Фото | Назва | Виробник | Інформація |
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Ціна без ПДВ |
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2SB1201S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SB1201S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DAN222G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DAN222G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A Bauform - Diode: SOT-416 Durchlassstoßstrom: 2 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2 Sperrverzögerungszeit: 4 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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FSQ0165RLX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSQ0165RLX - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHES MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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FGL12040WD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGL12040WD - IGBT, 1200 V, 40 A FIELD STOP TRENCH SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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FAN5333BSX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5 Schaltfrequenz: 1.5 IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 30 Betriebstemperatur, min.: -40 Eingangsspannung, max.: 5.5 Bauform - Treiber: SOT-23 Ausgangsstrom, max.: 65 Bausteintopologie: Boost (Aufwärts) Eingangsspannung, min.: 1.8 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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FAN5333ASX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 30V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: - Eingangsspannung, min.: 1.8V Topologie: Boost Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 11174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FAN5333BSX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5Aout, 1.5MHz, SOT-23-5 Schaltfrequenz: 1.5 IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 30 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Eingangsspannung, max.: 5.5 Bauform - Treiber: SOT-23 Bausteintopologie: Boost (Aufwärts) Ausgangsstrom, max.: 1.5 Eingangsspannung, min.: 1.8 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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FAN5333BSX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5 IC-Montage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NCV2931ACDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV2931ACDR2G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 6V bis 40Vin, 160mV Dropout, 3V bis 29.5Vout/0.1Aout, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 3V Ausgangsspannung, max.: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Nennausgangsspannung: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Adj 100mA LDO Voltage Regulators productTraceability: Yes-Date/Lot Code Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0 Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV3065DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV3065DR2G - LED-Treiber, AEC-Q100, Buck, Boost, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: -V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 250kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Bausteintopologie: Boost, Buck Ausgangsstrom, max.: 1.5A Eingangsspannung, min.: 3V Topologie: Boost, Buck Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 1928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CPH3360-TL-W. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 1.6 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 900 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6 Verlustleistung: 900 Bauform - Transistor: CPH Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товар відсутній |
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CPH3360-TL-W. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, Oberflächenmontage Verlustleistung: 900 Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товар відсутній |
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NCP551SN33T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP551SN33T1G - LDO-Festspannungsregler, 4.3V bis 12V, 40mV Dropout, 3.3Vout, 150mAout, TSOP-5 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 12V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 150mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 4.3V Anzahl der Pins: 5Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Outputs SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC807-40LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC807-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 18755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAT54SLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAT54SLT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 30 V, 200 mA, 400 mV, 600 mA, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 600mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 400mV Sperrverzögerungszeit: 5ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT54 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 58606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVTFS5C453NLWFTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - MOSFET, N-CH, 40V, 107A, 175DEG C, 68W Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 107 Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung Pd: 68 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 68 Bauform - Transistor: WDFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Kanaltyp: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026 SVHC: Lead |
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SB05-03Q-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB05-03Q-TL-E - SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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P6KE15A.. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - P6KE15A.. - TVS-Diode, P6KE1, Unidirektional, 12.8 V, 21.2 V, DO-204AC, 2 Pin(s) Bauform - Diode: DO-204AC Durchbruchspannung, min.: 14.3 Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 15.8 Sperrspannung: 12.8 Spitzenimpulsverlustleistung: 600 TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: P6KE1 Klemmspannung, max.: 21.2 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
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NRVBA340T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 100 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 450 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
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NRVBA340T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
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NRVBA340T3G-VF01 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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NRVBA340T3G-VF01 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 100 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 450 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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NUP4202W1T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP4202W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-88, 6 Pin(s), 5 V, 500 W, NUP42 tariffCode: 85363030 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 6Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V Betriebsspannung: 5V rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 500W usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 78867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BD180G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CS5173EDR8G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgang: Fest hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 1.5A Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Nennausgangsspannung: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Eingangsspannung, max.: 30V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 2.7V Topologie: Boost Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CS5173EDR8G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgang: Fest hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 1.5A Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Nennausgangsspannung: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Eingangsspannung, max.: 30V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 2.7V Topologie: Boost Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX85-C6V2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX85-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C Zener-Spannung, nom.: 6.2 Verlustleistung: 1 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 1 Betriebstemperatur, max.: 200 Produktpalette: BZX85C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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BAV70WT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAV70WT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAV70 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 17570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DFB2040 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DFB2040 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 20 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20 Anzahl der Pins: 4 Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchlassspannung, max.: 1 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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EU-SIGFOX-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EU-SIGFOX-GEVB - Entwicklungsboard, Sigfox, 868MHz (EU), Erweiterungsboard für IoT-Development Kit Prozessorkern: AX-SFEU-1-01-TX30 Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: IoT-IDK-EU-SigFox-Evaluationsboard AX-SFEU-1-01-TX30 Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT) Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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FDS6612A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm |
