Результат пошуку "50N06" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP50N06 FQP50N06
Код товару: 31258
Додати до обраних Обраний товар

Fairchild fqp50n06-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+44.00 грн
10+39.60 грн
100+35.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06C FQP50N06C
Код товару: 205802
Додати до обраних Обраний товар

JSMSemi Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Монтаж: THT
у наявності: 103 шт
65 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06LE RFP50N06LE
Код товару: 189268
Додати до обраних Обраний товар

JSMICRO JSM50N06C_TO-220AB.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 53 шт
33 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+49.00 грн
10+44.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
383LX681M450N062 383LX681M450N062 Knowles / Illinois Capacitor 381-383.pdf Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 680uF 450V 20%
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1665.26 грн
10+1149.38 грн
96+810.21 грн
528+777.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
D2450N06T D2450N06T Infineon Technologies Infineon-D2450N-DS-v03_01-en_de.pdf Rectifiers Rectifier Diode 2450A 600V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+18681.44 грн
9+15729.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A9E363F32140CE&compId=di050n06d1.pdf?ci_sign=b4612d5f733ac8ba60d6a2d629c8056ebae084c6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+67.36 грн
10+46.08 грн
48+19.71 грн
131+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A9E363F32140CE&compId=di050n06d1.pdf?ci_sign=b4612d5f733ac8ba60d6a2d629c8056ebae084c6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.83 грн
10+57.42 грн
48+23.66 грн
131+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 Diotec Semiconductor di050n06d1.pdf MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.06 грн
10+59.35 грн
100+31.01 грн
500+30.63 грн
1000+29.64 грн
2500+26.30 грн
5000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF3496006EA0C4&compId=dit050n06.pdf?ci_sign=ce593fb33bb37229999662264b9a58ab203ba25c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 1076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+63.09 грн
8+51.46 грн
10+47.03 грн
41+22.88 грн
113+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF3496006EA0C4&compId=dit050n06.pdf?ci_sign=ce593fb33bb37229999662264b9a58ab203ba25c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1076 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.13 грн
10+56.43 грн
41+27.46 грн
113+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 DIOTEC dit050n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube ODPOWIEDNIK: DIT050N06-DIO; DIT050N06 TDIT050n06
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 ON-Semicoductor fqp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 ON-Semicoductor fqp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06L ON-Semicoductor fqp50n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+53.77 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06L G IPD350N06L G Infineon Technologies Infineon-IPD350N06LG_-DS-v01_03-en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.39 грн
10+52.71 грн
100+27.59 грн
500+21.81 грн
1000+19.38 грн
2500+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.74 грн
10+104.01 грн
100+60.58 грн
500+48.79 грн
1000+45.75 грн
2500+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 29947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.73 грн
10+67.91 грн
100+51.61 грн
500+48.34 грн
1000+47.43 грн
2500+41.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S4_09-DS-v01_02-en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.77 грн
10+65.03 грн
100+43.17 грн
500+36.63 грн
1000+33.52 грн
2500+29.72 грн
5000+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S4L_08_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 9905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.09 грн
10+69.66 грн
100+46.51 грн
500+37.01 грн
1000+33.75 грн
2500+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+77.59 грн
9+48.77 грн
21+45.13 грн
25+43.70 грн
57+42.75 грн
100+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.11 грн
5+60.77 грн
21+54.15 грн
25+52.44 грн
57+51.30 грн
100+49.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 3917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.46 грн
10+47.55 грн
100+33.82 грн
500+29.64 грн
1000+24.09 грн
2500+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MCACD50N06YHE3-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS MCACD50N06YHE3(PDFN5060-8D).pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; 60V; 50A; PDFN5060D-8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Case: PDFN5060D-8
