Продукція > PANJIT > Всі товари виробника PANJIT (23189) > Сторінка 381 з 387

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SM6S48A-AU_R2_000A1 SM6S48A-AU_R2_000A1 PanJit SM6S14A-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 4.6kW; 53.3÷58.7V; 57A; unidirectional; DO218AB; SM6S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 4.6kW
Max. off-state voltage: 48V
Breakdown voltage: 53.3...58.7V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SM6S
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS1040-AU_R1_000A1 SS1040-AU_R1_000A1 PanJit SS1040-AU.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 0.55V
Features of semiconductor devices: fast switching
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Max. load current: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 2.3mA
Case: SOD123
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS1040FL_R1_00001 SS1040FL_R1_00001 PanJit SS1020FL_SERIES.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 0.55V
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Max. load current: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 30µA
Case: SOD123F
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.70 грн
48+8.63 грн
66+6.28 грн
100+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS10200HE_R1_00001 SS10200HE_R1_00001 PanJit SS1040HE_SERIES.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123HE; SMD; 200V; 1A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 0.85V
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Max. load current: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 30µA
Case: SOD123HE
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.01 грн
43+9.61 грн
57+7.23 грн
75+6.66 грн
100+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS1040_R1_00001 SS1040_R1_00001 PanJit SS1030_SERIES.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 0.55V
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Max. load current: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 30µA
Case: SOD123
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ20A_R1_00001 P6SMBJ20A_R1_00001 PanJit P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 22.2÷24.5V; 18.5A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.2...24.5V
Max. forward impulse current: 18.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMCJ43A-AU_R1_000A1 1.5SMCJ43A-AU_R1_000A1 PanJit 1.5SMCJ-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 47.8÷55V; 21.6A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 43V
Breakdown voltage: 47.8...55V
Max. forward impulse current: 21.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1.5SMCJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMCJ30A-AU_R2_000A1 1.5SMCJ30A-AU_R2_000A1 PanJit Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 33.3÷38.3V; 31A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...38.3V
Max. forward impulse current: 31A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1.5SMCJ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMCJ30A_R1_00001 1.5SMCJ30A_R1_00001 PanJit 1.5SMCJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 33.3÷38.3V; 31A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...38.3V
Max. forward impulse current: 31A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1.5SMCJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3.0SMCJ30A-AU_R1_000A1 3.0SMCJ30A-AU_R1_000A1 PanJit 3.0SMCJ10A-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 33.3÷38.3V; 62A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...38.3V
Max. forward impulse current: 62A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 3µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 3.0SMCJ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3.0SMCJ30A_R1_00001 3.0SMCJ30A_R1_00001 PanJit 3.0SMCJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 33.3÷38.3V; 62A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...38.3V
Max. forward impulse current: 62A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 3µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 3.0SMCJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5231A_R1_00001 MMSZ5231A_R1_00001 PanJit MMSZ5229A_SERIES.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 500mW; 5.1V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40_R1_00001 RB751V-40_R1_00001 PanJit RB751V-40.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.34V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Leakage current: 0.5µA
на замовлення 4109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
41+10.84 грн
77+5.36 грн
129+3.19 грн
448+2.10 грн
1000+2.06 грн
1232+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40X_R1_00001 RB751V-40X_R1_00001 PanJit RB751V-40X.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. load current: 0.2A
Leakage current: 0.5µA
на замовлення 4258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
48+9.25 грн
78+5.30 грн
124+3.34 грн
434+2.16 грн
1192+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40-AU_R1_000A1 RB751V-40-AU_R1_000A1 PanJit RB751V-40-AU.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.55V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Application: automotive industry
Leakage current: 22µA
на замовлення 4659 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
29+15.40 грн
49+8.54 грн
100+5.35 грн
377+2.49 грн
1036+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 PanJit PJT7800.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 4A
Gate charge: 1.6nC
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.62 грн
58+7.15 грн
100+6.66 грн
167+5.67 грн
457+5.34 грн
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE30CA_AY_00001 PanJit Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 28.5÷31.5V; 14.4A; bidirectional; DO15; 0.6kW; P6KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 25.6V
Breakdown voltage: 28.5...31.5V
Max. forward impulse current: 14.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Manufacturer series: P6KE
