Результат пошуку "D44H11" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
D44H11G (транзистор біполярний NPN) D44H11G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 26682
Додати до обраних Обраний товар

ON Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 20 A
Монтаж: THT
у наявності: 90 шт
40 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10 шт
10 шт - очікується
1+20.00 грн
10+16.50 грн
100+14.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 D44H11 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD01EA2486EE469&compId=D44H11.pdf?ci_sign=f1e8a73b47e1c17e85ceb5fbe8bf1a989e765422 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+83.64 грн
10+48.48 грн
25+42.21 грн
50+38.28 грн
100+34.83 грн
200+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 D44H11 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD01EA2486EE469&compId=D44H11.pdf?ci_sign=f1e8a73b47e1c17e85ceb5fbe8bf1a989e765422 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 382 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.37 грн
10+60.41 грн
25+50.65 грн
50+45.94 грн
100+41.80 грн
200+40.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 D44H11 STMicroelectronics cd00000942.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 64327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+74.70 грн
15+49.41 грн
100+46.12 грн
500+36.72 грн
1000+33.70 грн
2000+27.59 грн
5000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 D44H11 STMICROELECTRONICS SGSTS35675-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - D44H11 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+118.28 грн
15+58.63 грн
100+52.29 грн
500+38.44 грн
1000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 D44H11 STMicroelectronics cd00000942.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+43.46 грн
303+40.86 грн
500+34.34 грн
1000+32.86 грн
2000+26.28 грн
5000+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 285
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 D44H11 STMicroelectronics en.CD00000942.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.79 грн
50+50.55 грн
100+45.06 грн
500+33.24 грн
1000+30.33 грн
2000+27.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 D44H11 STMicroelectronics en.CD00000942.pdf d44h-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 10164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.43 грн
10+52.14 грн
100+40.97 грн
500+32.46 грн
1000+31.78 грн
2000+29.22 грн
5000+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 D44H11 STMicroelectronics cd00000942.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+66.70 грн
16+46.57 грн
100+43.77 грн
500+35.48 грн
1000+32.59 грн
2000+27.03 грн
5000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 D44H11 STMicroelectronics cd00000942.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 64327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
265+46.60 грн
284+43.50 грн
500+35.92 грн
1000+34.33 грн
2000+27.11 грн
5000+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 ST en.CD00000942.pdf d44h-d.pdf Tranzystor NPN; 60; 1,67W; 80V; 10A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: KSE44H11TU; D44H11; D44H11TU; D44H11G; D44H11 TD44H11 STM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD021839399A469&compId=D44H8G.PDF?ci_sign=78103bae26e64bde0ef0657581f2d5127fad7bb1 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+93.78 грн
10+54.99 грн
50+39.93 грн
100+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD021839399A469&compId=D44H8G.PDF?ci_sign=78103bae26e64bde0ef0657581f2d5127fad7bb1 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.53 грн
10+68.53 грн
50+47.92 грн
100+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+127.60 грн
500+56.47 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G onsemi d44h-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 8239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.05 грн
50+51.87 грн
100+46.25 грн
500+34.15 грн
1000+31.18 грн
2000+28.67 грн
5000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G onsemi D44H-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
на замовлення 5312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.37 грн
10+52.22 грн
100+41.27 грн
500+30.65 грн
1000+29.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+45.57 грн
500+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+26.04 грн
480+25.77 грн
500+25.52 грн
1000+24.27 грн
Мінімальне замовлення: 475
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.04 грн
12+60.79 грн
50+37.04 грн
100+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
623+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 623
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+27.90 грн
100+27.62 грн
500+26.37 грн
1000+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G ONSEMI ONSM-S-A0014467242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - D44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.64 грн
14+63.78 грн
100+53.56 грн
500+36.79 грн
1000+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
623+49.58 грн
1000+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 623
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G ON-Semicoductor d44h-d.pdf Transistor NPN; Bipolar; 80V; 20V; 50MHz; 10A; 2W; -55°C~150°C; D44H11G TD44H11G ONS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-13 MJD44H11-13 Diodes Incorporated Description: TRANS NPN 80V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.49 грн
5000+18.26 грн
7500+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-13 Diodes Incorporated MJD44H11.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.74 грн
10+54.74 грн
100+31.18 грн
500+24.10 грн
1000+21.84 грн
2500+18.07 грн
5000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G onsemi MJD44H11-D.PDF description Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.74 грн
10+52.14 грн
75+29.15 грн
525+26.28 грн
1050+21.99 грн
2100+20.86 грн
4200+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G onsemi mjd44h11-d.pdf description Description: TRANS NPN 80V 8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.47 грн
75+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11AJ Nexperia USA Inc. MJD44H11A.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.84 грн
10+47.54 грн
50+34.97 грн
