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NSI45035JZT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSI45035JZT1G - LED-Treiber, 45Vin, 1 Ausgang, 70mAout, SOT-223-3tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Eingangsspannung, max.: 45V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 70mA Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSI45030T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSI45030T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 30mAout, SOD-123-2tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Eingangsspannung, max.: 45V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 30mA Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSI45025T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSI45025T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 25mAout, SOD-123-2tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Eingangsspannung, max.: 45V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 25mA Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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ADP3110AKRZ-RL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ADP3110AKRZ-RL - MOSFET-Treiber, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.6V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 13.2V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 25ns Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ADP3110AKCPZ-RL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ADP3110AKCPZ-RL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, 1Aout, 20ns Verzögerung, DFN-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: DFN Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.6V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 13.2V Eingabeverzögerung: 40ns Ausgabeverzögerung: 20ns Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ADP3110AKCPZ-RL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ADP3110AKCPZ-RL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, 1Aout, 20ns Verzögerung, DFN-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: DFN Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.6V euEccn: NLR Bauform - Treiber: DFN Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 13.2V Eingabeverzögerung: 40ns Ausgabeverzögerung: 20ns Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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H11N1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - H11N1 - Optokoppler, 1 Kanal, 7.5 kV, DIP, 6 Pin(s)tariffCode: 85414900 productTraceability: No Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 6Pin(s) Isolationsspannung: 7.5kV euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Bauform - Optokoppler: DIP rohsPhthalatesCompliant: YES Übertragungsrate: - usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS4435BZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 38476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SS18 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS18 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 850 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 40A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 850mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SS18 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 80V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 23258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SS18 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS18 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 850 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 40A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 850mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SS18 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 80V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 23258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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J175-D26Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J175-D26Z - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -60 mA, 6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -60mA MSL: - usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -7mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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J109 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J109 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 40 mA, -6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -6V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 13966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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J112 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J112 - JFET-Transistor, -35 V, -5 V, TO-92, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 15622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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J113 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J113 - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 51895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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J113-D74Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J113-D74Z - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSVJ5908DSG5T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: MCPH Anzahl der Pins: 5 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSVJ3910SB3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: CPH Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SK2394-6-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SK2394-6-TB-E - JFET-Transistor, 15 V, 20 mA, 1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CPH6904-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH6904-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.2 V, SC-74, 6 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.2V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCS20166SN2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20166SN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 10 MHz, 6 V/µs, 3V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 6V/µs Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz Eingangsoffsetspannung: 50µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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D45VH10G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - D45VH10G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 15 A, 83 W, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX79-C6V2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 6.2V SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 7982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SB160 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB160 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 700 mVBauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassspannung Vf max.: 700 Diodenkonfiguration: Einfach Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: SB Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30 Betriebstemperatur, max.: 125 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 60 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
