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FDS5351 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSR57 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSR57 - JFET-Transistor, 40 V, 20 mA, 100 mA, 6 V, SOT-23, JFETBetriebstemperatur, max.: 150 |
товару немає в наявності |
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BSR57 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSR57 - JFET-Transistor, 40 V, 20 mA, 100 mA, 6 V, SOT-23, JFETMSL: MSL 1 - unbegrenzt Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20 Durchbruchspannung Vbr: 40 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 100 Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 6 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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BC557ATA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC557ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV3066DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV3066DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost, Buck, invertierend, 3V-40Vin, 150kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 40V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 300kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 1.5A Eingangsspannung, min.: 3V Topologie: Boost, Buck, invertierend Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
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NCV3066DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV3066DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost, Buck, invertierend, 3V-40Vin, 150kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 40V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 300kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 1.5A Eingangsspannung, min.: 3V Topologie: Boost, Buck, invertierend Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NCP3066DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP3066DR2G - LED-Treiber, Boost, Buck, Inverting, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 40V/1.5Aout, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 40V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 250kHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 1.5A Eingangsspannung, min.: 3V Topologie: Boost, Buck, invertierend Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PN2222ATA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2222ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PN2907ABU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2907ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV317LBDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV317LBDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbare Vout, AEC-Q100, 4.2V bis 40Vin, 1.2V bis 37V/100mAout, SOIC-8Ausgang: Einstellbar Feste Ausgangsspannung, nom.: - Ausgangsstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 37 Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2 Eingangsspannung, max.: 40 Bauform - Linearregler: SOIC Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Adj 100mA Linear Voltage Regulators Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SRDA05-4R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SRDA05-4R2G - ESD-Schutzbaustein, 12 V, SOIC, 8 Pin(s), 5 VtariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOIC rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SRDA05-4R2G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SRDA05-4R2G. - TVS DIODE, 500W, 6V, SOIC, FULL REEL Durchbruchspannung, max.: 6 TVS-Polarität: Unidirectional Durchbruchspannung, min.: - Anzahl der Pins: 8 Bauform - Diode: SOIC Begrenzungsspannung Vc, max.: 13.6 Spitzenimpulsverlustleistung: 500 Sperrspannung Vrwm: 8 Produktpalette: SRDA Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NUP2114UPXV5T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP2114UPXV5T1G - ESD-Schutzbaustein, 12 V, SOT-553, 5 Pin(s), 5 V, NUP2114 SeriestariffCode: 85363010 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 5Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: SOT-553 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V Betriebsspannung: 5V rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: - usEccn: EAR99 Produktpalette: NUP2114 Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DVK-SIP-SFEU-1-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DVK-SIP-SFEU-1-GEVK - Development Kit, AX-SIP-SFEU Sigfox IoT-Modul, Miniatur-Grundfläche von 15mm x 27mm Prozessorkern: AX-SIP-SFEU-1-01-TX30 Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Sigfox-Development Kit AX-SIP-SFEU-1-01-TX30 Unterart Anwendung: HF-Transceiver Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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DVK-SIP-SFEU-API-1-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DVK-SIP-SFEU-API-1-GEVK - Development Kit, AX-SIP-SFEU-API Sigfox IoT-Modul, Miniatur-Grundfläche: 15mm x 27mm, programmierbar Prozessorkern: AX-SIP-SFEU-API-1-01-TX30 Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Sigfox-Development Kit AX-SIP-SFEU-API-1-01-TX30, AXDBG-2-GEVK Debugger Unterart Anwendung: HF-Transceiver Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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NCP1607BDR2G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1607BDR2G. - IC, PFC-Controller, Leistungsfaktor Eins, -300mV-20V & 2.1mA Versorgung, -300mV Abschaltung, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: 70kHz Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Schaltfrequenz, min.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: -300mV euEccn: NLR Frequenzmodus: - PFC-Betriebsmodus: CrCM - Critical Conduction Mode Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Steuer-/Bedienmodus: Spannung productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N5822RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5822RLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 525 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 525mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4934G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4934G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 200ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4937RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4937RLG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 200ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: 1N4937 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 63871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4934RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4934RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 200ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4936RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4936RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 300 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AL Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 300ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 5288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4933RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4933RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 300 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AL Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 300ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 5973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4936G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4936G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 ABauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassspannung Vf max.: 1.2 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 200 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 400 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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1N4447 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4447 - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 ABauform - Diode: DO-35 Durchlassspannung Vf max.: 1 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 4 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 1N4447 Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 4 Betriebstemperatur, max.: 175 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 75 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
