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| AX-SIP-SFEU-1-01-TX30 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AX-SIP-SFEU-1-01-TX30 - Transceiver-Modul, PSK, 100B/s, 868.13MHz, -125dBm, 2.1V-3.6V Versorgungsspannung, SPI Modulschnittstelle: SPI Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Sigfox-Netze, Uplink und Downlink Übertragungsrate, max.: 100 HF-Modulation: PSK Versorgungsspannung, min.: 2.1 Empfindlichkeit (dBm): -125 Versorgungsstrom: 200 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Frequenz, max.: 868.13 Sendeleistung: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AX-SFAZ-1-01-TB05 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AX-SFAZ-1-01-TB05 - HF-TRANSCEIVER, 920.8-922.3MHZ, QFN-40tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 230mA Bauform - HF-IC: QFN Ausgangsleistung (dBm): 24dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Sigfox-Netzwerke Australien/Neuseeland, Uplink und Downlink MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: 5A992.c Frequenz, min.: 920.8MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfangsstrom: 34mA Empfindlichkeit (dBm): -128dBm euEccn: NLR HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, PSK Anzahl der Pins: 40Pin(s) Übertragungsrate: 600bps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 922.3MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AX-SFAZ-API-1-01-TB05 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AX-SFAZ-API-1-01-TB05 - HF-TXRX MIT API, 920.8-922.3MHZ, QFN-40tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 230mA Bauform - HF-IC: QFN Ausgangsleistung (dBm): 24dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Sigfox-Netzwerke Australien/Neuseeland, Uplink und Downlink MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: 5A992.c Frequenz, min.: 920.8MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfangsstrom: 34mA Empfindlichkeit (dBm): -128dBm euEccn: NLR HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, PSK Anzahl der Pins: 40Pin(s) Übertragungsrate: 600bps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 922.3MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| AX5051-1-TW30 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AX5051-1-TW30 - HF-TRANSCEIVER, 940MHZ, -40 BIS 85°CÜbertragungsstrom: 45 Bauform - HF-IC: QFN Ausgangsleistung (dBm): 16 Anwendungsbereiche HF-Transceiver: AMR, Zugangskontrolle, Fernsteuerung, RFID, Telemetrie, drahtlose Audiosysteme/Netzwerke/Wireless-M-Bus Frequenz, min.: 400 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.2 Empfangsstrom: 19 Empfindlichkeit (dBm): -116 HF/IF-Modulation: ASK, FSK, MSK, O-QPSK, PSK Anzahl der Pins: 28 Übertragungsrate: 600 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Frequenz, max.: 940 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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| AX-SFEU-API-1-01-TX30 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AX-SFEU-API-1-01-TX30 - HF-TRANSCEIVER, -40 BIS 85°CtariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 49mA Bauform - HF-IC: QFN Ausgangsleistung (dBm): 14dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Sigfox-Netze, Uplink und Downlink usEccn: 5A992.c Frequenz, min.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.1V Empfangsstrom: 10mA Empfindlichkeit (dBm): -126dBm euEccn: 5A002.a.1 HF/IF-Modulation: FSK, GFSK Anzahl der Pins: 40Pin(s) Übertragungsrate: 600bps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 868.3MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AX-SFEU-1-03-TX30 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AX-SFEU-1-03-TX30 - HF-Transceiver, 868.13MHz bis 869.525MHz, 600B/s, 14dBm, QFN-40, -40°C bis 85°CÜbertragungsstrom: 49 Bauform - HF-IC: QFN Ausgangsleistung (dBm): 14 Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Sigfox-Netze, Uplink und Downlink MSL: MSL 1 - unbegrenzt Frequenz, min.: 868.13 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.1 Empfangsstrom: 10 Empfindlichkeit (dBm): -126 HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, PSK Anzahl der Pins: 40 Übertragungsrate: 600 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Frequenz, max.: 869.525 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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QSB34CGR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSB34CGR - Fotodiode, 60° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 30nA Dunkelstrom, 940nm, PLCC-2tariffCode: 85414900 Bauform - Diode: PLCC Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60° Dunkelstrom: 0.03µA rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940nm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| QSE773 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSE773 - FOTODIODE, 940NM, SEITLICH ABSTRAHLENDtariffCode: 85414090 Bauform - Diode: - Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60° Dunkelstrom: 0.03µA rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940nm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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1N4728ATR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4728ATR - Zener-Diode, 3.3 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N47xxA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 3.3V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NLVHC1G04DFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVHC1G04DFT1G - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74HC1G04Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74HC Bauform - Logikbaustein: SC-88A Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 2 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: 74HC1G04 Versorgungsspannung, max.: 6 Anzahl der Eingänge: 1 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl von Elementen: Eins SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NLVHC1G04DFT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVHC1G04DFT2G - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74HC1G04Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74HC Bauform - Logikbaustein: SC-88A Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 2 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: 74HC1G04 Versorgungsspannung, max.: 6 Anzahl der Eingänge: 1 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl von Elementen: Eins SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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BDW93CTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BDW93CTU - BIPOLAR TRANSISTORSVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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2SA1943RTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1943RTU - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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2SA1943OTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1943OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 150 W, TO-264, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-264 Dauerkollektorstrom: 17A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N5404RL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5404RL - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 14002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N5402RL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5402RL - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 26213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N5400G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5400G - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5400 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N5402G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5402G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5402 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 76446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1251BSN65T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1251BSN65T1G - PWM-Controller, Current-Mode, bis zu 28V Versorgungsspannung, 65/100kHz, 500mAout, TSOP-6tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: 71kHz Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Schaltfrequenz, min.: 61kHz MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 65kHz Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig) Topologie: Flyback Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: - Tastverhältnis, min.: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Tastverhältnis, max.: 84% SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74LCX07BQX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74LCX07BQX - PUFFER, NICHT INVERTIEREND, -40 BIS 85°CtariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 7407 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74LCX Bauform - Logikbaustein: DQFN hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX07 euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS16DXV6T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS16DXV6T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, isoliert, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mAtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-563 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BAS16 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS16P2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS16P2T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mAtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 21385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PIR-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PIR-GEVB - Evaluationsboard, PIR-Shield, kostengünstige Passiv-Infrarot-SteueranwendungentariffCode: 84733020 productTraceability: No rohsCompliant: NA Leiterplatte: Evaluationsboard Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCS36000 euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: Controller für passiven Infrarotdetektor hazardous: false Verwendeter IC / verwendetes Modul: NCS36000DG, PCA9655EMTTXG rohsPhthalatesCompliant: NA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC807-16LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC807-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 24118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC33725TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC33725TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC33716BU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC33716BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC33716TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC33716TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC33725BU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC33725BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GBPC1506W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBPC1506W - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 15 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 300A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: Modul usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBPC1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GBU8J | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU8J - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU8J productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GBU8K | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU8K - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU8K productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GBU8B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU8B - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU8B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GBU8D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU8D - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU8D productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74AC00SCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74AC00SCX - NAND-Gatter, 74AC00, 8 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: NAND-Gatter Logik-IC-Familie: 74AC Anzahl der Elemente: Vier Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74AC00 productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RHRG75120 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RHRG75120 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 75 A, Einfach, 3.2 V, 85 ns, 500 ABauform - Diode: TO-247 Durchlassspannung Vf max.: 3.2 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 85 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 75 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: RHRG7 Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 500 Betriebstemperatur, max.: 175 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DF10S2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DF10S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 1.5 A, SDIP, 1.1 V, 4 Pin(s)Durchlassspannung Vf max.: 1.1 Bauform - Brückengleichrichter: SDIP Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1 Anzahl der Pins: 4 Anzahl der Phasen: Eine Phase Betriebstemperatur, max.: 