Результат пошуку "D44H11" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 210
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 205
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 183
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 1800
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 8
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
D44H11G (транзистор біполярний NPN) Код товару: 26682 |
ON |
Транзистори > Біполярні NPN Uceo,V: 80 V Ucbo,V: 80 V Ic,A: 20 A Монтаж: THT |
у наявності: 101 шт
|
|
||||||||||||||
![]() |
D44H11 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 50MHz |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
D44H11 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 5280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
D44H11 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 19845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
D44H11 | STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
D44H11 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 5286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
D44H11 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
D44H11 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 5286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
D44H11 | STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 50 W |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
D44H11 | ST |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D44H11 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80Vceo 5.0Vebo 8.0A 16A Icm 20W |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
D44H11G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 70W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 70W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 40MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
D44H11G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 4881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
D44H11G | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 3453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
D44H11G | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
D44H11G | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
D44H11G | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
D44H11G | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
D44H11G | onsemi |
![]() |
на замовлення 11804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
D44H11G | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
D44H11G | ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D44H11 | STMicroelectronics NV |
![]() ![]() |
на замовлення 35 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
MJD44H11-1G | onsemi |
![]() ![]() |
на замовлення 19618 шт: термін постачання 91-100 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11AJ | Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11AJ | Nexperia |
![]() |
на замовлення 8667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11AJ | Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 85MHz |
на замовлення 426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MJD44H11G | ONS |
![]() ![]() |
на замовлення 135 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
MJD44H11G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 85MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 426 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11G | onsemi |
![]() ![]() |
на замовлення 1345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11G | onsemi |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 4250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MJD44H11G | ON-Semicoductor |
![]() ![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
MJD44H11J | Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 16733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11J | Nexperia |
![]() |
на замовлення 18989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11J | Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MJD44H11J | NXP |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
MJD44H11Q-13 | Diodes Incorporated |
Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 3MHz Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11RLG | onsemi |
![]() |
на замовлення 20262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11RLG | onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 5262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11RLG | onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2288 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11T4 | STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11T4 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 22465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11T4 | STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 6047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11T4-A | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 4431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11T4-A | STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 1715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11T4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 85MHz Application: automotive industry |
на замовлення 2303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11T4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 85MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2303 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11T4G | onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 4899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11T4G | onsemi |
![]() |
на замовлення 104564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44H11T4G | onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NJVMJD44H11D3T4G | onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 2176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NJVMJD44H11G | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NJVMJD44H11G | onsemi |
