Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (144117) > Сторінка 1871 з 2402

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 240 480 720 960 1200 1440 1680 1866 1867 1868 1869 1870 1871 1872 1873 1874 1875 1876 1920 2160 2400 2402  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NCP51560ABDWR2G NCP51560ABDWR2G ONSEMI 3763387.pdf Description: ONSEMI - NCP51560ABDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side, MOSFET, SiC-MOSFET
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+370.03 грн
10+246.69 грн
25+214.62 грн
50+169.51 грн
100+130.39 грн
250+118.41 грн
500+111.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NZT560A NZT560A ONSEMI ONSM-S-A0003584069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.74 грн
50+43.66 грн
250+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NZT560A NZT560A ONSEMI ONSM-S-A0003584069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.66 грн
250+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A. FDS6898A. ONSEMI ONSM-S-A0013339719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS6898A. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.62 грн
50+61.59 грн
100+51.56 грн
500+40.47 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6350-TL-W CPH6350-TL-W ONSEMI CPH6350-D.PDF Description: ONSEMI - CPH6350-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 6785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.24 грн
27+31.08 грн
100+19.98 грн
500+14.13 грн
1000+11.70 грн
5000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSD914XV2T1G NSD914XV2T1G ONSEMI ONSM-S-A0013300536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSD914XV2T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+14.97 грн
97+8.55 грн
169+4.88 грн
500+3.29 грн
1500+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSD914XV2T1G NSD914XV2T1G ONSEMI ONSM-S-A0013300536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSD914XV2T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.29 грн
1500+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSD070ALT1G NSD070ALT1G ONSEMI NSD070AL-D.PDF Description: ONSEMI - NSD070ALT1G - Kleinsignaldiode, Zwei in Reihe, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25
Sperrverzögerungszeit: 3
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSD914F3T5G NSD914F3T5G ONSEMI 2337988.pdf Description: ONSEMI - NSD914F3T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-1123
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: 4
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSD914F3T5G NSD914F3T5G ONSEMI 2337988.pdf Description: ONSEMI - NSD914F3T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D1N08H NVBLS1D1N08H ONSEMI NVBLS1D1N08H-D.PDF Description: ONSEMI - NVBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08H NTBLS1D1N08H ONSEMI NTBLS1D1N08H-D.PDF Description: ONSEMI - NTBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV47701PDAJR2G NCV47701PDAJR2G ONSEMI ncv47701-d.pdf Description: ONSEMI - NCV47701PDAJR2G - LDO-Spannungsregler, AEC-Q100, einstellbar, max. 40Vin, 0.25V Dropout, 5V bis 20V/350mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 350mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 350mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.48 грн
10+129.92 грн
50+116.77 грн
100+90.86 грн
250+76.12 грн
500+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8711ASNADJT1G NCV8711ASNADJT1G ONSEMI 3108676.pdf Description: ONSEMI - NCV8711ASNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.7V bis 18Vin, 215mV Dropout, 1.2-17 V/100mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 17V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 215mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 18V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Produktpalette: Adj 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 100mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOP
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.7V
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Ausgangsspannung, max.: 17V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Dropout-Spannung Vdo: 215mV
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 215mV
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.57 грн
500+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGBS3040E1-F085 FGBS3040E1-F085 ONSEMI FGBS3040_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FGBS3040E1-F085 - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA575DTBR2G SA575DTBR2G ONSEMI 194954.pdf Description: ONSEMI - SA575DTBR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, TSSOP, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 3V bis 7V
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: TSSOP
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA575DTBR2G SA575DTBR2G ONSEMI 194954.pdf Description: ONSEMI - SA575DTBR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, TSSOP, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA575DR2G. SA575DR2G. ONSEMI SA575-D.PDF Description: ONSEMI - SA575DR2G. - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, WSOIC, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 3V bis 7V
hazardous: false
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: WSOIC
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCH060N80-F155 FCH060N80-F155 ONSEMI ONSM-S-A0013180377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCH060N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 58 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 58
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF20S65AQ FGAF20S65AQ ONSEMI FGAF20S65AQ-D.PDF Description: ONSEMI - FGAF20S65AQ - IGBT, 40 A, 1.4 V, 75 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QEE123 QEE123 ONSEMI QEE122_123.pdf Description: ONSEMI - QEE123 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 50 °, Radial bedrahtet, 9 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: Radial bedrahtet
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 800ns
MSL: -
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 890nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 9mW/Sr
Halbwertswinkel: 50°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: QEE12X Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 900ns
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.92 грн
13+65.62 грн
25+59.45 грн
50+49.56 грн
100+40.46 грн
500+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25 FDA59N25 ONSEMI fda59n25-d.pdf Description: ONSEMI - FDA59N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 59 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 392W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.76 грн
10+189.13 грн
100+174.33 грн
500+136.68 грн
1000+111.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GF1J GF1J ONSEMI GF1M-D.pdf Description: ONSEMI - GF1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: GF1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 26678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.88 грн