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE30CA_R2_00001 PanJit P6KE_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 28.5÷31.5V; 14.4A; bidirectional; DO15; 0.6kW; P6KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 25.6V
Breakdown voltage: 28.5...31.5V
Max. forward impulse current: 14.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Manufacturer series: P6KE
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4136C2A_R1_00001 PE4136C2A_R1_00001 PanJit Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 40V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Number of channels: 2
Case: SOT23
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 40V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.1nF
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4136C2A-AU_R1_000A1 PE4136C2A-AU_R1_000A1 PanJit PE4136C2A-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 40V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Number of channels: 2
Case: SOT23
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 40V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 36V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 0.8µA
Capacitance: 0.1nF
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100N06SA-AU_L2_006A1 PanJit PJD100N06SA-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50.4A; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50.4A
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600_R1_00001 PanJit PJT7600.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 400/600mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6/2.2nC
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.08 грн
27+15.53 грн
50+12.08 грн
100+10.85 грн
169+5.59 грн
463+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603_R1_00001 PanJit PJX8603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.95/1.1nC
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.01 грн
32+13.15 грн
100+9.12 грн
170+5.50 грн
466+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001 PJX138K_R1_00001 PanJit Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 1.2A
Gate charge: 1nC
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.58 грн
52+8.05 грн
61+6.84 грн
100+6.33 грн
202+4.66 грн
554+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V3-AU_R1_000A1 BZX84C3V3-AU_R1_000A1 PanJit BZX84C2V4-AU_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 410mW; 3.3V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.41W
Zener voltage: 3.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V3_R1_00501 BZX84C3V3_R1_00501 PanJit BZX84C2V4_SERIES.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 410mW; 3.3V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.41W
Zener voltage: 3.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V3W-AU_R1_000A1 BZX84C3V3W-AU_R1_000A1 PanJit BZX84C2V4W-AU_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 200mW; 3.3V; SMD; SOT323; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 3.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT323
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA20A-AU_R2_000A1 P4SMA20A-AU_R2_000A1 PanJit P4SMA10AS_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 19÷21V; 15A; unidirectional; SMA; reel,tape
Case: SMA
Mounting: SMD
Manufacturer series: P4SMA
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 17.1V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 19...21V
Max. forward impulse current: 15A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1J_R1_00001 US1J_R1_00001 PanJit US1A_SERIES.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 100ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 100ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
31+14.39 грн
49+8.39 грн
100+5.80 грн
242+3.89 грн
664+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1B_R1_00001 US1B_R1_00001 PanJit US1A_SERIES.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 50ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.19 грн
85+4.85 грн
100+4.37 грн
250+4.04 грн
500+3.86 грн
1000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCL4148_R1_10001 MCL4148_R1_10001 PanJit Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; MicroMELF; Ufmax: 1V; Ir: 5uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: MicroMELF
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
на замовлення 41253 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
100+4.42 грн
148+2.79 грн
165+2.50 грн
183+2.25 грн
250+2.01 грн
500+1.69 грн
1000+1.51 грн
3000+1.34 грн
12000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCL4148_R2_10001 MCL4148_R2_10001 PanJit Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; MicroMELF; Ufmax: 1V; Ir: 5uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: MicroMELF
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N06A_L2_00601 PJD40N06A_L2_00601 PanJit Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
на замовлення 8912 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+49.55 грн
14+31.14 грн
45+21.28 грн
122+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6AFC51A-AU_R1_000A1 PanJit Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 56.7÷62.7V; 7.3A; unidirectional; SMAF-C; P6AFC
Manufacturer series: P6AFC
Max. forward impulse current: 7.3A
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 51V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 0.1µA
Case: SMAF-C