100+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11AJ Nexperia MJD44H11A.pdf Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 17836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.80 грн
10+42.18 грн
100+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11AJ Nexperia USA Inc. MJD44H11A.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 description Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.17 грн
10+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 description Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.41 грн
10+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G onsemi mjd44h11-d.pdf description Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 9202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.20 грн
75+42.22 грн
150+37.71 грн
525+29.36 грн
1050+26.75 грн
2025+24.65 грн
5025+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G onsemi MJD44H11-D.PDF description Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 5494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.43 грн
10+59.67 грн
75+31.48 грн
525+27.64 грн
1050+25.23 грн
4950+22.82 грн
9900+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G ON-Semicoductor mjd44h11-d.pdf description NPN 8A 80V 20W MJD44H11T4, MJD44H11G, MJD44H11-001 D44H11 TD44H11 dpak
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Nexperia MJD44H11.pdf Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.44 грн
10+38.80 грн
100+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Nexperia USA Inc. MJD44H11.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Nexperia USA Inc. MJD44H11.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.32 грн
10+43.85 грн
50+32.16 грн
100+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J NXP MJD44H11.pdf Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 160MHz 1.75W Surface Mount DPAK MJD44H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD44H11J
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG MJD44H11RLG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.17 грн
10+57.82 грн
25+47.23 грн
50+40.40 грн
100+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG MJD44H11RLG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.41 грн
10+72.05 грн
25+56.67 грн
50+48.48 грн
100+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG MJD44H11RLG onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 6305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.20 грн
10+60.64 грн
100+40.26 грн
500+29.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG MJD44H11RLG onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+27.67 грн
3600+24.60 грн
5400+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG MJD44H11RLG onsemi MJD44H11-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 11876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.65 грн
10+60.11 грн
100+37.35 грн
500+29.60 грн
1000+29.15 грн
1800+25.00 грн
3600+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 MJD44H11T4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88989A808E780C4&compId=MJD44H11_MJD45H11.pdf?ci_sign=fb71bb8fb6650233f834d6642921308d7a660fd0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 16A
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.05 грн
10+43.70 грн
50+30.20 грн
100+25.89 грн
500+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 MJD44H11T4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88989A808E780C4&compId=MJD44H11_MJD45H11.pdf?ci_sign=fb71bb8fb6650233f834d6642921308d7a660fd0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.06 грн
10+54.45 грн
50+36.24 грн
100+31.07 грн
500+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 MJD44H11T4 STMicroelectronics en.CD00001311.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.12 грн
5000+16.96 грн
7500+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 MJD44H11T4 STMicroelectronics en.CD00001311.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 15080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.62 грн
10+48.85 грн
100+28.54 грн
500+22.07 грн
1000+20.03 грн
2500+17.70 грн
5000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 MJD44H11T4 STMicroelectronics en.CD00001311.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 8515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.76 грн
10+45.34 грн
100+29.66 грн
500+21.52 грн
1000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-A MJD44H11T4-A STMicroelectronics en.CD00244188.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.88 грн
10+42.75 грн
100+27.92 грн
500+20.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-A MJD44H11T4-A STMicroelectronics en.CD00244188.pdf Bipolar Transistors - BJT Automotive-grade low voltage NPN power transistor
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.06 грн
10+43.22 грн
100+25.23 грн
500+19.88 грн
1000+19.20 грн
2500+16.94 грн
5000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+66.74 грн
10+42.21 грн
20+36.32 грн
50+29.81 грн
100+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.09 грн
10+52.59 грн
20+43.59 грн
50+35.77 грн
100+31.07 грн
500+23.16 грн
1000+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G onsemi MJD44H11-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 58193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.06 грн
10+43.74 грн
100+28.47 грн
500+21.99 грн
1000+18.68 грн
2500+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.33 грн
5000+18.06 грн
7500+17.28 грн
12500+15.40 грн
17500+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 17527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.84 грн
10+47.85 грн
100+31.40 грн
500+22.83 грн
1000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11D3T4G NJVMJD44H11D3T4G onsemi MJD44H11-D.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+481.20 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11G NJVMJD44H11G onsemi MJD44H11-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 8A 80V
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.98 грн
10+58.81 грн
75+38.03 грн
525+30.43 грн
1050+26.58 грн
2550+25.68 грн
5100+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 26682
Додати до обраних Обраний товар

D44H11G (транзистор біполярний NPN)
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 20 A
Монтаж: THT
у наявності: 90 шт
40 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10 шт
