Результат пошуку "6n50" : > 180

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
RFM6N50 MOT 01+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIHF16N50C-E3 sihp16n5.pdf
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SLF16N50C
на замовлення 27114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPA16N50C3 INF INFNS14199-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 08+
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPA16N50C3 INFINEON INFNS14199-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB16N50C3 INFINEON TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB16N50C3 INFINEON 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPI16N50C3 INFNS14199-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPP16N50C3 INF INFNS14199-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+;
на замовлення 38250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPW16N50C3 NFINEON Infineon-SPW16N50C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d2eca4824 09+ SSOP20
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPW16N50C3 Infineon technologies Infineon-SPW16N50C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d2eca4824
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STE36N50 WL
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STE36N50-DA WL
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STE36N50-DK WL
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP6N50
на замовлення 14890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP6N50FI
на замовлення 29840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2381881-2 2381881-2 TE Connectivity / Alcoswitch ENG_DS_9_2381880_9_B-2325933.pdf Switch Actuators PBES16 23.8 RB NO LAMP 1NC 1NO
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3376.53 грн
50+ 2357.39 грн
100+ 2014.69 грн
250+ 1997.42 грн
350+ 1972.18 грн
1050+ 1970.19 грн
2800+ 1967.53 грн
AOT16N50
Код товару: 128900 		TO220.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDA16N50
Код товару: 122257 		FAIRS27756-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDD6N50F TM
Код товару: 129279 		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
IXFH26N50 IXFH26N50
Код товару: 42816 		91525.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXFH26N50P
Код товару: 127550 		littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh26n50p_datasheet.pdf.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXFH26N50Q
Код товару: 149259 		littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_2_n50q_datasheet.pdf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXFP16N50P3
Код товару: 202044 		littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_16n50p3_datasheet.pdf.pdf Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
IXTA6N50D2(IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK )
Код товару: 84036 		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
IXTP6N50D2 транзистор
Код товару: 66796 		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
IXTQ26N50P IXTQ26N50P
Код товару: 94734 		littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_26n50p_datasheet.pdf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SPW16N50C3(транзистор)
Код товару: 68703 		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
STE36N50A
Код товару: 66904 		Транзистори > IGBT
товар відсутній
6N50000776 TXC Corporation 6N 50.0MHZ SMD 100PPM -10+70C 10% 3.3v 30mA 20pf
товар відсутній
AL02BT6N502 AL02BT6N502 Viking VIKING-AL.pdf Category: SMD 0402 inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 6.5nH; 290mA; 900mΩ; Q: 16; ±0,1nH
Mounting: SMD
Operating current: 0.29A
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 6.5nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.9Ω
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AOT16N50 AOT16N50 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 278W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 278W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42.8nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDA16N50-F109 FDA16N50-F109 ONSEMI FDA16N50_F109.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; Idm: 66A; 205W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDA16N50LDTU ONSEMI FAIR-S-A0002365536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 66A; 205W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDA16N50LDTU ONSEMI FAIR-S-A0002365536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 66A; 205W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD6N50TM ONSEMI FAIRS46283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.8A; Idm: 24A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDD6N50TM ONSEMI FAIRS46283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.8A; Idm: 24A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF16N50 FDPF16N50 ONSEMI fdpf16n50t-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.6A; Idm: 64A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDPF16N50 FDPF16N50 ONSEMI fdpf16n50t-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.6A; Idm: 64A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF16N50T FDPF16N50T ONSEMI fdpf16n50t-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.6A; Idm: 64A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDPF16N50T FDPF16N50T ONSEMI fdpf16n50t-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.6A; Idm: 64A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FHDM 16N5001 BAUMER FHDM-16N5001-web-EN.pdf Category: Standard Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; Range: 20÷450mm; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON
Operating temperature: -25...65°C
Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON
Output configuration: NPN
Connection: lead 2m
Response time: <1ms
Type of sensor: photoelectric
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...30V DC
Body material: metal
Sensors features: background impact elimination; sensitivity adjustable
Max. operating current: 0.1A
Body dimensions: 15.4x50x50mm
Operation mode: diffuse-reflective
Range: 20...450mm
товар відсутній
FHDM 16N5001 BAUMER FHDM-16N5001-web-EN.pdf Category: Standard Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; Range: 20÷450mm; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON
Operating temperature: -25...65°C
Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON
Output configuration: NPN
Connection: lead 2m
Response time: <1ms
Type of sensor: photoelectric
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...30V DC
Body material: metal
Sensors features: background impact elimination; sensitivity adjustable
Max. operating current: 0.1A
Body dimensions: 15.4x50x50mm
Operation mode: diffuse-reflective
Range: 20...450mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FHDM 16N5001/S14 BAUMER FHDM-16N5001-S14-web-EN.pdf Category: Standard Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; Range: 20÷450mm; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON
Operating temperature: -25...65°C
Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON
Output configuration: NPN
Connection: connector M12
Number of pins: 4
Response time: <1ms
Type of sensor: photoelectric
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...30V DC
Body material: metal
Sensors features: background impact elimination; sensitivity adjustable
Max. operating current: 0.1A
Body dimensions: 15.4x50x50mm
Operation mode: diffuse-reflective
Range: 20...450mm
товар відсутній
FHDM 16N5001/S14 BAUMER FHDM-16N5001-S14-web-EN.pdf Category: Standard Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; Range: 20÷450mm; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON
Operating temperature: -25...65°C
Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON
Output configuration: NPN
Connection: connector M12
Number of pins: 4
Response time: <1ms
Type of sensor: photoelectric
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...30V DC
Body material: metal
Sensors features: background impact elimination; sensitivity adjustable
Max. operating current: 0.1A
Body dimensions: 15.4x50x50mm
Operation mode: diffuse-reflective
Range: 20...450mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FHDM 16N5004 BAUMER FHDM-16N5004-web-EN.pdf Category: Standard Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; Range: 20÷600mm; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON
Operating temperature: -25...65°C
Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON
Output configuration: NPN
Connection: lead 2m
Response time: <5ms
Type of sensor: photoelectric
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...30V DC
Body material: metal
Sensors features: background impact elimination; sensitivity adjustable
Max. operating current: 0.1A
Body dimensions: 15.4x50x50mm
Operation mode: diffuse-reflective
Range: 20...600mm
товар відсутній
FHDM 16N5004 BAUMER FHDM-16N5004-web-EN.pdf Category: Standard Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; Range: 20÷600mm; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON
Operating temperature: -25...65°C
Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON
Output configuration: NPN
Connection: lead 2m
Response time: <5ms
Type of sensor: photoelectric
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...30V DC
Body material: metal
Sensors features: background impact elimination; sensitivity adjustable
Max. operating current: 0.1A
Body dimensions: 15.4x50x50mm
Operation mode: diffuse-reflective
Range: 20...600mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FHDM 16N5004/S14 BAUMER FHDM-16N5004-S14-web-EN.pdf Category: Standard Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; Range: 20÷600mm; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON
Operating temperature: -25...65°C
Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON
Output configuration: NPN
Connection: connector M12
Number of pins: 4
Response time: <5ms
Type of sensor: photoelectric
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...30V DC
Body material: metal
Sensors features: background impact elimination; sensitivity adjustable
Max. operating current: 0.1A
Body dimensions: 15.4x50x50mm
Operation mode: diffuse-reflective
Range: 20...600mm
товар відсутній
FHDM 16N5004/S14 BAUMER FHDM-16N5004-S14-web-EN.pdf Category: Standard Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; Range: 20÷600mm; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON
Operating temperature: -25...65°C
Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON
Output configuration: NPN
Connection: connector M12
Number of pins: 4
Response time: <5ms
Type of sensor: photoelectric
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...30V DC
Body material: metal
Sensors features: background impact elimination; sensitivity adjustable
Max. operating current: 0.1A
Body dimensions: 15.4x50x50mm
Operation mode: diffuse-reflective
Range: 20...600mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQAF16N50 FQAF16N50 ONSEMI FQAF16N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.15A; 110W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.15A
Power dissipation: 110W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQAF16N50 FQAF16N50 ONSEMI FQAF16N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.15A; 110W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.15A
Power dissipation: 110W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD6N50CTM FQD6N50CTM ONSEMI FQD6N50C-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; Idm: 18A; 61W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 61W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD6N50CTM FQD6N50CTM ONSEMI FQD6N50C-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; Idm: 18A; 61W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 61W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA16N50P IXFA16N50P IXYS IXF_16N50P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFA16N50P IXFA16N50P IXYS IXF_16N50P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH16N50P IXFH16N50P IXYS IXF_16N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
товар відсутній
IXFH16N50P IXFH16N50P IXYS IXF_16N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH16N50P3 IXFH16N50P3 IXYS IXF_16N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
товар відсутній
IXFH16N50P3 IXFH16N50P3 IXYS IXF_16N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH36N50P IXFH36N50P IXYS IXFH(V,T)36N50P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 36A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 36A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RFM6N50