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 56.7...62.7V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMAJ30CA_R1_00001 P4SMAJ30CA_R1_00001 PanJit Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 33.3÷36.8V; 8.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...36.8V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SMAJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMAJ30CA-AU_R1_000A1 P4SMAJ30CA-AU_R1_000A1 PanJit P4SMAJ-AU_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 33.3÷36.8V; 8.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...36.8V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SMAJ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJF18N20_T0_00001 PanJit PJx18N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD18N20_L2_00001 PJD18N20_L2_00001 PanJit PJx18N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 83W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 72A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP18N20_T0_00001 PJP18N20_T0_00001 PanJit PJx18N20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MER1002FCT_T0_00601 MER1002FCT_T0_00601 PanJit MER1002FCT.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 10A; Ifsm: 100A; ITO220AB; tube; 37ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: superfast switching
Max. forward impulse current: 100A
Case: ITO220AB
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 0.95V
Leakage current: 60µA
Reverse recovery time: 37ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5354B_AY_00001 1N5354B_AY_00001 PanJit 1N5338B_SERIES.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 17V; DO201AE; single diode; Ammo Pack; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 17V
Case: DO201AE
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Manufacturer series: 1N53xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5226B_R1_00001 MMSZ5226B_R1_00001 PanJit MMSZ5221B_SERIES.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 500mW; 3.3V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+7.96 грн
82+5.01 грн
159+2.60 грн
250+2.05 грн
500+1.75 грн
1000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5226B-AU_R1_000A1 MMSZ5226B-AU_R1_000A1 PanJit MMSZ5221B-AU_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 500mW; 3.3V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5226BS-AU_R1_000A1 MMSZ5226BS-AU_R1_000A1 PanJit MMSZ5221BS-AU_SERIES.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 200mW; 3.3V; SMD; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 3.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5226BS_R1_00001 MMSZ5226BS_R1_00001 PanJit MMSZ5221BS_SERIES.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 200mW; 3.3V; SMD; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 3.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BW-AU_R1_000A1 BC857BW-AU_R1_000A1 PanJit BC856XW-AU_SERIES.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; SOT323; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BW_R1_00001 BC857BW_R1_00001 PanJit 20191022120008o3371igSG63.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BW_R2_00001 BC857BW_R2_00001 PanJit Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE43A_AY_00001 PanJit Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 40.9÷45.2V; 10.1A; unidirectional; DO15; P6KE
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36.8V
Breakdown voltage: 40.9...45.2V
Max. forward impulse current: 10.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6KE
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601 PJMH074N60FRC_T0_00601 PanJit PJMH074N60FRC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Power dissipation: 446W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 117A
Gate charge: 84nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRCH_T0_00601 PanJit PJMH074N60FRCH.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMK074N60FRCH_T0_00201 PanJit PJMK074N60FRCH.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 74V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE27CA_AY_00001 PanJit Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 25.7÷28.4V; 16A; bidirectional; DO15; 0.6kW; P6KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 23.1V
Breakdown voltage: 25.7...28.4V
Max. forward impulse current: 16A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Manufacturer series: P6KE
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE27CA-AU_R2_000A1 PanJit Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 25.7÷28.4V; 16A; bidirectional; DO15; 0.6kW; P6KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 23.1V
Breakdown voltage: 25.7...28.4V
Max. forward impulse current: 16A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Manufacturer series: P6KE
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ6.0A_R1_00001 P6SMBJ6.0A_R1_00001 PanJit P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 6.67÷7.37V; 58.3A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 6V
Breakdown voltage: 6.67...7.37V
Max. forward impulse current: 58.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.8mA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.12 грн
30+13.72 грн
100+9.61 грн
500+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMAJ10CA-AU_R1_000A1 P4SMAJ10CA-AU_R1_000A1 PanJit P4SMAJ-AU_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 11.1÷12.3V; 23.5A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 23.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SMAJ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMAJ10CA_R1_00001 P4SMAJ10CA_R1_00001 PanJit Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 11.1÷12.3V; 23.5A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 23.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SMAJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400_R1_00001 PJA3400_R1_00001 PanJit PJA3400.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 19.6A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 5.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 60mΩ
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+23.89 грн
31+13.64 грн
100+8.46 грн
500+6.16 грн
1000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ22CA-AU_R1_000A1 P6SMBJ22CA-AU_R1_000A1 PanJit P6SMBJ-AU_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 24.4÷27V; 16.9A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 22V
Breakdown voltage: 24.4...27V
Max. forward impulse current: 16.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5245B_R1_00001 MMSZ5245B_R1_00001 PanJit MMSZ5221B_SERIES.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 500mW; 15V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 15V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.73 грн
