| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NUP4114UCW1T2G | ONSEMI |
NUP4114UCW1T2G Protection diodes - arrays |
на замовлення 2148 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NUP4301MR6T1G | ONSEMI |
NUP4301MR6T1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NVD5C688NLT4G | ONSEMI |
NVD5C688NLT4G SMD N channel transistors |
на замовлення 1712 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NVF2955T1G | ONSEMI |
NVF2955T1G SMD P channel transistors |
на замовлення 710 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NVJD5121NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.25W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.212A On-state resistance: 1.6Ω Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3050 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVMFS5C426NAFT1G | ONSEMI |
NVMFS5C426NAFT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NVMFS6H800NLT1G | ONSEMI |
NVMFS6H800NLT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NVR4501NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23 Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Gate-source voltage: ±12V Drain current: 2.4A Gate charge: 6nC On-state resistance: 0.105Ω Power dissipation: 1.25W Pulsed drain current: 10A Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2336 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVR5124PLT1G | ONSEMI |
NVR5124PLT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 773 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NVR5198NLT1G | ONSEMI |
NVR5198NLT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 943 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NVTFS5116PLTAG | ONSEMI |
NVTFS5116PLTAG SMD P channel transistors |
на замовлення 1044 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NVTFS5116PLWFTAG | ONSEMI |
NVTFS5116PLWFTAG SMD P channel transistors |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NVTJD4001NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.272W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.18A On-state resistance: 1.5Ω Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2785 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NVTR4503NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23 Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Gate-source voltage: ±20V Drain current: 1.5A Gate charge: 7nC On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 0.73W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 112 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NZT560A | ONSEMI |
NZT560A NPN SMD transistors |
на замовлення 3345 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NZT605 | ONSEMI |
NZT605 NPN SMD Darlington transistors |
на замовлення 438 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NZT7053 | ONSEMI |
NZT7053 NPN SMD Darlington transistors |
на замовлення 3912 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PACDN042Y3R | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; unidirectional; SOT23; Ch: 2; reel,tape; ESD Number of channels: 2 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Version: ESD Semiconductor structure: unidirectional Type of diode: TVS array Max. off-state voltage: 5.5V Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 492 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PCA9306DTR2G | ONSEMI |
Category: Level translatorsDescription: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2 Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator Number of channels: 2 Case: TSSOP8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -55...125°C Supply voltage: 1...3.6V DC Number of outputs: 2 Number of inputs: 2 Kind of output: open drain Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1503 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PCA9306USG | ONSEMI |
Category: Level translatorsDescription: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2 Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator Number of channels: 2 Case: US8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -55...125°C Supply voltage: 1...3.6V DC Number of outputs: 2 Number of inputs: 2 Kind of output: open drain Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PN2222ABU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Type of transistor: NPN Case: TO92 Power dissipation: 0.625W Collector current: 0.6A Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Frequency: 300MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5046 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PN2222ATA | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Type of transistor: NPN Case: TO92 Formed Power dissipation: 0.625W Collector current: 0.6A Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Frequency: 300MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 546 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PN2222ATF | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Case: TO92 Formed Power dissipation: 0.625W Collector current: 0.6A Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Frequency: 300MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 229 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PN2907ATFR | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1904 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PZT2222AT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2312 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PZT2907AT1G | ONSEMI |
