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FDP075N15A-F102 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP075N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 6250 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74ACT32SC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74ACT32SC - OR-Gatter, 74ACT32, 2 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: OR-Gatter Logik-IC-Familie: 74ACT Anzahl der Elemente: Vier Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74ACT32 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N6284G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N6284G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, TO-3, 2 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 160W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 20A Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N6288G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N6288G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 7 A, 40 W, TO-220AB, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 30 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 40 Übergangsfrequenz ft: 4 Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 7 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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2N6287G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N6287G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 20 A, 160 W, TO-3, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 100 MSL: - Verlustleistung Pd: 160 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 20 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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2N6292G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N6292G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 70 V, 7 A, 40 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2.3hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N6286G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N6286G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 40 A, 160 W, TO-3, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 100 Verlustleistung Pd: 160 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 40 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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NCP1392BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1392BDR2G - MOSFET-Treiber, 16V Versorgungsspannung, 1A Ausgangsspannung, SOIC-8Sinkstrom: 1 Treiberkonfiguration: Halbbrücke Leistungsschalter: MOSFET Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: - Quellstrom: 500 Spitzenausgangsstrom: 1 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 16 Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: - Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NCP1392DDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 500mA Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 40ns Ausgabeverzögerung: 20ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1392DDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 500mA Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 40ns Ausgabeverzögerung: 20ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NDS8434 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 6.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 700 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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NDS8434 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 6.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 700 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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NSI45025AT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSI45025AT1G - LED-Treiber, linear, 0V bis 45Vin, 1 Ausgang, 1MHz Schaltfrequenz, 25mAout, SOD-123-2tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123 MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Eingangsspannung, max.: 45V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 25mA Eingangsspannung, min.: 0V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSI45030T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSI45030T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 30mAout, SOD-123-2tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Eingangsspannung, max.: 45V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 30mA Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSI45025T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSI45025T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 25mAout, SOD-123-2tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Eingangsspannung, max.: 45V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 25mA Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NSI45035JZT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSI45035JZT1G - LED-Treiber, 45Vin, 1 Ausgang, 70mAout, SOT-223-3tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Eingangsspannung, max.: 45V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 70mA Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSI45030T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSI45030T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 30mAout, SOD-123-2tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Eingangsspannung, max.: 45V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 30mA Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSI45025T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSI45025T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 25mAout, SOD-123-2tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Eingangsspannung, max.: 45V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 25mA Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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ADP3110AKRZ-RL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ADP3110AKRZ-RL - MOSFET-Treiber, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.6V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 13.2V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 25ns Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ADP3110AKCPZ-RL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ADP3110AKCPZ-RL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, 1Aout, 20ns Verzögerung, DFN-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DFN Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.6V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 13.2V Eingabeverzögerung: 40ns Ausgabeverzögerung: 20ns Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ADP3110AKCPZ-RL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ADP3110AKCPZ-RL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, 1Aout, 20ns Verzögerung, DFN-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DFN Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.6V euEccn: NLR Bauform - Treiber: DFN Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 13.2V Eingabeverzögerung: 40ns Ausgabeverzögerung: 20ns Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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H11N1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - H11N1 - Optokoppler, 1 Kanal, 7.5 kV, DIP, 6 Pin(s)tariffCode: 85414900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 6Pin(s) Isolationsspannung: 7.5kV euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: DIP