150 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5 Produktpalette: - SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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TL431ACDG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TL431ACDG - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431A, 2.495V bis 36V, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Referenzspannung, max.: 36V isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Referenzspannung, min.: 2.495V MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: 0°C Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C Eingangsspannung, max.: 36V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TL431A productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 70°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 1% SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TL431BCLPG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TL431BCLPG - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt - einstellbar, TL431B, 2.495V bis 36V, TO-226AA-3Bauform - Spannungsreferenz: TO-92 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: 0 Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TL431B Referenzspannung: 2.495V bis 36V Betriebstemperatur, max.: 70 Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 0.4 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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BC846BLT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC846BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 29672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N5817G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5817G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 20 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 450 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 450mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5817 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4747ATR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4747ATR - Zener-Diode, 20 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: 1N47xxA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 20V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N7000BU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000BU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N7000 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 42593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N7000TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CAT5119TBI-00-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5119TBI-00-GT3 - IC, DIGITAL POT 100KOHM 32, SGL, SOT23-6Bauform - Potentiometer: SOT-23 Anzahl der Potentiometer: Single Widerstandsverlauf: Linear Anzahl Schritte: 32 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: - Versorgungsspannung, min.: 2.7 Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: 2 Wire, Serial Gesamtwiderstand: 100 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: Single 32 -Tap Non-Volatile Digital Pots Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товару немає в наявності |
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FQU11P06TU. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQU11P06TU. - P CHANNEL MOSFET, -60V, 9.4A, IPAKtariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FNB41060 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FNB41060 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 10 A, 1.5 V, 32 W, 150 °C, SPM26-AAAtariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: 32W euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: SPM26-AAA Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 26Pin(s) Produktpalette: Motion SPM 45 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74ACT04SC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74ACT04SC - Inverter, 74ACT04, 1 Eingang, 24mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74ACT Anzahl der Elemente: Sechs Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74ACT04 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HGTG11N120CND | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 43A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SGL160N60UFDTU. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SGL160N60UFDTU. - IGBT, 160 A, 2.6 V, 250 W, 600 V, TO-264, 3 Pin(s)Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6 DC-Kollektorstrom: 160 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-264 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 250 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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FAN3100CSX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN3100CSX - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-18V Versorgungsspannung, 3Aout, 15ns Verzögerung, SOT-23-5tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 3A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: 15ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS21HT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS21HT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 625 mAtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 625mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAS21 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 42512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS21LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS21LT3G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mAtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 625mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS21 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS21LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS21LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mAtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 625mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS21 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 26673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BD681G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD681G. - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 40W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-225 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 4A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BD681G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD681G - Transistor, NPN, 100V, 4A, 150°C, 40W, TO-225Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 750 Verlustleistung Pd: 40 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-225 