100+4.11 грн
125+3.30 грн
142+2.90 грн
500+2.05 грн
1000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM6S48A-AU_R2_000A1 SM6S14A-AU_SERIES.pdf
SM6S48A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 4.6kW; 53.3÷58.7V; 57A; unidirectional; DO218AB; SM6S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 4.6kW
Max. off-state voltage: 48V
Breakdown voltage: 53.3...58.7V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SM6S
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS1040-AU_R1_000A1 SS1040-AU.pdf
SS1040-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 0.55V
Features of semiconductor devices: fast switching
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Max. load current: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 2.3mA
Case: SOD123
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS1040FL_R1_00001 SS1020FL_SERIES.pdf
SS1040FL_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 0.55V
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Max. load current: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 30µA
Case: SOD123F
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+17.70 грн
48+8.63 грн
66+6.28 грн
100+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS10200HE_R1_00001 SS1040HE_SERIES.pdf
SS10200HE_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123HE; SMD; 200V; 1A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 0.85V
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Max. load current: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 30µA
Case: SOD123HE
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.01 грн
43+9.61 грн
57+7.23 грн
75+6.66 грн
100+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS1040_R1_00001 SS1030_SERIES.pdf
SS1040_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 0.55V
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Max. load current: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 30µA
Case: SOD123
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ20A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ20A_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 22.2÷24.5V; 18.5A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.2...24.5V
Max. forward impulse current: 18.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMCJ43A-AU_R1_000A1 1.5SMCJ-AU_SERIES.pdf
1.5SMCJ43A-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 47.8÷55V; 21.6A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 43V
Breakdown voltage: 47.8...55V
Max. forward impulse current: 21.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1.5SMCJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMCJ30A-AU_R2_000A1
1.5SMCJ30A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 33.3÷38.3V; 31A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...38.3V
Max. forward impulse current: 31A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1.5SMCJ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMCJ30A_R1_00001 1.5SMCJ_SERIES.pdf
1.5SMCJ30A_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 33.3÷38.3V; 31A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...38.3V
Max. forward impulse current: 31A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1.5SMCJ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3.0SMCJ30A-AU_R1_000A1 3.0SMCJ10A-AU_SERIES.pdf
3.0SMCJ30A-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 33.3÷38.3V; 62A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...38.3V
Max. forward impulse current: 62A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 3µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 3.0SMCJ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3.0SMCJ30A_R1_00001 3.0SMCJ_SERIES.pdf
3.0SMCJ30A_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 33.3÷38.3V; 62A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...38.3V
Max. forward impulse current: 62A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 3µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 3.0SMCJ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5231A_R1_00001 MMSZ5229A_SERIES.pdf
MMSZ5231A_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 500mW; 5.1V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40_R1_00001 RB751V-40.pdf
RB751V-40_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.34V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Leakage current: 0.5µA
на замовлення 4109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+10.84 грн
77+5.36 грн
129+3.19 грн
448+2.10 грн
1000+2.06 грн
1232+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40X_R1_00001 RB751V-40X.pdf
RB751V-40X_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. load current: 0.2A
Leakage current: 0.5µA
на замовлення 4258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
48+9.25 грн
78+5.30 грн
124+3.34 грн
434+2.16 грн
1192+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40-AU_R1_000A1 RB751V-40-AU.pdf
RB751V-40-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.55V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Application: automotive industry
Leakage current: 22µA
на замовлення 4659 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+15.40 грн
49+8.54 грн
100+5.35 грн
377+2.49 грн
1036+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 4A
Gate charge: 1.6nC
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.62 грн
58+7.15 грн
100+6.66 грн
167+5.67 грн
457+5.34 грн
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE30CA_AY_00001
Виробник: PanJit
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 28.5÷31.5V; 14.4A; bidirectional; DO15; 0.6kW; P6KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 25.6V
Breakdown voltage: 28.5...31.5V
Max. forward impulse current: 14.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Manufacturer series: P6KE
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE30CA_R2_00001 P6KE_SERIES.pdf
Виробник: PanJit
