Результат пошуку "50N06" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQP50N06 FQP50N06
Код товару: 31258
1 Додати до обраних Обраний товар
Fairchild fqp50n06-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,022 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+44.00 грн
10+39.60 грн
100+35.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06C FQP50N06C
Код товару: 205802
1 Додати до обраних Обраний товар
JSMSemi Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Монтаж: THT
у наявності: 170 шт
  • 126 шт - склад
  • 44 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
JSM50N06C JSM50N06C
Код товару: 219858
Додати до обраних Обраний товар
JSMSemi _JSM50N06C.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,005 Ом
Монтаж: THT
у наявності: 49 шт
  • 49 шт - склад
1+42.00 грн
10+38.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
50N06 50N06 UMW 1d470444ea152bf302bea3580c0ff6d0.pdf Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.73 грн
10+49.88 грн
100+32.72 грн
500+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
50N06(TO-252) 50N06(TO-252) GOODWORK 1781688984432878.pdf Description: 60V 45A 11m@10V TO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
50N06NF GOODWORK Description: 60V 50A 11m@10V DFN-8L(5x6)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
23EZS0450N0625 23EZS0450N0625 Essentra Components Microplastics-Datasheet.pdf Description: CBL CLIP TWIST LOCK NAT PUSH IN
Packaging: Bulk
Color: Natural
Mounting Type: Push In
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Length: 0.562" (14.28mm)
Type: Clip, Twist Lock
Width: 0.218" (5.54mm)
Panel Hole Size: 0.187" (4.75mm)
Height: 1.184" (30.07mm)
Opening Size: 0.453" (11.50mm)
Type Attributes: Standoff
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.15 грн
13+24.42 грн
14+22.63 грн
25+19.34 грн
50+18.07 грн
100+16.94 грн
250+15.38 грн
500+14.53 грн
1000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
382LX102M450N062 Knowles Corporation Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; 1mF; ±20%
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 1mF
Tolerance: ±20%
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+1216.09 грн
30+974.53 грн
150+936.47 грн
350+899.25 грн
950+862.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
383LX122M350N062 383LX122M350N062 Cornell Dubilier Knowles 381-383.pdf Description: CAP ALUM 1200UF 20% 350V SNAP TH
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can - Snap-In - 4 Lead
Size / Dimension: 1.575" Dia (40.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
ESR (Equivalent Series Resistance): 207mOhm
Lifetime @ Temp.: 3000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 2.559" (65.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 1200 µF
Voltage - Rated: 350 V
Ripple Current @ Low Frequency: 3.2 A @ 120 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 4.5 A @ 20 kHz
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1401.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
50M100150N060B 50M100150N060B Essentra Components D365_DOCS_PDF!20468255_Technical Drawing.pdf Description: PAN SLOTTED SCREW, M10 X 1.5 THR
Packaging: Bag
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.27 грн
6+54.05 грн
10+50.33 грн
25+43.24 грн
50+40.58 грн
100+38.21 грн
250+34.88 грн
500+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AM50N06-15D-CT AM50N06-15D-CT Analog Power Inc. AM50N06-15D.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 51A TO-252 (D-Pa
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 16A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2022 pF @ 15 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.23 грн
10+47.73 грн
100+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D2450N06T D2450N06T Infineon Technologies Infineon_D2450N_DS_v03_01_en_de.pdf Rectifiers Rectifier Diode 2450A 600V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR di050n06d1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 898 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.16 грн
10+43.35 грн
100+28.46 грн
500+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 Diotec Semiconductor di050n06d1.pdf Description: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.05 грн
10+51.67 грн
100+33.98 грн
500+24.75 грн
1000+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 Diotec Semiconductor di050n06d1.pdf Description: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 Diotec Semiconductor di050n06d1.pdf MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1-AQ DI050N06D1-AQ Diotec Semiconductor di050n06d1.pdf Description: MOSFET N-CH 65V 50A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.46 грн
10+54.28 грн
100+35.79 грн
500+26.12 грн
1000+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit050n06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.53 грн
7+66.02 грн
10+57.91 грн
50+40.62 грн
100+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 DIT050N06 Diotec Semiconductor dit050n06.pdf MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 DIT050N06 DIOTEC TDIT050n06_DIOTEC_0001.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube ODPOWIEDNIK: DIT050N06-DIO; DIT050N06 TDIT050n06
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI50N06LTU FQI50N06LTU Fairchild Semiconductor FAIRS18825-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 26.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+109.11 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI50N06TU FQI50N06TU Fairchild Semiconductor fqi50n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+60.99 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI50N06TU FQI50N06TU onsemi fqi50n06-d.pdf FQI50N06-D.PDF MOSFETs 60V N-Channel QFET
