Результат пошуку "50N06" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQP50N06 FQP50N06
Код товару: 31258
Додати до обраних Обраний товар

Fairchild fqp50n06-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+44.00 грн
10+39.60 грн
100+35.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06C FQP50N06C
Код товару: 205802
Додати до обраних Обраний товар

JSMSemi Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Монтаж: THT
у наявності: 124 шт
89 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06LE RFP50N06LE
Код товару: 189268
Додати до обраних Обраний товар

JSMICRO JSM50N06C_TO-220AB.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 61 шт
38 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+49.00 грн
10+44.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
383LX681M450N062 383LX681M450N062 Cornell Dubilier - CDE 381-383.pdf Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 680uF 450V 20%
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1722.67 грн
10+1131.75 грн
48+929.16 грн
96+900.91 грн
528+823.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
D2450N06T D2450N06T Infineon Technologies Infineon_D2450N_DS_v03_01_en_de-3360096.pdf Rectifiers Rectifier Diode 2450A 600V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16039.36 грн
9+14330.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A9E363F32140CE&compId=di050n06d1.pdf?ci_sign=b4612d5f733ac8ba60d6a2d629c8056ebae084c6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+55.67 грн
11+38.49 грн
48+19.80 грн
131+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A9E363F32140CE&compId=di050n06d1.pdf?ci_sign=b4612d5f733ac8ba60d6a2d629c8056ebae084c6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.80 грн
10+47.97 грн
48+23.76 грн
131+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 Diotec Semiconductor MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.97 грн
10+62.43 грн
100+32.60 грн
500+32.22 грн
1000+31.23 грн
2500+27.64 грн
5000+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF3496006EA0C4&compId=dit050n06.pdf?ci_sign=ce593fb33bb37229999662264b9a58ab203ba25c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+47.96 грн
13+31.65 грн
41+22.98 грн
113+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF3496006EA0C4&compId=dit050n06.pdf?ci_sign=ce593fb33bb37229999662264b9a58ab203ba25c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 332 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.55 грн
8+39.44 грн
41+27.58 грн
113+26.05 грн
500+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 DIT050N06 Diotec Semiconductor dit050n06.pdf MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.42 грн
10+57.16 грн
100+35.35 грн
1000+29.78 грн
2500+27.18 грн
5000+25.04 грн
10000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 JSMicro Semiconductor fqp50n06-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 ON-Semicoductor fqp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 ON-Semicoductor fqp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06L ON-Semicoductor fqp50n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+53.39 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06L G IPD350N06L G Infineon Technologies Infineon_IPD350N06LG__DS_v01_03_en-3359999.pdf MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.15 грн
10+46.27 грн
100+27.87 грн
500+22.45 грн
1000+20.16 грн
2500+18.55 грн
5000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC2F9789B411C&compId=IPD350N06LG-DTE.pdf?ci_sign=87fae814c5bc9e76dd51c3647c62fa14ffec9864 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.93 грн
10+53.13 грн
35+27.36 грн
95+25.85 грн
1000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC2F9789B411C&compId=IPD350N06LG-DTE.pdf?ci_sign=87fae814c5bc9e76dd51c3647c62fa14ffec9864 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.92 грн
10+66.20 грн
35+32.83 грн
95+31.02 грн
1000+29.97 грн
2500+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S2_14_DS_v01_01_en-1731714.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.10 грн
10+107.12 грн
100+62.38 грн
500+50.47 грн
1000+47.18 грн
2500+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S2L_13_DS_v01_00_en-1731785.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 30005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.45 грн
10+75.25 грн
100+54.36 грн
500+48.02 грн
1000+44.82 грн
2500+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S4_09_DS_v01_02_en-1227078.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.31 грн
10+65.67 грн
25+54.05 грн
100+43.67 грн
250+42.68 грн
500+37.95 грн
1000+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S4L_08_DS_v01_00_en-1731795.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 11905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.32 грн
10+71.82 грн
100+47.95 грн
250+47.87 грн
500+37.79 грн
1000+33.52 грн
2500+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+77.94 грн
9+48.99 грн
21+45.49 грн
25+43.90 грн
57+43.03 грн
100+41.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.53 грн
5+61.05 грн
21+54.59 грн
25+52.68 грн
57+51.63 грн
100+49.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S4L_12_DS_v01_00_en-1226991.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 4704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.95 грн
