| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTE4151PT1G | ONSEMI |
NTE4151PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 4820 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTE4153NT1G | ONSEMI |
NTE4153NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 6879 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTF2955T1G | ONSEMI |
NTF2955T1G SMD P channel transistors |
на замовлення 1227 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTF3055-100T1G | ONSEMI |
NTF3055-100T1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1062 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTF3055L108T1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.4A Pulsed drain current: 9A Power dissipation: 1.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 328 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTGS4141NT1G | ONSEMI |
NTGS4141NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 4615 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTH4L040N120SC1 | ONSEMI |
NTH4L040N120SC1 THT N channel transistors |
на замовлення 146 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTH4L040N65S3F | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 158nC Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar On-state resistance: 32mΩ Drain current: 45A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 162.5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTH4L080N120SC1 | ONSEMI |
NTH4L080N120SC1 THT N channel transistors |
на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTHD3100CT1G | ONSEMI |
NTHD3100CT1G Multi channel transistors |
на замовлення 1612 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTHL041N60S5H | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A Power dissipation: 329W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32.8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 200A Gate charge: 108nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 128 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTHL060N090SC1 | ONSEMI |
NTHL060N090SC1 THT N channel transistors |
на замовлення 41 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTJD1155LT1G | ONSEMI |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88 Type of integrated circuit: power switch Output current: 1.3A Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Mounting: SMD Case: SC88 On-state resistance: 130/320mΩ Supply voltage: 1.8...8V DC Control voltage: 1.5...8V DC Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: high-side кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 647 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTJD4001NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.272W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.18A On-state resistance: 1.5Ω Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1789 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTJD4401NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.27W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.46A Gate charge: 1.3nC On-state resistance: 445mΩ Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4569 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTJD5121NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.25W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.295A Gate charge: 0.9nC On-state resistance: 2.5Ω Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
NTJS4151PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A Power dissipation: 1W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 160 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTK3043NT1G | ONSEMI |
NTK3043NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 848 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTK3134NT1G | ONSEMI |
NTK3134NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 160 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTK3139PT1G | ONSEMI |
NTK3139PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 775 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTMFS5C426NT1G | ONSEMI |
NTMFS5C426NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1447 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTMFS5C604NLT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 100W Drain current: 203A Case: DFN5x6 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 875 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS5C628NLT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 900A; 56W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 56W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTMFS5C670NLT1G | ONSEMI |
NTMFS5C670NLT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1622 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTP067N65S3H | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 112A; 266W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 266W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 67mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTP165N65S3H | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 142W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 82 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTP360N80S3Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 32.5A; 96W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Pulsed drain current: 32.5A Power dissipation: 96W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 25.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTP6412ANG | ONSEMI |
NTP6412ANG THT N channel transistors |
на замовлення 96 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTR0202PLT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.4A Gate charge: 2.18nC Power dissipation: 0.225W On-state resistance: 0.55Ω Gate-source voltage: ±20V Case: SOT23 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 988 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTR1P02LT1G | ONSEMI |
NTR1P02LT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 2205 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR2101PT1G | ONSEMI |