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NCV2003SN2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV2003SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 1 Kanäle, 7 MHz, 8 V/µs, 1.7V bis 5.5V, SOT-23tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.7V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 8V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 7MHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BDX54CG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BDX54CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 8 A, 65 W, TO-220, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 750 MSL: - Verlustleistung Pd: 65 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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BDX54BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BDX54BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 65 W, TO-220AB, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 750 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 65 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQS4900TF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQS4900TF - DUAL N & P CHANNEL, LOGIC LEVEL MOSFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NCP1091DRG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1091DRG - Power over Ethernet (PoE)-Controller, 57V Eingangsspannung, 31V UVLO, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: - PoE-Standard: IEEE 802.3af isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Tastverhältnis (%): - Leistung, max.: 15W Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Eingangsspannung: 57V Ausgangsstrom, max.: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) UVLO: 31V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code PoE-Controller: PD-Controller Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HGTG30N60A4D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTG30N60A4D - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 463W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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GBU4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU4G - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU4G productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GBU4B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU4B - BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 4A, 100V THOUGH HOLEtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Through Hole Anzahl der Phasen: Single Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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GBU4J | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU4J - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU4J productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GBU4D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU4D - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU4D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDC658AP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 43286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BS170"D27Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92tariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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BC546ABU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC546ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC548BTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC548BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC546CTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC546CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC546C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TIP41AG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP41AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TIP41BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP41BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CAT9532YI-T2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT9532YI-T2 - LED-Treiber, 16 Ausgänge, 2.3V bis 5.5Vin, 25mAout, TSSOP-24tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 400kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 25mA Eingangsspannung, min.: 2.3V Topologie: - Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS35 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS35 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 120 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS35 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 120V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS35 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS35 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 120 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS35 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 120V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS31 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS31 - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 90 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 1 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 90V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 23389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP3065DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP3065DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Buck, Boost, 3V-40Vin, 250kHz Schaltfrequenz,1.5Aout, SOIC-8tariffCode: 85044095 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 250kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 1.5A Eingangsspannung, min.: 3V Topologie: Boost, Buck Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NDT014L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.16 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85331000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 10709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NDP6060L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP6060L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NDP7060 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP7060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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NDC7001C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDC7001C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 700mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 700mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 31138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NDP6060 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NDS9948 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 AtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NDS9945. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS9945. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NDP6020P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP6020P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 24 A, 0.041 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 Verlustleistung Pd: 60 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 700 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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NDP7060.. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP7060.. - N CHANNEL MOSFET, 60V, 75A, TO-220Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.8 SVHC: Lead |
