| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RB520S30T5G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.6V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13965 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RB521S30T1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.5V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15138 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RB751S40T1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 30mA Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.37V Max. forward impulse current: 0.5A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2992 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RB751V40T1G | ONSEMI |
RB751V40T1G SMD Schottky diodes |
на замовлення 2794 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
RFD12N06RLESM9A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 49W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Power dissipation: 49W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: UltraFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1438 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFD14N05LSM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 14A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 166 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFD14N05LSM9A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 14A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1583 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFD14N05SM9A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 14A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5229 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFD16N05LSM9A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK Case: DPAK Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 80nC On-state resistance: 56mΩ Drain current: 16A Drain-source voltage: 50V Power dissipation: 60W Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2211 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFD16N06LESM9A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 47mΩ Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFD3055LESM9A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 11A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.107Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2477 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFP12N10L | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFP50N06 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 131W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 193 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFP70N06 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 492 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RGF1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Capacitance: 8.5pF Case: SMA Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 30A Power dissipation: 1.76W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2726 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RHRG3060-F085 | ONSEMI |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 90A; TO247-2; 45ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 90A Case: TO247-2 Reverse recovery time: 45ns Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| RS1A | ONSEMI |
RS1A SMD universal diodes |
на замовлення 7489 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| RS1D | ONSEMI |
RS1D SMD universal diodes |
на замовлення 6725 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
RS1J | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V Mounting: SMD Capacitance: 10pF Max. forward impulse current: 30A Case: DO214AC; SMA Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 250ns Load current: 1A Power dissipation: 1.19W Max. forward voltage: 1.3V Max. off-state voltage: 0.6kV Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 507 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RS1M | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 0.5µs Semiconductor structure: single diode Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Capacitance: 10pF Power dissipation: 1.19W Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1837 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RURG3060-F085 | ONSEMI |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 90A; TO247-2; 80ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 90A Case: TO247-2 Reverse recovery time: 80ns Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| S1AFL | ONSEMI |
S1AFL-ONS SMD universal diodes |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
S1B | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 1.8us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 1A Reverse recovery time: 1.8µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.4W Capacitance: 6.6pF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6210 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| S1D | ONSEMI |
S1D-ONS SMD universal diodes |
на замовлення 2076 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S1G | ONSEMI |
S1G-FAI SMD universal diodes |
на замовлення 4421 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S1K | ONSEMI |
S1K-ONS SMD universal diodes |
на замовлення 1867 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S1M | ONSEMI |
S1M-FAI SMD universal diodes |
на замовлення 5241 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S1MFL | ONSEMI |
S1MFL-ONS SMD universal diodes |
на замовлення 1127 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S2M | ONSEMI |
S2M-FAI SMD universal diodes |
на замовлення 964 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S310FA | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 100V; 3A; reel,tape Max. forward voltage: 0.85V Load current: 3A Max. forward impulse current: 80A Max. off-state voltage: 100V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Case: SOD123F кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S3D | ONSEMI |
S3D-FAI SMD universal diodes |
на замовлення 2642 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S3M | ONSEMI |
S3M-FAI SMD universal diodes |