NTR2101PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 1431 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR3C21NZT1G | ONSEMI |
NTR3C21NZT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR4003NT1G | ONSEMI |
NTR4003NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 885 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ONSEMI |
NTR4101PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 5610 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR4170NT1G | ONSEMI |
NTR4170NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR4171PT1G | ONSEMI |
NTR4171PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTR4502PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23 Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Gate-source voltage: ±20V Drain current: -1.56A Gate charge: 6nC On-state resistance: 0.35Ω Power dissipation: 1.25W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2854 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTR4503NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23 Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Gate-source voltage: ±20V Drain current: 2.5A Gate charge: 3.6nC On-state resistance: 0.11Ω Power dissipation: 0.73W Pulsed drain current: 10A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2805 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTR5103NT1G | ONSEMI |
NTR5103NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1268 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR5105PT1G | ONSEMI |
NTR5105PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 1094 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR5198NLT1G | ONSEMI |
NTR5198NLT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTS2101PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323 Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -8V Drain current: -1.1A On-state resistance: 0.1Ω Power dissipation: 0.29W Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 385 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTS4001NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.2A On-state resistance: 1.5Ω Power dissipation: 0.33W Gate-source voltage: ±20V Case: SC70; SOT323 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2789 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTS4101PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.62A Gate charge: 6.4nC On-state resistance: 0.16Ω Power dissipation: 0.329W Gate-source voltage: ±8V Case: SC70; SOT323 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2833 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTS4173PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -5A Drain current: -800mA Gate charge: 10.1nC On-state resistance: 0.15Ω Power dissipation: 0.29W Gate-source voltage: ±12V Case: SC70; SOT323 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1978 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTS4409NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.75A; 0.28W; SC70,SOT323 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.75A Gate charge: 1.2nC On-state resistance: 0.4Ω Power dissipation: 0.28W Gate-source voltage: ±8V Case: SC70; SOT323 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTZD3152PT1G | ONSEMI |
NTZD3152PT1G Multi channel transistors |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTZD3154NT1G | ONSEMI |
NTZD3154NT1G Multi channel transistors |
на замовлення 993 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTZD3155CT1G | ONSEMI |
NTZD3155CT1G Multi channel transistors |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTZD3155CT2G | ONSEMI |
NTZD3155CT2G Multi channel transistors |
на замовлення 3459 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NUD4001DR2G | ONSEMI |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; SO8; 500mA; 28V; Ch: 1; PWM Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: LED driver Output current: 0.5A Case: SO8 Mounting: SMD Number of channels: 1 Operating temperature: -40...125°C Integrated circuit features: PWM Output voltage: 28V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NUF2042XV6T1G | ONSEMI |
Category: Filters - integrated circuitsDescription: Filter: digital; line terminator; lowpass,EMI; SOT563; Ch: 2 Type of filter: digital Kind of integrated circuit: line terminator Kind of filter: EMI; lowpass Case: SOT563 Mounting: SMD Number of channels: 2 Application: USB port ESD protection кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NUF2101MT1G | ONSEMI |
NUF2101MT1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 1880 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NUP1301ML3T1G | ONSEMI |
NUP1301ML3T1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 715 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NUP2105LT1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23 Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 26.2...32V Peak pulse power dissipation: 0.35kW Semiconductor structure: bidirectional; double Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 24V Number of channels: 2 Kind of package: reel; tape Application: CAN Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6048 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NUP2114UPXV5T1G | ONSEMI |
NUP2114UPXV5T1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NUP2201MR6T1G | ONSEMI |
NUP2201MR6T1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 5161 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NUP2301MW6T1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: diode arrays; SC88; Ch: 2; reel,tape; ESD Case: SC88 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: diode arrays Version: ESD Number of channels: 2 Max. off-state voltage: 70V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2668 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NUP4114HMR6T1G | ONSEMI |
NUP4114HMR6T1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NUP4114UCLW1T2G | ONSEMI |
NUP4114UCLW1T2G Protection diodes - arrays |