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NLV74VHC139DTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV74VHC139DTR2G - DUAL 2-TO-4 DECODER/DEMULTIPLEXERMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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BZX84C18LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C18LT1G - Zener-Diode, 18 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 18V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 42436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV21872DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV21874DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV21874DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCS21874DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCS21874DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV21872DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FNB81060T3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FNB81060T3 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.5 kV, SPM25-FAA, SPM8tariffCode: 85044090 productTraceability: No IPM-Baureihe: SPM8 rohsCompliant: Y-EX Isolationsspannung: 1.5kV euEccn: NLR hazardous: false Nennstrom (Ic/Id): - rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung (Vces / Vdss): - usEccn: EAR99 Bauform - IPM: SPM25-FAA Produktpalette: Motion SPM 8 Series SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAT54CXV3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAT54CXV3T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Barriere, 30 V, 200 mA, Zweifach, gemeinsame Kathode, SC-89, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-89 Durchlassstoßstrom: 600mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 800mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT54 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD817A300 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817A300 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 80% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX84C6V8LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C6V8LT1G - Zener-Diode, 6.8 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 6.8V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N5349BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5349BG - Zener-Diode, 12 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: 017AA rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N53 Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 12V SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 32336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TIP42G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP42G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 6 A, 2 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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TIP42BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP42BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TIP42AG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP42AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 7373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX79-C5V1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C5V1 - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 25080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N3442G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3442G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 117 W, TO-204AA, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 7.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 117 Übergangsfrequenz ft: 80 Bauform - Transistor: TO-204AA Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 2NXXXX Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
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BCP56-10T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 14182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCP56-16T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCP56T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SBCP56T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4002G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4002G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4002 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 12275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4002RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4002RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 36278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQP4N90C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP4N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 3.5 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 140 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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BF256B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BF256B - JFET-Transistor, JFET, -30 V, 13 mA, -8 V, TO-92, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 13mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -8V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 28849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SB5100 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB5100 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 850 mVBauform - Diode: DO-201AD Durchlassspannung Vf max.: 850 Diodenkonfiguration: Einfach Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 5 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: SB Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 150 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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2SC5707-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SC5707-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SC5707-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5707-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-251, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 200 Verlustleistung Pd: 15 Übergangsfrequenz ft: 330 Bauform - Transistor: TO-251 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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BAR43. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAR43. - DIODE, FULL REELBauform - Diode: SOT-23 Durchlassspannung Vf max.: 800 Diodenkonfiguration: Single Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 750 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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2N3906TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3906TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 999mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N3906BU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3906BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N3906TFR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3906TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N3906TF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3906TF - TRANSISTOR, PNP, -40V, TO-92tariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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POE-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - POE-GEVB - Evaluationsboard, Power-over-Ethernet (PoE)-Shield, robuste, flexible und hochintegrierte LösungtariffCode: 84733020 Prozessorkern: NCP1083 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: NA Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCP1083 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Power-Over-Ethernet (POE) hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: IOT SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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FSA3357K8X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSA3357K8X - Analogschalter, 1 Kanäle, SP3T, 50 ohm, 1.65V bis 5.5V, VSSOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423990 Bauform - Analogschalter: VSSOP rohsCompliant: YES Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Analogschalter: SP3T MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Durchlasswiderstand, max.: 50ohm Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 7798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NSI45035JZT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI45035JZT1G - LED-Treiber, 45Vin, 1 Ausgang, 70mAout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 70mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSI45035JZT1G - LED-Treiber, 45Vin, 1 Ausgang, 70mAout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 70mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 45.98 грн |
