Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142700) > Сторінка 1795 з 2379

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1790 1791 1792 1793 1794 1795 1796 1797 1798 1799 1800 1896 2133 2370 2379  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NUD3160LT1G NUD3160LT1G ONSEMI 2236876.pdf Description: ONSEMI - NUD3160LT1G - Relaistreiber, induktive Last, 61V bis 70V Drain/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDX53BG BDX53BG ONSEMI 1912255.pdf Description: ONSEMI - BDX53BG - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.99 грн
12+73.33 грн
100+56.69 грн
500+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ66P5X NC7SZ66P5X ONSEMI 1751945.pdf Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X - Analogschalter, 1 Kanal, 1 Kanäle, SPST - NO, 60 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPST - NO
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ66P5X.* NC7SZ66P5X.* ONSEMI Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X.* - IC, ANALOG SWITCH, SINGLE, SPST, SC-70-5
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V to 5.5V
Analogschalter: SPST-NO
MSL: MSL 1 - Unlimited
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ66P5X NC7SZ66P5X ONSEMI 1751945.pdf Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X - Analogschalter, 1 Kanal, 1 Kanäle, SPST - NO, 60 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPST - NO
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 ONSEMI 2830060.pdf Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 - Bildsensor, 1928 x 1088, 3µm x 3µm, 60, RGB, IBGA, 80 Pin(s)
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Bauform - Sensor: IBGA
Anzahl der Pins: 80
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1928 x 1088
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: 3.1
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0221SR2C00SUEA0-DRBR AR0221SR2C00SUEA0-DRBR ONSEMI AR0221-D.PDF Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DRBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0239SRSC00SUEA0-DP AR0239SRSC00SUEA0-DP ONSEMI AR0239-D.PDF Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DP - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0237CSSC00SPRA0-DR AR0237CSSC00SPRA0-DR ONSEMI ar0237?pdf=Y Description: ONSEMI - AR0237CSSC00SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0237CSSC00SHRA0-DR AR0237CSSC00SHRA0-DR ONSEMI ar0237?pdf=Y Description: ONSEMI - AR0237CSSC00SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0221SR2C00SUEA0-DPBR AR0221SR2C00SUEA0-DPBR ONSEMI AR0221-D.PDF Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DPBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0239SRSC00SUEA0-DPBR AR0239SRSC00SUEA0-DPBR ONSEMI AR0239-D.PDF Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DPBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0239SRSC00SUEA0-DR AR0239SRSC00SUEA0-DR ONSEMI AR0239-D.PDF Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0237IRSH12SPRA0-DR AR0237IRSH12SPRA0-DR ONSEMI ar0237-rgb-ir?pdf=Y Description: ONSEMI - AR0237IRSH12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0238CSSC12SPRA0-DR AR0238CSSC12SPRA0-DR ONSEMI AR0238-D.PDF Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1 AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1 ONSEMI AR0230CS-D.PDF Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0230CSSC00SUEA0-DRBR AR0230CSSC00SUEA0-DRBR ONSEMI AR0230CS-D.PDF Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0237ATSC12XUEA0-DPBR AR0237ATSC12XUEA0-DPBR ONSEMI ar0237at?pdf=Y Description: ONSEMI - AR0237ATSC12XUEA0-DPBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0238CSSC12SHRA0-DR AR0238CSSC12SHRA0-DR ONSEMI AR0238-D.PDF Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0238CSSC12SPRA0-DR1 AR0238CSSC12SPRA0-DR1 ONSEMI AR0238-D.PDF Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SPRA0-DR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0237ATSC12XUEA0-DRBR AR0237ATSC12XUEA0-DRBR ONSEMI ar0237at?pdf=Y Description: ONSEMI - AR0237ATSC12XUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP4354ADR2G. ONSEMI Description: ONSEMI - NCP4354ADR2G. - SECONDARY SIDE SMPS OFF M 55AC2832
tariffCode: 85415000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
KSB1151YS KSB1151YS ONSEMI KSB1151-D.pdf Description: ONSEMI - KSB1151YS - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP4371AACDR2G NCP4371AACDR2G ONSEMI 2118272.pdf Description: ONSEMI - NCP4371AACDR2G - Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss, 2.2V bis 28Vin, SOIC-8
IC-Funktion: Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCP4371
Versorgungsspannung, max.: 28
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
NCP4371AACDR2G NCP4371AACDR2G ONSEMI 2118272.pdf Description: ONSEMI - NCP4371AACDR2G - Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss, 2.2V bis 28Vin, SOIC-8
IC-Funktion: Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCP4371
Versorgungsspannung, max.: 28
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15 ONSEMI ONSM-S-A0003590411-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA36P15 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 294
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 FQP27P06 ONSEMI ONSM-S-A0013297751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 15755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.20 грн
10+99.28 грн
100+80.30 грн
500+71.00 грн
1000+64.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243 FDD4243 ONSEMI ONSM-S-A0003590118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+107.12 грн
50+69.50 грн
100+47.03 грн
500+35.10 грн
1000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243 FDD4243 ONSEMI 2304318.pdf Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.63 грн
500+35.10 грн
1000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FSL538HFLYGEVB ONSEMI EVBUM2650-D.PDF Description: ONSEMI - FSL538HFLYGEVB - EVAL.BOARD, OFFLINE-REGLER
Prozessorkern: FSL538HPG
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FSL538HPG
Unterart Anwendung: Industrielle Netzteile, Haushaltsgeräte