PZT2907AT1G PNP SMD transistors |
на замовлення 725 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PZT3904T1G | ONSEMI |
PZT3904T1G NPN SMD transistors |
на замовлення 485 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PZT651T1G | ONSEMI |
PZT651T1G NPN SMD transistors |
на замовлення 998 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PZT751T1G | ONSEMI |
PZT751T1G PNP SMD transistors |
на замовлення 997 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PZTA06 | ONSEMI |
PZTA06 NPN SMD transistors |
на замовлення 3332 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PZTA42T1G | ONSEMI |
PZTA42T1G NPN SMD transistors |
на замовлення 1197 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PZTA92T1G | ONSEMI |
PZTA92T1G PNP SMD transistors |
на замовлення 273 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| QED123 | ONSEMI |
QED123 IR LEDs |
на замовлення 336 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| QED123A4R0 | ONSEMI |
QED123A4R0 IR LEDs |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| QED223 | ONSEMI |
QED223 IR LEDs |
на замовлення 253 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| QED234 | ONSEMI |
QED234 IR LEDs |
на замовлення 98 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| QEE113 | ONSEMI |
QEE113 IR LEDs |
на замовлення 274 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| QEE123 | ONSEMI |
QEE123 IR LEDs |
на замовлення 21 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
QRD1114 | ONSEMI |
Category: PCB Photoelectric SensorsDescription: Sensor: photoelectric; diffuse-reflective; NPN; Usup: 5VDC; PCB Type of sensor: photoelectric Operation mode: diffuse-reflective Output configuration: NPN Supply voltage: 5V DC Mounting: PCB Body dimensions: 4.39x6.1x4.65mm Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 128 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
QSD123 | ONSEMI |
Category: PhototransistorsDescription: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 30V; 24° LED lens: black with IR filter Mounting: THT Type of photoelement: phototransistor Wavelength of peak sensitivity: 880nm LED diameter: 5mm Viewing angle: 24° Collector-emitter voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 603 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
QSD2030 | ONSEMI |
Category: PhotodiodesDescription: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 400÷1100nm; 40°; 1.3V; convex Mounting: THT Wavelength: 400...1100nm Wavelength of peak sensitivity: 880nm LED diameter: 5mm Operating voltage: 1.3V Viewing angle: 40° LED lens: transparent Front: convex Type of photoelement: photodiode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 471 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
QSD2030F | ONSEMI |
Category: PhotodiodesDescription: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 700÷1100nm; 20°; 1.3V; convex; black Mounting: THT Wavelength: 700...1100nm Wavelength of peak sensitivity: 880nm LED diameter: 5mm Operating voltage: 1.3V Viewing angle: 20° LED lens: black Front: convex Type of photoelement: photodiode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1966 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| QSE113 | ONSEMI |
QSE113 Phototransistors |
на замовлення 15 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
RB520S30T1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.6V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8879 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RB520S30T5G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.6V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13965 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RB521S30T1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.5V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15138 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RB751S40T1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 30mA Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.37V Max. forward impulse current: 0.5A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2892 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RB751V40T1G | ONSEMI |
RB751V40T1G SMD Schottky diodes |
на замовлення 7640 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| RFD12N06RLESM9A | ONSEMI |
RFD12N06RLESM9A SMD N channel transistors |
на замовлення 1438 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| RFD14N05LSM | ONSEMI |