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 FQP50N06 JSMicro Semiconductor TFQP50n06_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 FQP50N06 ON-Semiconductor TFQP50n06_JSM_JSMICRO_0001.pdf N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06L FQP50N06L ON-Semiconductor info-tfqp50n06l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+128.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G050N06LL G050N06LL Goford Semiconductor G050N06LL.pdf Description: N60V, 5A,RD<45M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.31 грн
6000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G050N06LL G050N06LL Goford Semiconductor G050N06LL.pdf Description: N60V, 5A,RD<45M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 30 V
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.98 грн
13+24.57 грн
100+15.64 грн
500+11.06 грн
1000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G050N06LL G050N06LL Goford Semiconductor G050N06LL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G350N06D32 G350N06D32 Goford Semiconductor G350N06D32.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.27 грн
10+40.06 грн
100+26.03 грн
500+18.76 грн
1000+16.94 грн
2000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G350N06D32 G350N06D32 Goford Semiconductor G350N06D32.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU250N06 GSFU250N06 Good-Ark Semiconductor GSFU250N06.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 64A, 60V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1051 pF @ 30 V
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.76 грн
50+25.82 грн
100+22.77 грн
500+16.33 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HYG350N06LA1D HYG350N06LA1D HUAYI THYG350n06la1d_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 26A; 44mOhm; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRLR024; IRLR024TRL; IRLR024TR; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; HYG350N06LA1D HUAYI THYG350n06la1d
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06L G IPD350N06L G Infineon Technologies Infineon_IPD350N06LG_DS_v01_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD350N06LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.38 грн
11+41.12 грн
100+26.97 грн
500+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies IPD350N06L+G++Rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431be39b97011c320778777982 Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.41 грн
10+48.77 грн
100+31.98 грн
500+23.23 грн
1000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies IPD350N06L+G++Rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431be39b97011c320778777982 Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.68 грн
5000+18.36 грн
7500+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2-14 IPD50N06S2-14 UMW 671c49f0ddad91283d381b439d51d470.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.76 грн
10+35.22 грн
100+22.77 грн
500+16.33 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.37 грн
10+100.59 грн
100+68.35 грн
500+51.21 грн
1000+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e8e55e1a Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 29717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e8e55e1a Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.69 грн
10+101.70 грн
100+69.14 грн
500+51.82 грн
1000+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S4_09_DS_v01_02_en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Infineon Technologies INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.76 грн
10+81.68 грн
100+54.87 грн
500+40.74 грн
1000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Infineon Technologies INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.11 грн
5000+33.27 грн
7500+32.02 грн
12500+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA1 IPD50N06S4L08ATMA1 Infineon Technologies INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.53 грн
10+82.05 грн
100+55.16 грн
500+40.96 грн
1000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S4L_08_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 9147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPD50N06S4L12.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.07 грн
9+50.96 грн
25+45.67 грн
100+42.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.95 грн
5000+26.76 грн
7500+25.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.34 грн
10+67.60 грн
100+45.02 грн
500+33.16 грн
1000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGE50N06D LGE50N06D LGE Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: NDT70N06; LGE50N06D; SUD50N06-09L-E3; LGE50N06D TO252 LGE TLGE50N06D
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD50N06D MDD50N06D MDD MDD50N06D000SD.pdf Description: MOSFET N 60V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 30 V
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N06C Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.85 грн
10+35.81 грн
100+21.48 грн
500+14.11 грн
1000+11.99 грн
4200+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N06D MOT50N06D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_807.html Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.89 грн
10+32.46 грн
100+19.47 грн
500+12.79 грн
1000+10.87 грн
2500+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N06D MOT50N06D MOT- MOT50N06D_MOT-MOS.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 75W; -55°C ~ 150°C; Similar to: IRLR2905ZTR; IRLR3636TR; YJD50N06A; AOD442; MOT50N06D TO252 MOT TMOT50N06D MOT
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06 RF1S50N06 Harris Corporation HRISS983-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+103.69 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06
Код товару: 31258
1 Додати до обраних Обраний товар
fqp50n06-d.pdf
FQP50N06
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,022 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+44.00 грн
10+39.60 грн