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3263.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI en6307-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+70.98 грн
20+44.68 грн
100+33.18 грн
500+23.86 грн
1000+17.39 грн
5000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.18 грн
500+23.86 грн
1000+17.39 грн
5000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E ONSEMI ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.15 грн
17+52.60 грн
50+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E ONSEMI ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TIP32AG TIP32AG ONSEMI ONSM-S-A0014832403-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TIP32AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.83 грн
17+54.17 грн
100+48.16 грн
500+34.77 грн
1000+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TIP32G TIP32G ONSEMI 2034804.pdf Description: ONSEMI - TIP32G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.21 грн
17+53.30 грн
100+42.24 грн
500+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TIP31BG TIP31BG ONSEMI 2034804.pdf Description: ONSEMI - TIP31BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+105.38 грн
20+43.89 грн
100+41.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TIP31G TIP31G ONSEMI 2034804.pdf Description: ONSEMI - TIP31G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BCDR2G TL431BCDR2G ONSEMI 2353735.pdf Description: ONSEMI - TL431BCDR2G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.495V bis 36V, 0.4% Ref, ± 50ppm/°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+34.31 грн
36+24.21 грн
100+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BVDR2G TL431BVDR2G ONSEMI 2118317.pdf Description: ONSEMI - TL431BVDR2G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431B, 2.495V bis 36V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TL431B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+35.97 грн
35+25.08 грн
100+19.33 грн
500+15.85 грн
1000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BVDR2G TL431BVDR2G ONSEMI 2118317.pdf Description: ONSEMI - TL431BVDR2G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431B, 2.495V bis 36V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TL431B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.33 грн
500+15.85 грн
1000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SB10-05P-TD-E SB10-05P-TD-E ONSEMI ONSM-S-A0000714907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s)
Bauform - Diode: SOT-89
Durchlassstoßstrom: 10
Durchlassspannung Vf max.: 550
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB10-05P-TD-E SB10-05P-TD-E ONSEMI ONSM-S-A0000714907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s)
Bauform - Diode: SOT-89
Durchlassstoßstrom: 10
Durchlassspannung Vf max.: 550
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G ONSEMI ntr4101p-d.pdf Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 36545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+29.52 грн
50+18.55 грн
100+14.11 грн
500+9.95 грн
1500+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1H NTR4101PT1H ONSEMI ntr4101p-d.pdf Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+45.11 грн
50+27.87 грн
100+19.59 грн
500+15.36 грн
1500+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G NTR4101PT1G ONSEMI 2255278.pdf Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 48774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+10.11 грн
1500+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF39N20 FDPF39N20 ONSEMI ONSM-S-A0003584209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.066 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.92 грн
10+103.64 грн
100+101.89 грн
500+82.48 грн
1000+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF39N20TLDTU ONSEMI ONSM-S-A0003584209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF39N20TLDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 39
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 37
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G BC849BLT1G ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.33 грн
1500+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G BC849CLT1G ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+9.14 грн
152+5.76 грн
255+3.42 грн
500+2.33 грн
1500+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
LV5686PVC-XH LV5686PVC-XH ONSEMI 2337895.pdf Description: ONSEMI - LV5686PVC-XH - Power-Management-IC, 16V Versorgungsspannung, 3 LDO-Regler, 9 geregelte Ausgänge, SIP-15
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung: 16V
rohsCompliant: YES
Anzahl der geregelten Ausgänge: 9
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - digitaler IC: SIP
usEccn: EAR99
Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der LDO-Regler: 3
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DF01S2 DF01S2 ONSEMI DF10S2-D.pdf Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF01S. DF01S. ONSEMI 2303915.pdf Description: ONSEMI - DF01S. - DIODE, FULL REEL
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: DIP
Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF01S2 DF01S2 ONSEMI DF10S2-D.pdf Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.70 грн
50+39.45 грн
100+24.73 грн
500+19.65 грн
1500+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1G NTGD1100LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013296077-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1G NTGD1100LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013296077-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1G NTGD3148NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013669881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.90 грн
50+37.62 грн
100+25.95 грн
500+18.36 грн
1500+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1G NTGD3148NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013669881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.95 грн
500+18.36 грн
1500+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NUD3160LT1G 2236876.pdf
NUD3160LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUD3160LT1G - Relaistreiber, induktive Last, 61V bis 70V Drain/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDX53BG 1912255.pdf