| 27+ | 32.40 грн |
| 100+ | 25.34 грн |
| NSI45030T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI45030T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 30mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSI45030T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 30mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 17.16 грн |
| 500+ | 14.07 грн |
| 1000+ | 12.24 грн |
| NSI45025T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI45025T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 25mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSI45025T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 25mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ADP3110AKRZ-RL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ADP3110AKRZ-RL - MOSFET-Treiber, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ADP3110AKRZ-RL - MOSFET-Treiber, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 37.54 грн |
| 34+ | 26.21 грн |
| 100+ | 20.38 грн |
| 500+ | 16.66 грн |
| 1000+ | 14.71 грн |
| 2500+ | 13.44 грн |
| ADP3110AKCPZ-RL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ADP3110AKCPZ-RL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, 1Aout, 20ns Verzögerung, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ADP3110AKCPZ-RL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, 1Aout, 20ns Verzögerung, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 54.26 грн |
| 23+ | 39.28 грн |
| 100+ | 33.09 грн |
| 500+ | 27.33 грн |
| ADP3110AKCPZ-RL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ADP3110AKCPZ-RL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, 1Aout, 20ns Verzögerung, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.6V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: DFN
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ADP3110AKCPZ-RL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, 1Aout, 20ns Verzögerung, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.6V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: DFN
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 33.09 грн |
| 500+ | 27.33 грн |
| H11N1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - H11N1 - Optokoppler, 1 Kanal, 7.5 kV, DIP, 6 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 7.5kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
Description: ONSEMI - H11N1 - Optokoppler, 1 Kanal, 7.5 kV, DIP, 6 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 7.5kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 154.15 грн |
| 10+ | 90.57 грн |
| 25+ | 88.83 грн |
| 50+ | 80.30 грн |
| 100+ | 72.33 грн |
| FDS4435BZ | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 69.50 грн |
| 22+ | 40.32 грн |
| 100+ | 30.74 грн |
| 500+ | 23.53 грн |
| 1000+ | 20.23 грн |
| SS18 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS18 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS18
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SS18 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS18
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 23258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 54+ | 16.20 грн |
| 64+ | 13.67 грн |
| 100+ | 13.06 грн |
| 500+ | 11.56 грн |
| 1000+ | 10.15 грн |
| 5000+ | 9.63 грн |
| SS18 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS18 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS18
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SS18 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS18
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 23258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.06 грн |
| 500+ | 11.56 грн |
| 1000+ | 10.15 грн |
| 5000+ | 9.63 грн |
| J175-D26Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J175-D26Z - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -60 mA, 6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -60mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -7mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - J175-D26Z - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -60 mA, 6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -60mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -7mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 50.34 грн |
| 50+ | 31.53 грн |
| 100+ | 23.43 грн |
| 500+ | 17.79 грн |
| 1000+ | 16.12 грн |
| J109 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J109 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 40 mA, -6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - J109 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 40 mA, -6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 49.38 грн |
| 26+ | 34.14 грн |
| 100+ | 18.81 грн |
| 500+ | 14.80 грн |
| 1000+ | 11.64 грн |
| 5000+ | 11.05 грн |
| J112 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J112 - JFET-Transistor, -35 V, -5 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - J112 - JFET-Transistor, -35 V, -5 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 42.59 грн |
| 30+ | 29.26 грн |
| 100+ | 12.89 грн |
| 500+ | 11.48 грн |
| 1000+ | 9.55 грн |
| 5000+ | 8.51 грн |
| J113 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J113 - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - J113 - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 51895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 36.49 грн |
| 34+ | 26.39 грн |
| 100+ | 10.36 грн |
| 500+ | 9.30 грн |
| 1000+ | 7.84 грн |
| 5000+ | 7.07 грн |
| J113-D74Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J113-D74Z - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - J113-D74Z - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 41.80 грн |
| 34+ | 26.13 грн |
| 100+ | 12.71 грн |
| 500+ | 11.16 грн |
| 1000+ | 9.85 грн |
| NSVJ5908DSG5T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MCPH
Anzahl der Pins: 5 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MCPH
Anzahl der Pins: 5 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 43.72 грн |
| 100+ | 33.44 грн |
| 500+ | 27.58 грн |
| 1000+ | 22.69 грн |
| NSVJ3910SB3T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 60.44 грн |
| 50+ | 43.28 грн |
| 100+ | 29.52 грн |
| 500+ | 23.37 грн |
| 1500+ | 19.18 грн |
| 2SK2394-6-TB-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK2394-6-TB-E - JFET-Transistor, 15 V, 20 mA, 1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SK2394-6-TB-E - JFET-Transistor, 15 V, 20 mA, 1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 57.30 грн |
| 50+ | 44.42 грн |
| 100+ | 29.70 грн |
| 500+ | 21.27 грн |
| 1500+ | 17.69 грн |
| CPH6904-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6904-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.2 V, SC-74, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CPH6904-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.2 V, SC-74, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 90.57 грн |
| 16+ | 56.61 грн |
| 100+ | 37.10 грн |
| 500+ | 26.61 грн |
| 1000+ | 22.32 грн |
| NCS20166SN2T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20166SN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 10 MHz, 6 V/µs, 3V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz