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 28.5÷31.5V; 14.4A; bidirectional; DO15; 0.6kW; P6KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 25.6V
Breakdown voltage: 28.5...31.5V
Max. forward impulse current: 14.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Manufacturer series: P6KE
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4136C2A_R1_00001
PE4136C2A_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 40V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Number of channels: 2
Case: SOT23
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 40V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.1nF
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4136C2A-AU_R1_000A1 PE4136C2A-AU_SERIES.pdf
PE4136C2A-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 40V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Number of channels: 2
Case: SOT23
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 40V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 36V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 0.8µA
Capacitance: 0.1nF
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100N06SA-AU_L2_006A1 PJD100N06SA-AU.pdf
Виробник: PanJit
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50.4A; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50.4A
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600.pdf
PJT7600_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 400/600mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6/2.2nC
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+30.08 грн
27+15.53 грн
50+12.08 грн
100+10.85 грн
169+5.59 грн
463+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603.pdf
PJX8603_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.95/1.1nC
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.01 грн
32+13.15 грн
100+9.12 грн
170+5.50 грн
466+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001
PJX138K_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 1.2A
Gate charge: 1nC
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.58 грн
52+8.05 грн
61+6.84 грн
100+6.33 грн
202+4.66 грн
554+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V3-AU_R1_000A1 BZX84C2V4-AU_SER.pdf
BZX84C3V3-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 410mW; 3.3V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.41W
Zener voltage: 3.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V3_R1_00501 BZX84C2V4_SERIES.pdf
BZX84C3V3_R1_00501
Виробник: PanJit
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 410mW; 3.3V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.41W
Zener voltage: 3.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V3W-AU_R1_000A1 BZX84C2V4W-AU_SER.pdf
BZX84C3V3W-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 200mW; 3.3V; SMD; SOT323; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 3.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT323
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA20A-AU_R2_000A1 P4SMA10AS_SERIES.pdf
P4SMA20A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 19÷21V; 15A; unidirectional; SMA; reel,tape
Case: SMA
Mounting: SMD
Manufacturer series: P4SMA
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 17.1V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 19...21V
Max. forward impulse current: 15A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1J_R1_00001 US1A_SERIES.pdf
US1J_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 100ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 100ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+14.39 грн
49+8.39 грн
100+5.80 грн
242+3.89 грн
664+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1B_R1_00001 US1A_SERIES.pdf
US1B_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 50ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+6.19 грн
85+4.85 грн
100+4.37 грн
250+4.04 грн
500+3.86 грн
1000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCL4148_R1_10001
MCL4148_R1_10001
Виробник: PanJit
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; MicroMELF; Ufmax: 1V; Ir: 5uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: MicroMELF
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
на замовлення 41253 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+4.42 грн
148+2.79 грн
165+2.50 грн
183+2.25 грн
250+2.01 грн
500+1.69 грн
1000+1.51 грн
3000+1.34 грн
12000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCL4148_R2_10001
MCL4148_R2_10001
Виробник: PanJit
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; MicroMELF; Ufmax: 1V; Ir: 5uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: MicroMELF
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N06A_L2_00601
PJD40N06A_L2_00601
Виробник: PanJit
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
на замовлення 8912 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+49.55 грн
14+31.14 грн
45+21.28 грн
122+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6AFC51A-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 56.7÷62.7V; 7.3A; unidirectional; SMAF-C; P6AFC
Manufacturer series: P6AFC
Max. forward impulse current: 7.3A
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 51V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 0.1µA
Case: SMAF-C
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 56.7...62.7V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMAJ30CA_R1_00001
P4SMAJ30CA_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 33.3÷36.8V; 8.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...36.8V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SMAJ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMAJ30CA-AU_R1_000A1 P4SMAJ-AU_SERIES.pdf
P4SMAJ30CA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 33.3÷36.8V; 8.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...36.8V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SMAJ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJF18N20_T0_00001 PJx18N20.pdf
Виробник: PanJit
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD18N20_L2_00001 PJx18N20.pdf
PJD18N20_L2_00001
Виробник: PanJit
