Результат пошуку "40N10" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
40N10 LITEON 07+
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC040N10NS5 BSC040N10NS5 Infineon Technologies Infineon_BSC040N10NS5_DataSheet_v02_04_EN-3360802.pdf MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8
на замовлення 6997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.56 грн
10+ 175.4 грн
25+ 144.24 грн
100+ 123.53 грн
250+ 116.63 грн
500+ 109.73 грн
1000+ 94.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC040N10NS5_DataSheet_v02_04_EN-3360802.pdf MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8
на замовлення 15557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.26 грн
10+ 167.46 грн
25+ 140.1 грн
100+ 120.77 грн
250+ 120.08 грн
500+ 106.97 грн
1000+ 89.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+91.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 45476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.59 грн
10+ 158.51 грн
100+ 128.21 грн
500+ 106.95 грн
1000+ 91.58 грн
2000+ 86.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC040N10NS5SCATMA1 BSC040N10NS5SCATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC040N10NS5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7dd8030083 Description: MOSFET N-CH 100V 140A WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+128.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BSC040N10NS5SCATMA1 BSC040N10NS5SCATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC040N10NS5SC_DataSheet_v02_01_EN-3360603.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 3024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.83 грн
10+ 237.3 грн
25+ 196 грн
100+ 167.01 грн
250+ 157.35 грн
500+ 148.38 грн
1000+ 126.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC040N10NS5SCATMA1 BSC040N10NS5SCATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC040N10NS5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7dd8030083 Description: MOSFET N-CH 100V 140A WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 7449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.27 грн
10+ 213.44 грн
100+ 172.65 грн
500+ 144.02 грн
1000+ 123.32 грн
2000+ 116.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC440N10NS3 G BSC440N10NS3 G Infineon Technologies Infineon_BSC440N10NS3_DS_v02_04_en-3360074.pdf MOSFET N-Ch 100V 18A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 22929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.41 грн
10+ 51.67 грн
100+ 34.99 грн
500+ 29.68 грн
1000+ 22.77 грн
2500+ 22.71 грн
5000+ 21.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC440N10NS3G Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3GATMA1 TBSC440n10ns3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+55.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC440N10NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC440N10NS3+Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122604520d47f56 Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 50 V
на замовлення 7404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.98 грн
10+ 46.51 грн
100+ 36.2 грн
500+ 28.8 грн
1000+ 23.46 грн
2000+ 22.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC440N10NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC440N10NS3+Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122604520d47f56 Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC440N10NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc440n10ns3rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122604520.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.1 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ440N10NS3 G BSZ440N10NS3 G Infineon Technologies Infineon_BSZ440N10NS3_G_DS_v02_01_EN-3360838.pdf MOSFET N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 85736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.41 грн
10+ 51.98 грн
100+ 35.2 грн
500+ 29.81 грн
1000+ 25.6 грн
5000+ 21.74 грн
10000+ 21.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ440N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.87 грн
7+ 52.91 грн
23+ 37.67 грн
62+ 35.58 грн
1000+ 34.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ440N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4115 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+119.84 грн
5+ 65.93 грн
23+ 45.2 грн
62+ 42.7 грн
1000+ 41.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ440N10NS3_G_DS_v02_01_EN-3360838.pdf MOSFET N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 57774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.18 грн
10+ 36.98 грн
100+ 27.54 грн
500+ 24.98 грн
1000+ 21.95 грн
2500+ 21.74 грн
