Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102287) > Сторінка 749 з 1705

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 510 680 744 745 746 747 748 749 750 751 752 753 754 850 1020 1190 1360 1530 1700 1705  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RQ3E180BNTB RQ3E180BNTB Rohm Semiconductor rq3e180bntb-e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
на замовлення 5051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.76 грн
10+49.74 грн
100+32.56 грн
500+23.63 грн
1000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G100GNTB RQ3G100GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3G100GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 20 V
на замовлення 94128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+33.87 грн
100+22.76 грн
500+16.31 грн
1000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A030APTL RQ5A030APTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5A030AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
на замовлення 14875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.18 грн
13+25.37 грн
100+16.17 грн
500+11.44 грн
1000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035ATTCL RQ5E035ATTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
на замовлення 112265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.44 грн
17+18.78 грн
100+12.65 грн
500+9.22 грн
1000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035BNTCL RQ5E035BNTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E035BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
на замовлення 18713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.65 грн
19+16.94 грн
100+10.67 грн
500+7.45 грн
1000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H020SPTL RQ5H020SPTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5H020SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 7530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+38.39 грн
100+24.84 грн
500+17.84 грн
1000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L015SPTL RQ5L015SPTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5L015SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 6831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.59 грн
12+26.36 грн
100+17.91 грн
500+13.17 грн
1000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C050UNTR RQ6C050UNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6C050UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
на замовлення 40861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.81 грн
11+29.43 грн
100+20.42 грн
500+14.97 грн
1000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E035ATTCR RQ6E035ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.20 грн
14+22.84 грн
100+11.28 грн
500+10.03 грн
1000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E045BNTCR RQ6E045BNTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E045BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.18 грн
13+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E050ATTCR RQ6E050ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
на замовлення 6170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.63 грн
12+26.29 грн
100+19.89 грн
500+16.09 грн
1000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6P015SPTR RQ6P015SPTR Rohm Semiconductor rq6p015sp-e.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.93 грн
10+54.10 грн
100+35.52 грн
500+25.87 грн
1000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RRF015P03GTL RRF015P03GTL Rohm Semiconductor rrf015p03tl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 9752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.77 грн
12+25.75 грн
100+12.79 грн
500+11.39 грн
1000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E200BNTB RS1E200BNTB Rohm Semiconductor rs1e200bntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240BNTB RS1E240BNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E240BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.91 грн
10+42.68 грн
100+30.70 грн
500+23.57 грн
1000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E280BNTB RS1E280BNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E280BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V
на замовлення 10762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.93 грн
10+61.23 грн
100+40.48 грн
500+29.63 грн
1000+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB RS1G120MNTB Rohm Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
на замовлення 13059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.26 грн
10+38.70 грн
100+25.04 грн
500+17.98 грн
1000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G150MNTB RS1G150MNTB Rohm Semiconductor rs1g150mntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.03 грн
10+55.10 грн
100+42.83 грн
500+32.59 грн
1000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G260MNTB RS1G260MNTB Rohm Semiconductor rs1g260mntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2988 pF @ 20 V
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.71 грн
10+129.36 грн
100+88.86 грн
500+67.16 грн
1000+61.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G300GNTB RS1G300GNTB Rohm Semiconductor rs1g300gntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
на замовлення 16608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.46 грн
10+134.95 грн
100+92.96 грн
500+70.39 грн
1000+64.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 RSC002P03T316 Rohm Semiconductor datasheet?p=RSC002P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.47 грн
16+19.92 грн
100+10.55 грн
500+6.51 грн
1000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RSD046P05TL RSD046P05TL Rohm Semiconductor rsd046p05.pdf Description: MOSFET P-CH 45V 4.5A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSD160P05TL RSD160P05TL Rohm Semiconductor rsd160p05.pdf Description: MOSFET P-CH 45V 16A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.83 грн
10+55.41 грн
100+43.08 грн
500+34.27 грн
1000+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSD175N10TL RSD175N10TL Rohm Semiconductor rsd175n10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSD200N05TL RSD200N05TL Rohm Semiconductor rsd200n05.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 20A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.26 грн
10+51.73 грн
100+40.22 грн
500+32.00 грн
1000+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSD201N10TL RSD201N10TL Rohm Semiconductor rsd201n10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TL RSJ151P10TL Rohm Semiconductor rsj151p10-e.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.17 грн
10+78.32 грн
100+55.26 грн
500+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RT1A060APTR RT1A060APTR Rohm Semiconductor rt1a060aptr-e.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RT1C060UNTR RT1C060UNTR Rohm Semiconductor rt1c060un.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RT1E040RPTR RT1E040RPTR Rohm Semiconductor RT1E040RP.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSST8