BDX53BG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDX53BG - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.99 грн
12+73.33 грн
100+56.69 грн
500+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ66P5X 1751945.pdf
NC7SZ66P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X - Analogschalter, 1 Kanal, 1 Kanäle, SPST - NO, 60 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPST - NO
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ66P5X.*
NC7SZ66P5X.*
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X.* - IC, ANALOG SWITCH, SINGLE, SPST, SC-70-5
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V to 5.5V
Analogschalter: SPST-NO
MSL: MSL 1 - Unlimited
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ66P5X 1751945.pdf
NC7SZ66P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X - Analogschalter, 1 Kanal, 1 Kanäle, SPST - NO, 60 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPST - NO
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 2830060.pdf
AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 - Bildsensor, 1928 x 1088, 3µm x 3µm, 60, RGB, IBGA, 80 Pin(s)
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Bauform - Sensor: IBGA
Anzahl der Pins: 80
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1928 x 1088
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: 3.1
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0221SR2C00SUEA0-DRBR AR0221-D.PDF
AR0221SR2C00SUEA0-DRBR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DRBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0239SRSC00SUEA0-DP AR0239-D.PDF
AR0239SRSC00SUEA0-DP
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DP - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0237CSSC00SPRA0-DR ar0237?pdf=Y
AR0237CSSC00SPRA0-DR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237CSSC00SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0237CSSC00SHRA0-DR ar0237?pdf=Y
AR0237CSSC00SHRA0-DR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237CSSC00SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0221SR2C00SUEA0-DPBR AR0221-D.PDF
AR0221SR2C00SUEA0-DPBR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DPBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0239SRSC00SUEA0-DPBR AR0239-D.PDF
AR0239SRSC00SUEA0-DPBR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DPBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0239SRSC00SUEA0-DR AR0239-D.PDF
AR0239SRSC00SUEA0-DR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0237IRSH12SPRA0-DR ar0237-rgb-ir?pdf=Y
AR0237IRSH12SPRA0-DR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237IRSH12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0238CSSC12SPRA0-DR AR0238-D.PDF
AR0238CSSC12SPRA0-DR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1 AR0230CS-D.PDF
AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0230CSSC00SUEA0-DRBR AR0230CS-D.PDF
AR0230CSSC00SUEA0-DRBR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0237ATSC12XUEA0-DPBR ar0237at?pdf=Y
AR0237ATSC12XUEA0-DPBR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237ATSC12XUEA0-DPBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0238CSSC12SHRA0-DR AR0238-D.PDF
AR0238CSSC12SHRA0-DR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0238CSSC12SPRA0-DR1 AR0238-D.PDF
AR0238CSSC12SPRA0-DR1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SPRA0-DR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0237ATSC12XUEA0-DRBR ar0237at?pdf=Y
AR0237ATSC12XUEA0-DRBR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237ATSC12XUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP4354ADR2G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4354ADR2G. - SECONDARY SIDE SMPS OFF M 55AC2832
tariffCode: 85415000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
KSB1151YS KSB1151-D.pdf
KSB1151YS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB1151YS - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP4371AACDR2G 2118272.pdf
NCP4371AACDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4371AACDR2G - Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss, 2.2V bis 28Vin, SOIC-8
IC-Funktion: Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCP4371
Versorgungsspannung, max.: 28
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
NCP4371AACDR2G 2118272.pdf
NCP4371AACDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4371AACDR2G - Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss, 2.2V bis 28Vin, SOIC-8
IC-Funktion: Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCP4371
Versorgungsspannung, max.: 28
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 ONSM-S-A0003590411-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA36P15
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA36P15 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 294
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 ONSM-S-A0013297751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP27P06
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 15755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+221.20 грн
10+99.28 грн
100+80.30 грн
500+71.00 грн
1000+64.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243 ONSM-S-A0003590118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDD4243
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+107.12 грн
50+69.50 грн
100+47.03 грн
500+35.10 грн
1000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243 2304318.pdf
FDD4243
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.63 грн
500+35.10 грн
1000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FSL538HFLYGEVB EVBUM2650-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSL538HFLYGEVB - EVAL.BOARD, OFFLINE-REGLER
Prozessorkern: FSL538HPG
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FSL538HPG
Unterart Anwendung: Industrielle Netzteile, Haushaltsgeräte
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3263.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+70.98 грн
20+44.68 грн
100+33.18 грн
500+23.86 грн
1000+17.39 грн
5000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5566-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.18 грн
500+23.86 грн
1000+17.39 грн
5000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5569-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.15 грн