rohsPhthalatesCompliant: YES Übertragungsrate: - usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS4435BZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 38605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SS18 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS18 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 850 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 40A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 850mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SS18 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 80V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 23258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SS18 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS18 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 850 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 40A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 850mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SS18 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 80V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 23258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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J175-D26Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J175-D26Z - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -60 mA, 6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -60mA MSL: - usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -7mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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J109 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J109 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 40 mA, -6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -6V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 13996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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J112 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J112 - JFET-Transistor, -35 V, -5 V, TO-92, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 15717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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J113 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J113 - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 54135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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J113-D74Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J113-D74Z - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSVJ5908DSG5T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: MCPH Anzahl der Pins: 5 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSVJ3910SB3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: CPH Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SK2394-6-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SK2394-6-TB-E - JFET-Transistor, 15 V, 20 mA, 1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CPH6904-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH6904-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.2 V, SC-74, 6 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.2V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCS20166SN2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20166SN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 10 MHz, 6 V/µs, 3V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 6V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz Eingangsoffsetspannung: 50µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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D45VH10G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - D45VH10G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 15 A, 83 W, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX79-C6V2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 6.2V SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 7982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SB160 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB160 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 700 mVBauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassspannung Vf max.: 700 Diodenkonfiguration: Einfach Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: SB Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30 Betriebstemperatur, max.: 125 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 60 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
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NLV74VHC139DTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV74VHC139DTR2G - DUAL 2-TO-4 DECODER/DEMULTIPLEXERMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
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BZX84C18LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C18LT1G - Zener-Diode, 18 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 18V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 42436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV21872DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV21874DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV21874DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCS21874DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCS21874DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV21872DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FNB81060T3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FNB81060T3 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.5 kV, SPM25-FAA, SPM8tariffCode: 85044090 productTraceability: No IPM-Baureihe: SPM8 rohsCompliant: Y-EX Isolationsspannung: 1.5kV euEccn: NLR hazardous: false Nennstrom (Ic/Id): - rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung (Vces / Vdss): - usEccn: EAR99 Bauform - IPM: SPM25-FAA Produktpalette: Motion SPM 8 Series SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAT54CXV3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAT54CXV3T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Barriere, 30 V, 200 mA, Zweifach, gemeinsame Kathode, SC-89, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-89 Durchlassstoßstrom: 600mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 800mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT54 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD817A300 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817A300 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 80% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX84C6V8LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C6V8LT1G - Zener-Diode, 6.8 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 6.8V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N5349BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5349BG - Zener-Diode, 12 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: 017AA rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N53 Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 12V SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 32641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TIP42G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP42G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 6 A, 2 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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TIP42BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP42BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TIP42AG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP42AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 7373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX79-C5V1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C5V1 - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 27355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N3442G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3442G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 117 W, TO-204AA, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 7.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 117 Übergangsfrequenz ft: 80 Bauform - Transistor: TO-204AA Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 2NXXXX Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