RFD14N05LSM SMD N channel transistors |
на замовлення 114 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| RFD14N05LSM9A | ONSEMI |
RFD14N05LSM9A SMD N channel transistors |
на замовлення 1572 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| RFD14N05SM9A | ONSEMI |
RFD14N05SM9A SMD N channel transistors |
на замовлення 5033 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
RFD16N05LSM9A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 16A Power dissipation: 60W Case: DPAK On-state resistance: 56mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2201 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RFD16N06LESM9A | ONSEMI |
RFD16N06LESM9A SMD N channel transistors |
на замовлення 134 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
RFD3055LESM9A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 11A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.107Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1953 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RFP12N10L | ONSEMI |
RFP12N10L THT N channel transistors |
на замовлення 112 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
RFP50N06 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 131W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 62 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFP70N06 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 465 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RGF1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Capacitance: 8.5pF Case: SMA Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 30A Power dissipation: 1.76W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2726 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RHRG3060-F085 | ONSEMI |
RHRG3060-F085 THT universal diodes |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| NUP4114UCW1T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP4114UCW1T2G Protection diodes - arrays
NUP4114UCW1T2G Protection diodes - arrays
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.33 грн |
| 112+ | 10.48 грн |
| 308+ | 9.89 грн |
| NUP4301MR6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP4301MR6T1G Protection diodes - arrays
NUP4301MR6T1G Protection diodes - arrays
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.30 грн |
| 152+ | 7.71 грн |
| 417+ | 7.32 грн |
| NVD5C688NLT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVD5C688NLT4G SMD N channel transistors
NVD5C688NLT4G SMD N channel transistors
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.45 грн |
| 36+ | 86.02 грн |
| NVF2955T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVF2955T1G SMD P channel transistors
NVF2955T1G SMD P channel transistors
на замовлення 710 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.94 грн |
| 18+ | 67.24 грн |
| 49+ | 63.28 грн |
| NVJD5121NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.212A
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.212A
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.36 грн |
| 28+ | 11.09 грн |
| 100+ | 8.31 грн |
| 500+ | 7.51 грн |
| 1000+ | 7.02 грн |
| NVMFS5C426NAFT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVMFS5C426NAFT1G SMD N channel transistors
NVMFS5C426NAFT1G SMD N channel transistors
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 374.82 грн |
| 8+ | 164.13 грн |
| 20+ | 155.24 грн |
| NVMFS6H800NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVMFS6H800NLT1G SMD N channel transistors
NVMFS6H800NLT1G SMD N channel transistors
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 477.04 грн |
| 5+ | 275.87 грн |
| 12+ | 261.03 грн |
| NVR4501NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 2.4A
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 0.105Ω
Power dissipation: 1.25W
Pulsed drain current: 10A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 2.4A
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 0.105Ω
Power dissipation: 1.25W
Pulsed drain current: 10A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.31 грн |
| 10+ | 32.45 грн |
| 100+ | 20.27 грн |
| 500+ | 15.33 грн |
| 1000+ | 14.83 грн |
| NVR5124PLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVR5124PLT1G SMD P channel transistors
NVR5124PLT1G SMD P channel transistors
на замовлення 773 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.42 грн |
| 72+ | 16.41 грн |
| 197+ | 15.52 грн |
| NVR5198NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVR5198NLT1G SMD N channel transistors
NVR5198NLT1G SMD N channel transistors
на замовлення 943 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.65 грн |
| 85+ | 13.84 грн |
| 233+ | 13.05 грн |
| 1000+ | 13.04 грн |
| NVTFS5116PLTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVTFS5116PLTAG SMD P channel transistors
NVTFS5116PLTAG SMD P channel transistors
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.96 грн |
| 26+ | 46.18 грн |
| 70+ | 43.60 грн |