5000+ 21.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ440N10NS3+Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320896aa20120c32dbf312354 Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ440N10NS3+Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320896aa20120c32dbf312354 Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V
на замовлення 22647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.98 грн
10+ 46.73 грн
100+ 36.33 грн
500+ 28.9 грн
1000+ 23.54 грн
2000+ 22.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies bsz440n10ns3rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BW-40N100W+ BW-40N100W+ Mini-Circuits BW-40N100W_2b-1700488.pdf Attenuators - Interconnects FXD ATTEN /N /40dB 100W RoHS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+41086.11 грн
BW-40N100W+ BW-40N100W+ Mini-Circuits BW-40N100W+.pdf Description: FXD ATTEN /N /40DB 100W ROHS
Power (Watts): 100W
Packaging: Box
Package / Case: N-Type In-Line Module
Attenuation Value: 40dB
Part Status: Active
Impedance: 50 Ohms
Frequency Range: 0 Hz ~ 4 GHz
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+36361.5 грн
FDBL0240N100 FDBL0240N100 onsemi fdbl0240n100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 210A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8755 pF @ 50 V
на замовлення 27612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.58 грн
10+ 334.57 грн
100+ 270.67 грн
500+ 225.79 грн
1000+ 193.33 грн
FDBL0240N100 FDBL0240N100 onsemi / Fairchild FDBL0240N100_D-2311871.pdf MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 4128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.27 грн
10+ 373.02 грн
100+ 261.56 грн
500+ 233.26 грн
1000+ 199.45 грн
2000+ 197.38 грн
4000+ 187.72 грн
FDBL0240N100 FDBL0240N100 onsemi fdbl0240n100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 210A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8755 pF @ 50 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+201.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
FQA140N10 FQA140N10 onsemi fqa140n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.58 грн
30+ 358.96 грн
120+ 321.16 грн
510+ 265.94 грн
FQA140N10 FQA140N10 onsemi / Fairchild FQA140N10_D-2313641.pdf MOSFET 100V N-Channel QFET
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+507.25 грн
10+ 428.57 грн
25+ 319.53 грн
100+ 284.33 грн
250+ 251.9 грн
450+ 235.33 грн
IAUZ40N10S5L120ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUZ40N10S5L120-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd443ce0217 Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1589 pF @ 50 V
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.56 грн
10+ 75.63 грн
100+ 58.78 грн
500+ 46.76 грн
1000+ 38.09 грн
2000+ 35.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUZ40N10S5N130-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62b6cf0ddb Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.56 грн
10+ 75.63 грн
100+ 58.78 грн
500+ 46.76 грн
1000+ 38.09 грн
2000+ 35.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUZ40N10S5N130-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62b6cf0ddb Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.79 грн
10000+ 34.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUZ40N10S5N130_DataSheet_v01_00_EN-1840552.pdf MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 19717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.18 грн
10+ 73.57 грн
100+ 51.48 грн
500+ 44.93 грн
1000+ 36.58 грн
2500+ 36.02 грн
5000+ 35.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
IXFH140N10P IXFH140N10P IXYS IXFH(T)140N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+597.67 грн
3+ 397.54 грн
6+ 376.7 грн
30+ 375.98 грн
IXFH140N10P IXFH140N10P IXYS IXFH(T)140N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+717.2 грн
3+ 495.4 грн
6+ 452.04 грн
30+ 451.17 грн
IXFH140N10P IXFH140N10P Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_140n10p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+663.67 грн
IXFH140N10P IXFH140N10P IXYS media-3322022.pdf MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+568.44 грн
10+ 523.02 грн
30+ 358.87 грн
IXFT140N10P IXFT140N10P IXYS IXFH(T)140N10P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+604.64 грн
2+ 447.15 грн
6+ 422.7 грн
IXFT140N10P IXFT140N10P IXYS IXFH(T)140N10P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+725.57 грн
2+ 557.21 грн
6+ 507.25 грн
30+ 499.48 грн
IXFT140N10P IXFT140N10P Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_140n10p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+819.7 грн
30+ 629.94 грн
120+ 563.64 грн
510+ 466.72 грн
IXFT140N10P IXFT140N10P IXYS media-3322022.pdf MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
на замовлення 281 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+1021.74 грн
10+ 887.3 грн
30+ 750.17 грн
60+ 708.07 грн
120+ 665.98 грн