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 4 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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FUSB380CUCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FUSB380CUCX - USB-Schnittstelle, Kabel-ID USB Typ C, USB 2.0, 3.0, 2.4 V, 5.5 V, WLCSP, 12 Pin(s)tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES USB-Version: USB 2.0, 3.0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V Anzahl der Anschlüsse: - euEccn: NLR USB-IC: Kabel-ID USB Typ C Anzahl der Pins: 12Pin(s) Übertragungsrate: - Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NDS0610 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 32392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTR0202PLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 16434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTR5105PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 196mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 347mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 11001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| AX-SIP-SFEU-1-01-TX30 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AX-SIP-SFEU-1-01-TX30 - Transceiver-Modul, PSK, 100B/s, 868.13MHz, -125dBm, 2.1V-3.6V Versorgungsspannung, SPI
Modulschnittstelle: SPI
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Sigfox-Netze, Uplink und Downlink
Übertragungsrate, max.: 100
HF-Modulation: PSK
Versorgungsspannung, min.: 2.1
Empfindlichkeit (dBm): -125
Versorgungsstrom: 200
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Frequenz, max.: 868.13
Sendeleistung: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - AX-SIP-SFEU-1-01-TX30 - Transceiver-Modul, PSK, 100B/s, 868.13MHz, -125dBm, 2.1V-3.6V Versorgungsspannung, SPI
Modulschnittstelle: SPI
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Sigfox-Netze, Uplink und Downlink
Übertragungsrate, max.: 100
HF-Modulation: PSK
Versorgungsspannung, min.: 2.1
Empfindlichkeit (dBm): -125
Versorgungsstrom: 200
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Frequenz, max.: 868.13
Sendeleistung: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| AX-SFAZ-1-01-TB05 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AX-SFAZ-1-01-TB05 - HF-TRANSCEIVER, 920.8-922.3MHZ, QFN-40
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 230mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 24dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Sigfox-Netzwerke Australien/Neuseeland, Uplink und Downlink
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A992.c
Frequenz, min.: 920.8MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 34mA
Empfindlichkeit (dBm): -128dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, PSK
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Übertragungsrate: 600bps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 922.3MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - AX-SFAZ-1-01-TB05 - HF-TRANSCEIVER, 920.8-922.3MHZ, QFN-40
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 230mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 24dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Sigfox-Netzwerke Australien/Neuseeland, Uplink und Downlink
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A992.c
Frequenz, min.: 920.8MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 34mA
Empfindlichkeit (dBm): -128dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, PSK
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Übertragungsrate: 600bps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 922.3MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 283.91 грн |
| 10+ | 250.81 грн |
| 25+ | 233.40 грн |
| 50+ | 206.21 грн |
| 100+ | 185.12 грн |
| 250+ | 174.67 грн |
| 500+ | 172.43 грн |
| AX-SFAZ-API-1-01-TB05 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AX-SFAZ-API-1-01-TB05 - HF-TXRX MIT API, 920.8-922.3MHZ, QFN-40
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 230mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 24dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Sigfox-Netzwerke Australien/Neuseeland, Uplink und Downlink
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A992.c
Frequenz, min.: 920.8MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 34mA
Empfindlichkeit (dBm): -128dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, PSK
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Übertragungsrate: 600bps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 922.3MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - AX-SFAZ-API-1-01-TB05 - HF-TXRX MIT API, 920.8-922.3MHZ, QFN-40
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 230mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 24dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Sigfox-Netzwerke Australien/Neuseeland, Uplink und Downlink
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A992.c
Frequenz, min.: 920.8MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 34mA
Empfindlichkeit (dBm): -128dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, PSK
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Übertragungsrate: 600bps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 922.3MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 252.56 грн |
| 10+ | 222.95 грн |
| 25+ | 207.27 грн |
| 50+ | 183.57 грн |
| 100+ | 164.97 грн |
| 250+ | 156.01 грн |
| 500+ | 153.77 грн |
| AX5051-1-TW30 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AX5051-1-TW30 - HF-TRANSCEIVER, 940MHZ, -40 BIS 85°C
Übertragungsstrom: 45
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 16
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: AMR, Zugangskontrolle, Fernsteuerung, RFID, Telemetrie, drahtlose Audiosysteme/Netzwerke/Wireless-M-Bus
Frequenz, min.: 400
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.2
Empfangsstrom: 19
Empfindlichkeit (dBm): -116
HF/IF-Modulation: ASK, FSK, MSK, O-QPSK, PSK
Anzahl der Pins: 28
Übertragungsrate: 600
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Frequenz, max.: 940
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AX5051-1-TW30 - HF-TRANSCEIVER, 940MHZ, -40 BIS 85°C
Übertragungsstrom: 45
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 16
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: AMR, Zugangskontrolle, Fernsteuerung, RFID, Telemetrie, drahtlose Audiosysteme/Netzwerke/Wireless-M-Bus
Frequenz, min.: 400
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.2
Empfangsstrom: 19
Empfindlichkeit (dBm): -116