34+24.50 грн
100+15.71 грн
500+11.22 грн
1000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GF1K GF1K ONSEMI GF1M-D.pdf Description: ONSEMI - GF1K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 2
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GF1K GF1K ONSEMI GF1M-D.pdf Description: ONSEMI - GF1K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 2
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7NZ34K8X NC7NZ34K8X ONSEMI 2285851.pdf Description: ONSEMI - NC7NZ34K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 7NZ
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ00P5X NC7SZ00P5X ONSEMI 2299570.pdf Description: ONSEMI - NC7SZ00P5X - NAND-Gatter, NC7S00, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S00
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+8.01 грн
198+4.17 грн
271+3.04 грн
500+2.45 грн
1000+2.13 грн
5000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC546BTA BC546BTA ONSEMI ONSM-S-A0013180388-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC546BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignal, NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.30 грн
75+11.10 грн
102+8.09 грн
500+5.54 грн
1000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80T FQPF6N80T ONSEMI FQPF6N80T-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF6N80T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624T-TD-E 2SD1624T-TD-E ONSEMI ONSMS36739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1624T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.94 грн
500+19.01 грн
1000+15.79 грн
5000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0140P2T5G NSR0140P2T5G ONSEMI 2353885.pdf Description: ONSEMI - NSR0140P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 70 mA, 350 mV, 500 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 500mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 350mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.62 грн
250+7.94 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33152DR2G NCV33152DR2G ONSEMI 1904616.pdf Description: ONSEMI - NCV33152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V bis 18V Versorgung, 1.5Aout, 40ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
euEccn: NLR
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33152DR2G NCV33152DR2G ONSEMI 1904616.pdf Description: ONSEMI - NCV33152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V bis 18V Versorgung, 1.5Aout, 40ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 6.1
Quellstrom: 1.5
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 18
Eingabeverzögerung: 50
Ausgabeverzögerung: 40
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GLT1G BCW66GLT1G ONSEMI 2354268.pdf Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 28404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+11.02 грн
114+7.24 грн
181+4.56 грн
500+3.07 грн
1500+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GLT3G BCW66GLT3G ONSEMI BCW66GLT1-D.PDF Description: ONSEMI - BCW66GLT3G - Transistor, NPN, 45V, 0.8A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 160
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E ONSEMI ONSMS36072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.72 грн
500+16.11 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1AFA RS1AFA ONSEMI RS1AFA-D.PDF Description: ONSEMI - RS1AFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 150
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670 FDS2670 ONSEMI FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.64 грн
10+131.57 грн
25+119.23 грн
100+99.26 грн
500+77.53 грн
1000+67.31 грн
2500+58.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670 FDS2670 ONSEMI FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.26 грн
500+77.53 грн
1000+67.31 грн
2500+58.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N60E FCP125N60E ONSEMI ONSM-S-A0003584799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCP125N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 29
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.102
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUD3105LT1G ONSEMI 2354009.pdf Description: ONSEMI - NUD3105LT1G - IC RELAY/INDUCTIVE DRIVER 400MA SOT-23-3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUD3105LT1G ONSEMI 2354009.pdf Description: ONSEMI - NUD3105LT1G - IC RELAY/INDUCTIVE DRIVER 400MA SOT-23-3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1323NZ FDZ1323NZ ONSEMI FDZ1323NZ-D.pdf Description: ONSEMI - FDZ1323NZ - Dual-MOSFET, WLCSP
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ191P FDZ191P ONSEMI 2304274.pdf Description: ONSEMI - FDZ191P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.067 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: WL-CSP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1905PZ FDZ1905PZ ONSEMI FDZ1905PZ-D.PDF Description: ONSEMI - FDZ1905PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.099 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.099
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WL-CSP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.099
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ191P FDZ191P ONSEMI 2304274.pdf Description: ONSEMI - FDZ191P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.067 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 1.9
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1416NZ FDZ1416NZ ONSEMI FDZ1416NZ-D.pdf Description: ONSEMI - FDZ1416NZ - Dual-MOSFET, WLCSP
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DFA RS1DFA ONSEMI RS1AFA-D.PDF Description: ONSEMI - RS1DFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 150
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP12711ADNR2G NCP12711ADNR2G ONSEMI 3917125.pdf Description: ONSEMI - NCP12711ADNR2G - PWM-Controller, 4.5 bis 40V Versorgungsspannung, 1.25Aout, 1MHz, MSOP-10
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 94%
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Schaltfrequenz, max.: -
Ausgangsstrom: 1.25A
Schaltfrequenz, min.: -
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Tastverhältnis, min.: 0%
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1MHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Ausgangsspannung: -
Qualifikation: -
Frequenz: 1MHz
Topologie: Flyback, Forward
Bauform - Controller-IC: MSOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Eingangsspannung: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.83 грн
11+81.82 грн
50+74.75 грн
100+56.43 грн
250+48.99 грн
500+47.08 грн
1000+44.97 грн
2500+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C3V0LT1G SZBZX84C3V0LT1G ONSEMI 2236792.pdf Description: ONSEMI - SZBZX84C3V0LT1G - Zener-Diode, 3 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+11.18 грн
79+10.53 грн
143+5.79 грн
500+2.26 грн
3000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZ FDD390N15ALZ ONSEMI 2572508.pdf Description: ONSEMI - FDD390N15ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.57 грн
