Результат пошуку "xn-2ao-u(-10/0...+10vdc)" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
06031A820JAT2A 06031A820JAT2A KYOCERA AVX C0GNP0-Dielectric.pdf Description: KYOCERA AVX - 06031A820JAT2A - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 82 pF, 100 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 5%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 82pF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: SMD
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.02 грн
1000+3.29 грн
2000+2.95 грн
4000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
06031A820JAT2A 06031A820JAT2A KYOCERA AVX C0GNP0-Dielectric.pdf Description: KYOCERA AVX - 06031A820JAT2A - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 82 pF, 100 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 5%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 82pF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: SMD
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+10.92 грн
153+5.54 грн
500+5.02 грн
1000+3.29 грн
2000+2.95 грн
4000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
0603N101K100CT 0603N101K100CT MULTICOMP PRO Description: MULTICOMP PRO - 0603N101K100CT - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 100 pF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 100pF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+0.61 грн
20000+0.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
0805B104K101CT 0805B104K101CT MULTICOMP PRO WTC_MLCC_General_Purpose.pdf Description: MULTICOMP PRO - 0805B104K101CT - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.1 µF, 100 V, 0805 [Metrisch 2012], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0805 [Metrisch 2012]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.1µF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 789000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.13 грн
15000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
4N37M 4N37M ONSEMI 4n37m-d.pdf 4N3X%20Series%201115.pdf description Description: ONSEMI - 4N37M - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 6 Pin(s), 60 mA, 7.5 kV, 100 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 7.5kV
Durchlassstrom If, max.: 60mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.75 грн
36+23.53 грн
38+22.60 грн
50+20.12 грн
100+16.76 грн
500+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AL8116W6-7 AL8116W6-7 DIODES INC. AL8116.pdf Description: DIODES INC. - AL8116W6-7 - LED Driver, AEC-Q100, Linear, SOT-26-6, 10 V to 56 V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 56V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Linear
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Isoliert
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.11 грн
500+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AL8116W6-7 AL8116W6-7 DIODES INC. AL8116.pdf Description: DIODES INC. - AL8116W6-7 - LED Driver, AEC-Q100, Linear, SOT-26-6, 10 V to 56 V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 56V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Linear
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Isoliert
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.99 грн
29+29.63 грн
100+23.11 грн
500+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7769L2TR AUIRF7769L2TR INFINEON INFN-S-A0002297188-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 0.0035 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+608.64 грн
5+587.48 грн
10+566.32 грн
50+485.78 грн
100+393.99 грн
250+386.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7769L2TR AUIRF7769L2TR INFINEON INFN-S-A0002297188-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 0.0035 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+566.32 грн
50+485.78 грн
100+393.99 грн
250+386.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRS21271STR AUIRS21271STR INFINEON auirs2127s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bf588015b1 Description: INFINEON - AUIRS21271STR - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgung, 290mAout, 175ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 175ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.24 грн
10+151.53 грн
25+145.60 грн
50+126.55 грн
100+108.84 грн
250+105.93 грн
500+105.21 грн
1000+103.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRS21271STR AUIRS21271STR INFINEON auirs2127s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bf588015b1 Description: INFINEON - AUIRS21271STR - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgung, 290mAout, 175ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 175ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.84 грн
250+105.93 грн
500+105.21 грн
1000+103.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BD49E38G-MTR BD49E38G-MTR ROHM Description: ROHM - BD49E38G-MTR - Überwachungsschaltung/Spannungswächter, AEC-Q100, 950mV-10V, 3.8V Schwelle, 1 Wächter, SSOP-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: -
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Reset-Ausgang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 3.8V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 950mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 10V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.80 грн
500+23.82 грн
1000+20.32 грн
2500+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BD49E38G-MTR BD49E38G-MTR ROHM Description: ROHM - BD49E38G-MTR - Überwachungsschaltung/Spannungswächter, AEC-Q100, 950mV-10V, 3.8V Schwelle, 1 Wächter, SSOP-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: -
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Reset-Ausgang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 3.8V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 950mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 10V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.13 грн
23+36.82 грн
100+29.80 грн
500+23.82 грн
1000+20.32 грн
2500+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 INFINEON 4129358.pdf Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.34 грн
500+53.77 грн
1000+43.61 грн