100+35.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06C
Код товару: 205802
1 Додати до обраних Обраний товар
FQP50N06C
Виробник: JSMSemi
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Монтаж: THT
у наявності: 170 шт
  • 126 шт - склад
  • 44 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
JSM50N06C
Код товару: 219858
Додати до обраних Обраний товар
_JSM50N06C.pdf
JSM50N06C
Виробник: JSMSemi
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,005 Ом
Монтаж: THT
у наявності: 49 шт
  • 49 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+42.00 грн
10+38.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
50N06 1d470444ea152bf302bea3580c0ff6d0.pdf
50N06
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.73 грн
10+49.88 грн
100+32.72 грн
500+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
50N06(TO-252) 1781688984432878.pdf
50N06(TO-252)
Виробник: GOODWORK
Description: 60V 45A 11m@10V TO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
50N06NF
Виробник: GOODWORK
Description: 60V 50A 11m@10V DFN-8L(5x6)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
23EZS0450N0625 Microplastics-Datasheet.pdf
23EZS0450N0625
Виробник: Essentra Components
Description: CBL CLIP TWIST LOCK NAT PUSH IN
Packaging: Bulk
Color: Natural
Mounting Type: Push In
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Length: 0.562" (14.28mm)
Type: Clip, Twist Lock
Width: 0.218" (5.54mm)
Panel Hole Size: 0.187" (4.75mm)
Height: 1.184" (30.07mm)
Opening Size: 0.453" (11.50mm)
Type Attributes: Standoff
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.15 грн
13+24.42 грн
14+22.63 грн
25+19.34 грн
50+18.07 грн
100+16.94 грн
250+15.38 грн
500+14.53 грн
1000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
382LX102M450N062
Виробник: Knowles Corporation
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; 1mF; ±20%
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 1mF
Tolerance: ±20%
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+1216.09 грн
30+974.53 грн
150+936.47 грн
350+899.25 грн
950+862.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
383LX122M350N062 381-383.pdf
383LX122M350N062
Виробник: Cornell Dubilier Knowles
Description: CAP ALUM 1200UF 20% 350V SNAP TH
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can - Snap-In - 4 Lead
Size / Dimension: 1.575" Dia (40.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
ESR (Equivalent Series Resistance): 207mOhm
Lifetime @ Temp.: 3000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 2.559" (65.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 1200 µF
Voltage - Rated: 350 V
Ripple Current @ Low Frequency: 3.2 A @ 120 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 4.5 A @ 20 kHz
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1401.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
50M100150N060B D365_DOCS_PDF!20468255_Technical Drawing.pdf
50M100150N060B
Виробник: Essentra Components
Description: PAN SLOTTED SCREW, M10 X 1.5 THR
Packaging: Bag
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.27 грн
6+54.05 грн
10+50.33 грн
25+43.24 грн
50+40.58 грн
100+38.21 грн
250+34.88 грн
500+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AM50N06-15D-CT AM50N06-15D.pdf
AM50N06-15D-CT
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 51A TO-252 (D-Pa
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 16A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2022 pF @ 15 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.23 грн
10+47.73 грн
100+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D2450N06T Infineon_D2450N_DS_v03_01_en_de.pdf
D2450N06T
Виробник: Infineon Technologies
Rectifiers Rectifier Diode 2450A 600V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 di050n06d1.pdf
DI050N06D1
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 898 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+72.16 грн
10+43.35 грн
100+28.46 грн
500+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 di050n06d1.pdf
DI050N06D1
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.05 грн
10+51.67 грн
100+33.98 грн
500+24.75 грн
1000+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 di050n06d1.pdf
DI050N06D1
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 di050n06d1.pdf
DI050N06D1
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1-AQ di050n06d1.pdf
DI050N06D1-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 65V 50A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.46 грн
10+54.28 грн
100+35.79 грн
500+26.12 грн
1000+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 dit050n06.pdf
DIT050N06
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+85.53 грн
7+66.02 грн
10+57.91 грн
50+40.62 грн
100+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 dit050n06.pdf
DIT050N06
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 TDIT050n06_DIOTEC_0001.pdf
DIT050N06
Виробник: DIOTEC
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube ODPOWIEDNIK: DIT050N06-DIO; DIT050N06 TDIT050n06
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI50N06LTU FAIRS18825-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQI50N06LTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 26.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
186+109.11 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI50N06TU fqi50n06-d.pdf
FQI50N06TU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
335+60.99 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI50N06TU fqi50n06-d.pdf FQI50N06-D.PDF
FQI50N06TU
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V N-Channel QFET
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 TFQP50n06_JSM_JSMICRO_0001.pdf
FQP50N06
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 TFQP50n06_JSM_JSMICRO_0001.pdf
FQP50N06
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06L info-tfqp50n06l.pdf