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MCTL150N06YHE3-TP MCTL150N06YHE3-TP Micro Commercial Components (MCC) MCTL150N06YHE3(TOLL-8).pdf MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+414.10 грн
10+324.27 грн
100+238.65 грн
500+218.13 грн
1000+194.57 грн
2000+193.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 RFP50N06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AB3A6FEB9F1A303005056AB0C4F&compId=RFP50N06.pdf?ci_sign=97a5effd8691ccb8bb007880ff25eb5b1a0ba7ed Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 ON-Semicoductor rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+76.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SICW050N065H-BP SICW050N065H-BP Micro Commercial Components (MCC) SICW050N065H_TO_247AB_.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+681.00 грн
10+487.72 грн
100+353.42 грн
500+315.42 грн
1000+294.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICW050N065H4-BP SICW050N065H4-BP Micro Commercial Components (MCC) SICW050N065H4(TO-247-4).pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+688.98 грн
10+494.71 грн
100+357.98 грн
500+319.98 грн
1000+297.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-09L_GE3 SQD50N06-09L_GE3 Vishay Semiconductors sqd50n06-09l.pdf MOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 36619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+319.22 грн
10+270.08 грн
100+184.69 грн
500+180.89 грн
1000+163.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N06 ST MICROELECTRONICS -n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM850N06CX_C1811.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.25 грн
21+19.32 грн
62+15.20 грн
170+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM850N06CX_C1811.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.90 грн
13+24.07 грн
62+18.24 грн
170+17.20 грн
1000+17.01 грн
3000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG Taiwan Semiconductor TSM850N06CX_C1811.pdf MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 19727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.74 грн
13+27.01 грн
100+12.77 грн
500+12.46 грн
1000+11.10 грн
3000+8.21 грн
6000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RPG Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
WMK50N06TS WMK50N06TS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+46.04 грн
17+24.46 грн
50+20.43 грн
52+18.13 грн
142+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WMK50N06TS WMK50N06TS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 413 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.25 грн
10+30.49 грн
50+24.51 грн
52+21.76 грн
142+20.52 грн
2000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMO50N06TS WMO50N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.25 грн
25+16.39 грн
27+14.73 грн
82+11.48 грн
224+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMO50N06TS WMO50N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.90 грн
15+20.42 грн
25+17.67 грн
82+13.78 грн
224+13.02 грн
2500+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
YFW50N06AD YFW TO-252 MOSFETs Podobny do: CJ CJU20N06AYFW; YFW50N06AD; TECH PUBLIC NTD5867NLT4G; ONSEMI NTD5867NLT4G; VBSEMI NTD5867NLT4G-VB; HXY MOSFET NTD5867NLT4G-HXY; UMW NTD5867NLT4G(UMW); NTD5867NLT4G TNTD5867nl c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий FQP50N06; 50A; 60V; 120W; 0.022R; N-канальний; Корпус: TO-220; Fairchild (шт)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий FQP50N06L 52.4A 60V N-ch TO-220
на замовлення 58 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5+128.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI 03+ A3-5
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI MODULE
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI 150A/600V IGBT MODULE
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 fuji
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI 150A/600V/IGBT/2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI .
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI A4-3
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060??? FUJI IGBT 150A600V2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N060 FUJI description MODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 FUJI A4-3
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 FUJI
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 FUJI MODULE
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 FUJI .
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 FUJI 50A/600V/IGBT/2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBR50N-060 FUJI MODULE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
6MBI50N-060 FUJI MODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7MBI50N-060 FUJI MODULE
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06
Код товару: 31258
Додати до обраних Обраний товар