на замовлення 1948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS6670AS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6670AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 13.5 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: PowerTrench SyncFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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FDS6690AS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6690AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 10 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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S2J | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S2J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 2µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S2J productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NL17SZ126DFT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL17SZ126DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5 Logik-IC-Sockelnummer: - Logik-IC-Familie: 17SZ Bauform - Logikbaustein: SOT-353 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: - Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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BCX19LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCX19LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 1935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7SZ157P6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ157P6X - Multiplexer, 1 Kanal, 2:1, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товар відсутній |
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CAT5113VI-00-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V Bauform - Potentiometer: SOIC Anzahl der Potentiometer: Einfach Widerstandsverlauf: Linear MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl Schritte: 100 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: ± 20% Versorgungsspannung, min.: 2.7 Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell Gesamtwiderstand: 100 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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CAT5113VI-00-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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CAT5140ZI-00-GT3. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5140ZI-00-GT3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V Bauform - Potentiometer: MSOP Anzahl der Potentiometer: Einfach Widerstandsverlauf: Linear MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl Schritte: 256 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: ± 20% Versorgungsspannung, min.: 2.5 Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C Gesamtwiderstand: 100 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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CAT5111ZI-00-T3. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5111ZI-00-T3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V Bauform - Potentiometer: MSOP Anzahl der Potentiometer: Einfach Widerstandsverlauf: Linear MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl Schritte: 100 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: ± 20% Versorgungsspannung, min.: 2.5 Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab Gesamtwiderstand: 100 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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CAT5221WI-00-T1. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5221WI-00-T1. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Zweifach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V Bauform - Potentiometer: SOIC Anzahl der Potentiometer: Zweifach Widerstandsverlauf: Linear MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl Schritte: 64 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: ± 20% Versorgungsspannung, min.: 2.5 Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C Gesamtwiderstand: 100 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 20 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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FDPF12N50FT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF12N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.59 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 11.5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 42 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 42 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET FRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.59 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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FDPF55N06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCL31000ASGEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCL31000ASGEVB - Evaluationsboard, NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber Prozessorkern: NCL31000MNITWG, NCL31000MNSTWG, NCL31001MNITWG, NCL31001MNSTWG Prozessorarchitektur: - Prozessorfamilie: - Anzahl der Bits: - Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber Prozessorserie: - Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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FQA70N10 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA70N10 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 70 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 214 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 214 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQA32N20C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32 A, 0.068 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 204W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 204W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQA10N80C-F109 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 10 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 240 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 240 Bauform - Transistor: TO-3PN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQA40N25 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA40N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 40 A, 0.051 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQA9P25 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 10.5 A, 0.48 ohm, TO-3PN Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 10.5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQA28N15 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA28N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.067 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 33 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 227 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 227 Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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FQA6N90C-F109 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA6N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 6 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 198 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 198 Bauform - Transistor: TO-3PN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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FQA65N20 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA65N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 65 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 310 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 310 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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FQA8N100C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA8N100C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1 Dauer-Drainstrom Id: 8 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 225 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 225 Bauform - Transistor: TO-3PN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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FQA170N06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA170N06 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 60 V, 170 A, 0.0056 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 170 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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FQA90N15-F109 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA90N15-F109 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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FQA27N25 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.083 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 27 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 210 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 210 Bauform - Transistor: TO-3PN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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FQA44N30 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA44N30 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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FQA8N90C-F109 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA8N90C-F109 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