270+ 643.89 грн
IXTQ140N10P IXTQ140N10P Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_140n10p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+419.55 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXTT140N10P IXTT140N10P IXYS media-3319143.pdf MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+767.31 грн
10+ 681.75 грн
30+ 484.47 грн
120+ 458.25 грн
270+ 442.37 грн
510+ 423.05 грн
1020+ 409.94 грн
IXTT140N10P IXTT140N10P Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_140n10p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+730.11 грн
MCG40N10YHE3-TP MCG40N10YHE3-TP Micro Commercial Components (MCC) MCG40N10YHE3_DFN3333_-3132367.pdf MOSFET
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.67 грн
10+ 57.86 грн
100+ 34.37 грн
500+ 28.71 грн
1000+ 24.36 грн
2500+ 23.12 грн
5000+ 19.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
MCG40N10YHE3-TP MCG40N10YHE3-TP Micro Commercial Co MCG40N10YHE3(DFN3333).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.22 грн
10+ 51.26 грн
100+ 35.46 грн
500+ 27.8 грн
1000+ 23.66 грн
2000+ 21.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
MCG40N10YHE3-TP MCG40N10YHE3-TP Micro Commercial Co MCG40N10YHE3(DFN3333).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NP40N10VDF-E1-AY NP40N10VDF-E1-AY Renesas Electronics Corporation RNCCS16975-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
580+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 580
NVMFS040N10MCLT1G NVMFS040N10MCLT1G onsemi nvmfs040n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.78 грн
10+ 39.75 грн
100+ 27.51 грн
500+ 21.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVMFS040N10MCLT1G NVMFS040N10MCLT1G onsemi nvmfs040n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.31 грн
3000+ 17.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS040N10MCLT1G NVMFS040N10MCLT1G onsemi NVMFS040N10MCL_D-3150356.pdf MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 100V, 28A, 26mohm
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.69 грн
10+ 44.84 грн
100+ 26.64 грн
500+ 22.29 грн
1000+ 16.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVMFWS040N10MCLT1G onsemi NVMFS040N10MCL_D-3150356.pdf MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 100V, 28A, 26mohm
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.88 грн
10+ 50.79 грн
100+ 34.37 грн
500+ 29.12 грн
1000+ 21.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVMFWS040N10MCLT1G NVMFWS040N10MCLT1G onsemi nvmfs040n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.23 грн
10+ 45.65 грн
100+ 35.5 грн
500+ 28.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS040N10MCLTAG NVTFS040N10MCLTAG onsemi nvtfs040n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.91 грн
3000+ 16.22 грн
7500+ 15.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS040N10MCLTAG NVTFS040N10MCLTAG onsemi NVTFS040N10MCL_D-3150651.pdf MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.91 грн
10+ 41.75 грн
100+ 24.78 грн
500+ 20.7 грн
1000+ 15.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFS040N10MCLTAG NVTFS040N10MCLTAG onsemi nvtfs040n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.05 грн
10+ 36.95 грн
100+ 25.61 грн
500+ 20.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFWS040N10MCLTAG NVTFWS040N10MCLTAG onsemi nvtfs040n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.46 грн
10+ 52.77 грн
100+ 36.51 грн
500+ 28.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFWS040N10MCLTAG onsemi NVTFS040N10MCL_D-3150651.pdf MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
5+68.92 грн
10+ 59.6 грн
100+ 35.33 грн
500+ 29.54 грн
1000+ 21.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
PSMQC040N10NS2_R2_00601 PSMQC040N10NS2_R2_00601 Panjit International Inc. Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162 грн
10+ 129.33 грн
100+ 102.97 грн
500+ 81.77 грн
1000+ 69.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMQC040N10NS2_R2_00601 PSMQC040N10NS2_R2_00601 Panjit PSMQC040N10NS2-3247342.pdf MOSFET 100V 4.4mohm Excellect low FOM MOSFET
на замовлення 5920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.33 грн
10+ 143.65 грн
100+ 100.07 грн
250+ 92.48 грн
500+ 83.51 грн
1000+ 75.91 грн
3000+ 65.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMQC040N10NS2_R2_00601 PSMQC040N10NS2_R2_00601 Panjit International Inc. Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+72.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RF1S40N10LE RF1S40N10LE Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 100V 40A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+97.87 грн
Мінімальне замовлення: 211
40N10
Виробник: LITEON
07+
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC040N10NS5 Infineon_BSC040N10NS5_DataSheet_v02_04_EN-3360802.pdf