5000+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 INFINEON 4129358.pdf Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.27 грн
10+99.04 грн
100+75.34 грн
500+53.77 грн
1000+43.61 грн
5000+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 INFINEON INFNS27880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.08 грн
500+45.43 грн
1000+38.53 грн
5000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 INFINEON INFNS27880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.21 грн
10+88.88 грн
100+64.08 грн
500+45.43 грн
1000+38.53 грн
5000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 INFINEON BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806 Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.69 грн
10+125.28 грн
100+99.04 грн
500+77.11 грн
1000+61.17 грн
5000+56.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 INFINEON BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806 Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.04 грн
500+77.11 грн
1000+61.17 грн
5000+56.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 INFINEON Infineon-BSC014N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e79762cbe Description: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+145.60 грн
500+117.91 грн
1000+105.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 INFINEON Infineon-BSC014N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e79762cbe Description: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.24 грн
10+165.92 грн
100+145.60 грн
500+117.91 грн
1000+105.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIATMA1 BSC018NE2LSIATMA1 INFINEON BSC018NE2LSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b8abf971c2 Description: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.03 грн
500+33.49 грн
1000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIATMA1 BSC018NE2LSIATMA1 INFINEON BSC018NE2LSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b8abf971c2 Description: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.67 грн
15+58.16 грн
100+45.03 грн
500+33.49 грн
1000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LSGATMA1 INFINEON BSC020N03LS_rev1.27.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b427641b3c1f Description: INFINEON - BSC020N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.58 грн
12+74.07 грн
100+55.79 грн
500+36.00 грн
1000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 INFINEON BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.88 грн
500+69.88 грн
1000+61.82 грн
5000+54.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 INFINEON BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.84 грн
10+121.05 грн
100+88.88 грн
500+69.88 грн
1000+61.82 грн
5000+54.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 INFINEON INFNS30158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0035 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.19 грн
15+58.83 грн
100+44.53 грн
500+33.33 грн
1000+25.11 грн
5000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 INFINEON INFNS30158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0035 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.53 грн
500+33.33 грн
1000+25.11 грн
5000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 BSC0500NSIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362 Description: INFINEON - BSC0500NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.22 грн
18+49.52 грн
100+48.67 грн
500+41.35 грн
1000+37.59 грн
5000+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 INFINEON BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.006 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.59 грн
10+95.66 грн
100+84.65 грн
500+63.12 грн
1000+55.51 грн
5000+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 INFINEON BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.006 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.65 грн
500+63.12 грн
1000+55.51 грн
5000+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 INFINEON BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5 Description: INFINEON - BSC0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.68 грн
26+33.10 грн
100+29.88 грн
500+25.55 грн
1000+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 INFINEON BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424 Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.31 грн
500+22.40 грн
1000+18.36 грн
5000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 INFINEON BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424 Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.68 грн
20+42.66 грн
100+30.31 грн
500+22.40 грн
1000+18.36 грн
5000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M120-100EX BUK9M120-100EX NEXPERIA BUK9M120-100E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 26186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.32 грн
500+20.59 грн
1000+13.28 грн
5000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M120-100EX BUK9M120-100EX NEXPERIA BUK9M120-100E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 26186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.46 грн
22+39.79 грн
100+31.32 грн
500+20.59 грн
1000+13.28 грн
5000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
C0805C229C1GACTU C0805C229C1GACTU KEMET Description: KEMET - C0805C229C1GACTU - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 2.2 pF, 100 V, 0805 [Metrisch 2012], ± 0.25pF, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0805 [Metrisch 2012]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 0.25pF
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Kapazität: 2.2pF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: C Series KEMET
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+16.76 грн
100+11.17 грн
500+9.99 грн
1000+7.02 грн
2000+6.01 грн
4000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
C0805C470K1GACTU C0805C470K1GACTU KEMET C0805C470K1GACTU.pdf Description: KEMET - C0805C470K1GACTU - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 47 pF, 100 V, 0805 [Metrisch 2012], ± 10%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0805 [Metrisch 2012]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Kapazität: 47pF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: C Series KEMET