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BCP56-10T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 14577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCP56-16T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCP56T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SBCP56T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FDP075N15A-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP075N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 6250 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDP075N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 6250 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 343.84 грн |
| 10+ | 314.28 грн |
| 100+ | 284.71 грн |
| 500+ | 236.13 грн |
| 74ACT32SC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT32SC - OR-Gatter, 74ACT32, 2 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 74ACT32SC - OR-Gatter, 74ACT32, 2 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 42.07 грн |
| 28+ | 30.33 грн |
| 100+ | 25.68 грн |
| 2N6284G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6284G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 160W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N6284G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 160W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 452.83 грн |
| 10+ | 340.47 грн |
| 100+ | 275.41 грн |
| 2N6288G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6288G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 7 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 2N6288G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 7 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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| 2N6287G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6287G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 20 A, 160 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2N6287G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 20 A, 160 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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| 2N6292G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6292G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 70 V, 7 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2.3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N6292G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 70 V, 7 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2.3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 129.26 грн |
| 16+ | 55.76 грн |
| 2N6286G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6286G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 40 A, 160 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 160
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2N6286G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 40 A, 160 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 160
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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| NCP1392BDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1392BDR2G - MOSFET-Treiber, 16V Versorgungsspannung, 1A Ausgangsspannung, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Quellstrom: 500
Spitzenausgangsstrom: 1
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP1392BDR2G - MOSFET-Treiber, 16V Versorgungsspannung, 1A Ausgangsspannung, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Quellstrom: 500
Spitzenausgangsstrom: 1
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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| NCP1392DDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 147.00 грн |
| 10+ | 87.86 грн |
| 50+ | 70.97 грн |
| 100+ | 54.44 грн |
| 250+ | 45.77 грн |
| 500+ | 41.64 грн |
| NCP1392DDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 54.44 грн |
| 250+ | 45.77 грн |
| 500+ | 41.64 грн |
| NDS8434 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
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| NDS8434 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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| NSI45025AT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI45025AT1G - LED-Treiber, linear, 0V bis 45Vin, 1 Ausgang, 1MHz Schaltfrequenz, 25mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: 0V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSI45025AT1G - LED-Treiber, linear, 0V bis 45Vin, 1 Ausgang, 1MHz Schaltfrequenz, 25mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: 0V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.98 грн |
| 75+ | 11.41 грн |
| 100+ | 8.62 грн |
| 500+ | 6.98 грн |
| 1000+ | 6.17 грн |
| NSI45030T1G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI45030T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 30mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSI45030T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 30mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 30.84 грн |
| 40+ | 21.63 грн |
| 100+ | 16.64 грн |
| 500+ | 13.65 грн |
| 1000+ | 11.88 грн |
| NSI45025T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI45025T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 25mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSI45025T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 25mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
| NSI45035JZT1G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI45035JZT1G - LED-Treiber, 45Vin, 1 Ausgang, 70mAout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 70mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSI45035JZT1G - LED-Treiber, 45Vin, 1 Ausgang, 70mAout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 70mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 44.61 грн |
| 27+ | 31.43 грн |
| 100+ | 24.58 грн |
| NSI45030T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI45030T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 30mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSI45030T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 30mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.64 грн |
| 500+ | 13.65 грн |
| 1000+ | 11.88 грн |
| NSI45025T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI45025T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 25mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSI45025T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 25mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ADP3110AKRZ-RL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ADP3110AKRZ-RL - MOSFET-Treiber, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ADP3110AKRZ-RL - MOSFET-Treiber, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 36.41 грн |