BSC040N10NS5
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8
на замовлення 6997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+212.56 грн
10+ 175.4 грн
25+ 144.24 грн
100+ 123.53 грн
250+ 116.63 грн
500+ 109.73 грн
1000+ 94.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC040N10NS5ATMA1 Infineon_BSC040N10NS5_DataSheet_v02_04_EN-3360802.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8
на замовлення 15557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+197.26 грн
10+ 167.46 грн
25+ 140.1 грн
100+ 120.77 грн
250+ 120.08 грн
500+ 106.97 грн
1000+ 89.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC040N10NS5ATMA1 Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+91.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC040N10NS5ATMA1 Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 45476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.59 грн
10+ 158.51 грн
100+ 128.21 грн
500+ 106.95 грн
1000+ 91.58 грн
2000+ 86.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC040N10NS5SCATMA1 Infineon-BSC040N10NS5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7dd8030083
BSC040N10NS5SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 140A WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+128.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BSC040N10NS5SCATMA1 Infineon_BSC040N10NS5SC_DataSheet_v02_01_EN-3360603.pdf
BSC040N10NS5SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 3024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+285.83 грн
10+ 237.3 грн
25+ 196 грн
100+ 167.01 грн
250+ 157.35 грн
500+ 148.38 грн
1000+ 126.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC040N10NS5SCATMA1 Infineon-BSC040N10NS5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7dd8030083
BSC040N10NS5SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 140A WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 7449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+264.27 грн
10+ 213.44 грн
100+ 172.65 грн
500+ 144.02 грн
1000+ 123.32 грн
2000+ 116.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC440N10NS3 G Infineon_BSC440N10NS3_DS_v02_04_en-3360074.pdf
BSC440N10NS3 G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 100V 18A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 22929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.41 грн
10+ 51.67 грн
100+ 34.99 грн
500+ 29.68 грн
1000+ 22.77 грн
2500+ 22.71 грн
5000+ 21.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC440N10NS3G
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3GATMA1 TBSC440n10ns3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+55.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC440N10NS3GATMA1 BSC440N10NS3+Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122604520d47f56
BSC440N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 50 V
на замовлення 7404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.98 грн
10+ 46.51 грн
100+ 36.2 грн
500+ 28.8 грн
1000+ 23.46 грн
2000+ 22.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC440N10NS3GATMA1 BSC440N10NS3+Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122604520d47f56
BSC440N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC440N10NS3GATMA1 bsc440n10ns3rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122604520.pdf
BSC440N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+16.1 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ440N10NS3 G Infineon_BSZ440N10NS3_G_DS_v02_01_EN-3360838.pdf
BSZ440N10NS3 G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 85736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.41 грн
10+ 51.98 грн
100+ 35.2 грн
500+ 29.81 грн
1000+ 25.6 грн
5000+ 21.74 грн
10000+ 21.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3G-DTE.pdf
BSZ440N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.87 грн
7+ 52.91 грн
23+ 37.67 грн
62+ 35.58 грн
1000+ 34.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3G-DTE.pdf
BSZ440N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4115 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.84 грн
5+ 65.93 грн
23+ 45.2 грн
62+ 42.7 грн
1000+ 41.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ440N10NS3GATMA1 Infineon_BSZ440N10NS3_G_DS_v02_01_EN-3360838.pdf
BSZ440N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 57774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.18 грн
10+ 36.98 грн
100+ 27.54 грн
500+ 24.98 грн
1000+ 21.95 грн
2500+ 21.74 грн
5000+ 21.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3+Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320896aa20120c32dbf312354
BSZ440N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3+Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320896aa20120c32dbf312354