2SB1201S-TL-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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17+ | 46.76 грн |
23+ | 35.15 грн |
100+ | 27.1 грн |
500+ | 22.21 грн |
700+ | 17.72 грн |
2SB1201S-TL-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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100+ | 27.1 грн |
500+ | 22.21 грн |
700+ | 17.72 грн |
DAN222G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DAN222G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 4
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - DAN222G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 4
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FSQ0165RLX |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSQ0165RLX - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FSQ0165RLX - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FGL12040WD |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGL12040WD - IGBT, 1200 V, 40 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FGL12040WD - IGBT, 1200 V, 40 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
FAN5333BSX |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5
Schaltfrequenz: 1.5
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Treiber: SOT-23
Ausgangsstrom, max.: 65
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5
Schaltfrequenz: 1.5
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Treiber: SOT-23
Ausgangsstrom, max.: 65
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FAN5333ASX |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 11174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 120 грн |
10+ | 91.35 грн |
100+ | 71.07 грн |
500+ | 61.11 грн |
3000+ | 51.89 грн |
6000+ | 50.83 грн |
9000+ | 49.84 грн |
FAN5333BSX |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5Aout, 1.5MHz, SOT-23-5
Schaltfrequenz: 1.5
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Treiber: SOT-23
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Ausgangsstrom, max.: 1.5
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5Aout, 1.5MHz, SOT-23-5
Schaltfrequenz: 1.5
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Treiber: SOT-23
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Ausgangsstrom, max.: 1.5
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FAN5333BSX |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5
IC-Montage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5
IC-Montage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCV2931ACDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV2931ACDR2G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 6V bis 40Vin, 160mV Dropout, 3V bis 29.5Vout/0.1Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 3V
Ausgangsspannung, max.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 100mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCV2931ACDR2G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 6V bis 40Vin, 160mV Dropout, 3V bis 29.5Vout/0.1Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 3V
Ausgangsspannung, max.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 100mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 58.3 грн |
17+ | 46.61 грн |
100+ | 31.97 грн |
500+ | 25.3 грн |
NCV3065DR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV3065DR2G - LED-Treiber, AEC-Q100, Buck, Boost, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Boost, Buck
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCV3065DR2G - LED-Treiber, AEC-Q100, Buck, Boost, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Boost, Buck
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 67.2 грн |
500+ | 51.98 грн |
CPH3360-TL-W. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
CPH3360-TL-W. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 900
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 900
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
NCP551SN33T1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP551SN33T1G - LDO-Festspannungsregler, 4.3V bis 12V, 40mV Dropout, 3.3Vout, 150mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.3V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP551SN33T1G - LDO-Festspannungsregler, 4.3V bis 12V, 40mV Dropout, 3.3Vout, 150mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.3V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 19.66 грн |
500+ | 17.47 грн |
3000+ | 15.4 грн |
BC807-40LT3G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC807-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC807-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
55+ | 14.09 грн |
79+ | 9.91 грн |
185+ | 4.2 грн |
500+ | 3.82 грн |
BAT54SLT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54SLT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 30 V, 200 mA, 400 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 400mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BAT54SLT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 30 V, 200 mA, 400 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 400mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
61+ | 12.7 грн |
95+ | 8.21 грн |
211+ | 3.69 грн |
500+ | 3.35 грн |
NVTFS5C453NLWFTAG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - MOSFET, N-CH, 40V, 107A, 175DEG C, 68W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - MOSFET, N-CH, 40V, 107A, 175DEG C, 68W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: Lead
товар відсутній
SB05-03Q-TL-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB05-03Q-TL-E - SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SB05-03Q-TL-E - SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
P6KE15A.. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - P6KE15A.. - TVS-Diode, P6KE1, Unidirektional, 12.8 V, 21.2 V, DO-204AC, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-204AC
Durchbruchspannung, min.: 14.3
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15.8
Sperrspannung: 12.8
Spitzenimpulsverlustleistung: 600
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: P6KE1
Klemmspannung, max.: 21.2
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - P6KE15A.. - TVS-Diode, P6KE1, Unidirektional, 12.8 V, 21.2 V, DO-204AC, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-204AC
Durchbruchspannung, min.: 14.3
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15.8
Sperrspannung: 12.8
Spitzenimpulsverlustleistung: 600
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: P6KE1
Klemmspannung, max.: 21.2
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товар відсутній
NRVBA340T3G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товар відсутній
NRVBA340T3G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товар відсутній
NRVBA340T3G-VF01 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
NRVBA340T3G-VF01 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
NUP4202W1T2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4202W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-88, 6 Pin(s), 5 V, 500 W, NUP42
tariffCode: 85363030
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V
Betriebsspannung: 5V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 500W
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NUP4202W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-88, 6 Pin(s), 5 V, 500 W, NUP42
tariffCode: 85363030
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V
Betriebsspannung: 5V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 500W
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 78867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 82.84 грн |
12+ | 65.81 грн |
100+ | 43.43 грн |
500+ | 36.88 грн |
BD180G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 74.63 грн |
13+ | 62.09 грн |
100+ | 43.9 грн |
CS5173EDR8G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 187.35 грн |
10+ | 137.8 грн |
100+ | 98.32 грн |
500+ | 86.27 грн |
2500+ | 75.65 грн |
CS5173EDR8G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 98.32 грн |
500+ | 86.27 грн |
2500+ | 75.65 грн |
BZX85-C6V2 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.2
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - BZX85-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.2
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
BAV70WT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAV70WT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BAV70WT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 2.76 грн |
DFB2040 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DFB2040 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 20 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V
Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchlassspannung, max.: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - DFB2040 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 20 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V
Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchlassspannung, max.: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
