Результат пошуку "D45H11" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 161
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 159
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 277
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 350
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 202
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 34
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
D45H11 | STMicroelectronics |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 287 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11 | STMicroelectronics |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 287 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - D45H11 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch |
на замовлення 2782 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11 | STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 80V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 50 W |
на замовлення 1496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11 | ST |
PNP 80V 10A 2W D45H11G TD45H11G кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11FP | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP GEN PUR SWITCH |
на замовлення 1971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11FP | STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 80V 10A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 36 W |
на замовлення 734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP |
на замовлення 387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11G | ON | 2010+ |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
MJD45H11-1G | ON Semiconductor | Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,75; Uceo, В = 80; Ic = 8 А; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 90; hFE = 40 @ 4 A, 1 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A; Тексп, °С = -55...+150; I-PAK |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11-1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP |
на замовлення 10949 шт: термін постачання 91-100 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11AJ | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11AJ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT MJD45H11A/SOT428/DPAK |
на замовлення 31878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11AJ | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 90MHz |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11G | ONS | Транз. Бипол. PNP DPAK-4/ POWER 10A 80V PLA |
на замовлення 100 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11G | ON Semiconductor | Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,75; Uceo, В = 80; Ic = 8 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 90; hFE = 40 @ 4 А, 1 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 A; Тексп, °С = -55...+150; D-PAK |
на замовлення 90 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 90MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 333 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP |
на замовлення 23324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 2403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11G | ON-Semicoductor |
Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11J | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT MJD45H11/SOT428/DPAK |
на замовлення 4654 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11J | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11J | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 8382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11J | NXP |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 80MHz 1.75W Surface Mount DPAK MJD45H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD45H11J кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11RLG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP |
на замовлення 1801 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11RLG | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 1791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11T4 | STMicroelectronics |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 243 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11T4 | STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11T4 | STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 4376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11T4 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11T4G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 90MHz |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP |
на замовлення 4530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11T4G | ON-Semicoductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 212 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11T4G | ON-Semicoductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NJVMJD45H11G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor |
на замовлення 737 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NJVMJD45H11G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NJVMJD45H11RLG | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NJVMJD45H11RLG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 80V TR |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NJVMJD45H11T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor |
на замовлення 1577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NJVMJD45H11T4G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD44H11T4GMJD45H11T4G |
на замовлення 12893 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MJD45H11 | FAIRCHILD | TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
