Результат пошуку "D44H11" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
D44H11G (транзистор біполярний NPN) D44H11G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 26682
Додати до обраних Обраний товар

ON Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 20 A
Монтаж: THT
у наявності: 100 шт
30 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+20.00 грн
10+16.50 грн
100+14.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 D44H11 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD01EA2486EE469&compId=D44H11.pdf?ci_sign=f1e8a73b47e1c17e85ceb5fbe8bf1a989e765422 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+84.81 грн
10+49.16 грн
25+42.80 грн
50+38.82 грн
100+35.32 грн
200+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 D44H11 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD01EA2486EE469&compId=D44H11.pdf?ci_sign=f1e8a73b47e1c17e85ceb5fbe8bf1a989e765422 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+101.77 грн
10+61.26 грн
25+51.36 грн
50+46.58 грн
100+42.38 грн
200+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 D44H11 STMicroelectronics cd00000942.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+66.86 грн
16+46.68 грн
100+43.88 грн
500+35.57 грн
1000+32.67 грн
2000+27.10 грн
5000+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 D44H11 STMicroelectronics cd00000942.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 64327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
265+46.71 грн
284+43.60 грн
500+36.00 грн
1000+34.41 грн
2000+27.18 грн
5000+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 D44H11 STMicroelectronics cd00000942.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 64327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+74.87 грн
15+49.53 грн
100+46.23 грн
500+36.80 грн
1000+33.78 грн
2000+27.66 грн
5000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 D44H11 STMICROELECTRONICS SGSTS35675-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - D44H11 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+119.94 грн
15+59.45 грн
100+53.03 грн
500+38.98 грн
1000+32.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 D44H11 STMicroelectronics en.CD00000942.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.17 грн
50+51.64 грн
100+46.04 грн
500+33.96 грн
1000+30.98 грн
2000+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 D44H11 STMicroelectronics cd00000942.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+43.57 грн
303+40.95 грн
500+34.43 грн
1000+32.93 грн
2000+26.35 грн
5000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 285
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 D44H11 STMicroelectronics en.CD00000942.pdf d44h-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 10142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.91 грн
10+52.87 грн
100+41.54 грн
500+32.91 грн
1000+32.23 грн
2000+29.63 грн
5000+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 ST en.CD00000942.pdf d44h-d.pdf Tranzystor NPN; 60; 1,67W; 80V; 10A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: KSE44H11TU; D44H11; D44H11TU; D44H11G; D44H11 TD44H11 STM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD021839399A469&compId=D44H8G.PDF?ci_sign=78103bae26e64bde0ef0657581f2d5127fad7bb1 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+95.09 грн
10+55.76 грн
50+40.49 грн
100+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD021839399A469&compId=D44H8G.PDF?ci_sign=78103bae26e64bde0ef0657581f2d5127fad7bb1 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.11 грн
10+69.49 грн
50+48.59 грн
100+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+26.10 грн
480+25.84 грн
500+25.58 грн
1000+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 475
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.36 грн
12+60.93 грн
50+37.13 грн
100+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
623+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 623
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+27.96 грн
100+27.68 грн
500+26.43 грн
1000+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G ONSEMI ONSM-S-A0014467242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - D44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.50 грн
14+64.68 грн
100+54.31 грн
500+37.31 грн
1000+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
623+49.70 грн
1000+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 623
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+127.90 грн
500+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G onsemi d44h-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 8239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.48 грн
50+52.98 грн
100+47.25 грн
500+34.89 грн
1000+31.85 грн
2000+29.29 грн
5000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G onsemi D44H-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
на замовлення 5201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.06 грн
10+52.96 грн
100+41.85 грн
500+31.08 грн
1000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H11G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+45.68 грн
500+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G ON-Semicoductor d44h-d.pdf Transistor NPN; Bipolar; 80V; 20V; 50MHz; 10A; 2W; -55°C~150°C; D44H11G TD44H11G ONS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-13 Diodes Incorporated MJD44H11.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.99 грн
10+55.50 грн
100+31.62 грн
500+24.44 грн
1000+22.15 грн
2500+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-13 MJD44H11-13 Diodes Incorporated Description: TRANS NPN 80V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.76 грн
5000+18.52 грн
7500+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G onsemi MJD44H11-D.PDF description Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 6525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.99 грн
10+52.87 грн
75+29.55 грн
525+26.65 грн
1050+22.30 грн
2100+21.15 грн
4200+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G onsemi mjd44h11-d.pdf description Description: TRANS NPN 80V 8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.44 грн
75+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11AJ Nexperia USA Inc. MJD44H11A.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.96 грн
10+48.21 грн