| NVTFS5116PLWFTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVTFS5116PLWFTAG SMD P channel transistors
NVTFS5116PLWFTAG SMD P channel transistors
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.38 грн |
| 18+ | 67.24 грн |
| 48+ | 64.27 грн |
| NVTJD4001NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.94 грн |
| 13+ | 24.95 грн |
| 15+ | 20.76 грн |
| 19+ | 16.22 грн |
| 26+ | 11.57 грн |
| 50+ | 9.29 грн |
| NVTR4503NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 1.5A
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.73W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 1.5A
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.73W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.36 грн |
| 17+ | 19.10 грн |
| 19+ | 16.22 грн |
| 25+ | 12.66 грн |
| 50+ | 10.18 грн |
| 100+ | 8.21 грн |
| 250+ | 6.82 грн |
| NZT560A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NZT560A NPN SMD transistors
NZT560A NPN SMD transistors
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.27 грн |
| 50+ | 23.63 грн |
| 137+ | 22.35 грн |
| NZT605 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NZT605 NPN SMD Darlington transistors
NZT605 NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 438 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.81 грн |
| 61+ | 19.48 грн |
| 165+ | 18.49 грн |
| NZT7053 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NZT7053 NPN SMD Darlington transistors
NZT7053 NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.79 грн |
| 66+ | 17.80 грн |
| 182+ | 16.81 грн |
| PACDN042Y3R |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; SOT23; Ch: 2; reel,tape; ESD
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Semiconductor structure: unidirectional
Type of diode: TVS array
Max. off-state voltage: 5.5V
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; SOT23; Ch: 2; reel,tape; ESD
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Semiconductor structure: unidirectional
Type of diode: TVS array
Max. off-state voltage: 5.5V
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 492 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.82 грн |
| 15+ | 20.74 грн |
| 25+ | 16.31 грн |
| 100+ | 11.67 грн |
| 500+ | 8.21 грн |
| 1000+ | 7.22 грн |
| 3000+ | 6.43 грн |
| PCA9306DTR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Case: TSSOP8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 1...3.6V DC
Number of outputs: 2
Number of inputs: 2
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Case: TSSOP8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 1...3.6V DC
Number of outputs: 2
Number of inputs: 2
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.89 грн |
| 10+ | 59.04 грн |
| 100+ | 51.12 грн |
| 250+ | 48.45 грн |
| PCA9306USG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Case: US8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 1...3.6V DC
Number of outputs: 2
Number of inputs: 2
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Case: US8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 1...3.6V DC
Number of outputs: 2
Number of inputs: 2
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.43 грн |
| 25+ | 63.25 грн |
| 100+ | 54.78 грн |
| 500+ | 46.67 грн |
| PN2222ABU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: NPN
Case: TO92
Power dissipation: 0.625W
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: NPN
Case: TO92
Power dissipation: 0.625W
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5046 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.36 грн |
| 18+ | 17.66 грн |
| 21+ | 14.44 грн |
| 100+ | 7.24 грн |
| 500+ | 4.98 грн |
| 1000+ | 4.88 грн |
| PN2222ATA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of transistor: NPN
Case: TO92 Formed
Power dissipation: 0.625W
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of transistor: NPN
Case: TO92 Formed
Power dissipation: 0.625W
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 546 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.36 грн |
| 38+ | 8.21 грн |
| 50+ | 6.41 грн |
| 100+ | 5.87 грн |
| 500+ | 4.86 грн |
| 1000+ | 4.51 грн |
| 2000+ | 4.45 грн |
| PN2222ATF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Case: TO92 Formed
Power dissipation: 0.625W
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Case: TO92 Formed
Power dissipation: 0.625W
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 229 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.36 грн |
| 19+ | 16.43 грн |
| 100+ | 8.90 грн |
| 200+ | 7.45 грн |
| 500+ | 5.96 грн |
| 1000+ | 5.13 грн |
| 2000+ | 4.58 грн |
| PN2907ATFR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.84 грн |
| 50+ | 6.26 грн |
| 100+ | 5.29 грн |
| 500+ | 4.79 грн |
| 2000+ | 4.20 грн |
| 4000+ | 4.03 грн |
| PZT2222AT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.66 грн |
| 12+ | 27.93 грн |
| 50+ | 19.78 грн |
| 100+ | 17.30 грн |
| 250+ | 14.83 грн |
