NTJD4001NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.85 грн |
| 14+ | 22.79 грн |
| 50+ | 15.06 грн |
| 100+ | 12.69 грн |
| 500+ | 9.15 грн |
| NTJD4401NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
Gate charge: 1.3nC
On-state resistance: 445mΩ
Power dissipation: 0.27W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
Gate charge: 1.3nC
On-state resistance: 445mΩ
Power dissipation: 0.27W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.97 грн |
| 11+ | 28.41 грн |
| 13+ | 23.91 грн |
| 100+ | 13.88 грн |
| 500+ | 9.74 грн |
| 1000+ | 8.66 грн |
| NTJD5121NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTJD5121NT1G Multi channel transistors
NTJD5121NT1G Multi channel transistors
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.74 грн |
| 234+ | 5.01 грн |
| 642+ | 4.73 грн |
| NTJS4151PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.43 грн |
| 18+ | 17.58 грн |
| 50+ | 13.48 грн |
| 100+ | 12.30 грн |
| 500+ | 10.04 грн |
| 1000+ | 9.25 грн |
| 1500+ | 9.15 грн |
| NTK3043NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTK3043NT1G SMD N channel transistors
NTK3043NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.20 грн |
| 346+ | 3.39 грн |
| 950+ | 3.20 грн |
| NTK3134NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTK3134NT1G SMD N channel transistors
NTK3134NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.26 грн |
| 73+ | 16.04 грн |
| 201+ | 15.15 грн |
| 1000+ | 15.12 грн |
| NTK3139PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTK3139PT1G SMD P channel transistors
NTK3139PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.01 грн |
| 269+ | 4.35 грн |
| 739+ | 4.11 грн |
| NTMFS5C426NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTMFS5C426NT1G SMD N channel transistors
NTMFS5C426NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.81 грн |
| 22+ | 54.12 грн |
| 60+ | 51.17 грн |
| NTMFS5C604NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 203A
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.2mΩ
Power dissipation: 100W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 203A
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.2mΩ
Power dissipation: 100W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 196.06 грн |
| 10+ | 159.42 грн |
| 100+ | 115.14 грн |
| 500+ | 98.41 грн |
| NTMFS5C628NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 900A; 56W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 56W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 900A; 56W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 56W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.12 грн |
| 10+ | 63.36 грн |
| 100+ | 56.09 грн |
| 250+ | 54.12 грн |
| 500+ | 48.22 грн |
| 1000+ | 46.25 грн |
| NTMFS5C670NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 440A; 1.8W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 20nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 8.8mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 440A
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 440A; 1.8W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 20nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 8.8mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 440A
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1654 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 218.31 грн |
| 5+ | 132.85 грн |
| 25+ | 116.12 грн |
| 100+ | 100.38 грн |
| 500+ | 91.52 грн |
| NTP165N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 256.50 грн |
| 10+ | 232.24 грн |
| NTP360N80S3Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTP360N80S3Z THT N channel transistors
NTP360N80S3Z THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 380.46 грн |
| 7+ | 189.93 грн |
| 17+ | 180.08 грн |
| NTP6412ANG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTP6412ANG THT N channel transistors
NTP6412ANG THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 224.67 грн |
| 11+ | 110.22 грн |
| 30+ | 104.31 грн |
| NTR0202PLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
Gate charge: 2.18nC
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 0.55Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
Gate charge: 2.18nC
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 0.55Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.48 грн |
| 43+ | 7.15 грн |
| 54+ | 5.55 грн |
| 100+ | 5.02 грн |
| 500+ | 4.07 грн |
| 1000+ | 3.79 грн |
| 1500+ | 3.64 грн |
| NTR1P02LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR1P02LT1G SMD P channel transistors
NTR1P02LT1G SMD P channel transistors
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.73 грн |
| 184+ | 6.40 грн |
| 506+ | 6.00 грн |
| NTR1P02T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR1P02T1G SMD P channel transistors
NTR1P02T1G SMD P channel transistors
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.94 грн |
| 184+ | 6.40 грн |
| 506+ | 6.00 грн |
| NTR2101PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR2101PT1G SMD P channel transistors
NTR2101PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.40 грн |
| 137+ | 8.56 грн |
| 375+ | 8.07 грн |
| NTR3C21NZT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR3C21NZT1G SMD N channel transistors
NTR3C21NZT1G SMD N channel transistors
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.65 грн |
| 115+ | 10.14 грн |
| 316+ | 9.64 грн |
| NTR4003NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR4003NT1G SMD N channel transistors
NTR4003NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 4015 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 51+ | 6.34 грн |
| 432+ | 2.71 грн |
| 1187+ | 2.56 грн |
| NTR4101PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR4101PT1G SMD P channel transistors
NTR4101PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.18 грн |
| 247+ | 4.73 грн |
| 679+ | 4.48 грн |
| NTR4170NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR4170NT1G SMD N channel transistors
NTR4170NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.50 грн |
| 102+ | 11.51 грн |
| 280+ | 10.82 грн |
| NTR4171PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR4171PT1G SMD P channel transistors
NTR4171PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 568 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.54 грн |
| 140+ | 8.36 грн |
| 384+ | 7.87 грн |
| NTR4501NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6921 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.96 грн |
| 27+ | 11.45 грн |
| 50+ | 8.23 грн |
| 100+ | 7.27 грн |
| 500+ | 5.54 грн |
| 1000+ | 5.02 грн |
| 1500+ | 4.67 грн |
| NTR4503NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.73W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.73W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.78 грн |
| 28+ | 11.34 грн |
| 50+ | 9.05 грн |
| 100+ | 8.27 грн |
| 250+ | 7.48 грн |
| 500+ | 6.89 грн |
| 1000+ | 6.49 грн |
| NTR5103NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR5103NT1G SMD N channel transistors
NTR5103NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 14.22 грн |
| 411+ | 2.84 грн |
| 1130+ | 2.69 грн |
| NTR5105PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.84 грн |
| 33+ | 9.40 грн |
| 50+ | 6.30 грн |
| 100+ | 5.43 грн |
| 500+ | 5.21 грн |


