50+35.46 грн
100+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11AJ Nexperia MJD44H11A.pdf Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 17836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.99 грн
10+54.45 грн
50+34.75 грн
100+30.70 грн
1000+30.24 грн
2500+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11AJ Nexperia USA Inc. MJD44H11A.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 description Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.38 грн
10+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 description Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.86 грн
10+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G onsemi MJD44H11-D.PDF description Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.91 грн
10+60.51 грн
75+31.92 грн
525+28.03 грн
1050+25.58 грн
4950+23.14 грн
9900+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G onsemi mjd44h11-d.pdf description Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 9202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.44 грн
75+43.13 грн
150+38.53 грн
525+29.99 грн
1050+27.32 грн
2025+25.19 грн
5025+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G ON-Semicoductor mjd44h11-d.pdf description NPN 8A 80V 20W MJD44H11T4, MJD44H11G, MJD44H11-001 D44H11 TD44H11 dpak
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Nexperia USA Inc. MJD44H11.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.35 грн
10+44.47 грн
50+32.62 грн
100+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Nexperia MJD44H11.pdf Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.28 грн
10+51.46 грн
50+32.61 грн
100+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Nexperia USA Inc. MJD44H11.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J NXP MJD44H11.pdf Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 160MHz 1.75W Surface Mount DPAK MJD44H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD44H11J
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG MJD44H11RLG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.38 грн
10+58.63 грн
25+47.89 грн
50+40.97 грн
100+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG MJD44H11RLG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.86 грн
10+73.06 грн
25+57.47 грн
50+49.16 грн
100+48.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG MJD44H11RLG onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 6305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.44 грн
10+61.97 грн
100+41.13 грн
500+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG MJD44H11RLG onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+28.27 грн
3600+25.13 грн
5400+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG MJD44H11RLG onsemi MJD44H11-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 11876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.00 грн
10+60.95 грн
100+37.88 грн
500+30.01 грн
1000+29.55 грн
1800+25.35 грн
3600+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 MJD44H11T4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88989A808E780C4&compId=MJD44H11_MJD45H11.pdf?ci_sign=fb71bb8fb6650233f834d6642921308d7a660fd0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 16A
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.96 грн
10+44.31 грн
50+30.63 грн
100+26.25 грн
500+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 MJD44H11T4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88989A808E780C4&compId=MJD44H11_MJD45H11.pdf?ci_sign=fb71bb8fb6650233f834d6642921308d7a660fd0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.16 грн
10+55.22 грн
50+36.75 грн
100+31.50 грн
500+23.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 MJD44H11T4 STMicroelectronics en.CD00001311.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 15040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.77 грн
10+49.53 грн
100+28.94 грн
500+22.38 грн
1000+20.31 грн
2500+17.95 грн
5000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 MJD44H11T4 STMicroelectronics en.CD00001311.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 8515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.83 грн
10+46.30 грн
100+30.30 грн
500+21.98 грн
1000+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 MJD44H11T4 STMicroelectronics en.CD00001311.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.54 грн
5000+17.33 грн
7500+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-A MJD44H11T4-A STMicroelectronics en.CD00244188.pdf Bipolar Transistors - BJT Automotive-grade low voltage NPN power transistor
на замовлення 5836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.14 грн
10+43.82 грн
100+25.58 грн
500+20.16 грн
1000+19.47 грн
2500+17.18 грн
5000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-A MJD44H11T4-A STMicroelectronics en.CD00244188.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.70 грн
10+43.67 грн
100+28.52 грн
500+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+67.68 грн
10+42.80 грн
20+36.83 грн
50+30.23 грн
100+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.21 грн
10+53.33 грн
20+44.20 грн
50+36.27 грн
100+31.50 грн
500+23.48 грн
1000+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.77 грн
5000+18.45 грн
7500+17.65 грн
12500+15.73 грн
17500+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 17527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.96 грн
10+48.84 грн
100+32.07 грн
500+23.32 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G onsemi MJD44H11-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 52946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.80 грн
10+51.73 грн
100+30.39 грн
500+23.60 грн
1000+21.15 грн
2500+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11D3T4G NJVMJD44H11D3T4G onsemi MJD44H11-D.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+487.96 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11G NJVMJD44H11G onsemi MJD44H11-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 8A 80V
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.61 грн
10+59.63 грн
75+38.57 грн
525+30.85 грн
1050+26.96 грн
2550+26.04 грн
5100+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 26682
Додати до обраних Обраний товар

D44H11G (транзистор біполярний NPN)
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 20 A
Монтаж: THT