HF/IF-Modulation: ASK, FSK, MSK, O-QPSK, PSK
Anzahl der Pins: 28
Übertragungsrate: 600
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Frequenz, max.: 940
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AX-SFEU-API-1-01-TX30 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AX-SFEU-API-1-01-TX30 - HF-TRANSCEIVER, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 49mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 14dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Sigfox-Netze, Uplink und Downlink
usEccn: 5A992.c
Frequenz, min.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.1V
Empfangsstrom: 10mA
Empfindlichkeit (dBm): -126dBm
euEccn: 5A002.a.1
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Übertragungsrate: 600bps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 868.3MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - AX-SFEU-API-1-01-TX30 - HF-TRANSCEIVER, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 49mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 14dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Sigfox-Netze, Uplink und Downlink
usEccn: 5A992.c
Frequenz, min.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.1V
Empfangsstrom: 10mA
Empfindlichkeit (dBm): -126dBm
euEccn: 5A002.a.1
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Übertragungsrate: 600bps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 868.3MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1058.99 грн |
| AX-SFEU-1-03-TX30 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AX-SFEU-1-03-TX30 - HF-Transceiver, 868.13MHz bis 869.525MHz, 600B/s, 14dBm, QFN-40, -40°C bis 85°C
Übertragungsstrom: 49
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 14
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Sigfox-Netze, Uplink und Downlink
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 868.13
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.1
Empfangsstrom: 10
Empfindlichkeit (dBm): -126
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, PSK
Anzahl der Pins: 40
Übertragungsrate: 600
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Frequenz, max.: 869.525
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - AX-SFEU-1-03-TX30 - HF-Transceiver, 868.13MHz bis 869.525MHz, 600B/s, 14dBm, QFN-40, -40°C bis 85°C
Übertragungsstrom: 49
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 14
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Sigfox-Netze, Uplink und Downlink
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 868.13
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.1
Empfangsstrom: 10
Empfindlichkeit (dBm): -126
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, PSK
Anzahl der Pins: 40
Übertragungsrate: 600
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Frequenz, max.: 869.525
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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| QSB34CGR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB34CGR - Fotodiode, 60° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 30nA Dunkelstrom, 940nm, PLCC-2
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60°
Dunkelstrom: 0.03µA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - QSB34CGR - Fotodiode, 60° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 30nA Dunkelstrom, 940nm, PLCC-2
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60°
Dunkelstrom: 0.03µA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 90.57 грн |
| 15+ | 59.48 грн |
| 25+ | 57.13 грн |
| 50+ | 50.78 грн |
| 100+ | 37.62 грн |
| 500+ | 31.95 грн |
| QSE773 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE773 - FOTODIODE, 940NM, SEITLICH ABSTRAHLEND
tariffCode: 85414090
Bauform - Diode: -
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60°
Dunkelstrom: 0.03µA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - QSE773 - FOTODIODE, 940NM, SEITLICH ABSTRAHLEND
tariffCode: 85414090
Bauform - Diode: -
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60°
Dunkelstrom: 0.03µA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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| 1N4728ATR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4728ATR - Zener-Diode, 3.3 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4728ATR - Zener-Diode, 3.3 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 61+ | 14.37 грн |
| 91+ | 9.67 грн |
| 198+ | 4.41 грн |
| 500+ | 4.02 грн |
| 1000+ | 3.64 грн |
| NLVHC1G04DFT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVHC1G04DFT1G - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74HC1G04
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 74HC1G04
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLVHC1G04DFT1G - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74HC1G04
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 74HC1G04
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NLVHC1G04DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVHC1G04DFT2G - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74HC1G04
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 74HC1G04
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLVHC1G04DFT2G - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74HC1G04
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 74HC1G04
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| 2SA1943RTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1943RTU - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 2SA1943RTU - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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| 2SA1943OTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1943OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 150 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-264
Dauerkollektorstrom: 17A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SA1943OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 150 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-264
Dauerkollektorstrom: 17A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 437.18 грн |
| 10+ | 259.52 грн |
| 100+ | 213.37 грн |
| 500+ | 188.42 грн |
| 1000+ | 163.48 грн |
| 1N5404RL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5404RL - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 1N5404RL - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 14002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 33.09 грн |
| 55+ | 15.85 грн |
| 100+ | 14.37 грн |
| 500+ | 12.70 грн |
| 1000+ | 9.41 грн |