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NDB6060L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDB6060L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.02 ohm, TO-263AB, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 48 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 100 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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NDS351N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS351N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.135 ohm, SuperSOT, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 1.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.6 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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NDP7060. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP7060. - MOSFET, DRAIN-SOURCE-SPANNUNG, 60VTransistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.8 SVHC: Lead |
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NCV321SN3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV321SN3T1G - Operationsverstärker, RRO, 1 Kanäle, 1 MHz, 1 V/µs, 2.7V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 1V/µs Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz Eingangsoffsetspannung: 1.7mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1nA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BDX53CG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BDX53CG - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 65 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 6596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDS5351 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 73.57 грн |
| 15+ | 61.38 грн |
| 100+ | 39.03 грн |
| 500+ | 25.91 грн |
| 1000+ | 20.67 грн |
| BSR57 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSR57 - JFET-Transistor, 40 V, 20 mA, 100 mA, 6 V, SOT-23, JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
Description: ONSEMI - BSR57 - JFET-Transistor, 40 V, 20 mA, 100 mA, 6 V, SOT-23, JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
товару немає в наявності
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| BSR57 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSR57 - JFET-Transistor, 40 V, 20 mA, 100 mA, 6 V, SOT-23, JFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20
Durchbruchspannung Vbr: 40
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 100
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 6
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - BSR57 - JFET-Transistor, 40 V, 20 mA, 100 mA, 6 V, SOT-23, JFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20
Durchbruchspannung Vbr: 40
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 100
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 6
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| BC557ATA |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC557ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC557ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 22.87 грн |
| 62+ | 14.40 грн |
| 100+ | 9.36 грн |
| 500+ | 6.45 грн |
| 1000+ | 5.00 грн |
| NCV3066DR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV3066DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost, Buck, invertierend, 3V-40Vin, 150kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 300kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck, invertierend
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV3066DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost, Buck, invertierend, 3V-40Vin, 150kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 300kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck, invertierend
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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| NCV3066DR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV3066DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost, Buck, invertierend, 3V-40Vin, 150kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 300kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck, invertierend
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV3066DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost, Buck, invertierend, 3V-40Vin, 150kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 300kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck, invertierend
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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| NCP3066DR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3066DR2G - LED-Treiber, Boost, Buck, Inverting, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 40V/1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck, invertierend
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP3066DR2G - LED-Treiber, Boost, Buck, Inverting, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 40V/1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck, invertierend
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 225.20 грн |
| 10+ | 142.19 грн |
| 50+ | 120.99 грн |
| 100+ | 89.39 грн |
| 250+ | 71.69 грн |
| PN2222ATA |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2222ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - PN2222ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 25.70 грн |
| 56+ | 15.90 грн |
| 100+ | 9.89 грн |
| 500+ | 6.83 грн |
| 1000+ | 5.57 грн |
| PN2907ABU |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2907ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - PN2907ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 26.23 грн |
| 55+ | 16.34 грн |
| 100+ | 10.24 грн |
| 500+ | 6.99 грн |
| 1000+ | 5.15 грн |
| 5000+ | 4.28 грн |
| NCV317LBDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV317LBDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbare Vout, AEC-Q100, 4.2V bis 40Vin, 1.2V bis 37V/100mAout, SOIC-8
Ausgang: Einstellbar
Feste Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 37
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2
Eingangsspannung, max.: 40
Bauform - Linearregler: SOIC
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Adj 100mA Linear Voltage Regulators
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCV317LBDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbare Vout, AEC-Q100, 4.2V bis 40Vin, 1.2V bis 37V/100mAout, SOIC-8
Ausgang: Einstellbar
Feste Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 37
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2
Eingangsspannung, max.: 40
Bauform - Linearregler: SOIC
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Adj 100mA Linear Voltage Regulators