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+11.09 грн
120+7.09 грн
500+6.04 грн
1000+3.79 грн
2000+3.31 грн
4000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
C0805C470K1GACTU C0805C470K1GACTU KEMET C0805C470K1GACTU.pdf Description: KEMET - C0805C470K1GACTU - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 47 pF, 100 V, 0805 [Metrisch 2012], ± 10%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0805 [Metrisch 2012]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Kapazität: 47pF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: C Series KEMET
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.04 грн
1000+3.79 грн
2000+3.31 грн
4000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CC0603KRX7R6BB105 CC0603KRX7R6BB105 YAGEO UPY-GPHC_X7R_6.3V-to-250V_24.pdf Description: YAGEO - CC0603KRX7R6BB105 - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: CC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 205998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+4.83 грн
247+3.44 грн
500+2.97 грн
1000+2.00 грн
2000+1.84 грн
4000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7 DMN10H170SFDE-7 DIODES INC. DMN10H170SFDE.pdf Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.59 грн
500+15.41 грн
1000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7 DMT10H072LFDF-7 DIODES INC. DMT10H072LFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMT10H072LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4 A, 0.047 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.47 грн
500+17.53 грн
1000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7 DMT10H072LFDF-7 DIODES INC. DMT10H072LFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMT10H072LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4 A, 0.047 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.28 грн
33+25.99 грн
100+19.47 грн
500+17.53 грн
1000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13 DMT4002LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.60 грн
10+108.35 грн
100+75.00 грн
500+51.09 грн
1000+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13 DMT4002LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.00 грн
500+51.09 грн
1000+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009SPSQ-13 DMTH10H009SPSQ-13 DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0067 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.79 грн
100+34.71 грн
500+32.15 грн
1000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009SPSQ-13 DMTH10H009SPSQ-13 DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0067 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.71 грн
500+32.15 грн
1000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH12H007SPS-13 DMTH12H007SPS-13 DIODES INC. 3204167.pdf Description: DIODES INC. - DMTH12H007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0066 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+120.20 грн
10+104.97 грн
100+101.58 грн
500+85.68 грн
1000+77.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8004LPS-13 DMTH8004LPS-13 DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMTH8004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.90 грн
500+106.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8004LPS-13 DMTH8004LPS-13 DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMTH8004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.95 грн
10+138.83 грн
100+121.90 грн
500+106.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 ONSEMI fdbl86066-f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0033 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.22 грн
10+154.91 грн
100+152.37 грн
500+127.34 грн
1000+116.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 ONSEMI fdbl86066-f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0033 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+152.37 грн
500+127.34 грн
1000+116.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZ FDMC86102LZ ONSEMI 2552626.pdf Description: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.60 грн
10+99.04 грн
100+78.73 грн
500+62.25 грн
1000+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZ FDMC86102LZ ONSEMI 2552626.pdf Description: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.73 грн
500+62.25 грн
1000+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BPPVC0S IMB12-04BPPVC0S SICK dataSheet_IMB12-04BPPVC0S_1074359_de.pdf Description: SICK - IMB12-04BPPVC0S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IMB, 4mm, PNP, M12, Steckverbinder, 10 bis 30V DC
tariffCode: 90318080
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M12-Gewinde
Sensorausgang: PNP
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: M12-Steckverbinder, 4-polig
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Sensorausgang: 4-Draht, PNP
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 4mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3331.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.81 грн
12+70.60 грн
100+62.81 грн
500+53.29 грн
1000+44.48 грн
5000+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.81 грн
500+53.29 грн
1000+44.48 грн
5000+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1 INFINEON Infineon-IPC100N04S5-2R8-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101590801b9b92904 Description: INFINEON - IPC100N04S52R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.45 грн
500+38.44 грн
1000+30.69 грн
5000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1 INFINEON Infineon-IPC100N04S5-2R8-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101590801b9b92904 Description: INFINEON - IPC100N04S52R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.89 грн
12+72.46 грн
100+55.45 грн
500+38.44 грн
1000+30.69 грн
5000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC100N04S5L1R1ATMA1 INFINEON Infineon-IPC100N04S5L-1R1-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d5753129605c Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.13 грн
500+53.06 грн
1000+48.11 грн
5000+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
06031A820JAT2A C0GNP0-Dielectric.pdf
06031A820JAT2A