10+52.15 грн
25+45.05 грн
100+35.88 грн
250+35.58 грн
500+30.08 грн
1000+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MCACD50N06YHE3-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS MCACD50N06YHE3(PDFN5060-8D).pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2
Type of transistor: N-MOSFET x2
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+72.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MCTL150N06YHE3-TP MCTL150N06YHE3-TP Micro Commercial Components (MCC) MCTL150N06YHE3_TOLL_8_-3462174.pdf MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+375.89 грн
10+331.01 грн
25+274.09 грн
100+255.00 грн
250+248.13 грн
500+243.55 грн
2000+206.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 RFP50N06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AB3A6FEB9F1A303005056AB0C4F&compId=RFP50N06.pdf?ci_sign=97a5effd8691ccb8bb007880ff25eb5b1a0ba7ed Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.46 грн
4+120.88 грн
10+108.96 грн
11+93.05 грн
28+88.28 грн
250+84.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 RFP50N06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AB3A6FEB9F1A303005056AB0C4F&compId=RFP50N06.pdf?ci_sign=97a5effd8691ccb8bb007880ff25eb5b1a0ba7ed Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+175.75 грн
3+150.64 грн
10+130.75 грн
11+111.66 грн
28+105.93 грн
250+101.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 RFP50N06 onsemi / Fairchild rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs TO-220AB N-CH POWER
на замовлення 3481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.00 грн
10+142.24 грн
50+83.98 грн
100+81.69 грн
250+77.88 грн
500+72.84 грн
1000+67.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 ON-Semicoductor rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+76.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SICW050N065H-BP SICW050N065H-BP Micro Commercial Components (MCC) SICW050N065H_TO_247AB_-3478552.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.82 грн
10+512.75 грн
100+371.82 грн
500+328.30 грн
1000+319.14 грн
1800+281.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICW050N065H4-BP SICW050N065H4-BP Micro Commercial Components (MCC) SICW050N065H4_TO_247_4_-3478286.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+620.84 грн
10+519.78 грн
100+376.40 грн
500+332.88 грн
1800+284.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-09L_GE3 SQD50N06-09L_GE3 Vishay Semiconductors sqd50n06-09l.pdf MOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 39330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.30 грн
10+258.13 грн
100+190.11 грн
1000+176.36 грн
2000+161.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N06 ST MICROELECTRONICS -n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC859DC421E2143&compId=SUD50N06-09L-E3.pdf?ci_sign=00c8cf2593af4e98e4d607cdc8d10afbc9422b7c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 50A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.64 грн
13+92.17 грн
35+83.98 грн
10000+82.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 Siliconix sud50n06.pdf N-MOSFET 60V 50A 9.3mΩ 136W SUD50N06-09L-E3 Vishay TSUD50N06-09L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+74.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM850N06CX_C1811.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+44.54 грн
16+26.40 грн
55+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG Taiwan Semiconductor TSM850N06CX_C1811.pdf MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 20763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+44.09 грн
13+27.83 грн
100+13.13 грн
1000+11.76 грн
3000+8.40 грн
9000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RPG Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
WMK50N06TS WMK50N06TS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.25 грн
19+21.15 грн
50+17.66 грн
145+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WMO50N06TS WMO50N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.83 грн
27+15.27 грн
30+13.68 грн
82+11.53 грн
224+10.90 грн
250+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YFW50N06AD YFW TO-252 MOSFETs Podobny do: CJ CJU20N06AYFW; YFW50N06AD; TECH PUBLIC NTD5867NLT4G; ONSEMI NTD5867NLT4G; VBSEMI NTD5867NLT4G-VB; HXY MOSFET NTD5867NLT4G-HXY; UMW NTD5867NLT4G(UMW); NTD5867NLT4G TNTD5867nl c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий FQP50N06L 52.4A 60V N-ch TO-220
на замовлення 63 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5+127.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI 150A/600V IGBT MODULE
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 fuji
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI 150A/600V/IGBT/2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI .
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI A4-3
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI 03+ A3-5
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060 FUJI MODULE
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060??? FUJI IGBT 150A600V2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N060 FUJI description MODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 FUJI
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 FUJI MODULE
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 FUJI .