500+52.00 грн
1000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7NZ34K8X NC7NZ34K8X ONSEMI 2285851.pdf Description: ONSEMI - NC7NZ34K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD852SD FOD852SD ONSEMI 2299687.pdf Description: ONSEMI - FOD852SD - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 1000%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.17 грн
16+53.53 грн
25+49.50 грн
50+42.30 грн
100+35.59 грн
500+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD852 FOD852 ONSEMI 2303886.pdf Description: ONSEMI - FOD852 - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 1000%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.23 грн
15+57.48 грн
25+52.46 грн
50+44.13 грн
100+36.44 грн
500+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33204DR2G NCV33204DR2G ONSEMI ONSMS38323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCV33204DR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2MHz
Eingangsoffsetspannung: 10mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 80nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.86 грн
250+45.18 грн
500+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLVHC1G00DFT2G NLVHC1G00DFT2G ONSEMI MC74HC1G00-D.PDF Description: ONSEMI - NLVHC1G00DFT2G - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74HC1G00
tariffCode: 85423990
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
hazardous: false
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 74HC1G00
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLV431CSN1T1G TLV431CSN1T1G ONSEMI 2907256.pdf Description: ONSEMI - TLV431CSN1T1G - VOLT REF, SHUNT, 1.24-16V, -40TO85DEG C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 16V
Bauform - Spannungsreferenz: SOT-23
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.24V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 16V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Referenzspannung: 1.24V bis 16V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.2%
на замовлення 22988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.66 грн
500+10.31 грн
1000+9.09 грн
5000+8.53 грн
10000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP16N60N FCP16N60N ONSEMI fcpf16n60nt-d.pdf fcpf16n60nt-d.pdf Description: ONSEMI - FCP16N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 134.4W
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SupreMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+448.15 грн
10+359.34 грн
100+309.18 грн
500+255.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3 FCPF067N65S3 ONSEMI fcpf067n65s3-d.pdf Description: ONSEMI - FCPF067N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.067 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+583.01 грн
5+453.09 грн
10+323.16 грн
50+293.21 грн
100+264.31 грн
250+259.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N65S3 FCP260N65S3 ONSEMI FCP260N65S3-D.PDF Description: ONSEMI - FCP260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51560ABDWR2G 3763387.pdf
NCP51560ABDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51560ABDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side, MOSFET, SiC-MOSFET
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+370.03 грн
10+246.69 грн
25+214.62 грн
50+169.51 грн
100+130.39 грн
250+118.41 грн
500+111.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NZT560A ONSM-S-A0003584069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NZT560A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+68.74 грн
50+43.66 грн
250+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NZT560A ONSM-S-A0003584069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NZT560A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+43.66 грн
250+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A. ONSM-S-A0013339719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS6898A.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6898A. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+71.62 грн
50+61.59 грн
100+51.56 грн
500+40.47 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6350-TL-W CPH6350-D.PDF
CPH6350-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6350-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 6785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+50.24 грн
27+31.08 грн
100+19.98 грн
500+14.13 грн
1000+11.70 грн
5000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSD914XV2T1G ONSM-S-A0013300536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSD914XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD914XV2T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
55+14.97 грн
97+8.55 грн
169+4.88 грн
500+3.29 грн
1500+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSD914XV2T1G ONSM-S-A0013300536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSD914XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD914XV2T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+3.29 грн
1500+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSD070ALT1G NSD070AL-D.PDF
NSD070ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD070ALT1G - Kleinsignaldiode, Zwei in Reihe, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25
Sperrverzögerungszeit: 3
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSD914F3T5G 2337988.pdf
NSD914F3T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD914F3T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-1123
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: 4
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSD914F3T5G 2337988.pdf
NSD914F3T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD914F3T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D1N08H NVBLS1D1N08H-D.PDF
NVBLS1D1N08H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08H NTBLS1D1N08H-D.PDF
NTBLS1D1N08H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV47701PDAJR2G ncv47701-d.pdf
NCV47701PDAJR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV47701PDAJR2G - LDO-Spannungsregler, AEC-Q100, einstellbar, max. 40Vin, 0.25V Dropout, 5V bis 20V/350mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 350mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 350mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+187.48 грн
10+129.92 грн
50+116.77 грн
100+90.86 грн
250+76.12 грн
500+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8711ASNADJT1G 3108676.pdf
NCV8711ASNADJT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8711ASNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.7V bis 18Vin, 215mV Dropout, 1.2-17 V/100mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 17V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 215mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 18V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Produktpalette: Adj 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 100mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOP
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.7V
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Ausgangsspannung, max.: 17V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Dropout-Spannung Vdo: 215mV