10 шт - очікується
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+16.50 грн
100+14.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD01EA2486EE469&compId=D44H11.pdf?ci_sign=f1e8a73b47e1c17e85ceb5fbe8bf1a989e765422
D44H11
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+83.64 грн
10+48.48 грн
25+42.21 грн
50+38.28 грн
100+34.83 грн
200+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD01EA2486EE469&compId=D44H11.pdf?ci_sign=f1e8a73b47e1c17e85ceb5fbe8bf1a989e765422
D44H11
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 382 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.37 грн
10+60.41 грн
25+50.65 грн
50+45.94 грн
100+41.80 грн
200+40.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 cd00000942.pdf
D44H11
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 64327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+74.70 грн
15+49.41 грн
100+46.12 грн
500+36.72 грн
1000+33.70 грн
2000+27.59 грн
5000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 SGSTS35675-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
D44H11
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - D44H11 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+118.28 грн
15+58.63 грн
100+52.29 грн
500+38.44 грн
1000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 cd00000942.pdf
D44H11
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
285+43.46 грн
303+40.86 грн
500+34.34 грн
1000+32.86 грн
2000+26.28 грн
5000+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 285
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 en.CD00000942.pdf
D44H11
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.79 грн
50+50.55 грн
100+45.06 грн
500+33.24 грн
1000+30.33 грн
2000+27.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 en.CD00000942.pdf d44h-d.pdf
D44H11
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 10164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.43 грн
10+52.14 грн
100+40.97 грн
500+32.46 грн
1000+31.78 грн
2000+29.22 грн
5000+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 cd00000942.pdf
D44H11
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+66.70 грн
16+46.57 грн
100+43.77 грн
500+35.48 грн
1000+32.59 грн
2000+27.03 грн
5000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 cd00000942.pdf
D44H11
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 64327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
265+46.60 грн
284+43.50 грн
500+35.92 грн
1000+34.33 грн
2000+27.11 грн
5000+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 en.CD00000942.pdf d44h-d.pdf
Виробник: ST
Tranzystor NPN; 60; 1,67W; 80V; 10A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: KSE44H11TU; D44H11; D44H11TU; D44H11G; D44H11 TD44H11 STM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD021839399A469&compId=D44H8G.PDF?ci_sign=78103bae26e64bde0ef0657581f2d5127fad7bb1
D44H11G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.78 грн
10+54.99 грн
50+39.93 грн
100+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD021839399A469&compId=D44H8G.PDF?ci_sign=78103bae26e64bde0ef0657581f2d5127fad7bb1
D44H11G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.53 грн
10+68.53 грн
50+47.92 грн
100+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G d44h-d.pdf
D44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
97+127.60 грн
500+56.47 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G d44h-d.pdf
D44H11G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 8239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.05 грн
50+51.87 грн
100+46.25 грн
500+34.15 грн
1000+31.18 грн
2000+28.67 грн
5000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H-D.PDF
D44H11G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
на замовлення 5312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.37 грн
10+52.22 грн
100+41.27 грн
500+30.65 грн
1000+29.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G d44h-d.pdf
D44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G d44h-d.pdf
D44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+45.57 грн
500+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G d44h-d.pdf
D44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
475+26.04 грн
480+25.77 грн
500+25.52 грн
1000+24.27 грн
Мінімальне замовлення: 475
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G d44h-d.pdf
D44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+136.04 грн
12+60.79 грн
50+37.04 грн
100+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G d44h-d.pdf
D44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
623+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 623
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G d44h-d.pdf
D44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+27.90 грн
100+27.62 грн
500+26.37 грн
1000+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G ONSM-S-A0014467242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
D44H11G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - D44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.64 грн
14+63.78 грн
100+53.56 грн
500+36.79 грн
1000+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G d44h-d.pdf
D44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
623+49.58 грн
1000+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 623
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G d44h-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor NPN; Bipolar; 80V; 20V; 50MHz; 10A; 2W; -55°C~150°C; D44H11G TD44H11G ONS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+48.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-13
MJD44H11-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.49 грн
5000+18.26 грн
7500+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-13 MJD44H11.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.74 грн
10+54.74 грн
100+31.18 грн
500+24.10 грн
1000+21.84 грн
2500+18.07 грн
5000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G description MJD44H11-D.PDF
MJD44H11-1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.74 грн
10+52.14 грн
75+29.15 грн
525+26.28 грн
1050+21.99 грн
2100+20.86 грн
4200+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G description mjd44h11-d.pdf
MJD44H11-1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.47 грн
75+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11A.pdf