| 500+ | 13.15 грн |
| 1000+ | 12.06 грн |
| PZT2907AT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
PZT2907AT1G PNP SMD transistors
PZT2907AT1G PNP SMD transistors
на замовлення 725 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.33 грн |
| 73+ | 16.02 грн |
| 201+ | 15.23 грн |
| 7000+ | 15.20 грн |
| PZT3904T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
PZT3904T1G NPN SMD transistors
PZT3904T1G NPN SMD transistors
на замовлення 485 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.70 грн |
| 102+ | 11.57 грн |
| 280+ | 10.88 грн |
| PZT651T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
PZT651T1G NPN SMD transistors
PZT651T1G NPN SMD transistors
на замовлення 998 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.49 грн |
| 58+ | 20.47 грн |
| 158+ | 19.38 грн |
| PZT751T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
PZT751T1G PNP SMD transistors
PZT751T1G PNP SMD transistors
на замовлення 997 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.19 грн |
| 91+ | 12.85 грн |
| 250+ | 12.16 грн |
| PZTA06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
PZTA06 NPN SMD transistors
PZTA06 NPN SMD transistors
на замовлення 3332 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.99 грн |
| 41+ | 28.99 грн |
| 112+ | 27.41 грн |
| 4000+ | 27.31 грн |
| PZTA42T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
PZTA42T1G NPN SMD transistors
PZTA42T1G NPN SMD transistors
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.68 грн |
| 114+ | 10.28 грн |
| 313+ | 9.79 грн |
| PZTA92T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
PZTA92T1G PNP SMD transistors
PZTA92T1G PNP SMD transistors
на замовлення 273 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.56 грн |
| 108+ | 10.88 грн |
| 297+ | 10.28 грн |
| QED123 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QED123 IR LEDs
QED123 IR LEDs
на замовлення 336 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.79 грн |
| 79+ | 14.93 грн |
| 216+ | 14.14 грн |
| QED123A4R0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QED123A4R0 IR LEDs
QED123A4R0 IR LEDs
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.74 грн |
| 53+ | 22.15 грн |
| 146+ | 20.86 грн |
| QED223 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QED223 IR LEDs
QED223 IR LEDs
на замовлення 253 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.96 грн |
| 86+ | 13.74 грн |
| 236+ | 12.95 грн |
| QED234 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QED234 IR LEDs
QED234 IR LEDs
на замовлення 98 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.59 грн |
| 113+ | 10.38 грн |
| 309+ | 9.89 грн |
| QEE113 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QEE113 IR LEDs
QEE113 IR LEDs
на замовлення 274 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.44 грн |
| 50+ | 23.43 грн |
| 138+ | 22.15 грн |
| QEE123 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QEE123 IR LEDs
QEE123 IR LEDs
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.05 грн |
| 26+ | 45.98 грн |
| 71+ | 43.51 грн |
| QRD1114 | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PCB Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; diffuse-reflective; NPN; Usup: 5VDC; PCB
Type of sensor: photoelectric
Operation mode: diffuse-reflective
Output configuration: NPN
Supply voltage: 5V DC
Mounting: PCB
Body dimensions: 4.39x6.1x4.65mm
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PCB Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; diffuse-reflective; NPN; Usup: 5VDC; PCB
Type of sensor: photoelectric
Operation mode: diffuse-reflective
Output configuration: NPN
Supply voltage: 5V DC
Mounting: PCB
Body dimensions: 4.39x6.1x4.65mm
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.71 грн |
| 5+ | 113.97 грн |
| 10+ | 108.76 грн |
| QSD123 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 30V; 24°
LED lens: black with IR filter
Mounting: THT
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Viewing angle: 24°
Collector-emitter voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 30V; 24°
LED lens: black with IR filter
Mounting: THT
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Viewing angle: 24°
Collector-emitter voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 603 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.40 грн |
| 12+ | 25.67 грн |
| 25+ | 18.59 грн |
| 50+ | 16.12 грн |
| QSD2030 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 400÷1100nm; 40°; 1.3V; convex
Mounting: THT
Wavelength: 400...1100nm
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Operating voltage: 1.3V
Viewing angle: 40°
LED lens: transparent
Front: convex
Type of photoelement: photodiode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 400÷1100nm; 40°; 1.3V; convex
Mounting: THT
Wavelength: 400...1100nm
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Operating voltage: 1.3V
Viewing angle: 40°
LED lens: transparent
Front: convex