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 215mV
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+38.57 грн
500+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGBS3040E1-F085 FGBS3040_F085-D.PDF
FGBS3040E1-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGBS3040E1-F085 - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA575DTBR2G 194954.pdf
SA575DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA575DTBR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, TSSOP, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 3V bis 7V
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: TSSOP
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA575DTBR2G 194954.pdf
SA575DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA575DTBR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, TSSOP, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA575DR2G. SA575-D.PDF
SA575DR2G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA575DR2G. - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, WSOIC, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 3V bis 7V
hazardous: false
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: WSOIC
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCH060N80-F155 ONSM-S-A0013180377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCH060N80-F155
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH060N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 58 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 58
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF20S65AQ FGAF20S65AQ-D.PDF
FGAF20S65AQ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGAF20S65AQ - IGBT, 40 A, 1.4 V, 75 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QEE123 QEE122_123.pdf
QEE123
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QEE123 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 50 °, Radial bedrahtet, 9 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: Radial bedrahtet
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 800ns
MSL: -
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 890nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 9mW/Sr
Halbwertswinkel: 50°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: QEE12X Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 900ns
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+92.92 грн
13+65.62 грн
25+59.45 грн
50+49.56 грн
100+40.46 грн
500+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25 fda59n25-d.pdf
FDA59N25
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA59N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 59 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 392W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+315.76 грн
10+189.13 грн
100+174.33 грн
500+136.68 грн
1000+111.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GF1J GF1M-D.pdf
GF1J
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GF1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: GF1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 26678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
21+39.88 грн
34+24.50 грн
100+15.71 грн
500+11.22 грн
1000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GF1K GF1M-D.pdf
GF1K
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GF1K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 2
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GF1K GF1M-D.pdf
GF1K
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GF1K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 2
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7NZ34K8X 2285851.pdf
NC7NZ34K8X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7NZ34K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 7NZ
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ00P5X 2299570.pdf
NC7SZ00P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ00P5X - NAND-Gatter, NC7S00, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S00
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
103+8.01 грн
198+4.17 грн
271+3.04 грн
500+2.45 грн
1000+2.13 грн
5000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC546BTA ONSM-S-A0013180388-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC546BTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC546BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignal, NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
39+21.30 грн
75+11.10 грн
102+8.09 грн
500+5.54 грн
1000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80T FQPF6N80T-D.pdf
FQPF6N80T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF6N80T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1624T-TD-E ONSMS36739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1624T-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1624T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+28.94 грн
500+19.01 грн
1000+15.79 грн
5000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0140P2T5G 2353885.pdf
NSR0140P2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0140P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 70 mA, 350 mV, 500 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 500mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 350mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+9.62 грн
250+7.94 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33152DR2G 1904616.pdf
NCV33152DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V bis 18V Versorgung, 1.5Aout, 40ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
euEccn: NLR
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33152DR2G 1904616.pdf
NCV33152DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V bis 18V Versorgung, 1.5Aout, 40ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 6.1
Quellstrom: 1.5
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 18
Eingabeverzögerung: 50
Ausgabeverzögerung: 40
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GLT1G 2354268.pdf
BCW66GLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 28404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
75+11.02 грн
114+7.24 грн
181+4.56 грн
500+3.07 грн
1500+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GLT3G BCW66GLT1-D.PDF
BCW66GLT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW66GLT3G - Transistor, NPN, 45V, 0.8A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 160
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3557-6-TB-E ONSMS36072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3557-6-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+20.72 грн
500+16.11 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1AFA RS1AFA-D.PDF
RS1AFA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1AFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 150
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670 FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS2670
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+163.64 грн
10+131.57 грн
25+119.23 грн