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 44.86 грн |
| 25+ | 35.41 грн |
| 100+ | 26.32 грн |
| 500+ | 16.07 грн |
| 2500+ | 13.40 грн |
| SRDA05-4R2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SRDA05-4R2G - ESD-Schutzbaustein, 12 V, SOIC, 8 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SRDA05-4R2G - ESD-Schutzbaustein, 12 V, SOIC, 8 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 55.99 грн |
| 19+ | 48.93 грн |
| 100+ | 44.25 грн |
| 500+ | 40.59 грн |
| 1000+ | 37.09 грн |
| SRDA05-4R2G. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SRDA05-4R2G. - TVS DIODE, 500W, 6V, SOIC, FULL REEL
Durchbruchspannung, max.: 6
TVS-Polarität: Unidirectional
Durchbruchspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8
Bauform - Diode: SOIC
Begrenzungsspannung Vc, max.: 13.6
Spitzenimpulsverlustleistung: 500
Sperrspannung Vrwm: 8
Produktpalette: SRDA Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - SRDA05-4R2G. - TVS DIODE, 500W, 6V, SOIC, FULL REEL
Durchbruchspannung, max.: 6
TVS-Polarität: Unidirectional
Durchbruchspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8
Bauform - Diode: SOIC
Begrenzungsspannung Vc, max.: 13.6
Spitzenimpulsverlustleistung: 500
Sperrspannung Vrwm: 8
Produktpalette: SRDA Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NUP2114UPXV5T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP2114UPXV5T1G - ESD-Schutzbaustein, 12 V, SOT-553, 5 Pin(s), 5 V, NUP2114 Series
tariffCode: 85363010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOT-553
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Betriebsspannung: 5V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: NUP2114 Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NUP2114UPXV5T1G - ESD-Schutzbaustein, 12 V, SOT-553, 5 Pin(s), 5 V, NUP2114 Series
tariffCode: 85363010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOT-553
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Betriebsspannung: 5V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: NUP2114 Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 30.20 грн |
| 77+ | 11.57 грн |
| 100+ | 9.89 грн |
| 500+ | 8.77 грн |
| 1000+ | 8.02 грн |
| 5000+ | 7.65 грн |
| DVK-SIP-SFEU-1-GEVK |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DVK-SIP-SFEU-1-GEVK - Development Kit, AX-SIP-SFEU Sigfox IoT-Modul, Miniatur-Grundfläche von 15mm x 27mm
Prozessorkern: AX-SIP-SFEU-1-01-TX30
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Sigfox-Development Kit AX-SIP-SFEU-1-01-TX30
Unterart Anwendung: HF-Transceiver
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - DVK-SIP-SFEU-1-GEVK - Development Kit, AX-SIP-SFEU Sigfox IoT-Modul, Miniatur-Grundfläche von 15mm x 27mm
Prozessorkern: AX-SIP-SFEU-1-01-TX30
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Sigfox-Development Kit AX-SIP-SFEU-1-01-TX30
Unterart Anwendung: HF-Transceiver
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| DVK-SIP-SFEU-API-1-GEVK |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DVK-SIP-SFEU-API-1-GEVK - Development Kit, AX-SIP-SFEU-API Sigfox IoT-Modul, Miniatur-Grundfläche: 15mm x 27mm, programmierbar
Prozessorkern: AX-SIP-SFEU-API-1-01-TX30
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Sigfox-Development Kit AX-SIP-SFEU-API-1-01-TX30, AXDBG-2-GEVK Debugger
Unterart Anwendung: HF-Transceiver
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - DVK-SIP-SFEU-API-1-GEVK - Development Kit, AX-SIP-SFEU-API Sigfox IoT-Modul, Miniatur-Grundfläche: 15mm x 27mm, programmierbar
Prozessorkern: AX-SIP-SFEU-API-1-01-TX30
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Sigfox-Development Kit AX-SIP-SFEU-API-1-01-TX30, AXDBG-2-GEVK Debugger
Unterart Anwendung: HF-Transceiver
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| NCP1607BDR2G. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1607BDR2G. - IC, PFC-Controller, Leistungsfaktor Eins, -300mV-20V & 2.1mA Versorgung, -300mV Abschaltung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Frequenzmodus: -
PFC-Betriebsmodus: CrCM - Critical Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Spannung
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCP1607BDR2G. - IC, PFC-Controller, Leistungsfaktor Eins, -300mV-20V & 2.1mA Versorgung, -300mV Abschaltung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Frequenzmodus: -
PFC-Betriebsmodus: CrCM - Critical Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Spannung
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 55.11 грн |
| 23+ | 38.95 грн |
| 1N5822RLG | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5822RLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 525 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 525mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 1N5822RLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 525 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 525mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 57.85 грн |
| 22+ | 40.18 грн |
| 100+ | 31.97 грн |
| 500+ | 22.80 грн |
| 1N4934G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4934G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 200ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4934G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 200ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 93+ | 9.54 грн |
| 135+ | 6.57 грн |
| 197+ | 4.50 грн |
| 500+ | 3.29 грн |
| 1000+ | 2.60 грн |
| 1N4937RLG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4937RLG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 200ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: 1N4937
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4937RLG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 200ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: 1N4937
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 63871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 58+ | 15.45 грн |
| 102+ | 8.71 грн |
| 109+ | 8.11 грн |
| 500+ | 5.85 грн |
| 1000+ | 4.28 грн |
| 2500+ | 4.20 грн |
| 1N4934RLG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4934RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 200ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4934RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 200ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 61+ | 14.48 грн |
| 91+ | 9.80 грн |
| 111+ | 8.03 грн |
| 500+ | 5.04 грн |
| 1000+ | 3.68 грн |
| 1N4936RLG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4936RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 300 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4936RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 300 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 14.40 грн |
| 97+ | 9.18 грн |
| 109+ | 8.12 грн |
| 500+ | 5.73 грн |
| 1000+ | 4.20 грн |
| 5000+ | 2.97 грн |
| 1N4933RLG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4933RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 300 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4933RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 300 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 53+ | 16.78 грн |
| 77+ | 11.57 грн |
| 100+ | 8.83 грн |
| 500+ | 5.61 грн |
| 1000+ | 4.34 грн |
| 5000+ | 3.32 грн |
| 1N4936G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4936G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassspannung Vf max.: 1.2