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RT1E050RPTR RT1E050RPTR Rohm Semiconductor rt1e050rptr-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTF016N05TL RTF016N05TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RTF016N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.16 грн
12+27.51 грн
100+17.60 грн
500+12.49 грн
1000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001ZPTL RU1C001ZPTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RU1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.71 грн
31+10.19 грн
100+6.34 грн
500+4.36 грн
1000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCL RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RU1C002ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 148037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.94 грн
39+8.05 грн
100+4.77 грн
500+3.94 грн
1000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCL RU1E002SPTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RU1E002SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 9289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.90 грн
26+11.88 грн
100+7.42 грн
500+5.12 грн
1000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCL RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RU1J002YN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 148705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.12 грн
34+9.04 грн
100+5.58 грн
500+3.83 грн
1000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C001ZPT2L RV1C001ZPT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RV1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 49336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.85 грн
17+18.85 грн
100+9.21 грн
500+7.21 грн
1000+5.01 грн
2000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C002UNT2CL RV1C002UNT2CL Rohm Semiconductor datasheet?p=RV1C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML0806
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 758000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.90 грн
23+13.33 грн
100+6.50 грн
500+5.09 грн
1000+3.54 грн
2000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C001ZPT2L RV2C001ZPT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RV2C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 17235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.42 грн
14+22.30 грн
100+11.25 грн
500+8.61 грн
1000+6.39 грн
2000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 9846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.90 грн
25+12.72 грн
100+8.54 грн
500+6.17 грн
1000+5.55 грн
2000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RV2C010UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 10311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.83 грн
17+18.93 грн
100+8.94 грн
500+7.70 грн
1000+6.37 грн
2000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RW1A025APT2CR RW1A025APT2CR Rohm Semiconductor datasheet?p=RW1A025AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.69 грн
23+13.49 грн
100+9.08 грн
500+6.56 грн
1000+5.90 грн
2000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RW1C026ZPT2CR RW1C026ZPT2CR Rohm Semiconductor datasheet?p=RW1C026ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.54 грн
11+28.66 грн
100+18.35 грн
500+13.03 грн
1000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RW1E014SNT2R RW1E014SNT2R Rohm Semiconductor datasheet?p=RW1E014SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V
на замовлення 7791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.51 грн
27+11.50 грн
100+7.72 грн
500+5.55 грн
1000+4.98 грн
2000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
RW1E015RPT2R RW1E015RPT2R Rohm Semiconductor datasheet?p=RW1E015RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.85 грн
19+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RW1E025RPT2CR RW1E025RPT2CR Rohm Semiconductor datasheet?p=RW1E025RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RYE002N05TCL RYE002N05TCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RYE002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RZF013P01TL RZF013P01TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RZF013P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 6 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.04 грн
14+23.14 грн
100+13.89 грн
500+12.07 грн
1000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RZM001P02T2L RZM001P02T2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RZM001P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 211495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.92 грн
32+9.58 грн
100+5.90 грн
500+4.05 грн
1000+3.56 грн
2000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41GZETB SH8K41GZETB Rohm Semiconductor sh8k41-e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.62 грн
10+61.46 грн
100+47.93 грн
500+37.16 грн
1000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TT8K1TR TT8K1TR Rohm Semiconductor tt8k1tr-e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M1TR TT8M1TR Rohm Semiconductor TT8M1_DS.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 10321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.69 грн
10+35.63 грн
100+23.05 грн
500+16.53 грн
1000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M3TR TT8M3TR Rohm Semiconductor TT8M3.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT8U2TR TT8U2TR Rohm Semiconductor tt8u2.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN UM6K33NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 685103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.44 грн
18+17.55 грн
100+10.84 грн
500+7.71 грн
1000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K34NTCN UM6K34NTCN Rohm Semiconductor datasheet?p=UM6K34N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 3504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.24 грн
18+17.78 грн
100+11.21 грн
500+7.84 грн
1000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
VT6J1T2CR VT6J1T2CR Rohm Semiconductor vt6j1.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VT6K1T2CR VT6K1T2CR Rohm Semiconductor vt6k1t2cr-e Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
на замовлення 19446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VT6M1T2CR VT6M1T2CR Rohm Semiconductor datasheet?p=VT6M1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT6
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 67311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.24 грн
15+21.61 грн
100+12.27 грн
500+7.63 грн
1000+5.85 грн
2000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RCD041N25TL RCD041N25TL Rohm Semiconductor rcd041n25.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180BNTB rq3e180bntb-e.pdf
RQ3E180BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
на замовлення 5051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.76 грн