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 83W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 72A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP18N20_T0_00001 PJx18N20.pdf
PJP18N20_T0_00001
Виробник: PanJit
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MER1002FCT_T0_00601 MER1002FCT.pdf
MER1002FCT_T0_00601
Виробник: PanJit
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 10A; Ifsm: 100A; ITO220AB; tube; 37ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: superfast switching
Max. forward impulse current: 100A
Case: ITO220AB
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 0.95V
Leakage current: 60µA
Reverse recovery time: 37ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5354B_AY_00001 1N5338B_SERIES.pdf
1N5354B_AY_00001
Виробник: PanJit
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 17V; DO201AE; single diode; Ammo Pack; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 17V
Case: DO201AE
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Manufacturer series: 1N53xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5226B_R1_00001 MMSZ5221B_SERIES.pdf
MMSZ5226B_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 500mW; 3.3V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+7.96 грн
82+5.01 грн
159+2.60 грн
250+2.05 грн
500+1.75 грн
1000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5226B-AU_R1_000A1 MMSZ5221B-AU_SER.pdf
MMSZ5226B-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 500mW; 3.3V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5226BS-AU_R1_000A1 MMSZ5221BS-AU_SERIES.pdf
MMSZ5226BS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 200mW; 3.3V; SMD; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 3.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5226BS_R1_00001 MMSZ5221BS_SERIES.pdf
MMSZ5226BS_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 200mW; 3.3V; SMD; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 3.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BW-AU_R1_000A1 BC856XW-AU_SERIES.pdf
BC857BW-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; SOT323; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BW_R1_00001 20191022120008o3371igSG63.pdf
BC857BW_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BW_R2_00001
BC857BW_R2_00001
Виробник: PanJit
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE43A_AY_00001
Виробник: PanJit
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 40.9÷45.2V; 10.1A; unidirectional; DO15; P6KE
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36.8V
Breakdown voltage: 40.9...45.2V
Max. forward impulse current: 10.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6KE
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601 PJMH074N60FRC.pdf
PJMH074N60FRC_T0_00601
Виробник: PanJit
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Power dissipation: 446W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 117A
Gate charge: 84nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRCH_T0_00601 PJMH074N60FRCH.pdf
Виробник: PanJit
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMK074N60FRCH_T0_00201 PJMK074N60FRCH.pdf
Виробник: PanJit
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 74V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE27CA_AY_00001
Виробник: PanJit
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 25.7÷28.4V; 16A; bidirectional; DO15; 0.6kW; P6KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 23.1V
Breakdown voltage: 25.7...28.4V
Max. forward impulse current: 16A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Manufacturer series: P6KE
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE27CA-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 25.7÷28.4V; 16A; bidirectional; DO15; 0.6kW; P6KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 23.1V
Breakdown voltage: 25.7...28.4V
Max. forward impulse current: 16A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Manufacturer series: P6KE
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ6.0A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ6.0A_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 6.67÷7.37V; 58.3A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 6V
Breakdown voltage: 6.67...7.37V
Max. forward impulse current: 58.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.8mA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.12 грн
30+13.72 грн
100+9.61 грн
500+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMAJ10CA-AU_R1_000A1 P4SMAJ-AU_SERIES.pdf
P4SMAJ10CA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 11.1÷12.3V; 23.5A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 23.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SMAJ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMAJ10CA_R1_00001
P4SMAJ10CA_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 11.1÷12.3V; 23.5A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 23.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SMAJ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400_R1_00001 PJA3400.pdf
PJA3400_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 19.6A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 5.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 60mΩ
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+23.89 грн
31+13.64 грн
100+8.46 грн
500+6.16 грн
1000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ22CA-AU_R1_000A1 P6SMBJ-AU_SERIES.pdf
P6SMBJ22CA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 24.4÷27V; 16.9A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 22V
Breakdown voltage: 24.4...27V
Max. forward impulse current: 16.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5245B_R1_00001 MMSZ5221B_SERIES.pdf
MMSZ5245B_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 500mW; 15V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 15V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.73 грн
100+4.11 грн
125+3.30 грн
142+2.90 грн
500+2.05 грн
1000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.