100+99.26 грн
500+77.53 грн
1000+67.31 грн
2500+58.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2670 FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS2670
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+99.26 грн
500+77.53 грн
1000+67.31 грн
2500+58.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N60E ONSM-S-A0003584799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCP125N60E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP125N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 29
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.102
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUD3105LT1G 2354009.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUD3105LT1G - IC RELAY/INDUCTIVE DRIVER 400MA SOT-23-3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUD3105LT1G 2354009.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUD3105LT1G - IC RELAY/INDUCTIVE DRIVER 400MA SOT-23-3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1323NZ FDZ1323NZ-D.pdf
FDZ1323NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDZ1323NZ - Dual-MOSFET, WLCSP
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ191P 2304274.pdf
FDZ191P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDZ191P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.067 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: WL-CSP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1905PZ FDZ1905PZ-D.PDF
FDZ1905PZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDZ1905PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.099 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.099
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WL-CSP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.099
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ191P 2304274.pdf
FDZ191P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDZ191P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.067 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 1.9
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1416NZ FDZ1416NZ-D.pdf
FDZ1416NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDZ1416NZ - Dual-MOSFET, WLCSP
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DFA RS1AFA-D.PDF
RS1DFA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1DFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 150
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP12711ADNR2G 3917125.pdf
NCP12711ADNR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP12711ADNR2G - PWM-Controller, 4.5 bis 40V Versorgungsspannung, 1.25Aout, 1MHz, MSOP-10
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 94%
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Schaltfrequenz, max.: -
Ausgangsstrom: 1.25A
Schaltfrequenz, min.: -
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Tastverhältnis, min.: 0%
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1MHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Ausgangsspannung: -
Qualifikation: -
Frequenz: 1MHz
Topologie: Flyback, Forward
Bauform - Controller-IC: MSOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Eingangsspannung: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+111.83 грн
11+81.82 грн
50+74.75 грн
100+56.43 грн
250+48.99 грн
500+47.08 грн
1000+44.97 грн
2500+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C3V0LT1G 2236792.pdf
SZBZX84C3V0LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C3V0LT1G - Zener-Diode, 3 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
74+11.18 грн
79+10.53 грн
143+5.79 грн
500+2.26 грн
3000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZ 2572508.pdf
FDD390N15ALZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD390N15ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+69.57 грн
500+52.00 грн
1000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7NZ34K8X 2285851.pdf
NC7NZ34K8X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7NZ34K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD852SD 2299687.pdf
FOD852SD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD852SD - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 1000%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+80.17 грн
16+53.53 грн
25+49.50 грн
50+42.30 грн
100+35.59 грн
500+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD852 2303886.pdf
FOD852
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD852 - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 1000%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+82.23 грн
15+57.48 грн
25+52.46 грн
50+44.13 грн
100+36.44 грн
500+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33204DR2G ONSMS38323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCV33204DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33204DR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2MHz
Eingangsoffsetspannung: 10mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 80nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+49.86 грн
250+45.18 грн
500+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLVHC1G00DFT2G MC74HC1G00-D.PDF
NLVHC1G00DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVHC1G00DFT2G - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74HC1G00
tariffCode: 85423990
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
hazardous: false
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 74HC1G00
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLV431CSN1T1G 2907256.pdf
TLV431CSN1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TLV431CSN1T1G - VOLT REF, SHUNT, 1.24-16V, -40TO85DEG C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 16V
Bauform - Spannungsreferenz: SOT-23
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.24V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 16V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Referenzspannung: 1.24V bis 16V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.2%
на замовлення 22988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+12.66 грн
500+10.31 грн
1000+9.09 грн
5000+8.53 грн
10000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP16N60N fcpf16n60nt-d.pdf fcpf16n60nt-d.pdf
FCP16N60N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP16N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 134.4W
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SupreMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+448.15 грн
10+359.34 грн
100+309.18 грн
500+255.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3 fcpf067n65s3-d.pdf
FCPF067N65S3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF067N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.067 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+583.01 грн
5+453.09 грн
10+323.16 грн
50+293.21 грн
100+264.31 грн
250+259.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N65S3 FCP260N65S3-D.PDF
FCP260N65S3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 240 480 720 960 1200 1440 1680 1866 1867 1868 1869 1870 1871 1872 1873 1874 1875 1876 1920 2160 2400 2402  [ Наступна Сторінка >> ]