Результат пошуку "IRF840" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF840APBF (TO-220AB, Vishay) IRF840APBF (TO-220AB, Vishay)
Код товару: 35892
Додати до обраних Обраний товар

Vishay Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
Монтаж: THT
у наявності: 68 шт
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
52 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+48.00 грн
10+43.50 грн
100+38.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF
Код товару: 182602
Додати до обраних Обраний товар

Siliconix irf840pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності: 188 шт
161 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+34.00 грн
10+30.50 грн
100+27.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF
Код товару: 82665
Додати до обраних Обраний товар

Vishay sihf840s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: SMD
у наявності: 187 шт
144 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+74.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF84093 HARRIS IRF84093
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+94.93 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840A 91065.pdf description MOSFET 500V 8A (32A pulse), N Channel TO-220
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5+110.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840A Siliconix 91065.pdf description Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+58.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF VISHAY VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.18 грн
10+121.92 грн
100+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF Vishay Semiconductors sihf840.pdf MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 6317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.54 грн
10+110.13 грн
100+95.01 грн
500+90.45 грн
1000+85.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF Vishay Siliconix sihf840.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.48 грн
50+102.16 грн
100+101.83 грн
500+90.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3B6A66C6620C7&compId=IRF840A.pdf?ci_sign=c9806e5f8dee67705c8a702216a95628106da050 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.50 грн
17+55.42 грн
47+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3B6A66C6620C7&compId=IRF840A.pdf?ci_sign=c9806e5f8dee67705c8a702216a95628106da050 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+177.00 грн
17+69.06 грн
47+62.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF Vishay Siliconix 91065.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+161.14 грн
50+91.79 грн
100+91.44 грн
500+85.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF Vishay Semiconductors 91065.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.02 грн
10+102.26 грн
100+88.17 грн
500+86.65 грн
1000+80.56 грн
2000+78.28 грн
5000+77.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 IRF840APBF-BE3 Vishay 91065.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+165.79 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 IRF840APBF-BE3 VISHAY VISH-S-A0001435520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+162.85 грн
10+125.33 грн
25+118.51 грн
50+103.71 грн
100+90.62 грн
500+84.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 IRF840APBF-BE3 Vishay / Siliconix 91065.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.95 грн
10+86.44 грн
100+65.29 грн
500+58.60 грн
1000+49.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 IRF840APBF-BE3 Vishay Siliconix 91065.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.88 грн
10+110.84 грн
100+82.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0B78ECDF6469&compId=IRF840ASPBF.pdf?ci_sign=8f6caedfff324354ee0bb7eb5843c462e2d3d224 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+96.35 грн
15+63.34 грн
41+60.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0B78ECDF6469&compId=IRF840ASPBF.pdf?ci_sign=8f6caedfff324354ee0bb7eb5843c462e2d3d224 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.61 грн
15+78.93 грн
41+72.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay Siliconix sihf840.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+105.72 грн
10+101.46 грн
100+96.35 грн
500+76.72 грн
1000+69.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay Semiconductors sihf840.pdf MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 9678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.88 грн
10+89.15 грн
100+76.76 грн
500+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Vishay Semiconductors sihf840.pdf MOSFETs N-Chan 500V 8.0 Amp
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.91 грн
10+156.46 грн
100+103.37 грн
500+93.49 грн
800+76.76 грн
2400+75.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRRPBF IRF840ASTRRPBF Vishay Siliconix sihf840.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.34 грн
10+162.78 грн
100+128.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRRPBF IRF840ASTRRPBF Vishay Semiconductors sihf840.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.87 грн
10+179.18 грн
100+122.37 грн
500+120.09 грн
800+93.49 грн
2400+91.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840B Siliconix IRF%28S%29840B.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+56.31 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840B Siliconix IRF%28S%29840B.pdf description N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840 TIRF840
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840B Vishay IRF%28S%29840B.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+56.31 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF IRF840BPBF Vishay irf840b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+54.76 грн