MJD45H11 | ON | 09+ XX |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
MJD45H11 | FAIRCHILD | 07+ TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
MJD45H11 369A-13 | ON | 09+ SOP-8 |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
MJD45H11-13 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
D45H11 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 62.59 грн |
8+ | 45.88 грн |
10+ | 40.06 грн |
24+ | 34.6 грн |
65+ | 32.52 грн |
250+ | 32.18 грн |
D45H11 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 287 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 75.11 грн |
5+ | 57.17 грн |
10+ | 48.08 грн |
24+ | 41.52 грн |
65+ | 39.03 грн |
250+ | 38.61 грн |
D45H11 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - D45H11 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - D45H11 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 85.69 грн |
12+ | 63.79 грн |
100+ | 52.01 грн |
500+ | 42.69 грн |
1000+ | 34.23 грн |
D45H11 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
161+ | 72.64 грн |
208+ | 56.09 грн |
D45H11 |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
на замовлення 2782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 87.57 грн |
10+ | 68.29 грн |
100+ | 46.03 грн |
500+ | 42.05 грн |
1000+ | 34.67 грн |
2000+ | 33.48 грн |
5000+ | 30.09 грн |
D45H11 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 84.52 грн |
10+ | 67.45 грн |
100+ | 52.09 грн |
D45H11 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 80V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Description: TRANS PNP 80V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 83.35 грн |
50+ | 64.38 грн |
100+ | 51 грн |
500+ | 40.57 грн |
1000+ | 33.05 грн |
D45H11 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 25.11 грн |
D45H11 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
159+ | 73.3 грн |
206+ | 56.73 грн |
500+ | 50.01 грн |
1000+ | 40.17 грн |
D45H11 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 85.55 грн |
10+ | 68.45 грн |
100+ | 52.97 грн |
500+ | 45.02 грн |
1000+ | 34.73 грн |
D45H11 |
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 34.12 грн |
D45H11FP |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP GEN PUR SWITCH
Bipolar Transistors - BJT PNP GEN PUR SWITCH
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 120.89 грн |
10+ | 96.25 грн |
100+ | 69.08 грн |
250+ | 66.09 грн |
500+ | 57.66 грн |
1000+ | 50.42 грн |
2000+ | 47.89 грн |
D45H11FP |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 80V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 36 W
Description: TRANS PNP 80V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 36 W
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.81 грн |
50+ | 87.65 грн |
100+ | 72.12 грн |
500+ | 57.27 грн |
D45H11G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
277+ | 42.12 грн |
D45H11G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 21.23 грн |
D45H11G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
350+ | 31.72 грн |
D45H11G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 71.15 грн |
10+ | 58.4 грн |
100+ | 42.37 грн |
500+ | 34.15 грн |
1000+ | 23.46 грн |
D45H11G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 62.68 грн |
12+ | 51.85 грн |
100+ | 35.63 грн |
500+ | 29.42 грн |
1000+ | 21.56 грн |
D45H11G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 73.32 грн |
13+ | 59.69 грн |
100+ | 38.3 грн |
500+ | 29.61 грн |
D45H11G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 65.56 грн |
10+ | 53.09 грн |
100+ | 33.48 грн |
500+ | 27.97 грн |
1000+ | 20.72 грн |
5000+ | 20.66 грн |
D45H11G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
202+ | 57.86 грн |
278+ | 41.98 грн |
500+ | 35.09 грн |
1000+ | 27.34 грн |
MJD45H11-1G |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,75; Uceo, В = 80; Ic = 8 А; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 90; hFE = 40 @ 4 A, 1 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A; Тексп, °С = -55...+150; I-PAK
Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,75; Uceo, В = 80; Ic = 8 А; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 90; hFE = 40 @ 4 A, 1 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A; Тексп, °С = -55...+150; I-PAK
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 62.4 грн |
100+ | 20.28 грн |
MJD45H11-1G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 10949 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 78.27 грн |
10+ | 66.84 грн |
75+ | 42.84 грн |
525+ | 36.33 грн |
1050+ | 29.56 грн |
1950+ | 26.5 грн |
5850+ | 26.24 грн |
MJD45H11AJ |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 15.25 грн |
5000+ | 13.91 грн |
MJD45H11AJ |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT MJD45H11A/SOT428/DPAK
Bipolar Transistors - BJT MJD45H11A/SOT428/DPAK
на замовлення 31878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.24 грн |
10+ | 34.45 грн |
100+ | 21.79 грн |
500+ | 18.07 грн |
1000+ | 15.68 грн |
2500+ | 12.69 грн |
5000+ | 12.22 грн |
MJD45H11AJ |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 40.24 грн |
10+ | 33.49 грн |
100+ | 23.19 грн |
500+ | 18.18 грн |
1000+ | 15.47 грн |
MJD45H11G |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 60.88 грн |
10+ | 50.93 грн |
20+ | 40.57 грн |
55+ | 38.35 грн |
MJD45H11G |
Виробник: ONS
Транз. Бипол. PNP DPAK-4/ POWER 10A 80V PLA
Транз. Бипол. PNP DPAK-4/ POWER 10A 80V PLA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 24.95 грн |
14+ | 19.56 грн |