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 200
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 400
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 1N4936G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassspannung Vf max.: 1.2
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 200
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 400
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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| 1N4447 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4447 - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
Bauform - Diode: DO-35
Durchlassspannung Vf max.: 1
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 4
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 1N4447
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 4
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 75
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - 1N4447 - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
Bauform - Diode: DO-35
Durchlassspannung Vf max.: 1
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 4
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 1N4447
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 4
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 75
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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| NCV2003SN2T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV2003SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 1 Kanäle, 7 MHz, 8 V/µs, 1.7V bis 5.5V, SOT-23
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.7V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 8V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 7MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV2003SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 1 Kanäle, 7 MHz, 8 V/µs, 1.7V bis 5.5V, SOT-23
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.7V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 8V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 7MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 58.38 грн |
| 22+ | 41.77 грн |
| 100+ | 32.85 грн |
| BDX54CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDX54CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 8 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
MSL: -
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BDX54CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 8 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
MSL: -
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BDX54BG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDX54BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 65 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BDX54BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 65 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 55.64 грн |
| FQS4900TF |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQS4900TF - DUAL N & P CHANNEL, LOGIC LEVEL MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQS4900TF - DUAL N & P CHANNEL, LOGIC LEVEL MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NCP1091DRG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1091DRG - Power over Ethernet (PoE)-Controller, 57V Eingangsspannung, 31V UVLO, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 15W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: 31V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP1091DRG - Power over Ethernet (PoE)-Controller, 57V Eingangsspannung, 31V UVLO, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 15W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: 31V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 101.56 грн |
| 12+ | 73.65 грн |
| 50+ | 66.77 грн |
| 100+ | 52.16 грн |
| 250+ | 45.19 грн |
| 500+ | 43.37 грн |
| 1000+ | 38.68 грн |
| 2500+ | 37.92 грн |
| HGTG30N60A4D | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60A4D - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - HGTG30N60A4D - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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| GBU4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU4G - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU4G
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - GBU4G - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU4G
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 183.69 грн |
| 11+ | 83.10 грн |
| 100+ | 63.67 грн |
| 500+ | 54.62 грн |
| GBU4B |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU4B - BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 4A, 100V THOUGH HOLE
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Through Hole
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - GBU4B - BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 4A, 100V THOUGH HOLE
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Through Hole
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| GBU4J |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU4J - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU4J
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - GBU4J - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU4J
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 219.02 грн |
| 12+ | 78.86 грн |
| 100+ | 74.01 грн |
| 500+ | 68.47 грн |
| GBU4D |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU4D - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU4D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - GBU4D - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU4D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 173.98 грн |
| 10+ | 98.91 грн |
| 100+ | 75.95 грн |
| FDC658AP |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 43286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 69.59 грн |
| 50+ | 47.34 грн |
| 100+ | 31.53 грн |
| 500+ | 22.47 грн |
| 1500+ | 18.62 грн |
| BS170"D27Z |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BC546ABU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC546ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC546ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 22.87 грн |
| 65+ | 13.69 грн |
| 107+ | 8.28 грн |
| 500+ | 5.23 грн |
| 1000+ | 4.00 грн |
| 5000+ | 3.70 грн |
| BC548BTA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC548BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC548BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 22.96 грн |
| 62+ | 14.31 грн |
| 100+ | 8.92 грн |
| 500+ | 6.15 грн |
| 1000+ | 4.99 грн |
| BC546CTA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC546CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC546C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC546CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC546C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 69+ | 12.98 грн |
| 106+ | 8.40 грн |
| 148+ | 5.97 грн |
| 500+ | 4.74 грн |
| 1000+ | 3.78 грн |
| TIP41AG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP41AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - TIP41AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 90.08 грн |
| 13+ | 71.71 грн |
| 100+ | 51.31 грн |
| TIP41BG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP41BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - TIP41BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 113.92 грн |