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 FUJI 50A/600V/IGBT/2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060 FUJI A4-3
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06
Код товару: 31258
Додати до обраних Обраний товар

fqp50n06-d.pdf
FQP50N06
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+44.00 грн
10+39.60 грн
100+35.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06C
Код товару: 205802
Додати до обраних Обраний товар

FQP50N06C
Виробник: JSMSemi
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Монтаж: THT
у наявності: 124 шт
89 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06LE
Код товару: 189268
Додати до обраних Обраний товар

JSM50N06C_TO-220AB.pdf
RFP50N06LE
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 61 шт
38 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+49.00 грн
10+44.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
383LX681M450N062 381-383.pdf
383LX681M450N062
Виробник: Cornell Dubilier - CDE
Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 680uF 450V 20%
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1722.67 грн
10+1131.75 грн
48+929.16 грн
96+900.91 грн
528+823.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
D2450N06T Infineon_D2450N_DS_v03_01_en_de-3360096.pdf
D2450N06T
Виробник: Infineon Technologies
Rectifiers Rectifier Diode 2450A 600V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16039.36 грн
9+14330.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A9E363F32140CE&compId=di050n06d1.pdf?ci_sign=b4612d5f733ac8ba60d6a2d629c8056ebae084c6
DI050N06D1
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.67 грн
11+38.49 грн
48+19.80 грн
131+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A9E363F32140CE&compId=di050n06d1.pdf?ci_sign=b4612d5f733ac8ba60d6a2d629c8056ebae084c6
DI050N06D1
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.80 грн
10+47.97 грн
48+23.76 грн
131+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1
DI050N06D1
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.97 грн
10+62.43 грн
100+32.60 грн
500+32.22 грн
1000+31.23 грн
2500+27.64 грн
5000+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF3496006EA0C4&compId=dit050n06.pdf?ci_sign=ce593fb33bb37229999662264b9a58ab203ba25c
DIT050N06
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+47.96 грн
13+31.65 грн
41+22.98 грн
113+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF3496006EA0C4&compId=dit050n06.pdf?ci_sign=ce593fb33bb37229999662264b9a58ab203ba25c
DIT050N06
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 332 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.55 грн
8+39.44 грн
41+27.58 грн
113+26.05 грн
500+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 dit050n06.pdf
DIT050N06
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.42 грн
10+57.16 грн
100+35.35 грн
1000+29.78 грн
2500+27.18 грн
5000+25.04 грн
10000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+42.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+42.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06L fqp50n06l-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+53.39 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06L G Infineon_IPD350N06LG__DS_v01_03_en-3359999.pdf
IPD350N06L G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.15 грн
10+46.27 грн
100+27.87 грн
500+22.45 грн
1000+20.16 грн
2500+18.55 грн
5000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC2F9789B411C&compId=IPD350N06LG-DTE.pdf?ci_sign=87fae814c5bc9e76dd51c3647c62fa14ffec9864
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.93 грн
10+53.13 грн
35+27.36 грн
95+25.85 грн
1000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC2F9789B411C&compId=IPD350N06LG-DTE.pdf?ci_sign=87fae814c5bc9e76dd51c3647c62fa14ffec9864
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.92 грн
10+66.20 грн
35+32.83 грн
95+31.02 грн
1000+29.97 грн
2500+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 Infineon_IPD50N06S2_14_DS_v01_01_en-1731714.pdf
IPD50N06S214ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.10 грн
10+107.12 грн
100+62.38 грн
500+50.47 грн
1000+47.18 грн
2500+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon_IPD50N06S2L_13_DS_v01_00_en-1731785.pdf
IPD50N06S2L13ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 30005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.45 грн
10+75.25 грн
100+54.36 грн
500+48.02 грн
1000+44.82 грн
2500+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 Infineon_IPD50N06S4_09_DS_v01_02_en-1227078.pdf
IPD50N06S409ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.31 грн
10+65.67 грн
25+54.05 грн
100+43.67 грн
250+42.68 грн
500+37.95 грн
1000+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon_IPD50N06S4L_08_DS_v01_00_en-1731795.pdf
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 11905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.32 грн
10+71.82 грн
100+47.95 грн
250+47.87 грн
500+37.79 грн
1000+33.52 грн
2500+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+77.94 грн
9+48.99 грн
21+45.49 грн
25+43.90 грн
57+43.03 грн
100+41.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.53 грн
5+61.05 грн
21+54.59 грн
25+52.68 грн
57+51.63 грн