Виробник: KYOCERA AVX
Description: KYOCERA AVX - 06031A820JAT2A - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 82 pF, 100 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 5%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 82pF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: SMD
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.02 грн
1000+3.29 грн
2000+2.95 грн
4000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
06031A820JAT2A C0GNP0-Dielectric.pdf
06031A820JAT2A
Виробник: KYOCERA AVX
Description: KYOCERA AVX - 06031A820JAT2A - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 82 pF, 100 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 5%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 82pF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: SMD
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+10.92 грн
153+5.54 грн
500+5.02 грн
1000+3.29 грн
2000+2.95 грн
4000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
0603N101K100CT
0603N101K100CT
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 0603N101K100CT - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 100 pF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 100pF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+0.61 грн
20000+0.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
0805B104K101CT WTC_MLCC_General_Purpose.pdf
0805B104K101CT
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 0805B104K101CT - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.1 µF, 100 V, 0805 [Metrisch 2012], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0805 [Metrisch 2012]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.1µF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 789000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.13 грн
15000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
4N37M description 4n37m-d.pdf 4N3X%20Series%201115.pdf
4N37M
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 4N37M - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 6 Pin(s), 60 mA, 7.5 kV, 100 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 7.5kV
Durchlassstrom If, max.: 60mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+42.75 грн
36+23.53 грн
38+22.60 грн
50+20.12 грн
100+16.76 грн
500+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AL8116W6-7 AL8116.pdf
AL8116W6-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AL8116W6-7 - LED Driver, AEC-Q100, Linear, SOT-26-6, 10 V to 56 V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 56V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Linear
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Isoliert
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.11 грн
500+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AL8116W6-7 AL8116.pdf
AL8116W6-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AL8116W6-7 - LED Driver, AEC-Q100, Linear, SOT-26-6, 10 V to 56 V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 56V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Linear
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Isoliert
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.99 грн
29+29.63 грн
100+23.11 грн
500+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7769L2TR INFN-S-A0002297188-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF7769L2TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 0.0035 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+608.64 грн
5+587.48 грн
10+566.32 грн
50+485.78 грн
100+393.99 грн
250+386.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7769L2TR INFN-S-A0002297188-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF7769L2TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 0.0035 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+566.32 грн
50+485.78 грн
100+393.99 грн
250+386.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRS21271STR auirs2127s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bf588015b1
AUIRS21271STR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRS21271STR - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgung, 290mAout, 175ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 175ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.24 грн
10+151.53 грн
25+145.60 грн
50+126.55 грн
100+108.84 грн
250+105.93 грн
500+105.21 грн
1000+103.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRS21271STR auirs2127s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bf588015b1
AUIRS21271STR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRS21271STR - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgung, 290mAout, 175ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 175ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+108.84 грн
250+105.93 грн
500+105.21 грн
1000+103.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BD49E38G-MTR
BD49E38G-MTR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BD49E38G-MTR - Überwachungsschaltung/Spannungswächter, AEC-Q100, 950mV-10V, 3.8V Schwelle, 1 Wächter, SSOP-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: -
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Reset-Ausgang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 3.8V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 950mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 10V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.80 грн
500+23.82 грн
1000+20.32 грн
2500+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BD49E38G-MTR
BD49E38G-MTR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BD49E38G-MTR - Überwachungsschaltung/Spannungswächter, AEC-Q100, 950mV-10V, 3.8V Schwelle, 1 Wächter, SSOP-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: -
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Reset-Ausgang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 3.8V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 950mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 10V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.13 грн
23+36.82 грн
100+29.80 грн
500+23.82 грн
1000+20.32 грн
2500+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 4129358.pdf
BSC009NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.34 грн