| 5000+ | 7.09 грн |
| 1N5402RL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5402RL - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N5402RL - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 30.66 грн |
| 46+ | 19.25 грн |
| 100+ | 18.29 грн |
| 500+ | 12.86 грн |
| 1000+ | 9.85 грн |
| 5000+ | 7.84 грн |
| 1N5400G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5400G - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5400
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N5400G - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5400
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 24.73 грн |
| 43+ | 20.29 грн |
| 100+ | 18.81 грн |
| 500+ | 10.51 грн |
| 1000+ | 9.26 грн |
| 1N5402G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5402G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5402
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N5402G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5402
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 76446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 30.39 грн |
| 35+ | 24.91 грн |
| 100+ | 20.12 грн |
| 500+ | 10.03 грн |
| 1000+ | 8.51 грн |
| 5000+ | 8.21 грн |
| NCP1251BSN65T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1251BSN65T1G - PWM-Controller, Current-Mode, bis zu 28V Versorgungsspannung, 65/100kHz, 500mAout, TSOP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 71kHz
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Schaltfrequenz, min.: 61kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 84%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP1251BSN65T1G - PWM-Controller, Current-Mode, bis zu 28V Versorgungsspannung, 65/100kHz, 500mAout, TSOP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 71kHz
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Schaltfrequenz, min.: 61kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 84%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 109.73 грн |
| 19+ | 46.42 грн |
| 100+ | 30.66 грн |
| 500+ | 22.72 грн |
| 1000+ | 19.41 грн |
| 2500+ | 17.84 грн |
| 5000+ | 16.20 грн |
| 74LCX07BQX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCX07BQX - PUFFER, NICHT INVERTIEREND, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7407
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: DQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX07
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - 74LCX07BQX - PUFFER, NICHT INVERTIEREND, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7407
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: DQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX07
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 56.52 грн |
| 22+ | 40.41 грн |
| 100+ | 31.87 грн |
| 500+ | 25.07 грн |
| 1000+ | 22.24 грн |
| BAS16DXV6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS16DXV6T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, isoliert, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-563
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BAS16
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAS16DXV6T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, isoliert, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-563
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BAS16
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 11.67 грн |
| 120+ | 7.28 грн |
| 134+ | 6.52 грн |
| 500+ | 5.59 грн |
| BAS16P2T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS16P2T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAS16P2T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 93+ | 9.41 грн |
| 109+ | 8.02 грн |
| 135+ | 6.49 грн |
| 500+ | 4.44 грн |
| 1000+ | 3.22 грн |
| 5000+ | 3.00 грн |
| PIR-GEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PIR-GEVB - Evaluationsboard, PIR-Shield, kostengünstige Passiv-Infrarot-Steueranwendungen
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCS36000
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Controller für passiven Infrarotdetektor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: NCS36000DG, PCA9655EMTTXG
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - PIR-GEVB - Evaluationsboard, PIR-Shield, kostengünstige Passiv-Infrarot-Steueranwendungen
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCS36000
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Controller für passiven Infrarotdetektor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: NCS36000DG, PCA9655EMTTXG
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1495.30 грн |
| BC807-16LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC807-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC807-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 73+ | 11.93 грн |
| 140+ | 6.23 грн |
| 213+ | 4.09 грн |
| 500+ | 3.10 грн |
| 1500+ | 2.27 грн |
| BC33725TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC33725TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC33725TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 24.38 грн |
| 67+ | 13.15 грн |
| 100+ | 8.88 грн |
| 500+ | 6.70 грн |
| 1000+ | 5.60 грн |
| BC33716BU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC33716BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC33716BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 24.73 грн |
| 59+ | 14.89 грн |
| 100+ | 9.32 грн |
| 500+ | 5.37 грн |
| 1000+ | 4.59 грн |
| 5000+ | 4.23 грн |
| BC33716TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC33716TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC33716TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 23.43 грн |
| 63+ | 13.85 грн |
| 106+ | 8.28 грн |
| 500+ | 5.60 грн |
| 1000+ | 4.81 грн |
| BC33725BU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC33725BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC33725BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 25.78 грн |
| 55+ | 16.02 грн |
| 100+ | 9.93 грн |
| 500+ | 6.71 грн |
| 1000+ | 5.02 грн |
| 5000+ | 4.05 грн |
| GBPC1506W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBPC1506W - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 15 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - GBPC1506W - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 15 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 530.37 грн |
| 10+ | 330.94 грн |
| GBU8J |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU8J - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU8J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - GBU8J - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU8J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 275.20 грн |