у наявності: 100 шт
30 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+16.50 грн
100+14.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD01EA2486EE469&compId=D44H11.pdf?ci_sign=f1e8a73b47e1c17e85ceb5fbe8bf1a989e765422
D44H11
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+84.81 грн
10+49.16 грн
25+42.80 грн
50+38.82 грн
100+35.32 грн
200+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD01EA2486EE469&compId=D44H11.pdf?ci_sign=f1e8a73b47e1c17e85ceb5fbe8bf1a989e765422
D44H11
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.77 грн
10+61.26 грн
25+51.36 грн
50+46.58 грн
100+42.38 грн
200+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 cd00000942.pdf
D44H11
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+66.86 грн
16+46.68 грн
100+43.88 грн
500+35.57 грн
1000+32.67 грн
2000+27.10 грн
5000+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 cd00000942.pdf
D44H11
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 64327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
265+46.71 грн
284+43.60 грн
500+36.00 грн
1000+34.41 грн
2000+27.18 грн
5000+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 cd00000942.pdf
D44H11
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 64327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+74.87 грн
15+49.53 грн
100+46.23 грн
500+36.80 грн
1000+33.78 грн
2000+27.66 грн
5000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 SGSTS35675-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
D44H11
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - D44H11 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+119.94 грн
15+59.45 грн
100+53.03 грн
500+38.98 грн
1000+32.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 en.CD00000942.pdf
D44H11
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.17 грн
50+51.64 грн
100+46.04 грн
500+33.96 грн
1000+30.98 грн
2000+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 cd00000942.pdf
D44H11
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
285+43.57 грн
303+40.95 грн
500+34.43 грн
1000+32.93 грн
2000+26.35 грн
5000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 285
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 en.CD00000942.pdf d44h-d.pdf
D44H11
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 10142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.91 грн
10+52.87 грн
100+41.54 грн
500+32.91 грн
1000+32.23 грн
2000+29.63 грн
5000+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11 en.CD00000942.pdf d44h-d.pdf
Виробник: ST
Tranzystor NPN; 60; 1,67W; 80V; 10A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: KSE44H11TU; D44H11; D44H11TU; D44H11G; D44H11 TD44H11 STM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD021839399A469&compId=D44H8G.PDF?ci_sign=78103bae26e64bde0ef0657581f2d5127fad7bb1
D44H11G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.09 грн
10+55.76 грн
50+40.49 грн
100+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD021839399A469&compId=D44H8G.PDF?ci_sign=78103bae26e64bde0ef0657581f2d5127fad7bb1
D44H11G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.11 грн
10+69.49 грн
50+48.59 грн
100+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G d44h-d.pdf
D44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
475+26.10 грн
480+25.84 грн
500+25.58 грн
1000+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 475
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G d44h-d.pdf
D44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+136.36 грн
12+60.93 грн
50+37.13 грн
100+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G d44h-d.pdf
D44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
623+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 623
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G d44h-d.pdf
D44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+27.96 грн
100+27.68 грн
500+26.43 грн
1000+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G ONSM-S-A0014467242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
D44H11G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - D44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.50 грн
14+64.68 грн
100+54.31 грн
500+37.31 грн
1000+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G d44h-d.pdf
D44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
623+49.70 грн
1000+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 623
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G d44h-d.pdf
D44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
97+127.90 грн
500+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G d44h-d.pdf
D44H11G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 8239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.48 грн
50+52.98 грн
100+47.25 грн
500+34.89 грн
1000+31.85 грн
2000+29.29 грн
5000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G D44H-D.PDF
D44H11G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
на замовлення 5201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.06 грн
10+52.96 грн
100+41.85 грн
500+31.08 грн
1000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G d44h-d.pdf
D44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G d44h-d.pdf
D44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+45.68 грн
500+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
D44H11G d44h-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor NPN; Bipolar; 80V; 20V; 50MHz; 10A; 2W; -55°C~150°C; D44H11G TD44H11G ONS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-13 MJD44H11.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.99 грн
10+55.50 грн
100+31.62 грн
500+24.44 грн
1000+22.15 грн
2500+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-13
MJD44H11-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.76 грн
5000+18.52 грн
7500+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G description MJD44H11-D.PDF
MJD44H11-1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 6525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.99 грн
10+52.87 грн
75+29.55 грн
525+26.65 грн
1050+22.30 грн
2100+21.15 грн
4200+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G description mjd44h11-d.pdf
MJD44H11-1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.44 грн
75+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11A.pdf