![]() |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NJVMJD44H11RLG | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz Application: automotive industry |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NJVMJD44H11RLG | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NJVMJD44H11RLG | onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NJVMJD44H11RLG | onsemi |
![]() |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NJVMJD44H11T4G | onsemi |
![]() |
на замовлення 4234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
D44H11G (транзистор біполярний NPN) Код товару: 26682 |
у наявності: 101 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 20 грн |
10+ | 16.5 грн |
100+ | 14.3 грн |
D44H11 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 71.84 грн |
10+ | 57.69 грн |
25+ | 35.18 грн |
D44H11 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
210+ | 58.33 грн |
250+ | 48.97 грн |
500+ | 41.38 грн |
1000+ | 35.33 грн |
2000+ | 25.92 грн |
5000+ | 24.63 грн |
D44H11 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 19845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 83.74 грн |
10+ | 66.6 грн |
100+ | 46.8 грн |
500+ | 39.69 грн |
1000+ | 32.3 грн |
2000+ | 30.4 грн |
5000+ | 28.99 грн |
D44H11 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - D44H11 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - D44H11 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 94.73 грн |
12+ | 71.6 грн |
100+ | 52.65 грн |
500+ | 41.49 грн |
1000+ | 29.37 грн |
D44H11 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 64.23 грн |
12+ | 54.19 грн |
100+ | 45.5 грн |
500+ | 37.07 грн |
1000+ | 30.39 грн |
2000+ | 23.11 грн |
5000+ | 22.89 грн |
D44H11 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - D44H11 - D44H11, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - D44H11 - D44H11, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)D44H11 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 26.35 грн |
D44H11 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Description: TRANS NPN 80V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 78.4 грн |
D44H11 |
![]() ![]() |
Виробник: ST
Tranzystor NPN; 60; 1,67W; 80V; 10A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: KSE44H11TU; D44H11; D44H11TU; D44H11G; D44H11 TD44H11 STM
кількість в упаковці: 10 шт
Tranzystor NPN; 60; 1,67W; 80V; 10A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: KSE44H11TU; D44H11; D44H11TU; D44H11G; D44H11 TD44H11 STM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 31.64 грн |
D44H11 TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 80Vceo 5.0Vebo 8.0A 16A Icm 20W
Bipolar Transistors - BJT 80Vceo 5.0Vebo 8.0A 16A Icm 20W
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 195.39 грн |
10+ | 160.23 грн |
100+ | 111.18 грн |
250+ | 102.74 грн |
400+ | 92.18 грн |
1200+ | 79.52 грн |
2800+ | 75.3 грн |
D44H11G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 70W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 70W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
D44H11G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - D44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - D44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 89.99 грн |
12+ | 68.52 грн |
100+ | 50.13 грн |
500+ | 39.51 грн |
1000+ | 33.36 грн |
D44H11G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 80V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 74.6 грн |
50+ | 57.69 грн |
100+ | 45.72 грн |
500+ | 36.36 грн |
1000+ | 29.62 грн |
2000+ | 27.88 грн |
D44H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 77.55 грн |
10+ | 62 грн |
100+ | 47.19 грн |
500+ | 37.63 грн |
1000+ | 25.48 грн |
D44H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 30.21 грн |
D44H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 64.41 грн |
12+ | 54.22 грн |
100+ | 43.58 грн |
500+ | 35.89 грн |
1000+ | 25.98 грн |
D44H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
205+ | 59.65 грн |
D44H11G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
на замовлення 11804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 80.21 грн |
10+ | 63.45 грн |
100+ | 43.63 грн |
500+ | 37.01 грн |
1000+ | 29.48 грн |
D44H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
183+ | 66.77 грн |
241+ | 50.82 грн |
500+ | 42.03 грн |
1000+ | 29.63 грн |
D44H11G |
![]() |
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor NPN; Bipolar; 80V; 20V; 50MHz; 10A; 2W; -55°C~150°C; D44H11G TD44H11G ONS
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor NPN; Bipolar; 80V; 20V; 50MHz; 10A; 2W; -55°C~150°C; D44H11G TD44H11G ONS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 44.33 грн |
D44H11 |
![]() ![]() |
Виробник: STMicroelectronics NV
NPN, TO-220AB
NPN, TO-220AB
на замовлення 35 шт:
термін постачання 5 дні (днів)MJD44H11-1G | ![]() |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 19618 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 48.11 грн |
10+ | 46.86 грн |
75+ | 26.6 грн |
525+ | 22.66 грн |
1050+ | 18.23 грн |
4200+ | 17.03 грн |
MJD44H11AJ |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 44.15 грн |
10+ | 36.43 грн |
100+ | 25.32 грн |
500+ | 18.55 грн |
1000+ | 15.08 грн |
MJD44H11AJ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT MJD44H11A/SOT428/DPAK
Bipolar Transistors - BJT MJD44H11A/SOT428/DPAK
на замовлення 8667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 46.55 грн |
10+ | 39.41 грн |
100+ | 24.28 грн |
500+ | 19 грн |
1000+ | 15.41 грн |
2500+ | 13.09 грн |
10000+ | 12.17 грн |
MJD44H11AJ |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 14.92 грн |
5000+ | 13.63 грн |
MJD44H11G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 73.41 грн |
10+ | 48.01 грн |
21+ | 41.05 грн |
58+ | 38.85 грн |
300+ | 37.38 грн |
MJD44H11G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONS
Транз. Бипол. NPN DPAK-4/ POWER 10A 80V PLA
Транз. Бипол. NPN DPAK-4/ POWER 10A 80V PLA
на замовлення 135 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 29.05 грн |
12+ | 22.66 грн |
100+ | 20.5 грн |
MJD44H11G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 88.1 грн |
10+ | 59.83 грн |
21+ | 49.26 грн |
58+ | 46.62 грн |