FQP50N06L
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+128.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G050N06LL G050N06LL.pdf
G050N06LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 5A,RD<45M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.31 грн
6000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G050N06LL G050N06LL.pdf
G050N06LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 5A,RD<45M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 30 V
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.98 грн
13+24.57 грн
100+15.64 грн
500+11.06 грн
1000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G050N06LL G050N06LL.pdf
G050N06LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 5A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G350N06D32 G350N06D32.pdf
G350N06D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.27 грн
10+40.06 грн
100+26.03 грн
500+18.76 грн
1000+16.94 грн
2000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G350N06D32 G350N06D32.pdf
G350N06D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU250N06 GSFU250N06.pdf
GSFU250N06
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 64A, 60V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1051 pF @ 30 V
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.76 грн
50+25.82 грн
100+22.77 грн
500+16.33 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HYG350N06LA1D THYG350n06la1d_0001.pdf
HYG350N06LA1D
Виробник: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 26A; 44mOhm; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRLR024; IRLR024TRL; IRLR024TR; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; HYG350N06LA1D HUAYI THYG350n06la1d
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06L G Infineon_IPD350N06LG_DS_v01_03_en.pdf
IPD350N06L G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LG-DTE.pdf
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+70.38 грн
11+41.12 грн
100+26.97 грн
500+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06L+G++Rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431be39b97011c320778777982
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.41 грн
10+48.77 грн
100+31.98 грн
500+23.23 грн
1000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06L+G++Rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431be39b97011c320778777982
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.68 грн
5000+18.36 грн
7500+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2-14 671c49f0ddad91283d381b439d51d470.pdf
IPD50N06S2-14
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.76 грн
10+35.22 грн
100+22.77 грн
500+16.33 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t
IPD50N06S214ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+162.37 грн
10+100.59 грн
100+68.35 грн
500+51.21 грн
1000+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf
IPD50N06S214ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e8e55e1a
IPD50N06S2L13ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+47.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf
IPD50N06S2L13ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 29717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e8e55e1a
IPD50N06S2L13ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+164.69 грн
10+101.70 грн
100+69.14 грн
500+51.82 грн
1000+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 Infineon_IPD50N06S4_09_DS_v01_02_en.pdf
IPD50N06S409ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N06S409ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.76 грн
10+81.68 грн
100+54.87 грн
500+40.74 грн
1000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N06S409ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+37.11 грн
5000+33.27 грн
7500+32.02 грн
12500+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA1 INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N06S4L08ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
567+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.53 грн
10+82.05 грн
100+55.16 грн
500+40.96 грн
1000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon_IPD50N06S4L_08_DS_v01_00_en.pdf
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 9147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+81.07 грн
9+50.96 грн
25+45.67 грн
100+42.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+29.95 грн
5000+26.76 грн
7500+25.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.34 грн
10+67.60 грн
100+45.02 грн
500+33.16 грн
1000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGE50N06D
LGE50N06D
Виробник: LGE
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: NDT70N06; LGE50N06D; SUD50N06-09L-E3; LGE50N06D TO252 LGE TLGE50N06D
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD50N06D MDD50N06D000SD.pdf
MDD50N06D
Виробник: MDD
Description: MOSFET N 60V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 30 V
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N06C
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+61.85 грн
10+35.81 грн
100+21.48 грн
500+14.11 грн
1000+11.99 грн
4200+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N06D trenchsgtmOS_807.html
MOT50N06D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.89 грн
10+32.46 грн
100+19.47 грн
500+12.79 грн
1000+10.87 грн
2500+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N06D MOT50N06D_MOT-MOS.pdf
MOT50N06D
Виробник: MOT-
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 75W; -55°C ~ 150°C; Similar to: IRLR2905ZTR; IRLR3636TR; YJD50N06A; AOD442; MOT50N06D TO252 MOT TMOT50N06D MOT
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06 HRISS983-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S50N06
Виробник: Harris Corporation
Description: 50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
197+103.69 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]