Результат пошуку "IRF840" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 325
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 93
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 98
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 111
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 13
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 174
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 169
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 144
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 80
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 189
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF840APBF (TO-220AB, Vishay) Код товару: 35892
Додати до обраних
Обраний товар
|
Vishay |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 500 V Idd,A: 8 А Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38 Монтаж: THT |
у наявності: 175 шт
110 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ 56 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Одеса 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF Код товару: 182602
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
![]() Корпус: TO-220AB Uds,V: 500 V Idd,A: 8 A Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 Монтаж: THT |
у наявності: 361 шт
326 шт - склад
23 шт - РАДІОМАГ-Київ 2 шт - РАДІОМАГ-Львів 5 шт - РАДІОМАГ-Харків 1 шт - РАДІОМАГ-Одеса 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840SPBF Код товару: 82665
Додати до обраних
Обраний товар
|
Vishay |
![]() Корпус: TO-263 (D2PAK) Uds,V: 500 V Idd,A: 8 А Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 Монтаж: SMD |
у наявності: 189 шт
146 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Львів 5 шт - РАДІОМАГ-Харків 8 шт - РАДІОМАГ-Одеса 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
IRF84093 | HARRIS | IRF84093 |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF840A |
![]() ![]() |
на замовлення 7 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF840A | Siliconix |
![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF840ALPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ALPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 7414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 273 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 2506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 9886 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF-BE3 | VISHAY |
![]() tariffCode: 85364900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF-BE3 | Vishay |
![]() |
на замовлення 821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ASPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ASPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ASPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ASPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ASPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 9855 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ASPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ASTRLPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ASTRRPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 2005 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF840B | Vishay |
![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF840B | Siliconix |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF840BPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840BPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF840BPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840HPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840HPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840HPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF840LCLPBF | Vishay Semiconductors |
![]() ![]() |
на замовлення 867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 712 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 4675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 4679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 4674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 MSL: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 2736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCSPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 3466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3466 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 9718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 10093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 10093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 5700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF-BE3 | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IRF840 Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 3036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF840S | Siliconix |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF840SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 354 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF840SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840SPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRF840APBF (TO-220AB, Vishay) Код товару: 35892
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
Монтаж: THT
у наявності: 175 шт
110 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
56 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
56 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 48.00 грн |
10+ | 43.50 грн |
100+ | 38.90 грн |
IRF840PBF Код товару: 182602
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності: 361 шт
326 шт - склад
23 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
23 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 32.00 грн |
10+ | 27.80 грн |
100+ | 25.30 грн |
IRF840SPBF Код товару: 82665
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: SMD
у наявності: 189 шт
146 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 74.00 грн |
10+ | 68.00 грн |
IRF84093 |
Виробник: HARRIS
IRF84093
IRF84093
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
325+ | 93.79 грн |
IRF840A | ![]() |
![]() |
MOSFET 500V 8A (32A pulse), N Channel TO-220
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 109.30 грн |
IRF840A | ![]() |
![]() |
Виробник: Siliconix
Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
кількість в упаковці: 50 шт
Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 57.96 грн |
IRF840ALPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 145.74 грн |
10+ | 133.11 грн |