на замовлення 1278 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| NTE4151PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTE4151PT1G SMD P channel transistors
NTE4151PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 13.07 грн |
| 617+ | 1.90 грн |
| 1695+ | 1.80 грн |
| NTE4153NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTE4153NT1G SMD N channel transistors
NTE4153NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 6879 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.63 грн |
| 154+ | 7.61 грн |
| 424+ | 7.22 грн |
| NTF2955T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTF2955T1G SMD P channel transistors
NTF2955T1G SMD P channel transistors
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.99 грн |
| 31+ | 38.66 грн |
| 84+ | 36.58 грн |
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTF3055-100T1G SMD N channel transistors
NTF3055-100T1G SMD N channel transistors
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.14 грн |
| 50+ | 23.93 грн |
| 135+ | 22.64 грн |
| NTF3055L108T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 328 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.98 грн |
| 50+ | 38.71 грн |
| 100+ | 33.82 грн |
| 200+ | 30.95 грн |
| NTGS4141NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGS4141NT1G SMD N channel transistors
NTGS4141NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.63 грн |
| 71+ | 16.71 грн |
| 194+ | 15.72 грн |
| NTH4L040N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L040N120SC1 THT N channel transistors
NTH4L040N120SC1 THT N channel transistors
на замовлення 146 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1628.50 грн |
| 2+ | 1539.51 грн |
| NTH4L040N65S3F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1883.67 грн |
| 5+ | 1635.68 грн |
| 30+ | 1392.18 грн |
| 120+ | 1256.72 грн |
| NTH4L080N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L080N120SC1 THT N channel transistors
NTH4L080N120SC1 THT N channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1014.78 грн |
| 4+ | 979.87 грн |
| NTHD3100CT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHD3100CT1G Multi channel transistors
NTHD3100CT1G Multi channel transistors
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.74 грн |
| 25+ | 48.55 грн |
| 67+ | 45.88 грн |
| NTHL041N60S5H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 108nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 108nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 700.65 грн |
| NTHL060N090SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL060N090SC1 THT N channel transistors
NTHL060N090SC1 THT N channel transistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 894.45 грн |
| 2+ | 855.28 грн |
| 3+ | 822.46 грн |
| 4+ | 808.81 грн |
| NTJD1155LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Supply voltage: 1.8...8V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Supply voltage: 1.8...8V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 647 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.20 грн |
| 13+ | 25.36 грн |
| 50+ | 17.80 грн |
| 100+ | 17.20 грн |
| NTJD4001NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.01 грн |
| 14+ | 22.90 грн |
| 50+ | 15.13 грн |
| 100+ | 12.76 грн |
| 500+ | 9.20 грн |
| NTJD4401NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
Gate charge: 1.3nC
On-state resistance: 445mΩ
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
Gate charge: 1.3nC
On-state resistance: 445mΩ
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.14 грн |
| 11+ | 28.54 грн |
| 13+ | 24.03 грн |
| 100+ | 13.94 грн |
| 500+ | 9.79 грн |
| 1000+ | 8.70 грн |
| NTJD5121NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 2.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 2.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTJS4151PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.56 грн |
| 18+ | 17.66 грн |
| 50+ | 13.55 грн |
| 100+ | 12.36 грн |
| 500+ | 10.09 грн |
| 1000+ | 9.29 грн |
| 1500+ | 9.20 грн |
| NTK3043NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTK3043NT1G SMD N channel transistors
NTK3043NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 848 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.43 грн |
| 346+ | 3.39 грн |
| 949+ | 3.20 грн |
| NTK3134NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTK3134NT1G SMD N channel transistors
NTK3134NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 160 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 45.26 грн |
| 73+ | 16.02 грн |
| 201+ | 15.13 грн |
| NTK3139PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTK3139PT1G SMD P channel transistors
NTK3139PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 775 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.34 грн |
| 269+ | 4.36 грн |
| 739+ | 4.12 грн |
| NTMFS5C426NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTMFS5C426NT1G SMD N channel transistors
NTMFS5C426NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.49 грн |
| 22+ | 53.69 грн |
| 61+ | 50.72 грн |
| NTMFS5C604NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 100W
Drain current: 203A
Case: DFN5x6
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 100W
Drain current: 203A
Case: DFN5x6
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 875 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 256.62 грн |
| 10+ | 160.18 грн |
| 100+ | 109.75 грн |
| 500+ | 99.87 грн |
| NTMFS5C628NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 900A; 56W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 56W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 900A; 56W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 56W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.47 грн |
| 10+ | 63.66 грн |
| 100+ | 56.36 грн |
| 250+ | 54.38 грн |
| 500+ | 48.45 грн |
| 1000+ | 46.47 грн |
| NTMFS5C670NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTMFS5C670NLT1G SMD N channel transistors
NTMFS5C670NLT1G SMD N channel transistors
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.86 грн |
| 36+ | 32.53 грн |