fqp50n06-d.pdf
FQP50N06
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+44.00 грн
10+39.60 грн
100+35.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06C
Код товару: 205802
Додати до обраних Обраний товар

FQP50N06C
Виробник: JSMSemi
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Монтаж: THT
у наявності: 103 шт
65 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06LE
Код товару: 189268
Додати до обраних Обраний товар

JSM50N06C_TO-220AB.pdf
RFP50N06LE
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 53 шт
33 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+49.00 грн
10+44.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
383LX681M450N062 381-383.pdf
383LX681M450N062
Виробник: Knowles / Illinois Capacitor
Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 680uF 450V 20%
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1665.26 грн
10+1149.38 грн
96+810.21 грн
528+777.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
D2450N06T Infineon-D2450N-DS-v03_01-en_de.pdf
D2450N06T
Виробник: Infineon Technologies
Rectifiers Rectifier Diode 2450A 600V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18681.44 грн
9+15729.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A9E363F32140CE&compId=di050n06d1.pdf?ci_sign=b4612d5f733ac8ba60d6a2d629c8056ebae084c6
DI050N06D1
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.36 грн
10+46.08 грн
48+19.71 грн
131+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A9E363F32140CE&compId=di050n06d1.pdf?ci_sign=b4612d5f733ac8ba60d6a2d629c8056ebae084c6
DI050N06D1
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.83 грн
10+57.42 грн
48+23.66 грн
131+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 di050n06d1.pdf
DI050N06D1
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.06 грн
10+59.35 грн
100+31.01 грн
500+30.63 грн
1000+29.64 грн
2500+26.30 грн
5000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF3496006EA0C4&compId=dit050n06.pdf?ci_sign=ce593fb33bb37229999662264b9a58ab203ba25c
DIT050N06
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 1076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.09 грн
8+51.46 грн
10+47.03 грн
41+22.88 грн
113+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF3496006EA0C4&compId=dit050n06.pdf?ci_sign=ce593fb33bb37229999662264b9a58ab203ba25c
DIT050N06
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1076 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.13 грн
10+56.43 грн
41+27.46 грн
113+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 dit050n06.pdf
Виробник: DIOTEC
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube ODPOWIEDNIK: DIT050N06-DIO; DIT050N06 TDIT050n06
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+23.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+56.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+42.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06L fqp50n06l-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+53.77 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06L G Infineon-IPD350N06LG_-DS-v01_03-en.pdf
IPD350N06L G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.39 грн
10+52.71 грн
100+27.59 грн
500+21.81 грн
1000+19.38 грн
2500+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf
IPD50N06S214ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.74 грн
10+104.01 грн
100+60.58 грн
500+48.79 грн
1000+45.75 грн
2500+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf
IPD50N06S2L13ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 29947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.73 грн
10+67.91 грн
100+51.61 грн
500+48.34 грн
1000+47.43 грн
2500+41.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 Infineon-IPD50N06S4_09-DS-v01_02-en.pdf
IPD50N06S409ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.77 грн
10+65.03 грн
100+43.17 грн
500+36.63 грн
1000+33.52 грн
2500+29.72 грн
5000+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon_IPD50N06S4L_08_DS_v01_00_en.pdf
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 9905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.09 грн
10+69.66 грн
100+46.51 грн
500+37.01 грн
1000+33.75 грн
2500+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+77.59 грн
9+48.77 грн
21+45.13 грн
25+43.70 грн
57+42.75 грн
100+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.11 грн
5+60.77 грн
21+54.15 грн
25+52.44 грн
57+51.30 грн
100+49.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 3917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.46 грн
10+47.55 грн
100+33.82 грн
500+29.64 грн
1000+24.09 грн
2500+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MCACD50N06YHE3-TP MCACD50N06YHE3(PDFN5060-8D).pdf
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; 60V; 50A; PDFN5060D-8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Case: PDFN5060D-8
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MCTL150N06YHE3-TP MCTL150N06YHE3(TOLL-8).pdf
MCTL150N06YHE3-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+414.10 грн
10+324.27 грн
100+238.65 грн
500+218.13 грн
1000+194.57 грн
2000+193.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AB3A6FEB9F1A303005056AB0C4F&compId=RFP50N06.pdf?ci_sign=97a5effd8691ccb8bb007880ff25eb5b1a0ba7ed
RFP50N06
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+76.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SICW050N065H-BP SICW050N065H_TO_247AB_.pdf
SICW050N065H-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+681.00 грн
10+487.72 грн
100+353.42 грн
500+315.42 грн
1000+294.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICW050N065H4-BP SICW050N065H4(TO-247-4).pdf
SICW050N065H4-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+688.98 грн
10+494.71 грн
100+357.98 грн
500+319.98 грн
1000+297.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-09L_GE3 sqd50n06-09l.pdf
SQD50N06-09L_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 36619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+319.22 грн
10+270.08 грн
100+184.69 грн
500+180.89 грн
1000+163.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N06
Виробник: ST MICROELECTRONICS
-n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX_C1811.pdf
TSM850N06CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.25 грн
21+19.32 грн
62+15.20 грн
170+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX_C1811.pdf
TSM850N06CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.90 грн
13+24.07 грн
62+18.24 грн
170+17.20 грн
1000+17.01 грн
3000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX_C1811.pdf
TSM850N06CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 19727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.74 грн
13+27.01 грн
100+12.77 грн
500+12.46 грн
1000+11.10 грн
3000+8.21 грн
6000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RPG
Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
WMK50N06TS
WMK50N06TS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.04 грн
17+24.46 грн
50+20.43 грн
52+18.13 грн
142+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WMK50N06TS
WMK50N06TS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 413 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.25 грн
10+30.49 грн
50+24.51 грн
52+21.76 грн
142+20.52 грн
2000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMO50N06TS
WMO50N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.25 грн
25+16.39 грн
27+14.73 грн
82+11.48 грн
224+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMO50N06TS
WMO50N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.90 грн
15+20.42 грн
25+17.67 грн
82+13.78 грн
224+13.02 грн
2500+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
YFW50N06AD
Виробник: YFW
TO-252 MOSFETs Podobny do: CJ CJU20N06AYFW; YFW50N06AD; TECH PUBLIC NTD5867NLT4G; ONSEMI NTD5867NLT4G; VBSEMI NTD5867NLT4G-VB; HXY MOSFET NTD5867NLT4G-HXY; UMW NTD5867NLT4G(UMW); NTD5867NLT4G TNTD5867nl c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий FQP50N06; 50A; 60V; 120W; 0.022R; N-канальний; Корпус: TO-220; Fairchild (шт)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий FQP50N06L 52.4A 60V N-ch TO-220
на замовлення 58 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+128.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
03+ A3-5
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
150A/600V IGBT MODULE
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: fuji
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
150A/600V/IGBT/2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
.
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
A4-3
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060???
Виробник: FUJI IGBT
150A600V2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N060 description
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
A4-3
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
.
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
50A/600V/IGBT/2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBR50N-060
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
6MBI50N-060
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7MBI50N-060
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]