100+49.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon_IPD50N06S4L_12_DS_v01_00_en-1226991.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 4704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.95 грн
10+52.15 грн
25+45.05 грн
100+35.88 грн
250+35.58 грн
500+30.08 грн
1000+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MCACD50N06YHE3-TP MCACD50N06YHE3(PDFN5060-8D).pdf
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2
Type of transistor: N-MOSFET x2
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+72.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MCTL150N06YHE3-TP MCTL150N06YHE3_TOLL_8_-3462174.pdf
MCTL150N06YHE3-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.89 грн
10+331.01 грн
25+274.09 грн
100+255.00 грн
250+248.13 грн
500+243.55 грн
2000+206.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AB3A6FEB9F1A303005056AB0C4F&compId=RFP50N06.pdf?ci_sign=97a5effd8691ccb8bb007880ff25eb5b1a0ba7ed
RFP50N06
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.46 грн
4+120.88 грн
10+108.96 грн
11+93.05 грн
28+88.28 грн
250+84.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AB3A6FEB9F1A303005056AB0C4F&compId=RFP50N06.pdf?ci_sign=97a5effd8691ccb8bb007880ff25eb5b1a0ba7ed
RFP50N06
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.75 грн
3+150.64 грн
10+130.75 грн
11+111.66 грн
28+105.93 грн
250+101.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP50N06
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs TO-220AB N-CH POWER
на замовлення 3481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.00 грн
10+142.24 грн
50+83.98 грн
100+81.69 грн
250+77.88 грн
500+72.84 грн
1000+67.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 rfp50n06-d.pdf FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+76.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SICW050N065H-BP SICW050N065H_TO_247AB_-3478552.pdf
SICW050N065H-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+612.82 грн
10+512.75 грн
100+371.82 грн
500+328.30 грн
1000+319.14 грн
1800+281.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICW050N065H4-BP SICW050N065H4_TO_247_4_-3478286.pdf
SICW050N065H4-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+620.84 грн
10+519.78 грн
100+376.40 грн
500+332.88 грн
1800+284.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-09L_GE3 sqd50n06-09l.pdf
SQD50N06-09L_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 39330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.30 грн
10+258.13 грн
100+190.11 грн
1000+176.36 грн
2000+161.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N06
Виробник: ST MICROELECTRONICS
-n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC859DC421E2143&compId=SUD50N06-09L-E3.pdf?ci_sign=00c8cf2593af4e98e4d607cdc8d10afbc9422b7c
SUD50N06-09L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 50A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.64 грн
13+92.17 грн
35+83.98 грн
10000+82.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 sud50n06.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 60V 50A 9.3mΩ 136W SUD50N06-09L-E3 Vishay TSUD50N06-09L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+74.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX_C1811.pdf
TSM850N06CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+44.54 грн
16+26.40 грн
55+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX_C1811.pdf
TSM850N06CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 20763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+44.09 грн
13+27.83 грн
100+13.13 грн
1000+11.76 грн
3000+8.40 грн
9000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RPG
Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
WMK50N06TS
WMK50N06TS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.25 грн
19+21.15 грн
50+17.66 грн
145+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WMO50N06TS
WMO50N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.83 грн
27+15.27 грн
30+13.68 грн
82+11.53 грн
224+10.90 грн
250+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YFW50N06AD
Виробник: YFW
TO-252 MOSFETs Podobny do: CJ CJU20N06AYFW; YFW50N06AD; TECH PUBLIC NTD5867NLT4G; ONSEMI NTD5867NLT4G; VBSEMI NTD5867NLT4G-VB; HXY MOSFET NTD5867NLT4G-HXY; UMW NTD5867NLT4G(UMW); NTD5867NLT4G TNTD5867nl c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий FQP50N06L 52.4A 60V N-ch TO-220
на замовлення 63 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+127.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
150A/600V IGBT MODULE
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: fuji
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
150A/600V/IGBT/2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
.
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
A4-3
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
03+ A3-5
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N-060???
Виробник: FUJI IGBT
150A600V2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI150N060 description
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
.
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
50A/600V/IGBT/2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2MBI50N-060
Виробник: FUJI
A4-3
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]