17+52.60 грн
50+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5569-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TIP32AG ONSM-S-A0014832403-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TIP32AG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP32AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.83 грн
17+54.17 грн
100+48.16 грн
500+34.77 грн
1000+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TIP32G 2034804.pdf
TIP32G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP32G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.21 грн
17+53.30 грн
100+42.24 грн
500+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TIP31BG 2034804.pdf
TIP31BG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP31BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+105.38 грн
20+43.89 грн
100+41.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TIP31G 2034804.pdf
TIP31G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP31G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BCDR2G 2353735.pdf
TL431BCDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL431BCDR2G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.495V bis 36V, 0.4% Ref, ± 50ppm/°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+34.31 грн
36+24.21 грн
100+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BVDR2G 2118317.pdf
TL431BVDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL431BVDR2G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431B, 2.495V bis 36V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TL431B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+35.97 грн
35+25.08 грн
100+19.33 грн
500+15.85 грн
1000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BVDR2G 2118317.pdf
TL431BVDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL431BVDR2G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431B, 2.495V bis 36V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TL431B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.33 грн
500+15.85 грн
1000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SB10-05P-TD-E ONSM-S-A0000714907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SB10-05P-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s)
Bauform - Diode: SOT-89
Durchlassstoßstrom: 10
Durchlassspannung Vf max.: 550
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB10-05P-TD-E ONSM-S-A0000714907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SB10-05P-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s)
Bauform - Diode: SOT-89
Durchlassstoßstrom: 10
Durchlassspannung Vf max.: 550
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 36545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+29.52 грн
50+18.55 грн
100+14.11 грн
500+9.95 грн
1500+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1H ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+45.11 грн
50+27.87 грн
100+19.59 грн
500+15.36 грн
1500+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4101PT1G 2255278.pdf
NTR4101PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 48774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+10.11 грн
1500+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF39N20 ONSM-S-A0003584209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDPF39N20
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.066 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+202.92 грн
10+103.64 грн
100+101.89 грн
500+82.48 грн
1000+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF39N20TLDTU ONSM-S-A0003584209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF39N20TLDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 39
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 37
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G 2237008.pdf
BC849BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G 2237008.pdf
BC849CLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.33 грн
1500+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CLT1G 2237008.pdf
BC849CLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+9.14 грн
152+5.76 грн
255+3.42 грн
500+2.33 грн
1500+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
LV5686PVC-XH 2337895.pdf
LV5686PVC-XH
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV5686PVC-XH - Power-Management-IC, 16V Versorgungsspannung, 3 LDO-Regler, 9 geregelte Ausgänge, SIP-15
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung: 16V
rohsCompliant: YES
Anzahl der geregelten Ausgänge: 9
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - digitaler IC: SIP
usEccn: EAR99
Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der LDO-Regler: 3
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DF01S2 DF10S2-D.pdf
DF01S2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF01S. 2303915.pdf
DF01S.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF01S. - DIODE, FULL REEL
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: DIP
Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF01S2 DF10S2-D.pdf
DF01S2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G ONSM-S-A0013300330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTGD4167CT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+58.70 грн
50+39.45 грн
100+24.73 грн
500+19.65 грн
1500+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1G ONSM-S-A0013296077-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTGD1100LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD1100LT1G ONSM-S-A0013296077-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTGD1100LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1G ONSM-S-A0013669881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTGD3148NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+49.90 грн
50+37.62 грн
100+25.95 грн
500+18.36 грн
1500+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1G ONSM-S-A0013669881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTGD3148NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.95 грн
500+18.36 грн
1500+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1790 1791 1792 1793 1794 1795 1796 1797 1798 1799 1800 1896 2133 2370 2379  [ Наступна Сторінка >> ]