500+53.77 грн
1000+43.61 грн
5000+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 4129358.pdf
BSC009NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+103.27 грн
10+99.04 грн
100+75.34 грн
500+53.77 грн
1000+43.61 грн
5000+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 INFNS27880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.08 грн
500+45.43 грн
1000+38.53 грн
5000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 INFNS27880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.21 грн
10+88.88 грн
100+64.08 грн
500+45.43 грн
1000+38.53 грн
5000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+172.69 грн
10+125.28 грн
100+99.04 грн
500+77.11 грн
1000+61.17 грн
5000+56.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+99.04 грн
500+77.11 грн
1000+61.17 грн
5000+56.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 Infineon-BSC014N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e79762cbe
BSC014N06NSTATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+145.60 грн
500+117.91 грн
1000+105.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 Infineon-BSC014N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e79762cbe
BSC014N06NSTATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.24 грн
10+165.92 грн
100+145.60 грн
500+117.91 грн
1000+105.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIATMA1 BSC018NE2LSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b8abf971c2
BSC018NE2LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.03 грн
500+33.49 грн
1000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIATMA1 BSC018NE2LSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b8abf971c2
BSC018NE2LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.67 грн
15+58.16 грн
100+45.03 грн
500+33.49 грн
1000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LS_rev1.27.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b427641b3c1f
BSC020N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC020N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.58 грн
12+74.07 грн
100+55.79 грн
500+36.00 грн
1000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435
BSC030P03NS3GAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.88 грн
500+69.88 грн
1000+61.82 грн
5000+54.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435
BSC030P03NS3GAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+160.84 грн
10+121.05 грн
100+88.88 грн
500+69.88 грн
1000+61.82 грн
5000+54.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 INFNS30158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC035N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0035 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.19 грн
15+58.83 грн
100+44.53 грн
500+33.33 грн
1000+25.11 грн
5000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 INFNS30158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC035N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0035 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.53 грн
500+33.33 грн
1000+25.11 грн
5000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1 Infineon-BSC0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd4e65546362
BSC0500NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0500NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.22 грн
18+49.52 грн
100+48.67 грн
500+41.35 грн
1000+37.59 грн
5000+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a
BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.006 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.59 грн
10+95.66 грн
100+84.65 грн
500+63.12 грн
1000+55.51 грн
5000+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a
BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.006 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.65 грн
500+63.12 грн
1000+55.51 грн
5000+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5
BSC0902NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+59.68 грн
26+33.10 грн
100+29.88 грн
500+25.55 грн
1000+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424
BSC0902NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.31 грн
500+22.40 грн
1000+18.36 грн
5000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424
BSC0902NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+59.68 грн
20+42.66 грн
100+30.31 грн
500+22.40 грн
1000+18.36 грн
5000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M120-100EX BUK9M120-100E.pdf
BUK9M120-100EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 26186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.32 грн
500+20.59 грн
1000+13.28 грн
5000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M120-100EX BUK9M120-100E.pdf
BUK9M120-100EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 26186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+56.46 грн
22+39.79 грн
100+31.32 грн
500+20.59 грн
1000+13.28 грн
5000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
C0805C229C1GACTU
C0805C229C1GACTU
Виробник: KEMET
Description: KEMET - C0805C229C1GACTU - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 2.2 pF, 100 V, 0805 [Metrisch 2012], ± 0.25pF, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0805 [Metrisch 2012]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 0.25pF
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Kapazität: 2.2pF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: C Series KEMET
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+16.76 грн
100+11.17 грн
500+9.99 грн
1000+7.02 грн
2000+6.01 грн
4000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
C0805C470K1GACTU C0805C470K1GACTU.pdf
C0805C470K1GACTU
Виробник: KEMET
Description: KEMET - C0805C470K1GACTU - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 47 pF, 100 V, 0805 [Metrisch 2012], ± 10%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0805 [Metrisch 2012]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Kapazität: 47pF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: C Series KEMET
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+11.09 грн
120+7.09 грн
500+6.04 грн
1000+3.79 грн
2000+3.31 грн
4000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