Eingangsoffsetspannung: 50µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCS20166SN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 10 MHz, 6 V/µs, 3V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz
Eingangsoffsetspannung: 50µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 90.57 грн |
| 11+ | 79.60 грн |
| 50+ | 65.93 грн |
| 100+ | 54.91 грн |
| 250+ | 46.80 грн |
| 500+ | 43.67 грн |
| D45VH10G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - D45VH10G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 15 A, 83 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - D45VH10G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 15 A, 83 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 94.06 грн |
| 19+ | 46.33 грн |
| 100+ | 43.02 грн |
| 500+ | 30.24 грн |
| BZX79-C6V2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BZX79-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 7982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 73+ | 12.02 грн |
| 109+ | 7.99 грн |
| 307+ | 2.84 грн |
| 500+ | 2.47 грн |
| 1000+ | 2.13 грн |
| 5000+ | 2.07 грн |
| SB160 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB160 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 700 mV
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassspannung Vf max.: 700
Diodenkonfiguration: Einfach
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SB
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 60
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - SB160 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 700 mV
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassspannung Vf max.: 700
Diodenkonfiguration: Einfach
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SB
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 60
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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| NLV74VHC139DTR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74VHC139DTR2G - DUAL 2-TO-4 DECODER/DEMULTIPLEXER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLV74VHC139DTR2G - DUAL 2-TO-4 DECODER/DEMULTIPLEXER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| BZX84C18LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C18LT1G - Zener-Diode, 18 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BZX84C18LT1G - Zener-Diode, 18 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 84+ | 10.45 грн |
| 146+ | 5.98 грн |
| 336+ | 2.60 грн |
| 1000+ | 2.26 грн |
| 15000+ | 1.04 грн |
| NCV21872DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 178.53 грн |
| 10+ | 123.67 грн |
| 50+ | 117.57 грн |
| 100+ | 102.70 грн |
| 250+ | 86.59 грн |
| 500+ | 78.38 грн |
| NCV21874DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 53.21 грн |
| 250+ | 45.53 грн |
| 500+ | 43.00 грн |
| NCV21874DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 103.64 грн |
| 12+ | 74.55 грн |
| 50+ | 66.19 грн |
| 100+ | 53.21 грн |
| 250+ | 45.53 грн |
| 500+ | 43.00 грн |
| NCS21874DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 111.47 грн |
| 11+ | 85.52 грн |
| 100+ | 55.56 грн |
| 500+ | 38.01 грн |
| 2500+ | 33.29 грн |
| NCS21874DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 55.56 грн |
| 500+ | 38.01 грн |
| 2500+ | 33.29 грн |
| NCV21872DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 102.70 грн |
| 250+ | 86.59 грн |
| 500+ | 78.38 грн |
| FNB81060T3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FNB81060T3 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.5 kV, SPM25-FAA, SPM8
tariffCode: 85044090
productTraceability: No
IPM-Baureihe: SPM8
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): -
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM25-FAA
Produktpalette: Motion SPM 8 Series
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FNB81060T3 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.5 kV, SPM25-FAA, SPM8
tariffCode: 85044090
productTraceability: No
IPM-Baureihe: SPM8
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): -
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM25-FAA
Produktpalette: Motion SPM 8 Series
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 525.14 грн |
| BAT54CXV3T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54CXV3T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Barriere, 30 V, 200 mA, Zweifach, gemeinsame Kathode, SC-89, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-89
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAT54CXV3T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Barriere, 30 V, 200 mA, Zweifach, gemeinsame Kathode, SC-89, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-89
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 55+ | 15.85 грн |
| 88+ | 9.93 грн |
| 145+ | 6.01 грн |
| 500+ | 4.11 грн |
| 1000+ | 3.29 грн |
| FOD817A300 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817A300 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 80%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FOD817A300 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 80%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 37.19 грн |
| 39+ | 22.64 грн |
| 100+ | 15.15 грн |
| BZX84C6V8LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C6V8LT1G - Zener-Diode, 6.8 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BZX84C6V8LT1G - Zener-Diode, 6.8 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 101+ | 8.68 грн |
| 264+ | 3.31 грн |
| 435+ | 2.00 грн |
| 1000+ | 1.69 грн |
| 1N5349BG | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5349BG - Zener-Diode, 12 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N5349BG - Zener-Diode, 12 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 32336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 22.56 грн |
| 53+ | 16.55 грн |
| 100+ | 14.46 грн |
| 500+ | 12.13 грн |
| 1000+ | 10.97 грн |
| 5000+ | 10.75 грн |
| TIP42G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP42G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 6 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - TIP42G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 6 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TIP42BG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP42BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - TIP42BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 110.60 грн |
| TIP42AG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP42AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - TIP42AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 122.79 грн |
| 15+ | 58.17 грн |
| 100+ | 51.82 грн |
| 500+ | 34.85 грн |
| 1000+ | 26.95 грн |
| 5000+ | 26.72 грн |
| BZX79-C5V1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C5V1 - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BZX79-C5V1 - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 25080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 67+ | 13.06 грн |
| 107+ | 8.18 грн |
| 244+ | 3.57 грн |
| 500+ | 2.91 грн |
| 1000+ | 2.01 грн |
| 5000+ | 1.87 грн |
| 2N3442G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3442G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 117 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 7.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 117
Übergangsfrequenz ft: 80
Bauform - Transistor: TO-204AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2N3442G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 117 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 7.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 117
Übergangsfrequenz ft: 80