BSZ440N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V
на замовлення 22647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.98 грн
10+ 46.73 грн
100+ 36.33 грн
500+ 28.9 грн
1000+ 23.54 грн
2000+ 22.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ440N10NS3GATMA1 bsz440n10ns3rev1.0.pdf
BSZ440N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BW-40N100W+ BW-40N100W_2b-1700488.pdf
BW-40N100W+
Виробник: Mini-Circuits
Attenuators - Interconnects FXD ATTEN /N /40dB 100W RoHS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+41086.11 грн
BW-40N100W+ BW-40N100W+.pdf
BW-40N100W+
Виробник: Mini-Circuits
Description: FXD ATTEN /N /40DB 100W ROHS
Power (Watts): 100W
Packaging: Box
Package / Case: N-Type In-Line Module
Attenuation Value: 40dB
Part Status: Active
Impedance: 50 Ohms
Frequency Range: 0 Hz ~ 4 GHz
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+36361.5 грн
FDBL0240N100 fdbl0240n100-d.pdf
FDBL0240N100
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 210A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8755 pF @ 50 V
на замовлення 27612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+413.58 грн
10+ 334.57 грн
100+ 270.67 грн
500+ 225.79 грн
1000+ 193.33 грн
FDBL0240N100 FDBL0240N100_D-2311871.pdf
FDBL0240N100
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 4128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+449.27 грн
10+ 373.02 грн
100+ 261.56 грн
500+ 233.26 грн
1000+ 199.45 грн
2000+ 197.38 грн
4000+ 187.72 грн
FDBL0240N100 fdbl0240n100-d.pdf
FDBL0240N100
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 210A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8755 pF @ 50 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+201.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
FQA140N10 fqa140n10-d.pdf
FQA140N10
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+466.58 грн
30+ 358.96 грн
120+ 321.16 грн
510+ 265.94 грн
FQA140N10 FQA140N10_D-2313641.pdf
FQA140N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V N-Channel QFET
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+507.25 грн
10+ 428.57 грн
25+ 319.53 грн
100+ 284.33 грн
250+ 251.9 грн
450+ 235.33 грн
IAUZ40N10S5L120ATMA1 Infineon-IAUZ40N10S5L120-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd443ce0217
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1589 pF @ 50 V
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.56 грн
10+ 75.63 грн
100+ 58.78 грн
500+ 46.76 грн
1000+ 38.09 грн
2000+ 35.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
IAUZ40N10S5N130ATMA1 Infineon-IAUZ40N10S5N130-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62b6cf0ddb
IAUZ40N10S5N130ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.56 грн
10+ 75.63 грн
100+ 58.78 грн
500+ 46.76 грн
1000+ 38.09 грн
2000+ 35.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
IAUZ40N10S5N130ATMA1 Infineon-IAUZ40N10S5N130-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62b6cf0ddb
IAUZ40N10S5N130ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+37.79 грн
10000+ 34.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IAUZ40N10S5N130ATMA1 Infineon_IAUZ40N10S5N130_DataSheet_v01_00_EN-1840552.pdf
IAUZ40N10S5N130ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 19717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.18 грн
10+ 73.57 грн
100+ 51.48 грн
500+ 44.93 грн
1000+ 36.58 грн
2500+ 36.02 грн
5000+ 35.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
IXFH140N10P IXFH(T)140N10P.pdf
IXFH140N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+597.67 грн
3+ 397.54 грн
6+ 376.7 грн
30+ 375.98 грн
IXFH140N10P IXFH(T)140N10P.pdf
IXFH140N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+717.2 грн
3+ 495.4 грн
6+ 452.04 грн
30+ 451.17 грн
IXFH140N10P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_140n10p_datasheet.pdf.pdf
IXFH140N10P
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+663.67 грн
IXFH140N10P media-3322022.pdf
IXFH140N10P
Виробник: IXYS
MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+568.44 грн
10+ 523.02 грн
30+ 358.87 грн
IXFT140N10P IXFH(T)140N10P.pdf
IXFT140N10P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+604.64 грн
2+ 447.15 грн
6+ 422.7 грн
IXFT140N10P IXFH(T)140N10P.pdf
IXFT140N10P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+725.57 грн
2+ 557.21 грн
6+ 507.25 грн
30+ 499.48 грн
IXFT140N10P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_140n10p_datasheet.pdf.pdf
IXFT140N10P
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+819.7 грн
30+ 629.94 грн
120+ 563.64 грн
510+ 466.72 грн
IXFT140N10P media-3322022.pdf
IXFT140N10P
Виробник: IXYS
MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
на замовлення 281 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1021.74 грн
10+ 887.3 грн