Type of photoelement: photodiode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 471 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.88 грн |
| 15+ | 21.46 грн |
| 25+ | 18.29 грн |
| 100+ | 15.42 грн |
| 250+ | 13.74 грн |
| 1000+ | 13.25 грн |
| QSD2030F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 700÷1100nm; 20°; 1.3V; convex; black
Mounting: THT
Wavelength: 700...1100nm
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Operating voltage: 1.3V
Viewing angle: 20°
LED lens: black
Front: convex
Type of photoelement: photodiode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 700÷1100nm; 20°; 1.3V; convex; black
Mounting: THT
Wavelength: 700...1100nm
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Operating voltage: 1.3V
Viewing angle: 20°
LED lens: black
Front: convex
Type of photoelement: photodiode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.05 грн |
| 10+ | 37.58 грн |
| 25+ | 29.17 грн |
| 50+ | 24.22 грн |
| 100+ | 21.06 грн |
| QSE113 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QSE113 Phototransistors
QSE113 Phototransistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.45 грн |
| 35+ | 33.72 грн |
| 96+ | 31.84 грн |
| RB520S30T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8879 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.52 грн |
| 55+ | 5.65 грн |
| 79+ | 3.76 грн |
| 100+ | 3.19 грн |
| 500+ | 2.20 грн |
| 1000+ | 1.89 грн |
| 3000+ | 1.49 грн |
| RB520S30T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13965 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.52 грн |
| 67+ | 4.62 грн |
| 89+ | 3.36 грн |
| 113+ | 2.64 грн |
| 500+ | 1.83 грн |
| 1000+ | 1.59 грн |
| 2000+ | 1.38 грн |
| RB521S30T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15138 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 7.45 грн |
| 58+ | 5.34 грн |
| 79+ | 3.76 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 500+ | 2.23 грн |
| 1000+ | 1.93 грн |
| 1500+ | 1.76 грн |
| RB751S40T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.52 грн |
| 44+ | 7.08 грн |
| 67+ | 4.43 грн |
| 100+ | 3.56 грн |
| 500+ | 2.32 грн |
| 1000+ | 2.04 грн |
| RB751V40T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RB751V40T1G SMD Schottky diodes
RB751V40T1G SMD Schottky diodes
на замовлення 7640 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 10.12 грн |
| 540+ | 2.18 грн |
| 1485+ | 2.05 грн |
| RFD12N06RLESM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RFD12N06RLESM9A SMD N channel transistors
RFD12N06RLESM9A SMD N channel transistors
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.10 грн |
| 22+ | 54.48 грн |
| 60+ | 51.51 грн |
| 250+ | 51.44 грн |
| RFD14N05LSM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RFD14N05LSM SMD N channel transistors
RFD14N05LSM SMD N channel transistors
на замовлення 114 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.02 грн |
| 26+ | 46.18 грн |
| 70+ | 43.60 грн |
| RFD14N05LSM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RFD14N05LSM9A SMD N channel transistors
RFD14N05LSM9A SMD N channel transistors
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.90 грн |
| 10+ | 54.73 грн |
| 34+ | 35.30 грн |
| 92+ | 33.42 грн |
| RFD14N05SM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RFD14N05SM9A SMD N channel transistors
RFD14N05SM9A SMD N channel transistors
на замовлення 5033 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.96 грн |
| 29+ | 41.13 грн |
| 79+ | 38.86 грн |
| 2500+ | 38.81 грн |
| RFD16N05LSM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.96 грн |
| 5+ | 76.39 грн |
| 10+ | 66.05 грн |
| 50+ | 53.39 грн |
| RFD16N06LESM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RFD16N06LESM9A SMD N channel transistors
RFD16N06LESM9A SMD N channel transistors
на замовлення 134 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.18 грн |
| 11+ | 109.75 грн |
| 30+ | 103.82 грн |
| 100+ | 103.71 грн |
| RFD3055LESM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.53 грн |
| 10+ | 32.14 грн |
| 25+ | 30.85 грн |
| RFP12N10L | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RFP12N10L THT N channel transistors
RFP12N10L THT N channel transistors
на замовлення 112 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.74 грн |
| 10+ | 72.90 грн |
| 21+ | 56.36 грн |
| 58+ | 53.39 грн |
| RFP50N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.30 грн |
| 10+ | 106.79 грн |
| 50+ | 104.81 грн |
| RFP70N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 465 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.36 грн |
| 50+ | 124.24 грн |
| RGF1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.30 грн |
| 1000+ | 14.99 грн |
| RHRG3060-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RHRG3060-F085 THT universal diodes
RHRG3060-F085 THT universal diodes
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 290.70 грн |
| 7+ | 177.98 грн |
| 19+ | 169.08 грн |





