| 99+ | 30.85 грн |
| NTP067N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 112A; 266W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 266W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 112A; 266W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 266W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 644.22 грн |
| 5+ | 441.52 грн |
| NTP165N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 243.35 грн |
| 10+ | 233.35 грн |
| NTP360N80S3Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 32.5A; 96W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 32.5A
Power dissipation: 96W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 32.5A; 96W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 32.5A
Power dissipation: 96W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 336.48 грн |
| 5+ | 248.48 грн |
| 10+ | 216.54 грн |
| 25+ | 191.82 грн |
| 50+ | 175.01 грн |
| 100+ | 174.02 грн |
| NTP6412ANG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTP6412ANG THT N channel transistors
NTP6412ANG THT N channel transistors
на замовлення 96 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 254.49 грн |
| 11+ | 110.74 грн |
| 30+ | 104.81 грн |
| NTR0202PLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
Gate charge: 2.18nC
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 0.55Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
Gate charge: 2.18nC
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 0.55Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 988 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.52 грн |
| 43+ | 7.19 грн |
| 54+ | 5.58 грн |
| 100+ | 5.04 грн |
| 500+ | 4.09 грн |
| 1000+ | 3.81 грн |
| 1500+ | 3.66 грн |
| NTR1P02LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR1P02LT1G SMD P channel transistors
NTR1P02LT1G SMD P channel transistors
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.32 грн |
| 184+ | 6.33 грн |
| 506+ | 6.03 грн |
| NTR2101PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR2101PT1G SMD P channel transistors
NTR2101PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.59 грн |
| 137+ | 8.60 грн |
| 375+ | 8.11 грн |
| NTR3C21NZT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR3C21NZT1G SMD N channel transistors
NTR3C21NZT1G SMD N channel transistors
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.06 грн |
| 115+ | 10.18 грн |
| 316+ | 9.69 грн |
| NTR4003NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR4003NT1G SMD N channel transistors
NTR4003NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 885 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 9.31 грн |
| 432+ | 2.72 грн |
| 1187+ | 2.57 грн |
| NTR4101PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR4101PT1G SMD P channel transistors
NTR4101PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.88 грн |
| 247+ | 4.75 грн |
| 678+ | 4.49 грн |
| NTR4170NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR4170NT1G SMD N channel transistors
NTR4170NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.52 грн |
| 102+ | 11.57 грн |
| 280+ | 10.88 грн |
| NTR4171PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR4171PT1G SMD P channel transistors
NTR4171PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.48 грн |
| 140+ | 8.40 грн |
| 384+ | 7.91 грн |
| NTR4502PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: -1.56A
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 1.25W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: -1.56A
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 1.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.17 грн |
| 23+ | 13.96 грн |
| 50+ | 10.48 грн |
| 100+ | 9.39 грн |
| 500+ | 7.61 грн |
| 1000+ | 6.92 грн |
| 3000+ | 6.13 грн |
| NTR4503NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 2.5A
Gate charge: 3.6nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.73W
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 2.5A
Gate charge: 3.6nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.73W
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.10 грн |
| 24+ | 12.83 грн |
| 50+ | 9.89 грн |
| 100+ | 9.20 грн |
| 500+ | 7.81 грн |
| 1000+ | 7.42 грн |
| 3000+ | 6.33 грн |
| NTR5103NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR5103NT1G SMD N channel transistors
NTR5103NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.60 грн |
| 411+ | 2.85 грн |
| 1130+ | 2.70 грн |
| NTR5105PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR5105PT1G SMD P channel transistors
NTR5105PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.23 грн |
| 205+ | 5.73 грн |
| 562+ | 5.42 грн |
| 1000+ | 5.41 грн |
| NTR5198NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR5198NLT1G SMD N channel transistors
NTR5198NLT1G SMD N channel transistors
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.99 грн |
| 197+ | 5.93 грн |
| 540+ | 5.64 грн |
| NTS2101PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 385 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.62 грн |
| 17+ | 19.20 грн |
| 25+ | 16.12 грн |
| 50+ | 14.44 грн |
| 100+ | 12.95 грн |
| 500+ | 9.89 грн |
| 1000+ | 8.90 грн |
| NTS4001NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Power dissipation: 0.33W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Power dissipation: 0.33W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.78 грн |
| 31+ | 10.06 грн |
| 36+ | 8.31 грн |
| 53+ | 5.62 грн |
| 100+ | 4.89 грн |
| 250+ | 4.30 грн |
| 500+ | 4.02 грн |
| NTS4101PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Gate charge: 6.4nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 0.329W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Gate charge: 6.4nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 0.329W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.88 грн |
| 16+ | 20.02 грн |
| 50+ | 12.36 грн |
| 100+ | 10.28 грн |
| 500+ | 7.22 грн |
| 1000+ | 6.43 грн |
| NTS4173PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -5A
Drain current: -800mA