15+48.70 грн
25+48.49 грн
50+46.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF IRF840BPBF Vishay Siliconix irf840b.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.17 грн
50+68.58 грн
100+61.44 грн
500+45.88 грн
1000+42.09 грн
2000+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF IRF840BPBF VISHAY VISH-S-A0014180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.21 грн
12+71.36 грн
100+67.61 грн
500+54.55 грн
1000+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF IRF840BPBF Vishay irf840b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF-BE3 IRF840BPBF-BE3 Vishay Siliconix irf840b.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF IRF840HPBF Vishay irf840hpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF IRF840HPBF Vishay Siliconix irf840hpbf.pdf Description: POWER MOSFET TO220AB, 850 M @ 10
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1059 pF @ 25 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF IRF840HPBF VISHAY 3789918.pdf Description: VISHAY - IRF840HPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.3 A, 0.74 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.01 грн
11+79.04 грн
100+57.72 грн
500+42.67 грн
1000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF IRF840HPBF Vishay irf840hpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCLPBF IRF840LCLPBF Vishay Siliconix sihf840l.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.96 грн
50+108.75 грн
100+104.62 грн
500+84.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCLPBF IRF840LCLPBF Vishay Semiconductors sihf840l.pdf description MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.49 грн
10+120.62 грн
100+101.09 грн
500+89.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3C99EA80D00C7&compId=IRF840LC.pdf?ci_sign=ad302db9da9cefca03ac69a49c518573aae8f1ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.77 грн
10+92.63 грн
16+60.96 грн
43+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3C99EA80D00C7&compId=IRF840LC.pdf?ci_sign=ad302db9da9cefca03ac69a49c518573aae8f1ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 712 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+182.12 грн
10+115.43 грн
16+73.15 грн
43+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY VISH-S-A0013276628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840LCPBF - N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.31 грн
10+141.53 грн
25+135.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Vishay 91067.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+68.04 грн
199+62.12 грн
1000+61.49 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY VISH-S-A0019267806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.05 грн
10+90.38 грн
100+79.89 грн
500+74.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Vishay 91067.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.06 грн
10+72.69 грн
100+66.36 грн
1000+63.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Vishay Siliconix 91067.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 7157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.03 грн
50+95.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Vishay Semiconductors 91067.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 4433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+170.25 грн
10+81.20 грн
100+64.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF-BE3 IRF840LCPBF-BE3 Vishay / Siliconix 91067.pdf MOSFETs TO252 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+170.25 грн
10+103.14 грн
100+76.76 грн
500+68.63 грн
1000+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF-BE3 IRF840LCPBF-BE3 Vishay Siliconix 91067.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.03 грн
10+116.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCSPBF IRF840LCSPBF Vishay Semiconductors sihf840l.pdf MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+305.03 грн
10+118.87 грн
100+101.09 грн
500+98.05 грн
1000+95.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0ED2C32BC469&compId=IRF840PBF.pdf?ci_sign=32d8bd5bce644db302139fe2d078b7048afcda96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.17 грн
10+74.42 грн
21+45.13 грн
58+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0ED2C32BC469&compId=IRF840PBF.pdf?ci_sign=32d8bd5bce644db302139fe2d078b7048afcda96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+102.61 грн
5+95.01 грн
10+89.31 грн
21+54.15 грн
58+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.23 грн
10+99.23 грн
100+91.32 грн
500+80.02 грн
1000+66.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+92.61 грн
145+85.24 грн
500+77.45 грн
1000+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay Semiconductors irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 5799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.73 грн
10+84.96 грн
100+72.58 грн
500+69.32 грн
1000+57.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+47.99 грн
260+47.52 грн
500+47.04 грн
1000+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 257
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+61.52 грн
14+51.27 грн
100+50.76 грн
500+48.46 грн
1000+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay Siliconix irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.59 грн
50+76.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3 IRF840PBF-BE3 VISHAY VISH-S-A0002281136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.62 грн
10+120.22 грн
25+111.69 грн
50+97.38 грн
100+83.31 грн
500+78.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF (TO-220AB, Vishay)
Код товару: 35892
Додати до обраних Обраний товар