MJD44H11AJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.84 грн
10+47.54 грн
50+34.97 грн
100+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11A.pdf
MJD44H11AJ
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 17836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.80 грн
10+42.18 грн
100+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11A.pdf
MJD44H11AJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928
MJD44H11G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.17 грн
10+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928
MJD44H11G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.41 грн
10+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description mjd44h11-d.pdf
MJD44H11G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 9202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.20 грн
75+42.22 грн
150+37.71 грн
525+29.36 грн
1050+26.75 грн
2025+24.65 грн
5025+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description MJD44H11-D.PDF
MJD44H11G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 5494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.43 грн
10+59.67 грн
75+31.48 грн
525+27.64 грн
1050+25.23 грн
4950+22.82 грн
9900+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description mjd44h11-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
NPN 8A 80V 20W MJD44H11T4, MJD44H11G, MJD44H11-001 D44H11 TD44H11 dpak
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11.pdf
MJD44H11J
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.44 грн
10+38.80 грн
100+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11.pdf
MJD44H11J
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11.pdf
MJD44H11J
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.32 грн
10+43.85 грн
50+32.16 грн
100+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11.pdf
Виробник: NXP
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 160MHz 1.75W Surface Mount DPAK MJD44H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD44H11J
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928
MJD44H11RLG
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.17 грн
10+57.82 грн
25+47.23 грн
50+40.40 грн
100+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928
MJD44H11RLG
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.41 грн
10+72.05 грн
25+56.67 грн
50+48.48 грн
100+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG mjd44h11-d.pdf
MJD44H11RLG
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 6305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.20 грн
10+60.64 грн
100+40.26 грн
500+29.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG mjd44h11-d.pdf
MJD44H11RLG
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+27.67 грн
3600+24.60 грн
5400+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG MJD44H11-D.PDF
MJD44H11RLG
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 11876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.65 грн
10+60.11 грн
100+37.35 грн
500+29.60 грн
1000+29.15 грн
1800+25.00 грн
3600+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88989A808E780C4&compId=MJD44H11_MJD45H11.pdf?ci_sign=fb71bb8fb6650233f834d6642921308d7a660fd0
MJD44H11T4
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 16A
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.05 грн
10+43.70 грн
50+30.20 грн
100+25.89 грн
500+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88989A808E780C4&compId=MJD44H11_MJD45H11.pdf?ci_sign=fb71bb8fb6650233f834d6642921308d7a660fd0
MJD44H11T4
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.06 грн
10+54.45 грн
50+36.24 грн
100+31.07 грн
500+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 en.CD00001311.pdf
MJD44H11T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.12 грн
5000+16.96 грн
7500+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 en.CD00001311.pdf
MJD44H11T4
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 15080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.62 грн
10+48.85 грн
100+28.54 грн
500+22.07 грн
1000+20.03 грн
2500+17.70 грн
5000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 en.CD00001311.pdf
MJD44H11T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 8515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.76 грн
10+45.34 грн
100+29.66 грн
500+21.52 грн
1000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-A en.CD00244188.pdf
MJD44H11T4-A
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.88 грн
10+42.75 грн
100+27.92 грн
500+20.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-A en.CD00244188.pdf
MJD44H11T4-A
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Automotive-grade low voltage NPN power transistor
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.06 грн
10+43.22 грн
100+25.23 грн
500+19.88 грн
1000+19.20 грн
2500+16.94 грн
5000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928
MJD44H11T4G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.74 грн
10+42.21 грн
20+36.32 грн
50+29.81 грн
100+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928
MJD44H11T4G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.09 грн
10+52.59 грн
20+43.59 грн
50+35.77 грн
100+31.07 грн
500+23.16 грн
1000+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11-D.PDF
MJD44H11T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 58193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.06 грн
10+43.74 грн
100+28.47 грн
500+21.99 грн
1000+18.68 грн
2500+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11-d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.33 грн
5000+18.06 грн
7500+17.28 грн
12500+15.40 грн
17500+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11-d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 17527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.84 грн
10+47.85 грн
100+31.40 грн
500+22.83 грн
1000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11D3T4G MJD44H11-D.pdf
NJVMJD44H11D3T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+481.20 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11G MJD44H11-D.PDF
NJVMJD44H11G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 8A 80V
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.98 грн
10+58.81 грн
75+38.03 грн
525+30.43 грн
1050+26.58 грн
2550+25.68 грн
5100+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]