| 10+ | 137.60 грн |
| 100+ | 119.31 грн |
| 500+ | 97.85 грн |
| 1000+ | 88.83 грн |
| GBU8K |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU8K - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU8K
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - GBU8K - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU8K
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 185.50 грн |
| 11+ | 80.56 грн |
| 100+ | 74.20 грн |
| 500+ | 65.18 грн |
| 1000+ | 58.67 грн |
| GBU8B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU8B - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU8B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - GBU8B - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU8B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 210.75 грн |
| 11+ | 84.39 грн |
| 100+ | 72.37 грн |
| 500+ | 65.83 грн |
| GBU8D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU8D - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU8D
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - GBU8D - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU8D
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 231.65 грн |
| 10+ | 115.83 грн |
| 100+ | 103.64 грн |
| 500+ | 77.07 грн |
| 74AC00SCX | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74AC00SCX - NAND-Gatter, 74AC00, 8 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC00
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 74AC00SCX - NAND-Gatter, 74AC00, 8 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC00
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 28.04 грн |
| 45+ | 19.51 грн |
| 100+ | 14.98 грн |
| 500+ | 12.29 грн |
| 1000+ | 10.82 грн |
| RHRG75120 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RHRG75120 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 75 A, Einfach, 3.2 V, 85 ns, 500 A
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassspannung Vf max.: 3.2
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 85
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 75
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: RHRG7
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 500
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - RHRG75120 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 75 A, Einfach, 3.2 V, 85 ns, 500 A
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassspannung Vf max.: 3.2
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 85
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 75
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: RHRG7
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 500
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 423.25 грн |
| 10+ | 360.55 грн |
| 100+ | 279.55 грн |
| DF10S2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF10S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 1.5 A, SDIP, 1.1 V, 4 Pin(s)
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Betriebstemperatur, max.: 150
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5
Produktpalette: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - DF10S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 1.5 A, SDIP, 1.1 V, 4 Pin(s)
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Betriebstemperatur, max.: 150
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5
Produktpalette: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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| TL431ACDG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL431ACDG - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431A, 2.495V bis 36V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TL431A
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - TL431ACDG - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431A, 2.495V bis 36V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TL431A
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 27.26 грн |
| 45+ | 19.77 грн |
| 100+ | 16.63 грн |
| 500+ | 13.34 грн |
| TL431BCLPG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL431BCLPG - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt - einstellbar, TL431B, 2.495V bis 36V, TO-226AA-3
Bauform - Spannungsreferenz: TO-92
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: 0
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TL431B
Referenzspannung: 2.495V bis 36V
Betriebstemperatur, max.: 70
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - TL431BCLPG - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt - einstellbar, TL431B, 2.495V bis 36V, TO-226AA-3
Bauform - Spannungsreferenz: TO-92
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: 0
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TL431B
Referenzspannung: 2.495V bis 36V
Betriebstemperatur, max.: 70
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC846BLT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC846BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC846BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 84+ | 10.45 грн |
| 134+ | 6.52 грн |
| 250+ | 4.08 грн |
| 1000+ | 2.09 грн |
| 5000+ | 1.63 грн |
| 1N5817G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5817G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 20 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5817
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N5817G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 20 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5817
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 35.10 грн |
| 36+ | 24.82 грн |
| 100+ | 20.20 грн |
| 1N4747ATR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4747ATR - Zener-Diode, 20 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 1N4747ATR - Zener-Diode, 20 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 26.13 грн |
| 55+ | 15.85 грн |
| 2N7000BU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000BU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N7000BU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 24.82 грн |
| 55+ | 15.85 грн |
| 100+ | 9.84 грн |
| 500+ | 8.33 грн |
| 1000+ | 7.10 грн |
| 5000+ | 6.65 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 43.37 грн |
| 30+ | 29.52 грн |
| 100+ | 15.15 грн |
| 500+ | 12.86 грн |
| 1000+ | 10.45 грн |
| 5000+ | 9.41 грн |
| 2N7000TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 40.15 грн |
| 35+ | 25.60 грн |
| 100+ | 16.20 грн |
| 500+ | 11.24 грн |
| 1000+ | 9.33 грн |