IRF840APBF (TO-220AB, Vishay)
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
Монтаж: THT
у наявності: 68 шт
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
52 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+48.00 грн
10+43.50 грн
100+38.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF
Код товару: 182602
Додати до обраних Обраний товар

irf840pbf-datasheet.pdf
IRF840PBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності: 188 шт
161 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+34.00 грн
10+30.50 грн
100+27.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF
Код товару: 82665
Додати до обраних Обраний товар

sihf840s.pdf
IRF840SPBF
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: SMD
у наявності: 187 шт
144 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+74.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF84093
Виробник: HARRIS
IRF84093
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
325+94.93 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840A description 91065.pdf
MOSFET 500V 8A (32A pulse), N Channel TO-220
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+110.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840A description 91065.pdf
Виробник: Siliconix
Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+58.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840ALPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.18 грн
10+121.92 грн
100+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF sihf840.pdf
IRF840ALPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 6317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.54 грн
10+110.13 грн
100+95.01 грн
500+90.45 грн
1000+85.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF sihf840.pdf
IRF840ALPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.48 грн
50+102.16 грн
100+101.83 грн
500+90.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3B6A66C6620C7&compId=IRF840A.pdf?ci_sign=c9806e5f8dee67705c8a702216a95628106da050
IRF840APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.50 грн
17+55.42 грн
47+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3B6A66C6620C7&compId=IRF840A.pdf?ci_sign=c9806e5f8dee67705c8a702216a95628106da050
IRF840APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.00 грн
17+69.06 грн
47+62.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF 91065.pdf
IRF840APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.14 грн
50+91.79 грн
100+91.44 грн
500+85.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF 91065.pdf
IRF840APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.02 грн
10+102.26 грн
100+88.17 грн
500+86.65 грн
1000+80.56 грн
2000+78.28 грн
5000+77.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 91065.pdf
IRF840APBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+165.79 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 VISH-S-A0001435520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840APBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+162.85 грн
10+125.33 грн
25+118.51 грн
50+103.71 грн
100+90.62 грн
500+84.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 91065.pdf
IRF840APBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.95 грн
10+86.44 грн
100+65.29 грн
500+58.60 грн
1000+49.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 91065.pdf
IRF840APBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.88 грн
10+110.84 грн
100+82.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0B78ECDF6469&compId=IRF840ASPBF.pdf?ci_sign=8f6caedfff324354ee0bb7eb5843c462e2d3d224
IRF840ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.35 грн
15+63.34 грн
41+60.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0B78ECDF6469&compId=IRF840ASPBF.pdf?ci_sign=8f6caedfff324354ee0bb7eb5843c462e2d3d224
IRF840ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.61 грн
15+78.93 грн
41+72.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF sihf840.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840ASPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+105.72 грн
10+101.46 грн
100+96.35 грн
500+76.72 грн
1000+69.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF sihf840.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 9678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.88 грн
10+89.15 грн
100+76.76 грн
500+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF sihf840.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF sihf840.pdf
IRF840ASTRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 500V 8.0 Amp
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.91 грн
10+156.46 грн
100+103.37 грн
500+93.49 грн
800+76.76 грн
2400+75.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRRPBF sihf840.pdf
IRF840ASTRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.34 грн
10+162.78 грн
100+128.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRRPBF sihf840.pdf
IRF840ASTRRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.87 грн
10+179.18 грн
100+122.37 грн
500+120.09 грн
800+93.49 грн
2400+91.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840B description IRF%28S%29840B.pdf
Виробник: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+56.31 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840B description IRF%28S%29840B.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840 TIRF840
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840B description IRF%28S%29840B.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+56.31 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF irf840b.pdf
IRF840BPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+54.76 грн
15+48.70 грн
25+48.49 грн
50+46.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF irf840b.pdf
IRF840BPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.17 грн
50+68.58 грн
100+61.44 грн
500+45.88 грн
1000+42.09 грн
2000+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF VISH-S-A0014180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840BPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.21 грн
12+71.36 грн
100+67.61 грн
500+54.55 грн
1000+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF irf840b.pdf
IRF840BPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF-BE3 irf840b.pdf
IRF840BPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF irf840hpbf.pdf
IRF840HPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF irf840hpbf.pdf
IRF840HPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: POWER MOSFET TO220AB, 850 M @ 10
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1059 pF @ 25 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF 3789918.pdf
IRF840HPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840HPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.3 A, 0.74 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.01 грн
11+79.04 грн
100+57.72 грн
500+42.67 грн
1000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF irf840hpbf.pdf
IRF840HPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCLPBF description sihf840l.pdf
IRF840LCLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.96 грн
50+108.75 грн
100+104.62 грн
500+84.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCLPBF description sihf840l.pdf
IRF840LCLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.49 грн
10+120.62 грн
100+101.09 грн
500+89.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3C99EA80D00C7&compId=IRF840LC.pdf?ci_sign=ad302db9da9cefca03ac69a49c518573aae8f1ad
IRF840LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.77 грн
10+92.63 грн
16+60.96 грн
43+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3C99EA80D00C7&compId=IRF840LC.pdf?ci_sign=ad302db9da9cefca03ac69a49c518573aae8f1ad
IRF840LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 712 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.12 грн
10+115.43 грн
16+73.15 грн
43+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF VISH-S-A0013276628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840LCPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.31 грн
10+141.53 грн
25+135.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF 91067.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
182+68.04 грн
199+62.12 грн
1000+61.49 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF VISH-S-A0019267806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840LCPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+179.05 грн
10+90.38 грн
100+79.89 грн
500+74.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF 91067.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+95.06 грн
10+72.69 грн
100+66.36 грн
1000+63.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF 91067.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 7157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.03 грн
50+95.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF 91067.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 4433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.25 грн
10+81.20 грн
100+64.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF-BE3 91067.pdf
IRF840LCPBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO252 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.25 грн
10+103.14 грн
100+76.76 грн
500+68.63 грн
1000+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF-BE3 91067.pdf
IRF840LCPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.03 грн
10+116.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCSPBF sihf840l.pdf
IRF840LCSPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.03 грн
10+118.87 грн
100+101.09 грн
500+98.05 грн
1000+95.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0ED2C32BC469&compId=IRF840PBF.pdf?ci_sign=32d8bd5bce644db302139fe2d078b7048afcda96
IRF840PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.17 грн
10+74.42 грн
21+45.13 грн
58+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0ED2C32BC469&compId=IRF840PBF.pdf?ci_sign=32d8bd5bce644db302139fe2d078b7048afcda96
IRF840PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+102.61 грн
5+95.01 грн
10+89.31 грн
21+54.15 грн
58+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+135.23 грн
10+99.23 грн
100+91.32 грн
500+80.02 грн
1000+66.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
134+92.61 грн
145+85.24 грн
500+77.45 грн
1000+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 5799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.73 грн
10+84.96 грн
100+72.58 грн
500+69.32 грн
1000+57.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
257+47.99 грн
260+47.52 грн
500+47.04 грн
1000+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 257
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+61.52 грн
14+51.27 грн
100+50.76 грн
500+48.46 грн
1000+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.59 грн
50+76.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3 VISH-S-A0002281136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.62 грн
10+120.22 грн
25+111.69 грн
50+97.38 грн
100+83.31 грн
500+78.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]