Bauform - Transistor: TO-204AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCP56-10T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 43.46 грн |
| 33+ | 27.00 грн |
| 50+ | 24.21 грн |
| 200+ | 19.81 грн |
| 500+ | 14.33 грн |
| BCP56-16T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 48.42 грн |
| BCP56T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 50.95 грн |
| 50+ | 32.14 грн |
| 250+ | 20.99 грн |
| 1000+ | 13.02 грн |
| SBCP56T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SBCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 59.22 грн |
| 24+ | 36.58 грн |
| 50+ | 30.13 грн |
| 200+ | 21.92 грн |
| 1N4002G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4002G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4002
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4002G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4002
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 56+ | 15.68 грн |
| 102+ | 8.61 грн |
| 116+ | 7.57 грн |
| 500+ | 5.01 грн |
| 1000+ | 3.43 грн |
| 5000+ | 3.06 грн |
| 1N4002RLG |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4002RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4002RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 36278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 69+ | 12.80 грн |
| 112+ | 7.84 грн |
| 143+ | 6.13 грн |
| 500+ | 4.83 грн |
| 1000+ | 4.09 грн |
| 2500+ | 4.01 грн |
| FQP4N90C |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP4N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 140
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQP4N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 140
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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| BF256B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BF256B - JFET-Transistor, JFET, -30 V, 13 mA, -8 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 13mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BF256B - JFET-Transistor, JFET, -30 V, 13 mA, -8 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 13mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 28849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 44+ | 20.03 грн |
| 73+ | 12.02 грн |
| 100+ | 9.49 грн |
| 500+ | 8.33 грн |
| 1000+ | 7.31 грн |
| 5000+ | 7.16 грн |
| SB5100 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB5100 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 850 mV
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassspannung Vf max.: 850
Diodenkonfiguration: Einfach
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 5
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SB
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 150
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - SB5100 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 850 mV
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassspannung Vf max.: 850
Diodenkonfiguration: Einfach
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 5
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SB
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 150
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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| 2SC5707-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 148.92 грн |
| 10+ | 94.93 грн |
| 100+ | 63.75 грн |
| 2SC5707-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 63.75 грн |
| 500+ | 51.92 грн |
| 2SC5707-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5707-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 330
Bauform - Transistor: TO-251
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SC5707-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 330
Bauform - Transistor: TO-251
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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| BAR43. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAR43. - DIODE, FULL REEL
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassspannung Vf max.: 800
Diodenkonfiguration: Single
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 750
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - BAR43. - DIODE, FULL REEL
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassspannung Vf max.: 800
Diodenkonfiguration: Single
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 750
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
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| 2N3906TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3906TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 999mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N3906TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 999mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 41+ | 21.68 грн |
| 68+ | 12.89 грн |
| 108+ | 8.09 грн |
| 500+ | 5.42 грн |
| 1000+ | 4.43 грн |
| 2N3906BU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3906BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N3906BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 20.47 грн |
| 76+ | 11.58 грн |
| 108+ | 8.09 грн |
| 500+ | 4.90 грн |
| 1000+ | 3.94 грн |
| 2N3906TFR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3906TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N3906TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 69+ | 12.80 грн |
| 108+ | 8.11 грн |
| 142+ | 6.15 грн |
| 500+ | 5.07 грн |
| 1000+ | 4.54 грн |
| 2N3906TF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3906TF - TRANSISTOR, PNP, -40V, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N3906TF - TRANSISTOR, PNP, -40V, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 21.77 грн |
| 66+ | 13.32 грн |
| 75+ | 11.76 грн |
| 87+ | 9.30 грн |
| 104+ | 7.24 грн |
| 250+ | 6.27 грн |
| 500+ | 5.37 грн |
| POE-GEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - POE-GEVB - Evaluationsboard, Power-over-Ethernet (PoE)-Shield, robuste, flexible und hochintegrierte Lösung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCP1083
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCP1083
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Power-Over-Ethernet (POE)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: IOT
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - POE-GEVB - Evaluationsboard, Power-over-Ethernet (PoE)-Shield, robuste, flexible und hochintegrierte Lösung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCP1083
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCP1083
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Power-Over-Ethernet (POE)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: IOT
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FSA3357K8X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSA3357K8X - Analogschalter, 1 Kanäle, SP3T, 50 ohm, 1.65V bis 5.5V, VSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Bauform - Analogschalter: VSSOP
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Analogschalter: SP3T
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Durchlasswiderstand, max.: 50ohm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FSA3357K8X - Analogschalter, 1 Kanäle, SP3T, 50 ohm, 1.65V bis 5.5V, VSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Bauform - Analogschalter: VSSOP
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Analogschalter: SP3T
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Durchlasswiderstand, max.: 50ohm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 101.89 грн |
| 12+ | 75.16 грн |
| 100+ | 57.83 грн |
| 500+ | 37.36 грн |
| 3000+ | 31.43 грн |






