на замовлення 2570 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SBAS16HT1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD323; Ufmax: 1.75V; 200mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 2pF Case: SOD323 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 36A Power dissipation: 0.2W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Max. load current: 1A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBAS16LT1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 30uA Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 2pF Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 0.5A Leakage current: 30µA Power dissipation: 0.3W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1719 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SBAS16WT1G | ONSEMI |
SBAS16WT1G SMD universal diodes |
на замовлення 2125 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SBAS16XV2T1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 1.25V; Ir: 30uA Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 2pF Case: SOD523 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 0.5A Leakage current: 30µA Power dissipation: 0.2W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3818 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBAS16XV2T5G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 2pF Case: SOD523 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.2W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10666 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBAS21DW5T1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SC88A; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 250V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: double independent Capacitance: 5pF Case: SC88A Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 0.385W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBAS40-04LT1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; reel,tape; 225mW Type of diode: Schottky switching Case: SOT23 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 0.12A Semiconductor structure: double series Capacitance: 5pF Max. forward voltage: 1V Leakage current: 1µA Max. forward impulse current: 0.6A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.225W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 460 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBAS40-06LT1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; reel,tape; 225mW Type of diode: Schottky switching Case: SOT23 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 0.12A Semiconductor structure: common anode; double Capacitance: 5pF Max. forward voltage: 1V Leakage current: 1µA Max. forward impulse current: 0.6A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.225W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBAT54CLT1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOT23 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: common cathode; double Capacitance: 10pF Max. forward voltage: 0.8V Max. load current: 0.3A Leakage current: 2µA Max. forward impulse current: 0.6A Reverse recovery time: 5ns Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.225W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBAT54SLT1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOT23 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: double series Capacitance: 10pF Max. forward voltage: 0.8V Max. load current: 0.3A Leakage current: 2µA Max. forward impulse current: 1A Reverse recovery time: 5ns Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.225W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2154 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SBAT54T1G | ONSEMI |
SBAT54T1G SMD Schottky diodes |
на замовлення 2011 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SBAT54XV2T1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.8V Max. forward impulse current: 0.6A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2W Capacitance: 10pF Leakage current: 2µA Reverse recovery time: 5ns Max. load current: 0.3A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBAV199LT1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 70V; 0.215A; 3us; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 70V Load current: 0.215A Reverse recovery time: 3µs Semiconductor structure: double series Capacitance: 2pF Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 80nA Power dissipation: 0.3W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2519 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBAV70LT1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 31A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: common cathode; double Capacitance: 1.5pF Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 31A Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 0.3W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBAV70WT1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT323; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: common cathode; double Capacitance: 1.5pF Case: SOT323 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 1µA Power dissipation: 0.3W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2773 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBAV99LT1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 300mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.215A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: double series Capacitance: 1.5pF Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.3W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBAV99LT3G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 300mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.215A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: double series Capacitance: 1.5pF Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.3W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBAV99WT1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 6ns; SC70; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.215A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: double series Capacitance: 1.5pF Case: SC70 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.3W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2605 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBAW56WT1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 70V; 0.2A; 