30+ 750.17 грн
60+ 708.07 грн
120+ 665.98 грн
270+ 643.89 грн
IXTQ140N10P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_140n10p_datasheet.pdf.pdf
IXTQ140N10P
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+419.55 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXTT140N10P media-3319143.pdf
IXTT140N10P
Виробник: IXYS
MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+767.31 грн
10+ 681.75 грн
30+ 484.47 грн
120+ 458.25 грн
270+ 442.37 грн
510+ 423.05 грн
1020+ 409.94 грн
IXTT140N10P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_140n10p_datasheet.pdf.pdf
IXTT140N10P
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+730.11 грн
MCG40N10YHE3-TP MCG40N10YHE3_DFN3333_-3132367.pdf
MCG40N10YHE3-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.67 грн
10+ 57.86 грн
100+ 34.37 грн
500+ 28.71 грн
1000+ 24.36 грн
2500+ 23.12 грн
5000+ 19.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
MCG40N10YHE3-TP MCG40N10YHE3(DFN3333).pdf
MCG40N10YHE3-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.22 грн
10+ 51.26 грн
100+ 35.46 грн
500+ 27.8 грн
1000+ 23.66 грн
2000+ 21.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
MCG40N10YHE3-TP MCG40N10YHE3(DFN3333).pdf
MCG40N10YHE3-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NP40N10VDF-E1-AY RNCCS16975-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NP40N10VDF-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
580+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 580
NVMFS040N10MCLT1G nvmfs040n10mcl-d.pdf
NVMFS040N10MCLT1G
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.78 грн
10+ 39.75 грн
100+ 27.51 грн
500+ 21.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVMFS040N10MCLT1G nvmfs040n10mcl-d.pdf
NVMFS040N10MCLT1G
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+20.31 грн
3000+ 17.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS040N10MCLT1G NVMFS040N10MCL_D-3150356.pdf
NVMFS040N10MCLT1G
Виробник: onsemi
MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 100V, 28A, 26mohm
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+51.69 грн
10+ 44.84 грн
100+ 26.64 грн
500+ 22.29 грн
1000+ 16.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVMFWS040N10MCLT1G NVMFS040N10MCL_D-3150356.pdf
Виробник: onsemi
MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 100V, 28A, 26mohm
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+62.88 грн
10+ 50.79 грн
100+ 34.37 грн
500+ 29.12 грн
1000+ 21.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVMFWS040N10MCLT1G nvmfs040n10mcl-d.pdf
NVMFWS040N10MCLT1G
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.23 грн
10+ 45.65 грн
100+ 35.5 грн
500+ 28.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS040N10MCLTAG nvtfs040n10mcl-d.pdf
NVTFS040N10MCLTAG
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+18.91 грн
3000+ 16.22 грн
7500+ 15.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS040N10MCLTAG NVTFS040N10MCL_D-3150651.pdf
NVTFS040N10MCLTAG
Виробник: onsemi
MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.91 грн
10+ 41.75 грн
100+ 24.78 грн
500+ 20.7 грн
1000+ 15.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFS040N10MCLTAG nvtfs040n10mcl-d.pdf
NVTFS040N10MCLTAG
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.05 грн
10+ 36.95 грн
100+ 25.61 грн
500+ 20.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFWS040N10MCLTAG nvtfs040n10mcl-d.pdf
NVTFWS040N10MCLTAG
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.46 грн
10+ 52.77 грн
100+ 36.51 грн
500+ 28.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFWS040N10MCLTAG NVTFS040N10MCL_D-3150651.pdf
Виробник: onsemi
MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.92 грн
10+ 59.6 грн
100+ 35.33 грн
500+ 29.54 грн
1000+ 21.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
PSMQC040N10NS2_R2_00601
PSMQC040N10NS2_R2_00601
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+162 грн
10+ 129.33 грн
100+ 102.97 грн
500+ 81.77 грн
1000+ 69.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMQC040N10NS2_R2_00601 PSMQC040N10NS2-3247342.pdf
PSMQC040N10NS2_R2_00601
Виробник: Panjit
MOSFET 100V 4.4mohm Excellect low FOM MOSFET
на замовлення 5920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.33 грн
10+ 143.65 грн
100+ 100.07 грн
250+ 92.48 грн
500+ 83.51 грн
1000+ 75.91 грн
3000+ 65.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMQC040N10NS2_R2_00601
PSMQC040N10NS2_R2_00601
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+72.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RF1S40N10LE
RF1S40N10LE
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 40A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
211+97.87 грн
Мінімальне замовлення: 211
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]