Gate charge: 10.1nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -5A
Drain current: -800mA
Gate charge: 10.1nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.30 грн |
| 21+ | 15.30 грн |
| 50+ | 9.99 грн |
| 100+ | 8.31 грн |
| 500+ | 5.93 грн |
| NTS4409NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.75A; 0.28W; SC70,SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1.2nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.28W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.75A; 0.28W; SC70,SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1.2nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.28W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.24 грн |
| 10+ | 30.80 грн |
| 25+ | 13.45 грн |
| 50+ | 11.67 грн |
| 100+ | 10.09 грн |
| 500+ | 7.32 грн |
| 1000+ | 6.72 грн |
| NTZD3152PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTZD3152PT1G Multi channel transistors
NTZD3152PT1G Multi channel transistors
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.41 грн |
| 111+ | 10.58 грн |
| 306+ | 9.99 грн |
| NTZD3154NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTZD3154NT1G Multi channel transistors
NTZD3154NT1G Multi channel transistors
на замовлення 993 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.58 грн |
| 159+ | 7.42 грн |
| 437+ | 7.02 грн |
| NTZD3155CT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTZD3155CT1G Multi channel transistors
NTZD3155CT1G Multi channel transistors
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.82 грн |
| 120+ | 9.79 грн |
| 329+ | 9.29 грн |
| 4000+ | 9.24 грн |
| NTZD3155CT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTZD3155CT2G Multi channel transistors
NTZD3155CT2G Multi channel transistors
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.33 грн |
| 130+ | 9.00 грн |
| 358+ | 8.50 грн |
| NUD4001DR2G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO8; 500mA; 28V; Ch: 1; PWM
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 0.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: PWM
Output voltage: 28V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO8; 500mA; 28V; Ch: 1; PWM
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 0.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: PWM
Output voltage: 28V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.84 грн |
| 10+ | 67.36 грн |
| 25+ | 55.77 грн |
| 50+ | 50.23 грн |
| 100+ | 45.58 грн |
| 250+ | 43.31 грн |
| NUF2042XV6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Filters - integrated circuits
Description: Filter: digital; line terminator; lowpass,EMI; SOT563; Ch: 2
Type of filter: digital
Kind of integrated circuit: line terminator
Kind of filter: EMI; lowpass
Case: SOT563
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Application: USB port ESD protection
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Filters - integrated circuits
Description: Filter: digital; line terminator; lowpass,EMI; SOT563; Ch: 2
Type of filter: digital
Kind of integrated circuit: line terminator
Kind of filter: EMI; lowpass
Case: SOT563
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Application: USB port ESD protection
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.86 грн |
| 5+ | 61.61 грн |
| 10+ | 31.05 грн |
| 50+ | 26.20 грн |
| 250+ | 22.35 грн |
| NUF2101MT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUF2101MT1G Protection diodes - arrays
NUF2101MT1G Protection diodes - arrays
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.51 грн |
| 48+ | 24.62 грн |
| 131+ | 23.33 грн |
| NUP1301ML3T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP1301ML3T1G Protection diodes - arrays
NUP1301ML3T1G Protection diodes - arrays
на замовлення 715 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.40 грн |
| 157+ | 7.51 грн |
| 431+ | 7.12 грн |
| NUP2105LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...32V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: CAN
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...32V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: CAN
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6048 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.82 грн |
| 27+ | 11.50 грн |
| 50+ | 9.27 грн |
| 100+ | 8.57 грн |
| 500+ | 7.13 грн |
| 1000+ | 6.57 грн |
| 1500+ | 6.26 грн |
| NUP2114UPXV5T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP2114UPXV5T1G Protection diodes - arrays
NUP2114UPXV5T1G Protection diodes - arrays
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.03 грн |
| 100+ | 11.29 грн |
| 278+ | 10.98 грн |
| NUP2201MR6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP2201MR6T1G Protection diodes - arrays
NUP2201MR6T1G Protection diodes - arrays
на замовлення 5161 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.71 грн |
| 74+ | 16.02 грн |
| 202+ | 15.13 грн |
| NUP2301MW6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: diode arrays; SC88; Ch: 2; reel,tape; ESD
Case: SC88
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: diode arrays
Version: ESD
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 70V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: diode arrays; SC88; Ch: 2; reel,tape; ESD
Case: SC88
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: diode arrays
Version: ESD
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 70V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.75 грн |
| 15+ | 21.56 грн |
| 50+ | 17.60 грн |
| 100+ | 16.51 грн |
| NUP4114HMR6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP4114HMR6T1G Protection diodes - arrays
NUP4114HMR6T1G Protection diodes - arrays
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.07 грн |
| 12+ | 25.88 грн |
| 60+ | 19.68 грн |
| 164+ | 18.59 грн |
| NUP4114UCLW1T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP4114UCLW1T2G Protection diodes - arrays
NUP4114UCLW1T2G Protection diodes - arrays
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.48 грн |
| 115+ | 10.18 грн |
| 317+ | 9.59 грн |
