10+49.74 грн
100+32.56 грн
500+23.63 грн
1000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G100GNTB datasheet?p=RQ3G100GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3G100GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 20 V
на замовлення 94128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.73 грн
10+33.87 грн
100+22.76 грн
500+16.31 грн
1000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5A030APTL datasheet?p=RQ5A030AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5A030APTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
на замовлення 14875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.18 грн
13+25.37 грн
100+16.17 грн
500+11.44 грн
1000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035ATTCL datasheet?p=RQ5E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E035ATTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
на замовлення 112265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.44 грн
17+18.78 грн
100+12.65 грн
500+9.22 грн
1000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035BNTCL datasheet?p=RQ5E035BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E035BNTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
на замовлення 18713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.65 грн
19+16.94 грн
100+10.67 грн
500+7.45 грн
1000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H020SPTL datasheet?p=RQ5H020SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5H020SPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 7530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.46 грн
10+38.39 грн
100+24.84 грн
500+17.84 грн
1000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L015SPTL datasheet?p=RQ5L015SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5L015SPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 6831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.59 грн
12+26.36 грн
100+17.91 грн
500+13.17 грн
1000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C050UNTR datasheet?p=RQ6C050UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6C050UNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
на замовлення 40861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.81 грн
11+29.43 грн
100+20.42 грн
500+14.97 грн
1000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E035ATTCR datasheet?p=RQ6E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E035ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.20 грн
14+22.84 грн
100+11.28 грн
500+10.03 грн
1000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E045BNTCR datasheet?p=RQ6E045BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E045BNTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.18 грн
13+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E050ATTCR datasheet?p=RQ6E050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E050ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
на замовлення 6170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.63 грн
12+26.29 грн
100+19.89 грн
500+16.09 грн
1000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6P015SPTR rq6p015sp-e.pdf
RQ6P015SPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.93 грн
10+54.10 грн
100+35.52 грн
500+25.87 грн
1000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RRF015P03GTL rrf015p03tl-e.pdf
RRF015P03GTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 9752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.77 грн
12+25.75 грн
100+12.79 грн
500+11.39 грн
1000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E200BNTB rs1e200bntb-e.pdf
RS1E200BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240BNTB datasheet?p=RS1E240BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E240BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.91 грн
10+42.68 грн
100+30.70 грн
500+23.57 грн
1000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E280BNTB datasheet?p=RS1E280BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E280BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V
на замовлення 10762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.93 грн
10+61.23 грн
100+40.48 грн
500+29.63 грн
1000+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB rs1g120mntb-e.pdf
RS1G120MNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
на замовлення 13059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.26 грн
10+38.70 грн
100+25.04 грн
500+17.98 грн
1000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G150MNTB rs1g150mntb-e.pdf
RS1G150MNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.03 грн
10+55.10 грн
100+42.83 грн
500+32.59 грн
1000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G260MNTB rs1g260mntb-e.pdf
RS1G260MNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2988 pF @ 20 V
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.71 грн
10+129.36 грн
100+88.86 грн
500+67.16 грн
1000+61.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G300GNTB rs1g300gntb-e.pdf
RS1G300GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
на замовлення 16608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.46 грн
10+134.95 грн
100+92.96 грн
500+70.39 грн
1000+64.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 datasheet?p=RSC002P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RSC002P03T316
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.47 грн
16+19.92 грн
100+10.55 грн
500+6.51 грн
1000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RSD046P05TL rsd046p05.pdf
RSD046P05TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 4.5A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSD160P05TL rsd160p05.pdf
RSD160P05TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 16A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.83 грн
10+55.41 грн
100+43.08 грн
500+34.27 грн
1000+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSD175N10TL rsd175n10.pdf
RSD175N10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSD200N05TL rsd200n05.pdf
RSD200N05TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 20A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.26 грн
10+51.73 грн
100+40.22 грн
500+32.00 грн
1000+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSD201N10TL rsd201n10.pdf
RSD201N10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TL rsj151p10-e.pdf
RSJ151P10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.17 грн
10+78.32 грн
100+55.26 грн
500+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RT1A060APTR rt1a060aptr-e.pdf
RT1A060APTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RT1C060UNTR rt1c060un.pdf
RT1C060UNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RT1E040RPTR RT1E040RP.pdf
RT1E040RPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSST8
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RT1E050RPTR rt1e050rptr-e.pdf
RT1E050RPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTF016N05TL datasheet?p=RTF016N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTF016N05TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.16 грн