C0805C470K1GACTU C0805C470K1GACTU.pdf
C0805C470K1GACTU
Виробник: KEMET
Description: KEMET - C0805C470K1GACTU - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 47 pF, 100 V, 0805 [Metrisch 2012], ± 10%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0805 [Metrisch 2012]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Kapazität: 47pF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: C Series KEMET
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.04 грн
1000+3.79 грн
2000+3.31 грн
4000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CC0603KRX7R6BB105 UPY-GPHC_X7R_6.3V-to-250V_24.pdf
CC0603KRX7R6BB105
Виробник: YAGEO
Description: YAGEO - CC0603KRX7R6BB105 - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: CC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 205998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+4.83 грн
247+3.44 грн
500+2.97 грн
1000+2.00 грн
2000+1.84 грн
4000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7 DMN10H170SFDE.pdf
DMN10H170SFDE-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.59 грн
500+15.41 грн
1000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7 DMT10H072LFDF.pdf
DMT10H072LFDF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H072LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4 A, 0.047 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.47 грн
500+17.53 грн
1000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7 DMT10H072LFDF.pdf
DMT10H072LFDF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H072LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4 A, 0.047 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+34.28 грн
33+25.99 грн
100+19.47 грн
500+17.53 грн
1000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13 DIOD-S-A0002833283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT4002LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.60 грн
10+108.35 грн
100+75.00 грн
500+51.09 грн
1000+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13 DIOD-S-A0002833283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT4002LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.00 грн
500+51.09 грн
1000+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009SPSQ-13
DMTH10H009SPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0067 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+34.79 грн
100+34.71 грн
500+32.15 грн
1000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009SPSQ-13
DMTH10H009SPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0067 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.71 грн
500+32.15 грн
1000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH12H007SPS-13 3204167.pdf
DMTH12H007SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH12H007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0066 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+120.20 грн
10+104.97 грн
100+101.58 грн
500+85.68 грн
1000+77.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8004LPS-13
DMTH8004LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+121.90 грн
500+106.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8004LPS-13
DMTH8004LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+242.95 грн
10+138.83 грн
100+121.90 грн
500+106.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
FDBL86066-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0033 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+164.22 грн
10+154.91 грн
100+152.37 грн
500+127.34 грн
1000+116.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
FDBL86066-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0033 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+152.37 грн
500+127.34 грн
1000+116.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZ 2552626.pdf
FDMC86102LZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.60 грн
10+99.04 грн
100+78.73 грн
500+62.25 грн
1000+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZ 2552626.pdf
FDMC86102LZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.73 грн
500+62.25 грн
1000+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BPPVC0S dataSheet_IMB12-04BPPVC0S_1074359_de.pdf
IMB12-04BPPVC0S
Виробник: SICK
Description: SICK - IMB12-04BPPVC0S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IMB, 4mm, PNP, M12, Steckverbinder, 10 bis 30V DC
tariffCode: 90318080
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M12-Gewinde
Sensorausgang: PNP
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: M12-Steckverbinder, 4-polig
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Sensorausgang: 4-Draht, PNP
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 4mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3331.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 INFN-S-A0003614497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPC100N04S51R2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.81 грн
12+70.60 грн
100+62.81 грн
500+53.29 грн
1000+44.48 грн
5000+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 INFN-S-A0003614497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPC100N04S51R2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.81 грн
500+53.29 грн
1000+44.48 грн
5000+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S52R8ATMA1 Infineon-IPC100N04S5-2R8-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101590801b9b92904
IPC100N04S52R8ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S52R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.45 грн
500+38.44 грн
1000+30.69 грн
5000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S52R8ATMA1 Infineon-IPC100N04S5-2R8-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101590801b9b92904
IPC100N04S52R8ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S52R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.89 грн
12+72.46 грн
100+55.45 грн
500+38.44 грн
1000+30.69 грн
5000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R1ATMA1 Infineon-IPC100N04S5L-1R1-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d5753129605c
IPC100N04S5L1R1ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.13 грн
500+53.06 грн
1000+48.11 грн
5000+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]