Виробник: MOT
01+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIHF16N50C-E3 sihp16n5.pdf
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SLF16N50C
на замовлення 27114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPA16N50C3 INFNS14199-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INF
08+
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPA16N50C3 INFNS14199-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB16N50C3
Виробник: INFINEON
TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB16N50C3
Виробник: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPI16N50C3 INFNS14199-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPP16N50C3 INFNS14199-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INF
07+;
на замовлення 38250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPW16N50C3 Infineon-SPW16N50C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d2eca4824
Виробник: NFINEON
09+ SSOP20
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPW16N50C3 Infineon-SPW16N50C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d2eca4824
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STE36N50
WL
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STE36N50-DA
WL
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STE36N50-DK
WL
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP6N50
на замовлення 14890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP6N50FI
на замовлення 29840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2381881-2 ENG_DS_9_2381880_9_B-2325933.pdf
2381881-2
Виробник: TE Connectivity / Alcoswitch
Switch Actuators PBES16 23.8 RB NO LAMP 1NC 1NO
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3376.53 грн
50+ 2357.39 грн
100+ 2014.69 грн
250+ 1997.42 грн
350+ 1972.18 грн
1050+ 1970.19 грн
2800+ 1967.53 грн
AOT16N50
Код товару: 128900		 TO220.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDA16N50
Код товару: 122257		 FAIRS27756-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDD6N50F TM
Код товару: 129279
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
IXFH26N50
Код товару: 42816		 91525.pdf
IXFH26N50
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXFH26N50P
Код товару: 127550		 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh26n50p_datasheet.pdf.pdf
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXFH26N50Q
Код товару: 149259		 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_2_n50q_datasheet.pdf.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXFP16N50P3
Код товару: 202044		 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_16n50p3_datasheet.pdf.pdf
Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
IXTA6N50D2(IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK )
Код товару: 84036
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
IXTP6N50D2 транзистор
Код товару: 66796
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
IXTQ26N50P
Код товару: 94734		 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_26n50p_datasheet.pdf.pdf
IXTQ26N50P
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SPW16N50C3(транзистор)
Код товару: 68703
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
STE36N50A
Код товару: 66904
Транзистори > IGBT
товар відсутній
6N50000776
Виробник: TXC Corporation
6N 50.0MHZ SMD 100PPM -10+70C 10% 3.3v 30mA 20pf
товар відсутній
AL02BT6N502 VIKING-AL.pdf
AL02BT6N502
Виробник: Viking
Category: SMD 0402 inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 6.5nH; 290mA; 900mΩ; Q: 16; ±0,1nH
Mounting: SMD
Operating current: 0.29A
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 6.5nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.9Ω
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AOT16N50 TO220.pdf
AOT16N50
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 278W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 278W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42.8nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDA16N50-F109 FDA16N50_F109.PDF
FDA16N50-F109
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; Idm: 66A; 205W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDA16N50LDTU FAIR-S-A0002365536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 66A; 205W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDA16N50LDTU FAIR-S-A0002365536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 66A; 205W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD6N50TM FAIRS46283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.8A; Idm: 24A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDD6N50TM FAIRS46283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.8A; Idm: 24A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF16N50 fdpf16n50t-d.pdf
FDPF16N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.6A; Idm: 64A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDPF16N50 fdpf16n50t-d.pdf
FDPF16N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.6A; Idm: 64A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF16N50T fdpf16n50t-d.pdf
FDPF16N50T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.6A; Idm: 64A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDPF16N50T fdpf16n50t-d.pdf
FDPF16N50T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.6A; Idm: 64A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FHDM 16N5001 FHDM-16N5001-web-EN.pdf
Виробник: BAUMER
Category: Standard Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; Range: 20÷450mm; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON
Operating temperature: -25...65°C
Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON
Output configuration: NPN
Connection: lead 2m
Response time: <1ms
Type of sensor: photoelectric
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...30V DC
Body material: metal
Sensors features: background impact elimination; sensitivity adjustable
Max. operating current: 0.1A
Body dimensions: 15.4x50x50mm
Operation mode: diffuse-reflective
Range: 20...450mm
товар відсутній
FHDM 16N5001 FHDM-16N5001-web-EN.pdf
Виробник: BAUMER
Category: Standard Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; Range: 20÷450mm; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON
Operating temperature: -25...65°C
Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON
Output configuration: NPN
Connection: lead 2m
Response time: <1ms
Type of sensor: photoelectric
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...30V DC
Body material: metal
Sensors features: background impact elimination; sensitivity adjustable
Max. operating current: 0.1A
Body dimensions: 15.4x50x50mm
Operation mode: diffuse-reflective
Range: 20...450mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FHDM 16N5001/S14 FHDM-16N5001-S14-web-EN.pdf
Виробник: BAUMER
Category: Standard Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; Range: 20÷450mm; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON
Operating temperature: -25...65°C
Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON
Output configuration: NPN
Connection: connector M12
Number of pins: 4
Response time: <1ms
Type of sensor: photoelectric
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...30V DC
Body material: metal
Sensors features: background impact elimination; sensitivity adjustable
Max. operating current: 0.1A
Body dimensions: 15.4x50x50mm
Operation mode: diffuse-reflective
Range: 20...450mm
товар відсутній
FHDM 16N5001/S14 FHDM-16N5001-S14-web-EN.pdf
Виробник: BAUMER
Category: Standard Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; Range: 20÷450mm; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON
Operating temperature: -25...65°C
Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON
Output configuration: NPN
Connection: connector M12
Number of pins: 4
Response time: <1ms
Type of sensor: photoelectric
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...30V DC
Body material: metal
Sensors features: background impact elimination; sensitivity adjustable
Max. operating current: 0.1A
Body dimensions: 15.4x50x50mm
Operation mode: diffuse-reflective
Range: 20...450mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FHDM 16N5004 FHDM-16N5004-web-EN.pdf
Виробник: BAUMER
Category: Standard Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; Range: 20÷600mm; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON
Operating temperature: -25...65°C
Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON
Output configuration: NPN
Connection: lead 2m
Response time: <5ms
Type of sensor: photoelectric
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...30V DC
Body material: metal
Sensors features: background impact elimination; sensitivity adjustable
Max. operating current: 0.1A
Body dimensions: 15.4x50x50mm
Operation mode: diffuse-reflective
Range: 20...600mm
товар відсутній
FHDM 16N5004 FHDM-16N5004-web-EN.pdf
Виробник: BAUMER
Category: Standard Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; Range: 20÷600mm; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON
Operating temperature: -25...65°C
Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON
Output configuration: NPN
Connection: lead 2m
Response time: <5ms
Type of sensor: photoelectric
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...30V DC
Body material: metal
Sensors features: background impact elimination; sensitivity adjustable
Max. operating current: 0.1A
Body dimensions: 15.4x50x50mm
Operation mode: diffuse-reflective
Range: 20...600mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FHDM 16N5004/S14 FHDM-16N5004-S14-web-EN.pdf
Виробник: BAUMER
Category: Standard Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; Range: 20÷600mm; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON
Operating temperature: -25...65°C
Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON
Output configuration: NPN
Connection: connector M12
Number of pins: 4
Response time: <5ms
Type of sensor: photoelectric
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...30V DC
Body material: metal
Sensors features: background impact elimination; sensitivity adjustable
Max. operating current: 0.1A
Body dimensions: 15.4x50x50mm
Operation mode: diffuse-reflective
Range: 20...600mm
товар відсутній
FHDM 16N5004/S14 FHDM-16N5004-S14-web-EN.pdf
Виробник: BAUMER
Category: Standard Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; Range: 20÷600mm; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON
Operating temperature: -25...65°C
Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON
Output configuration: NPN
Connection: connector M12
Number of pins: 4
Response time: <5ms
Type of sensor: photoelectric
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...30V DC
Body material: metal
Sensors features: background impact elimination; sensitivity adjustable
Max. operating current: 0.1A
Body dimensions: 15.4x50x50mm
Operation mode: diffuse-reflective
Range: 20...600mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQAF16N50 FQAF16N50.pdf
FQAF16N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.15A; 110W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.15A
Power dissipation: 110W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQAF16N50 FQAF16N50.pdf
FQAF16N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.15A; 110W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.15A
Power dissipation: 110W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD6N50CTM FQD6N50C-D.pdf
FQD6N50CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; Idm: 18A; 61W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 61W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD6N50CTM FQD6N50C-D.pdf
FQD6N50CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; Idm: 18A; 61W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 61W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA16N50P IXF_16N50P.pdf
IXFA16N50P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFA16N50P IXF_16N50P.pdf
IXFA16N50P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH16N50P IXF_16N50P.pdf
IXFH16N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
товар відсутній
IXFH16N50P IXF_16N50P.pdf
IXFH16N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH16N50P3 IXF_16N50P3.pdf
IXFH16N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
товар відсутній
IXFH16N50P3 IXF_16N50P3.pdf
IXFH16N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH36N50P IXFH(V,T)36N50P_S.pdf
IXFH36N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 36A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 36A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]