6ns; SC70; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 70V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: common anode; double Capacitance: 2pF Case: SC70 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.3W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBC807-16LT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2444 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBC807-40WT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.46W Case: SC70; SOT323 Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1423 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBC817-25LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 311 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBC817-40LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.25W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBC846BDW1T1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBC846BLT3G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4263 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBC846BPDW1T1G | ONSEMI |
Category: Complementary transistorsDescription: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 200...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3295 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBC846BPDW1T2G | ONSEMI |
Category: Complementary transistorsDescription: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 200...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2370 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBC846BWT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 336 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| RB520S30T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.48 грн |
| 67+ | 4.60 грн |
| 89+ | 3.35 грн |
| 113+ | 2.63 грн |
| 500+ | 1.82 грн |
| 1000+ | 1.58 грн |
| 2000+ | 1.38 грн |
| RB521S30T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 7.42 грн |
| 58+ | 5.31 грн |
| 79+ | 3.74 грн |
| 100+ | 3.19 грн |
| 500+ | 2.22 грн |
| 1000+ | 1.92 грн |
| 1500+ | 1.75 грн |
| RB751S40T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.54 грн |
| 49+ | 6.34 грн |
| 65+ | 4.55 грн |
| 100+ | 4.00 грн |
| 500+ | 3.01 грн |
| 1000+ | 2.68 грн |
| 1500+ | 2.51 грн |
| RB751V40T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RB751V40T1G SMD Schottky diodes
RB751V40T1G SMD Schottky diodes
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 9.98 грн |
| 540+ | 2.16 грн |
| 1485+ | 2.05 грн |
| RFD12N06RLESM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 49W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 49W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: UltraFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 49W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 49W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: UltraFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.14 грн |
| 10+ | 69.59 грн |
| 50+ | 52.35 грн |
| 100+ | 49.20 грн |
| RFD14N05LSM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.88 грн |
| 10+ | 43.23 грн |
| RFD14N05LSM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.12 грн |
| 10+ | 50.18 грн |
| 100+ | 33.85 грн |
| 250+ | 31.98 грн |
| RFD14N05SM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.63 грн |
| 8+ | 41.49 грн |
| 25+ | 38.08 грн |
| 100+ | 37.10 грн |
| RFD16N05LSM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Case: DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
On-state resistance: 56mΩ
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 50V
Power dissipation: 60W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Case: DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
On-state resistance: 56mΩ
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 50V
Power dissipation: 60W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.50 грн |
| 5+ | 76.03 грн |
| 10+ | 65.74 грн |
| 50+ | 53.14 грн |
| RFD16N06LESM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.04 грн |
| 5+ | 102.19 грн |
| RFD3055LESM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.33 грн |
| 10+ | 31.99 грн |
| 25+ | 30.70 грн |
| RFP12N10L | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.20 грн |
| 10+ | 55.18 грн |
| RFP50N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 108.32 грн |
| RFP70N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 164.26 грн |
| 10+ | 131.83 грн |
| 50+ | 119.07 грн |
| RGF1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.49 грн |
| 15+ | 21.15 грн |
| 100+ | 16.24 грн |
| 500+ | 14.37 грн |
| RHRG3060-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 90A; TO247-2; 45ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 90A
Case: TO247-2
Reverse recovery time: 45ns
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 90A; TO247-2; 45ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 90A
Case: TO247-2
Reverse recovery time: 45ns
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 253.28 грн |
| 3+ | 219.71 грн |
| 10+ | 186.97 грн |
| 30+ | 174.18 грн |
| 150+ | 168.28 грн |
| 450+ | 161.39 грн |
| RS1A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RS1A SMD universal diodes
RS1A SMD universal diodes
на замовлення 7489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.91 грн |
| 203+ | 5.81 грн |
| 558+ | 5.41 грн |
| RS1D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RS1D SMD universal diodes
RS1D SMD universal diodes
на замовлення 6725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.24 грн |
| 112+ | 10.43 грн |
| 308+ | 9.84 грн |
| RS1J |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO214AC; SMA
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Load current: 1A
Power dissipation: 1.19W
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO214AC; SMA
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Load current: 1A
Power dissipation: 1.19W
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 507 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.31 грн |
| 20+ | 15.84 грн |
| 25+ | 12.01 грн |
| 50+ | 10.04 грн |
| 100+ | 8.46 грн |
| 250+ | 7.97 грн |
| RS1M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
Power dissipation: 1.19W
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
Power dissipation: 1.19W