| CAT9532YI-T2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT9532YI-T2 - LED-Treiber, 16 Ausgänge, 2.3V bis 5.5Vin, 25mAout, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 400kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Topologie: -
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - CAT9532YI-T2 - LED-Treiber, 16 Ausgänge, 2.3V bis 5.5Vin, 25mAout, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 400kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Topologie: -
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 203.12 грн |
| 10+ | 149.25 грн |
| 50+ | 135.12 грн |
| 100+ | 112.35 грн |
| 250+ | 90.84 грн |
| 500+ | 88.57 грн |
| 1000+ | 77.97 грн |
| BAS35 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS35 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 120 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS35
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAS35 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 120 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS35
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.30 грн |
| 500+ | 9.10 грн |
| 1000+ | 7.65 грн |
| BAS35 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS35 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 120 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS35
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAS35 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 120 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS35
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 19.52 грн |
| 69+ | 12.81 грн |
| 100+ | 11.30 грн |
| 500+ | 9.10 грн |
| 1000+ | 7.65 грн |
| BAS31 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS31 - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 90 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 1 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 90V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAS31 - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 90 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 1 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 90V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 54+ | 16.43 грн |
| 80+ | 11.04 грн |
| 105+ | 8.47 грн |
| 500+ | 7.14 грн |
| 1000+ | 5.93 грн |
| 5000+ | 4.52 грн |
| NCP3065DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3065DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Buck, Boost, 3V-40Vin, 250kHz Schaltfrequenz,1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85044095
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP3065DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Buck, Boost, 3V-40Vin, 250kHz Schaltfrequenz,1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85044095
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 135.12 грн |
| 13+ | 72.59 грн |
| 50+ | 67.91 грн |
| 100+ | 58.39 грн |
| 250+ | 53.82 грн |
| 500+ | 53.75 грн |
| 1000+ | 53.67 грн |
| 2500+ | 53.59 грн |
| NDT014L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 106.86 грн |
| 50+ | 71.09 грн |
| 250+ | 53.87 грн |
| 1000+ | 35.18 грн |
| 2000+ | 31.72 грн |
| NDP6060L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDP6060L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NDP6060L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 243.75 грн |
| 10+ | 151.02 грн |
| 100+ | 146.60 грн |
| NDP7060 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDP7060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ONSEMI - NDP7060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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| NDC7001C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDC7001C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NDC7001C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 31138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 55.90 грн |
| 26+ | 34.18 грн |
| 100+ | 22.34 грн |
| 500+ | 14.60 грн |
| 1000+ | 11.88 грн |
| NDP6060 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 288.79 грн |
| 10+ | 147.48 грн |
| 100+ | 139.54 грн |
| NDS9948 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 91.85 грн |
| 50+ | 56.43 грн |
| 100+ | 37.18 грн |
| 500+ | 26.98 грн |
| 1000+ | 22.26 грн |
| NDS9945. |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9945. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NDS9945. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 156.32 грн |
| 50+ | 110.39 грн |
| 100+ | 90.08 грн |
| 500+ | 69.95 грн |
| 1000+ | 59.12 грн |
| NDP6020P |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDP6020P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 24 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NDP6020P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 24 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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| NDP7060.. |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDP7060.. - N CHANNEL MOSFET, 60V, 75A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - NDP7060.. - N CHANNEL MOSFET, 60V, 75A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: Lead
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| NDB6060L |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDB6060L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.02 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 48
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ONSEMI - NDB6060L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.02 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 48
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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| NDS351N |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS351N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.135 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NDS351N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.135 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
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| NDP7060. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDP7060. - MOSFET, DRAIN-SOURCE-SPANNUNG, 60V
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - NDP7060. - MOSFET, DRAIN-SOURCE-SPANNUNG, 60V
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: Lead
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NCV321SN3T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV321SN3T1G - Operationsverstärker, RRO, 1 Kanäle, 1 MHz, 1 V/µs, 2.7V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.7mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1nA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCV321SN3T1G - Operationsverstärker, RRO, 1 Kanäle, 1 MHz, 1 V/µs, 2.7V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.7mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1nA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 53.61 грн |
| 24+ | 37.80 грн |
| 100+ | 29.76 грн |
| 500+ | 22.63 грн |
| 1000+ | 19.08 грн |
| BDX53CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDX53CG - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 65 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BDX53CG - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 65 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 113.04 грн |
| 15+ | 61.11 грн |
| 100+ | 54.49 грн |
| 500+ | 40.59 грн |
| 1000+ | 30.35 грн |
| 5000+ | 30.13 грн |