12+27.51 грн
100+17.60 грн
500+12.49 грн
1000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001ZPTL datasheet?p=RU1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1C001ZPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.71 грн
31+10.19 грн
100+6.34 грн
500+4.36 грн
1000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCL datasheet?p=RU1C002ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1C002ZPTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 148037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.94 грн
39+8.05 грн
100+4.77 грн
500+3.94 грн
1000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCL datasheet?p=RU1E002SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1E002SPTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 9289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.90 грн
26+11.88 грн
100+7.42 грн
500+5.12 грн
1000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCL datasheet?p=RU1J002YN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1J002YNTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 148705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.12 грн
34+9.04 грн
100+5.58 грн
500+3.83 грн
1000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C001ZPT2L datasheet?p=RV1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV1C001ZPT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 49336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.85 грн
17+18.85 грн
100+9.21 грн
500+7.21 грн
1000+5.01 грн
2000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C002UNT2CL datasheet?p=RV1C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV1C002UNT2CL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML0806
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 758000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.90 грн
23+13.33 грн
100+6.50 грн
500+5.09 грн
1000+3.54 грн
2000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C001ZPT2L datasheet?p=RV2C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV2C001ZPT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 17235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
14+22.30 грн
100+11.25 грн
500+8.61 грн
1000+6.39 грн
2000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV2C002UNT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 9846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.90 грн
25+12.72 грн
100+8.54 грн
500+6.17 грн
1000+5.55 грн
2000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L datasheet?p=RV2C010UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV2C010UNT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 10311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.83 грн
17+18.93 грн
100+8.94 грн
500+7.70 грн
1000+6.37 грн
2000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RW1A025APT2CR datasheet?p=RW1A025AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW1A025APT2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.69 грн
23+13.49 грн
100+9.08 грн
500+6.56 грн
1000+5.90 грн
2000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RW1C026ZPT2CR datasheet?p=RW1C026ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW1C026ZPT2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.54 грн
11+28.66 грн
100+18.35 грн
500+13.03 грн
1000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RW1E014SNT2R datasheet?p=RW1E014SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW1E014SNT2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V
на замовлення 7791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.51 грн
27+11.50 грн
100+7.72 грн
500+5.55 грн
1000+4.98 грн
2000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
RW1E015RPT2R datasheet?p=RW1E015RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW1E015RPT2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.85 грн
19+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RW1E025RPT2CR datasheet?p=RW1E025RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW1E025RPT2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RYE002N05TCL datasheet?p=RYE002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RYE002N05TCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RZF013P01TL datasheet?p=RZF013P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RZF013P01TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 6 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.04 грн
14+23.14 грн
100+13.89 грн
500+12.07 грн
1000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RZM001P02T2L datasheet?p=RZM001P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RZM001P02T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 211495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.92 грн
32+9.58 грн
100+5.90 грн
500+4.05 грн
1000+3.56 грн
2000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41GZETB sh8k41-e.pdf
SH8K41GZETB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.62 грн
10+61.46 грн
100+47.93 грн
500+37.16 грн
1000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TT8K1TR tt8k1tr-e.pdf
TT8K1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M1TR TT8M1_DS.pdf
TT8M1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 10321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.69 грн
10+35.63 грн
100+23.05 грн
500+16.53 грн
1000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M3TR TT8M3.pdf
TT8M3TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT8U2TR tt8u2.pdf
TT8U2TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UM6K33NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 685103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.44 грн
18+17.55 грн
100+10.84 грн
500+7.71 грн
1000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K34NTCN datasheet?p=UM6K34N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UM6K34NTCN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 3504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.24 грн
18+17.78 грн
100+11.21 грн
500+7.84 грн
1000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
VT6J1T2CR vt6j1.pdf
VT6J1T2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VT6K1T2CR vt6k1t2cr-e
VT6K1T2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
на замовлення 19446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VT6M1T2CR datasheet?p=VT6M1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
VT6M1T2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT6
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 67311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.24 грн
15+21.61 грн
100+12.27 грн
500+7.63 грн
1000+5.85 грн
2000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RCD041N25TL rcd041n25.pdf
RCD041N25TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 510 680 744 745 746 747 748 749 750 751 752 753 754 850 1020 1190 1360 1530 1700 1705  [ Наступна Сторінка >> ]