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1837 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.20 грн |
| 22+ | 14.51 грн |
| 50+ | 10.33 грн |
| 100+ | 9.05 грн |
| 250+ | 7.48 грн |
| 500+ | 6.59 грн |
| 1000+ | 6.20 грн |
| RURG3060-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 90A; TO247-2; 80ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 90A
Case: TO247-2
Reverse recovery time: 80ns
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 90A; TO247-2; 80ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 90A
Case: TO247-2
Reverse recovery time: 80ns
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 327.47 грн |
| 3+ | 288.18 грн |
| 10+ | 219.45 грн |
| 30+ | 214.53 грн |
| S1AFL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1AFL-ONS SMD universal diodes
S1AFL-ONS SMD universal diodes
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.79 грн |
| 138+ | 8.46 грн |
| 377+ | 8.07 грн |
| S1B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 1.8us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 1.8µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Capacitance: 6.6pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 1.8us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 1.8µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Capacitance: 6.6pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.02 грн |
| 28+ | 11.34 грн |
| 100+ | 8.39 грн |
| 500+ | 6.63 грн |
| 1000+ | 5.87 грн |
| 2000+ | 5.41 грн |
| S1D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1D-ONS SMD universal diodes
S1D-ONS SMD universal diodes
на замовлення 2076 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.45 грн |
| 202+ | 5.80 грн |
| 555+ | 5.48 грн |
| S1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1G-FAI SMD universal diodes
S1G-FAI SMD universal diodes
на замовлення 4421 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.47 грн |
| 192+ | 6.10 грн |
| 527+ | 5.81 грн |
| S1K |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1K-ONS SMD universal diodes
S1K-ONS SMD universal diodes
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 14.18 грн |
| 176+ | 6.65 грн |
| 483+ | 6.29 грн |
| 1000+ | 6.28 грн |
| S1M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1M-FAI SMD universal diodes
S1M-FAI SMD universal diodes
на замовлення 5241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.45 грн |
| 247+ | 4.73 грн |
| 679+ | 4.48 грн |
| S1MFL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1MFL-ONS SMD universal diodes
S1MFL-ONS SMD universal diodes
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.15 грн |
| 224+ | 5.23 грн |
| 615+ | 4.94 грн |
| S2M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S2M-FAI SMD universal diodes
S2M-FAI SMD universal diodes
на замовлення 964 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.51 грн |
| 138+ | 8.46 грн |
| 377+ | 8.07 грн |
| S310FA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 100V; 3A; reel,tape
Max. forward voltage: 0.85V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 100V; 3A; reel,tape
Max. forward voltage: 0.85V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.73 грн |
| 13+ | 25.14 грн |
| 50+ | 21.16 грн |
| 100+ | 19.78 грн |
| 250+ | 19.58 грн |
| S3D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S3D-FAI SMD universal diodes
S3D-FAI SMD universal diodes
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.17 грн |
| 73+ | 16.14 грн |
| 200+ | 15.25 грн |
| S3M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S3M-FAI SMD universal diodes
S3M-FAI SMD universal diodes
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.52 грн |
| 79+ | 14.86 грн |
| 216+ | 14.07 грн |
| SBAS16HT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD323; Ufmax: 1.75V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 36A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. load current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD323; Ufmax: 1.75V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 36A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. load current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.48 грн |
| 74+ | 4.19 грн |
| 100+ | 3.83 грн |
| SBAS16LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 30uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 0.5A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 30uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 0.5A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.48 грн |
| 46+ | 6.74 грн |
| 51+ | 5.81 грн |
| 100+ | 3.82 грн |
| SBAS16WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SBAS16WT1G SMD universal diodes
SBAS16WT1G SMD universal diodes
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.47 грн |
| 187+ | 6.25 грн |
| 514+ | 5.91 грн |
| SBAS16XV2T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 1.25V; Ir: 30uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD523
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 0.5A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 1.25V; Ir: 30uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD523
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 0.5A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 4.24 грн |
| 79+ | 3.88 грн |
| 89+ | 3.35 грн |
| 103+ | 2.87 грн |
| 133+ | 2.23 грн |
| 500+ | 1.71 грн |
| 1000+ | 1.55 грн |
| SBAS16XV2T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD523
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD523
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10666 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 15.68 грн |
| 30+ | 11.34 грн |
| 100+ | 9.25 грн |
| 500+ | 8.36 грн |
| 8000+ | 7.38 грн |
| SBAS21DW5T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SC88A; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: double independent
Capacitance: 5pF
Case: SC88A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.385W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SC88A; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: double independent
Capacitance: 5pF
Case: SC88A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.385W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.84 грн |
| 28+ | 11.14 грн |
| 36+ | 8.31 грн |