EU-SIGFOX-GEVB |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EU-SIGFOX-GEVB - Entwicklungsboard, Sigfox, 868MHz (EU), Erweiterungsboard für IoT-Development Kit
Prozessorkern: AX-SFEU-1-01-TX30
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: IoT-IDK-EU-SigFox-Evaluationsboard AX-SFEU-1-01-TX30
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - EU-SIGFOX-GEVB - Entwicklungsboard, Sigfox, 868MHz (EU), Erweiterungsboard für IoT-Development Kit
Prozessorkern: AX-SFEU-1-01-TX30
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: IoT-IDK-EU-SigFox-Evaluationsboard AX-SFEU-1-01-TX30
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
FDS6612A |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 70.76 грн |
14+ | 58.37 грн |
100+ | 37.08 грн |
500+ | 28.83 грн |
FDS6670AS |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6670AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 13.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench SyncFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - FDS6670AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 13.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench SyncFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
FDS6690AS |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6690AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDS6690AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
S2J |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S2J
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - S2J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S2J
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 33.06 грн |
35+ | 22.76 грн |
100+ | 9.45 грн |
500+ | 6.25 грн |
NL17SZ126DFT2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ126DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NL17SZ126DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
BCX19LT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCX19LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - BCX19LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
49+ | 16.03 грн |
54+ | 14.48 грн |
100+ | 7.9 грн |
500+ | 4.53 грн |
NC7SZ157P6X |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ157P6X - Multiplexer, 1 Kanal, 2:1, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NC7SZ157P6X - Multiplexer, 1 Kanal, 2:1, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товар відсутній
CAT5113VI-00-GT3 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell
Gesamtwiderstand: 100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell
Gesamtwiderstand: 100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CAT5113VI-00-GT3 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CAT5140ZI-00-GT3. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5140ZI-00-GT3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 256
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5140ZI-00-GT3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 256
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
CAT5111ZI-00-T3. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5111ZI-00-T3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5111ZI-00-T3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
CAT5221WI-00-T1. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5221WI-00-T1. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Zweifach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Zweifach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl Schritte: 64
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5221WI-00-T1. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Zweifach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Zweifach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl Schritte: 64
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
FDPF12N50FT |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF12N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.59 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.59
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDPF12N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.59 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.59
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDPF55N06 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 147.1 грн |
10+ | 109.93 грн |
100+ | 80.52 грн |
NCL31000ASGEVB |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCL31000ASGEVB - Evaluationsboard, NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber
Prozessorkern: NCL31000MNITWG, NCL31000MNSTWG, NCL31001MNITWG, NCL31001MNSTWG
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Anzahl der Bits: -
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber
Prozessorserie: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCL31000ASGEVB - Evaluationsboard, NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber
Prozessorkern: NCL31000MNITWG, NCL31000MNSTWG, NCL31001MNITWG, NCL31001MNSTWG
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Anzahl der Bits: -
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber
Prozessorserie: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FQA70N10 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA70N10 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 70
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 214
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 214
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FQA70N10 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 70
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 214
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 214
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 224.51 грн |
10+ | 190.45 грн |
FQA32N20C |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32 A, 0.068 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 204W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 204W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32 A, 0.068 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 204W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 204W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 270.19 грн |
10+ | 230.71 грн |
100+ | 159.48 грн |
FQA10N80C-F109 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 356.12 грн |
10+ | 303.48 грн |
100+ | 226.84 грн |
FQA40N25 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA40N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 40 A, 0.051 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FQA40N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 40 A, 0.051 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 305.03 грн |
10+ | 185.03 грн |
100+ | 164.13 грн |
FQA9P25 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 10.5 A, 0.48 ohm, TO-3PN
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 10.5 A, 0.48 ohm, TO-3PN
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 224.51 грн |
10+ | 202.06 грн |
100+ | 140.13 грн |
500+ | 109.99 грн |
FQA28N15 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA28N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.067 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 33
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA28N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.067 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 33
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQA6N90C-F109 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA6N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 198
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 198
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA6N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 198
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 198
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQA65N20 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA65N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 65
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA65N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 65
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQA8N100C |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA8N100C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 225
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FQA8N100C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 225
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FQA170N06 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA170N06 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 60 V, 170 A, 0.0056 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA170N06 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 60 V, 170 A, 0.0056 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQA90N15-F109 |
товар відсутній
FQA27N25 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.083 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 27
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 210
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 210
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.083 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 27
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 210
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 210
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQA44N30 |
товар відсутній
FQA8N90C-F109 |
товар відсутній