MJD45H11G |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,75; Uceo, В = 80; Ic = 8 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 90; hFE = 40 @ 4 А, 1 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 A; Тексп, °С = -55...+150; D-PAK
Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,75; Uceo, В = 80; Ic = 8 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 90; hFE = 40 @ 4 А, 1 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 A; Тексп, °С = -55...+150; D-PAK
на замовлення 90 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 18.53 грн |
37+ | 17.28 грн |
100+ | 16.05 грн |
MJD45H11G |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 333 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 73.06 грн |
10+ | 63.46 грн |
20+ | 48.68 грн |
55+ | 46.02 грн |
750+ | 44.26 грн |
MJD45H11G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 23324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 68.51 грн |
10+ | 63.4 грн |
75+ | 41.25 грн |
525+ | 35.6 грн |
1050+ | 27.3 грн |
2400+ | 27.23 грн |
4800+ | 26.04 грн |
MJD45H11G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 71.85 грн |
75+ | 55.65 грн |
150+ | 44.09 грн |
525+ | 35.08 грн |
1050+ | 28.57 грн |
2025+ | 26.9 грн |
MJD45H11G |
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 35.65 грн |
MJD45H11J |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT MJD45H11/SOT428/DPAK
Bipolar Transistors - BJT MJD45H11/SOT428/DPAK
на замовлення 4654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.77 грн |
10+ | 35.6 грн |
100+ | 22.39 грн |
500+ | 17.47 грн |
1000+ | 13.88 грн |
2500+ | 12.36 грн |
10000+ | 11.29 грн |
MJD45H11J |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 14.38 грн |
MJD45H11J |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 8382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 42.39 грн |
10+ | 35.08 грн |
100+ | 24.42 грн |
500+ | 17.89 грн |
1000+ | 14.54 грн |
MJD45H11J |
Виробник: NXP
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 80MHz 1.75W Surface Mount DPAK MJD45H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD45H11J
кількість в упаковці: 10 шт
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 80MHz 1.75W Surface Mount DPAK MJD45H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD45H11J
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 19.27 грн |
MJD45H11RLG |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 69.2 грн |
10+ | 56.22 грн |
100+ | 38.39 грн |
500+ | 33.15 грн |
1000+ | 30.95 грн |
1800+ | 26.9 грн |
MJD45H11RLG |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 68.98 грн |
10+ | 54.04 грн |
100+ | 42.01 грн |
500+ | 33.41 грн |
MJD45H11T4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 243 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 39.08 грн |
10+ | 34.4 грн |
37+ | 26.4 грн |
101+ | 24.99 грн |
1000+ | 24 грн |
MJD45H11T4 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 20.72 грн |
MJD45H11T4 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 4376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 54.61 грн |
10+ | 45.46 грн |
100+ | 31.5 грн |
500+ | 24.71 грн |
1000+ | 21.03 грн |
MJD45H11T4 |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 58.36 грн |
10+ | 49.88 грн |
100+ | 28.83 грн |
500+ | 24.78 грн |
1000+ | 21.39 грн |
2500+ | 19.46 грн |
MJD45H11T4G |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 90MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 90MHz
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 59.61 грн |
11+ | 33.07 грн |
25+ | 29.82 грн |
36+ | 22.83 грн |
98+ | 21.59 грн |
MJD45H11T4G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 4530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 51.92 грн |
10+ | 45.38 грн |
100+ | 26.9 грн |
500+ | 22.52 грн |
1000+ | 19.13 грн |
2500+ | 17.34 грн |
5000+ | 17.01 грн |
MJD45H11T4G |
Виробник: ON-Semicoductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4
кількість в упаковці: 100 шт
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 212 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 18.77 грн |
MJD45H11T4G |
Виробник: ON-Semicoductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4
кількість в упаковці: 100 шт
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 18.77 грн |
NJVMJD45H11G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor
Bipolar Transistors - BJT 8 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.73 грн |
10+ | 64.32 грн |
75+ | 33.48 грн |
525+ | 28.03 грн |
1050+ | 21.65 грн |
2550+ | 20.79 грн |
5100+ | 19.86 грн |
NJVMJD45H11G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 63.23 грн |
75+ | 50.21 грн |
150+ | 36.44 грн |
525+ | 28.57 грн |
1050+ | 24.32 грн |
2025+ | 21.66 грн |
5025+ | 20.18 грн |
NJVMJD45H11RLG |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 61.8 грн |
10+ | 48.71 грн |
100+ | 37.88 грн |
500+ | 30.14 грн |
NJVMJD45H11RLG |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 80V TR
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 80V TR
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 66.34 грн |
10+ | 53.4 грн |
100+ | 36.14 грн |
500+ | 30.62 грн |
1000+ | 29.69 грн |
1800+ | 24.91 грн |
3600+ | 22.39 грн |
NJVMJD45H11T4G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor
Bipolar Transistors - BJT 8 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 66.34 грн |
10+ | 54.01 грн |
100+ | 36.6 грн |
500+ | 30.95 грн |
1000+ | 25.18 грн |
2500+ | 23.71 грн |
NJVMJD45H11T4G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.51 грн |
10+ | 49.34 грн |
100+ | 38.37 грн |
500+ | 30.52 грн |
1000+ | 24.86 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]