MJD44H11AJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.96 грн
10+48.21 грн
50+35.46 грн
100+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11A.pdf
MJD44H11AJ
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 17836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.99 грн
10+54.45 грн
50+34.75 грн
100+30.70 грн
1000+30.24 грн
2500+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11A.pdf
MJD44H11AJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928
MJD44H11G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.38 грн
10+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928
MJD44H11G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.86 грн
10+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description MJD44H11-D.PDF
MJD44H11G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.91 грн
10+60.51 грн
75+31.92 грн
525+28.03 грн
1050+25.58 грн
4950+23.14 грн
9900+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description mjd44h11-d.pdf
MJD44H11G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 9202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.44 грн
75+43.13 грн
150+38.53 грн
525+29.99 грн
1050+27.32 грн
2025+25.19 грн
5025+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description mjd44h11-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
NPN 8A 80V 20W MJD44H11T4, MJD44H11G, MJD44H11-001 D44H11 TD44H11 dpak
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11.pdf
MJD44H11J
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.35 грн
10+44.47 грн
50+32.62 грн
100+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11.pdf
MJD44H11J
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.28 грн
10+51.46 грн
50+32.61 грн
100+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11.pdf
MJD44H11J
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11.pdf
Виробник: NXP
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 160MHz 1.75W Surface Mount DPAK MJD44H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD44H11J
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928
MJD44H11RLG
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.38 грн
10+58.63 грн
25+47.89 грн
50+40.97 грн
100+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928
MJD44H11RLG
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.86 грн
10+73.06 грн
25+57.47 грн
50+49.16 грн
100+48.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG mjd44h11-d.pdf
MJD44H11RLG
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 6305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.44 грн
10+61.97 грн
100+41.13 грн
500+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG mjd44h11-d.pdf
MJD44H11RLG
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+28.27 грн
3600+25.13 грн
5400+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG MJD44H11-D.PDF
MJD44H11RLG
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 11876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.00 грн
10+60.95 грн
100+37.88 грн
500+30.01 грн
1000+29.55 грн
1800+25.35 грн
3600+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88989A808E780C4&compId=MJD44H11_MJD45H11.pdf?ci_sign=fb71bb8fb6650233f834d6642921308d7a660fd0
MJD44H11T4
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 16A
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.96 грн
10+44.31 грн
50+30.63 грн
100+26.25 грн
500+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88989A808E780C4&compId=MJD44H11_MJD45H11.pdf?ci_sign=fb71bb8fb6650233f834d6642921308d7a660fd0
MJD44H11T4
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.16 грн
10+55.22 грн
50+36.75 грн
100+31.50 грн
500+23.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 en.CD00001311.pdf
MJD44H11T4
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 15040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.77 грн
10+49.53 грн
100+28.94 грн
500+22.38 грн
1000+20.31 грн
2500+17.95 грн
5000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 en.CD00001311.pdf
MJD44H11T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 8515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.83 грн
10+46.30 грн
100+30.30 грн
500+21.98 грн
1000+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 en.CD00001311.pdf
MJD44H11T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.54 грн
5000+17.33 грн
7500+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-A en.CD00244188.pdf
MJD44H11T4-A
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Automotive-grade low voltage NPN power transistor
на замовлення 5836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.14 грн
10+43.82 грн
100+25.58 грн
500+20.16 грн
1000+19.47 грн
2500+17.18 грн
5000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-A en.CD00244188.pdf
MJD44H11T4-A
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.70 грн
10+43.67 грн
100+28.52 грн
500+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928
MJD44H11T4G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.68 грн
10+42.80 грн
20+36.83 грн
50+30.23 грн
100+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928
MJD44H11T4G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.21 грн
10+53.33 грн
20+44.20 грн
50+36.27 грн
100+31.50 грн
500+23.48 грн
1000+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11-d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.77 грн
5000+18.45 грн
7500+17.65 грн
12500+15.73 грн
17500+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11-d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 17527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.96 грн
10+48.84 грн
100+32.07 грн
500+23.32 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11-D.PDF
MJD44H11T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 52946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.80 грн
10+51.73 грн
100+30.39 грн
500+23.60 грн
1000+21.15 грн
2500+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11D3T4G MJD44H11-D.pdf
NJVMJD44H11D3T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+487.96 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11G MJD44H11-D.PDF
NJVMJD44H11G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 8A 80V
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.61 грн
10+59.63 грн
75+38.57 грн
525+30.85 грн
1050+26.96 грн
2550+26.04 грн
5100+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]