| CAT5119TBI-00-GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5119TBI-00-GT3 - IC, DIGITAL POT 100KOHM 32, SGL, SOT23-6
Bauform - Potentiometer: SOT-23
Anzahl der Potentiometer: Single
Widerstandsverlauf: Linear
Anzahl Schritte: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: -
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: 2 Wire, Serial
Gesamtwiderstand: 100
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Single 32 -Tap Non-Volatile Digital Pots
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - CAT5119TBI-00-GT3 - IC, DIGITAL POT 100KOHM 32, SGL, SOT23-6
Bauform - Potentiometer: SOT-23
Anzahl der Potentiometer: Single
Widerstandsverlauf: Linear
Anzahl Schritte: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: -
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: 2 Wire, Serial
Gesamtwiderstand: 100
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Single 32 -Tap Non-Volatile Digital Pots
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FQU11P06TU. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQU11P06TU. - P CHANNEL MOSFET, -60V, 9.4A, IPAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - FQU11P06TU. - P CHANNEL MOSFET, -60V, 9.4A, IPAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FNB41060 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FNB41060 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 10 A, 1.5 V, 32 W, 150 °C, SPM26-AAA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 32W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SPM26-AAA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: Motion SPM 45
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FNB41060 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 10 A, 1.5 V, 32 W, 150 °C, SPM26-AAA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 32W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SPM26-AAA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: Motion SPM 45
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1288.91 грн |
| 5+ | 1154.79 грн |
| 10+ | 1020.67 грн |
| 50+ | 823.23 грн |
| 100+ | 711.39 грн |
| 250+ | 662.87 грн |
| 74ACT04SC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT04SC - Inverter, 74ACT04, 1 Eingang, 24mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 74ACT04SC - Inverter, 74ACT04, 1 Eingang, 24mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 48.42 грн |
| 25+ | 35.88 грн |
| 100+ | 28.83 грн |
| 500+ | 21.67 грн |
| HGTG11N120CND |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 43A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 43A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 588.72 грн |
| 10+ | 431.09 грн |
| 100+ | 348.35 грн |
| 500+ | 287.08 грн |
| 1000+ | 235.14 грн |
| SGL160N60UFDTU. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SGL160N60UFDTU. - IGBT, 160 A, 2.6 V, 250 W, 600 V, TO-264, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6
DC-Kollektorstrom: 160
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-264
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - SGL160N60UFDTU. - IGBT, 160 A, 2.6 V, 250 W, 600 V, TO-264, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6
DC-Kollektorstrom: 160
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-264
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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од. на суму грн.
| FAN3100CSX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN3100CSX - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-18V Versorgungsspannung, 3Aout, 15ns Verzögerung, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FAN3100CSX - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-18V Versorgungsspannung, 3Aout, 15ns Verzögerung, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 121.92 грн |
| 12+ | 78.03 грн |
| 100+ | 55.39 грн |
| 500+ | 40.92 грн |
| 1000+ | 30.75 грн |
| 2500+ | 30.16 грн |
| BAS21HT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS21HT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAS21HT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 101+ | 8.67 грн |
| 205+ | 4.26 грн |
| 250+ | 3.56 грн |
| 1000+ | 1.85 грн |
| 10500+ | 0.97 грн |
| BAS21LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS21LT3G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAS21LT3G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 105+ | 8.34 грн |
| 187+ | 4.67 грн |
| 228+ | 3.83 грн |
| 500+ | 2.47 грн |
| BAS21LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS21LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAS21LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 101+ | 8.70 грн |
| 179+ | 4.88 грн |
| 218+ | 4.01 грн |
| 500+ | 2.82 грн |
| 1500+ | 2.24 грн |
| BD681G. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD681G. - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BD681G. - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 124.54 грн |
| 13+ | 72.46 грн |
| 100+ | 47.72 грн |
| 500+ | 37.85 грн |
| BD681G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD681G - Transistor, NPN, 100V, 4A, 150°C, 40W, TO-225
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - BD681G - Transistor, NPN, 100V, 4A, 150°C, 40W, TO-225
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FUSB380CUCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FUSB380CUCX - USB-Schnittstelle, Kabel-ID USB Typ C, USB 2.0, 3.0, 2.4 V, 5.5 V, WLCSP, 12 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0, 3.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: Kabel-ID USB Typ C
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FUSB380CUCX - USB-Schnittstelle, Kabel-ID USB Typ C, USB 2.0, 3.0, 2.4 V, 5.5 V, WLCSP, 12 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0, 3.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: Kabel-ID USB Typ C
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 106.25 грн |
| 13+ | 67.32 грн |
| 100+ | 44.68 грн |
| 500+ | 35.82 грн |
| 1000+ | 27.99 грн |
| 2500+ | 27.47 грн |
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 33.18 грн |
| 50+ | 23.60 грн |
| 100+ | 16.55 грн |
| 500+ | 11.81 грн |
| 1500+ | 9.85 грн |
| NTR0202PLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 37.54 грн |
| 50+ | 28.39 грн |
| 100+ | 18.11 грн |
| 500+ | 12.70 грн |
| 1500+ | 10.45 грн |
| NTR5105PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 54+ | 16.20 грн |
| 98+ | 8.97 грн |
| 153+ | 5.71 грн |
| 500+ | 4.67 грн |
| 1500+ | 3.94 грн |









