| 34+ | 25.43 грн |
| 100+ | 19.77 грн |
| 500+ | 16.16 грн |
| 1000+ | 14.27 грн |
| 2500+ | 13.03 грн |
| ADP3110AKCPZ-RL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ADP3110AKCPZ-RL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, 1Aout, 20ns Verzögerung, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ADP3110AKCPZ-RL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, 1Aout, 20ns Verzögerung, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 57.45 грн |
| 21+ | 40.81 грн |
| 100+ | 32.02 грн |
| 500+ | 26.52 грн |
| ADP3110AKCPZ-RL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ADP3110AKCPZ-RL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, 1Aout, 20ns Verzögerung, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.6V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: DFN
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ADP3110AKCPZ-RL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.6V-13.2V Versorgungsspannung, 1Aout, 20ns Verzögerung, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.6V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: DFN
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 13.2V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 32.02 грн |
| 500+ | 26.52 грн |
| H11N1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - H11N1 - Optokoppler, 1 Kanal, 7.5 kV, DIP, 6 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 7.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
Description: ONSEMI - H11N1 - Optokoppler, 1 Kanal, 7.5 kV, DIP, 6 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 7.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 165.59 грн |
| 10+ | 161.36 грн |
| 25+ | 156.29 грн |
| 50+ | 141.21 грн |
| 100+ | 126.00 грн |
| FDS4435BZ | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 67.42 грн |
| 22+ | 39.12 грн |
| 100+ | 29.82 грн |
| 500+ | 22.83 грн |
| 1000+ | 19.62 грн |
| SS18 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS18 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS18
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SS18 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS18
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 23258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 54+ | 15.71 грн |
| 64+ | 13.26 грн |
| 100+ | 12.67 грн |
| 500+ | 11.22 грн |
| 1000+ | 9.85 грн |
| 5000+ | 9.34 грн |
| SS18 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS18 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS18
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SS18 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS18
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 23258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.67 грн |
| 500+ | 11.22 грн |
| 1000+ | 9.85 грн |
| 5000+ | 9.34 грн |
| J175-D26Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J175-D26Z - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -60 mA, 6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -60mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -7mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - J175-D26Z - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -60 mA, 6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -60mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -7mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 48.83 грн |
| 50+ | 30.58 грн |
| 100+ | 22.73 грн |
| 500+ | 17.26 грн |
| 1000+ | 15.64 грн |
| J109 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J109 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 40 mA, -6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - J109 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 40 mA, -6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 47.90 грн |
| 26+ | 33.12 грн |
| 100+ | 18.25 грн |
| 500+ | 14.36 грн |
| 1000+ | 11.30 грн |
| 5000+ | 10.72 грн |
| J112 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J112 - JFET-Transistor, -35 V, -5 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - J112 - JFET-Transistor, -35 V, -5 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 41.31 грн |
| 30+ | 28.39 грн |
| 100+ | 12.50 грн |
| 500+ | 11.14 грн |
| 1000+ | 9.27 грн |
| 5000+ | 8.26 грн |
| J113 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J113 - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - J113 - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 54135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 35.40 грн |
| 34+ | 25.60 грн |
| 100+ | 10.05 грн |
| 500+ | 9.02 грн |
| 1000+ | 7.60 грн |
| 5000+ | 6.86 грн |
| J113-D74Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J113-D74Z - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - J113-D74Z - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 40.55 грн |
| 34+ | 25.34 грн |
| 100+ | 12.33 грн |
| 500+ | 10.83 грн |
| 1000+ | 9.56 грн |
| NSVJ5908DSG5T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MCPH
Anzahl der Pins: 5 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MCPH
Anzahl der Pins: 5 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 42.41 грн |
| 100+ | 32.44 грн |
| 500+ | 26.75 грн |
| 1000+ | 22.01 грн |
| NSVJ3910SB3T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 56.43 грн |
| 50+ | 40.21 грн |
| 100+ | 27.46 грн |
| 500+ | 21.26 грн |
| 2SK2394-6-TB-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK2394-6-TB-E - JFET-Transistor, 15 V, 20 mA, 1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SK2394-6-TB-E - JFET-Transistor, 15 V, 20 mA, 1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 55.59 грн |
| 50+ | 43.09 грн |
| 100+ | 28.81 грн |
| 500+ | 20.63 грн |
| 1500+ | 17.16 грн |
| CPH6904-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6904-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.2 V, SC-74, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CPH6904-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.2 V, SC-74, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 77.05 грн |
| 17+ | 51.79 грн |
| 100+ | 34.72 грн |
| 500+ | 25.42 грн |
| 1000+ | 21.00 грн |
| NCS20166SN2T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20166SN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 10 MHz, 6 V/µs, 3V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 6V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz
Eingangsoffsetspannung: 50µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCS20166SN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 10 MHz, 6 V/µs, 3V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 6V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz
Eingangsoffsetspannung: 50µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 87.86 грн |
| 11+ | 77.22 грн |
| 50+ | 63.95 грн |
| 100+ | 53.27 грн |
| 250+ | 45.40 грн |
| 500+ | 42.36 грн |
| D45VH10G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - D45VH10G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 15 A, 83 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - D45VH10G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 15 A, 83 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 90.40 грн |
| 21+ | 41.14 грн |
| 100+ | 36.41 грн |
| BZX79-C6V2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BZX79-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 7982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 73+ | 11.66 грн |