| 100+ | 5.35 грн |
| 500+ | 4.52 грн |
| 1000+ | 4.43 грн |
| SBAS40-04LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; reel,tape; 225mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 5pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; reel,tape; 225mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 5pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.66 грн |
| 39+ | 7.87 грн |
| 100+ | 5.00 грн |
| 500+ | 3.80 грн |
| 1000+ | 3.40 грн |
| 3000+ | 3.30 грн |
| SBAS40-06LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; reel,tape; 225mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 5pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; reel,tape; 225mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 5pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.72 грн |
| 39+ | 7.87 грн |
| 100+ | 4.56 грн |
| 500+ | 3.40 грн |
| SBAT54CLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.60 грн |
| 38+ | 8.18 грн |
| 45+ | 6.69 грн |
| 100+ | 4.03 грн |
| SBAT54SLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 1A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 1A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.84 грн |
| 29+ | 10.83 грн |
| 34+ | 8.82 грн |
| 50+ | 7.77 грн |
| 100+ | 6.83 грн |
| 500+ | 5.10 грн |
| 1000+ | 4.52 грн |
| SBAT54T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SBAT54T1G SMD Schottky diodes
SBAT54T1G SMD Schottky diodes
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.66 грн |
| 266+ | 4.40 грн |
| 730+ | 4.16 грн |
| SBAT54XV2T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Capacitance: 10pF
Leakage current: 2µA
Reverse recovery time: 5ns
Max. load current: 0.3A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Capacitance: 10pF
Leakage current: 2µA
Reverse recovery time: 5ns
Max. load current: 0.3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.02 грн |
| 27+ | 11.75 грн |
| 50+ | 8.07 грн |
| 100+ | 7.18 грн |
| SBAV199LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.215A; 3us; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 80nA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.215A; 3us; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 80nA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.84 грн |
| 31+ | 10.01 грн |
| 35+ | 8.46 грн |
| 100+ | 7.77 грн |
| SBAV70LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 31A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 31A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 31A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 31A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.66 грн |
| 50+ | 6.23 грн |
| 69+ | 4.33 грн |
| 100+ | 3.84 грн |
| SBAV70WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT323; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 1µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT323; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 1µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.48 грн |
| 39+ | 7.97 грн |
| 43+ | 6.99 грн |
| 100+ | 4.45 грн |
| 250+ | 4.05 грн |
| SBAV99LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 300mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 300mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 43.94 грн |
| 10+ | 29.52 грн |
| 3000+ | 2.33 грн |
| SBAV99LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 300mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 300mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.48 грн |
| 116+ | 2.66 грн |
| 131+ | 2.26 грн |
| 164+ | 1.80 грн |
| 500+ | 1.53 грн |
| 1000+ | 1.48 грн |
| SBAV99WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 6ns; SC70; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SC70
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 6ns; SC70; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SC70
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.48 грн |
| 45+ | 6.85 грн |
| 59+ | 5.08 грн |
| 100+ | 4.50 грн |
| 500+ | 3.57 грн |
| SBAW56WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.2A; 6ns; SC70; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 2pF
Case: SC70
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.2A; 6ns; SC70; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 2pF
Case: SC70
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.72 грн |
| 38+ | 8.18 грн |
| 100+ | 5.83 грн |
| 250+ | 5.10 грн |
| 500+ | 4.56 грн |
| 1000+ | 4.04 грн |
| 3000+ | 3.74 грн |
| SBC807-16LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.96 грн |
| 33+ | 9.40 грн |
| 50+ | 7.20 грн |
| 100+ | 6.49 грн |
| 250+ | 5.64 грн |
| 500+ | 5.05 грн |
| 3000+ | 4.00 грн |
| SBC807-40WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.46W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.46W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.08 грн |
| 24+ | 13.28 грн |
| 50+ | 9.27 грн |
| 100+ | 8.03 грн |
| 500+ | 5.85 грн |
| 1000+ | 5.15 грн |
| 3000+ | 4.33 грн |
| SBC817-25LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.02 грн |
| 22+ | 14.31 грн |
| 25+ | 11.91 грн |
| 100+ | 6.82 грн |
| 250+ | 5.49 грн |
| 500+ | 4.72 грн |
| 1000+ | 4.09 грн |
| SBC817-40LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 14.31 грн |
| 50+ | 6.57 грн |
| 100+ | 5.67 грн |
| 500+ | 4.13 грн |
| 1000+ | 3.66 грн |
| 1500+ | 3.42 грн |
| SBC846BDW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.54 грн |
| 50+ | 6.23 грн |
| 64+ | 4.68 грн |
| 77+ | 3.86 грн |
| 100+ | 3.25 грн |
| 500+ | 2.47 грн |
| 1000+ | 2.30 грн |
| SBC846BLT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.72 грн |
| 39+ | 7.97 грн |
| 62+ | 4.76 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
| 500+ | 3.41 грн |
| SBC846BPDW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.08 грн |
| 23+ | 13.49 грн |
| 29+ | 10.43 грн |
| 50+ | 8.76 грн |
| 100+ | 7.38 грн |
| 500+ | 6.30 грн |
| SBC846BPDW1T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.90 грн |
| 29+ | 10.83 грн |
| 34+ | 8.86 грн |
| 100+ | 6.10 грн |
| SBC846BWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.66 грн |
| 40+ | 7.66 грн |
| 57+ | 5.22 грн |
| 100+ | 4.48 грн |
| 500+ | 3.18 грн |
| 1000+ | 2.76 грн |
| 3000+ | 2.20 грн |





