300+ | 44.86 грн |
MJD44H11G | ![]() |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 84.56 грн |
10+ | 78.25 грн |
75+ | 46.16 грн |
525+ | 40.04 грн |
1050+ | 30.75 грн |
4950+ | 29.34 грн |
9900+ | 29.06 грн |
MJD44H11G | ![]() |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.69 грн |
75+ | 62.45 грн |
150+ | 49.5 грн |
525+ | 39.37 грн |
1050+ | 32.07 грн |
2025+ | 30.19 грн |
MJD44H11G | ![]() |
![]() |
Виробник: ON-Semicoductor
NPN 8A 80V 20W MJD44H11T4, MJD44H11G, MJD44H11-001 D44H11 TD44H11 dpak
кількість в упаковці: 25 шт
NPN 8A 80V 20W MJD44H11T4, MJD44H11G, MJD44H11-001 D44H11 TD44H11 dpak
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 41.11 грн |
MJD44H11J |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 16733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 38.06 грн |
10+ | 31.52 грн |
100+ | 21.92 грн |
500+ | 16.07 грн |
1000+ | 13.06 грн |
MJD44H11J |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT MJD44H11/SOT428/DPAK
Bipolar Transistors - BJT MJD44H11/SOT428/DPAK
на замовлення 18989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.21 грн |
10+ | 34.72 грн |
100+ | 20.34 грн |
500+ | 15.69 грн |
1000+ | 13.23 грн |
2500+ | 10.63 грн |
10000+ | 10.56 грн |
MJD44H11J |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 12.92 грн |
5000+ | 11.81 грн |
12500+ | 10.96 грн |
MJD44H11J |
![]() |
Виробник: NXP
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 160MHz 1.75W Surface Mount DPAK MJD44H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD44H11J
кількість в упаковці: 10 шт
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 160MHz 1.75W Surface Mount DPAK MJD44H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD44H11J
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 55.78 грн |
MJD44H11Q-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 23.39 грн |
5000+ | 20.97 грн |
MJD44H11RLG |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 20262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 69.45 грн |
10+ | 52.36 грн |
100+ | 39.9 грн |
500+ | 36.94 грн |
1000+ | 34.76 грн |
1800+ | 30.47 грн |
3600+ | 29.2 грн |
MJD44H11RLG |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.69 грн |
10+ | 63.85 грн |
100+ | 49.67 грн |
500+ | 39.51 грн |
MJD44H11RLG |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1800+ | 35.61 грн |
3600+ | 32.28 грн |
MJD44H11T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 52.1 грн |
43+ | 20.16 грн |
117+ | 19.06 грн |
MJD44H11T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.52 грн |
43+ | 25.12 грн |
117+ | 22.87 грн |
2500+ | 22.61 грн |
MJD44H11T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 21.21 грн |
5000+ | 19.35 грн |
MJD44H11T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 22465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 60.34 грн |
10+ | 48.96 грн |
100+ | 30.89 грн |
500+ | 25.76 грн |
1000+ | 21.96 грн |
2500+ | 17.66 грн |
MJD44H11T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 6047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 56.33 грн |
10+ | 46.55 грн |
100+ | 32.25 грн |
500+ | 25.29 грн |
1000+ | 21.52 грн |
MJD44H11T4-A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Automotive-grade low volt NPN power transistor
Bipolar Transistors - BJT Automotive-grade low volt NPN power transistor
на замовлення 4431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 70.28 грн |
10+ | 56.65 грн |
100+ | 38.35 грн |
500+ | 32.51 грн |
1000+ | 26.53 грн |
2500+ | 24.35 грн |
5000+ | 23.71 грн |
MJD44H11T4-A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 65.46 грн |
10+ | 51.46 грн |
100+ | 40.02 грн |
500+ | 31.83 грн |
1000+ | 25.93 грн |
MJD44H11T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 38.68 грн |
13+ | 30.13 грн |
25+ | 27.12 грн |
42+ | 20.82 грн |
114+ | 19.64 грн |
MJD44H11T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 46.42 грн |
10+ | 37.54 грн |
25+ | 32.55 грн |
42+ | 24.98 грн |
114+ | 23.57 грн |
2500+ | 22.69 грн |
MJD44H11T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.69 грн |
10+ | 48.97 грн |
100+ | 32.12 грн |
500+ | 23.36 грн |
1000+ | 21.17 грн |
MJD44H11T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 104564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 55.01 грн |
10+ | 46.45 грн |
100+ | 28.15 грн |
500+ | 23.86 грн |
1000+ | 20.27 грн |
2500+ | 18.01 грн |
5000+ | 17.45 грн |
MJD44H11T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 19.57 грн |
NJVMJD44H11D3T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 430.16 грн |
NJVMJD44H11G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 66.23 грн |
75+ | 51.26 грн |
150+ | 40.62 грн |
525+ | 32.31 грн |
1050+ | 26.32 грн |
2025+ | 24.78 грн |
NJVMJD44H11G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 8A 80V
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 8A 80V
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 70.28 грн |
10+ | 64.9 грн |
75+ | 38.84 грн |
525+ | 32.93 грн |
1050+ | 26.32 грн |
2550+ | 24 грн |
5100+ | 23.86 грн |
NJVMJD44H11RLG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 73.3 грн |
NJVMJD44H11RLG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 54.81 грн |
25+ | 39.23 грн |
29+ | 35.89 грн |
79+ | 33.87 грн |
500+ | 32.63 грн |
NJVMJD44H11RLG |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 60.14 грн |
10+ | 50.21 грн |
100+ | 34.78 грн |
500+ | 27.27 грн |
NJVMJD44H11RLG |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor
Bipolar Transistors - BJT 8 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 64.94 грн |
10+ | 55.35 грн |
100+ | 33.28 грн |
500+ | 27.87 грн |
1000+ | 26.67 грн |
1800+ | 23.01 грн |
3600+ | 19.98 грн |
NJVMJD44H11T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SILICON Pwr TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT SILICON Pwr TRANSISTOR
на замовлення 4234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 46.55 грн |
100+ | 38.12 грн |
500+ | 28.71 грн |
1000+ | 25.61 грн |
2500+ | 21.6 грн |
10000+ | 20.62 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]