| 109+ | 7.76 грн |
| 307+ | 2.75 грн |
| 500+ | 2.40 грн |
| 1000+ | 2.07 грн |
| 5000+ | 2.01 грн |
| SB160 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB160 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 700 mV
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassspannung Vf max.: 700
Diodenkonfiguration: Einfach
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SB
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 60
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - SB160 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 700 mV
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassspannung Vf max.: 700
Diodenkonfiguration: Einfach
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SB
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 60
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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| NLV74VHC139DTR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74VHC139DTR2G - DUAL 2-TO-4 DECODER/DEMULTIPLEXER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLV74VHC139DTR2G - DUAL 2-TO-4 DECODER/DEMULTIPLEXER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| BZX84C18LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C18LT1G - Zener-Diode, 18 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BZX84C18LT1G - Zener-Diode, 18 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 84+ | 10.14 грн |
| 146+ | 5.80 грн |
| 336+ | 2.52 грн |
| 1000+ | 2.19 грн |
| 15000+ | 1.01 грн |
| NCV21872DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 173.19 грн |
| 10+ | 119.97 грн |
| 50+ | 114.05 грн |
| 100+ | 99.63 грн |
| 250+ | 84.00 грн |
| 500+ | 76.03 грн |
| NCV21874DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 51.62 грн |
| 250+ | 44.17 грн |
| 500+ | 41.71 грн |
| NCV21874DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 100.53 грн |
| 12+ | 72.32 грн |
| 50+ | 64.21 грн |
| 100+ | 51.62 грн |
| 250+ | 44.17 грн |
| 500+ | 41.71 грн |
| NCS21874DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 108.14 грн |
| 11+ | 82.96 грн |
| 100+ | 53.90 грн |
| 500+ | 36.87 грн |
| 2500+ | 32.30 грн |
| NCS21874DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 53.90 грн |
| 500+ | 36.87 грн |
| 2500+ | 32.30 грн |
| NCV21872DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 99.63 грн |
| 250+ | 84.00 грн |
| 500+ | 76.03 грн |
| FNB81060T3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FNB81060T3 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.5 kV, SPM25-FAA, SPM8
tariffCode: 85044090
productTraceability: No
IPM-Baureihe: SPM8
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): -
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM25-FAA
Produktpalette: Motion SPM 8 Series
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FNB81060T3 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.5 kV, SPM25-FAA, SPM8
tariffCode: 85044090
productTraceability: No
IPM-Baureihe: SPM8
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): -
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM25-FAA
Produktpalette: Motion SPM 8 Series
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 509.43 грн |
| BAT54CXV3T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54CXV3T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Barriere, 30 V, 200 mA, Zweifach, gemeinsame Kathode, SC-89, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-89
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAT54CXV3T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Barriere, 30 V, 200 mA, Zweifach, gemeinsame Kathode, SC-89, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-89
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 55+ | 15.38 грн |
| 84+ | 10.14 грн |
| 139+ | 6.08 грн |
| 500+ | 3.99 грн |
| 1000+ | 3.19 грн |
| FOD817A300 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817A300 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 80%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FOD817A300 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 80%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 36.07 грн |
| 39+ | 21.97 грн |
| 100+ | 14.70 грн |
| BZX84C6V8LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C6V8LT1G - Zener-Diode, 6.8 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BZX84C6V8LT1G - Zener-Diode, 6.8 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 101+ | 8.42 грн |
| 264+ | 3.21 грн |
| 435+ | 1.94 грн |
| 1000+ | 1.64 грн |
| 1N5349BG | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5349BG - Zener-Diode, 12 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N5349BG - Zener-Diode, 12 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 32641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 21.88 грн |
| 53+ | 16.05 грн |
| 100+ | 14.02 грн |
| 500+ | 11.77 грн |
| 1000+ | 10.64 грн |
| 5000+ | 10.43 грн |
| TIP42G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP42G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 6 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - TIP42G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 6 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TIP42BG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP42BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - TIP42BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 107.29 грн |
| TIP42AG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP42AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - TIP42AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 119.12 грн |
| 15+ | 56.35 грн |
| 100+ | 50.18 грн |
| 500+ | 40.40 грн |
| 1000+ | 26.14 грн |
| 5000+ | 22.59 грн |
| BZX79-C5V1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C5V1 - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BZX79-C5V1 - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 27355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 59+ | 14.36 грн |
| 95+ | 8.96 грн |
| 223+ | 3.79 грн |
| 500+ | 3.13 грн |
| 1000+ | 2.24 грн |
| 5000+ | 1.81 грн |
| 2N3442G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3442G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 117 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 7.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 117
Übergangsfrequenz ft: 80
Bauform - Transistor: TO-204AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2N3442G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 117 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 7.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 117
Übergangsfrequenz ft: 80
Bauform - Transistor: TO-204AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCP56-10T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 42.16 грн |
| 33+ | 26.19 грн |
| 50+ | 23.49 грн |
| 200+ | 19.22 грн |
| 500+ | 13.90 грн |
| BCP56-16T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 46.97 грн |
| 50+ | 28.13 грн |
| 250+ | 18.76 грн |
| BCP56T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 49.42 грн |
| 50+ | 31.17 грн |
| 250+ | 20.36 грн |
| 1000+ | 12.63 грн |
| SBCP56T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SBCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 57.45 грн |
| 24+ | 35.48 грн |
| 50+ | 29.23 грн |
| 200+ | 21.26 грн |

