100+ | 119.63 грн |
IRF840ALPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 7414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 140.18 грн |
10+ | 111.41 грн |
100+ | 94.62 грн |
500+ | 89.37 грн |
1000+ | 84.11 грн |
IRF840APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 148.27 грн |
10+ | 119.69 грн |
17+ | 54.76 грн |
47+ | 51.63 грн |
IRF840APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 177.92 грн |
10+ | 149.15 грн |
17+ | 65.71 грн |
47+ | 61.96 грн |
IRF840APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 166.47 грн |
10+ | 97.59 грн |
100+ | 83.36 грн |
500+ | 82.61 грн |
1000+ | 78.10 грн |
2000+ | 76.60 грн |
5000+ | 67.81 грн |
IRF840APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 176.07 грн |
10+ | 148.27 грн |
100+ | 106.99 грн |
500+ | 93.87 грн |
IRF840APBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 9886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 152.45 грн |
10+ | 103.63 грн |
100+ | 71.04 грн |
500+ | 58.95 грн |
1000+ | 53.39 грн |
2000+ | 47.99 грн |
5000+ | 46.49 грн |
IRF840APBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 172.70 грн |
10+ | 128.89 грн |
25+ | 122.15 грн |
50+ | 106.39 грн |
100+ | 93.15 грн |
500+ | 88.10 грн |
IRF840APBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
93+ | 132.08 грн |
96+ | 127.05 грн |
100+ | 122.74 грн |
250+ | 114.76 грн |
500+ | 103.37 грн |
IRF840ASPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 155.85 грн |
10+ | 84.48 грн |
15+ | 62.58 грн |
41+ | 58.67 грн |
IRF840ASPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 108.68 грн |
10+ | 107.83 грн |
100+ | 96.88 грн |
500+ | 77.99 грн |
1000+ | 66.94 грн |
IRF840ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
98+ | 124.84 грн |
500+ | 114.07 грн |
750+ | 106.14 грн |
IRF840ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
111+ | 110.60 грн |
145+ | 83.98 грн |
IRF840ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 9855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 110.39 грн |
10+ | 93.27 грн |
100+ | 77.35 грн |
500+ | 67.81 грн |
1000+ | 66.54 грн |
IRF840ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 118.34 грн |
50+ | 89.85 грн |
IRF840ASTRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 500V 8.0 Amp
MOSFETs N-Chan 500V 8.0 Amp
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 204.14 грн |
10+ | 145.09 грн |
100+ | 108.14 грн |
500+ | 94.62 грн |
800+ | 81.86 грн |
IRF840ASTRRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 226.92 грн |
10+ | 171.86 грн |
100+ | 117.90 грн |
500+ | 103.63 грн |
800+ | 92.37 грн |
2400+ | 90.12 грн |
IRF840B | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
кількість в упаковці: 50 шт
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 55.64 грн |
IRF840B | ![]() |
![]() |
на замовлення 205 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 46.18 грн |
IRF840BPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 127.21 грн |
10+ | 112.04 грн |
100+ | 68.83 грн |
500+ | 53.51 грн |
1000+ | 45.35 грн |
IRF840BPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF840BPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 55.26 грн |
14+ | 52.51 грн |
25+ | 52.33 грн |
50+ | 48.38 грн |
IRF840HPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840HPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.3 A, 0.74 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - IRF840HPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.3 A, 0.74 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 126.37 грн |
11+ | 80.20 грн |
100+ | 62.68 грн |
500+ | 46.31 грн |
1000+ | 38.92 грн |
IRF840HPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 44.00 грн |
IRF840HPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF840LCLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 251.45 грн |
10+ | 115.73 грн |
100+ | 99.88 грн |
500+ | 88.62 грн |
IRF840LCPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 164.28 грн |
10+ | 133.77 грн |
16+ | 60.23 грн |
43+ | 57.11 грн |
IRF840LCPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 712 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 197.13 грн |
10+ | 166.70 грн |
16+ | 72.28 грн |
43+ | 68.53 грн |
IRF840LCPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
174+ | 70.11 грн |
181+ | 67.55 грн |
IRF840LCPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 75.02 грн |
50+ | 72.28 грн |
IRF840LCPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 4674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 162.09 грн |
10+ | 86.19 грн |
100+ | 66.54 грн |
500+ | 62.78 грн |
1000+ | 56.10 грн |
IRF840LCPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 213.98 грн |
10+ | 179.44 грн |
25+ | 138.16 грн |
50+ | 122.82 грн |
IRF840LCPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 168.49 грн |
10+ | 122.15 грн |
100+ | 83.99 грн |
500+ | 76.51 грн |
IRF840LCPBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO252 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO252 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 162.09 грн |
10+ | 95.86 грн |
100+ | 76.60 грн |
500+ | 67.81 грн |
1000+ | 56.10 грн |
IRF840LCSPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 301.39 грн |
10+ | 168.41 грн |
100+ | 122.41 грн |
500+ | 116.40 грн |
1000+ | 97.63 грн |
IRF840PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 3466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 113.73 грн |
5+ | 95.44 грн |
10+ | 82.92 грн |
21+ | 44.59 грн |
57+ | 42.24 грн |
IRF840PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3466 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 118.93 грн |
10+ | 99.50 грн |
21+ | 53.51 грн |
57+ | 50.69 грн |
IRF840PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 9718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 113.90 грн |
10+ | 80.92 грн |
100+ | 66.54 грн |
500+ | 62.26 грн |
1000+ | 57.90 грн |
2000+ | 54.37 грн |
IRF840PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 138.16 грн |
10+ | 117.10 грн |
100+ | 92.67 грн |
500+ | 72.59 грн |
1000+ | 57.33 грн |
IRF840PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
169+ | 72.31 грн |
208+ | 58.59 грн |
IRF840PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 77.47 грн |
50+ | 62.77 грн |
IRF840PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
144+ | 84.61 грн |
2900+ | 77.31 грн |
4350+ | 71.94 грн |
IRF840PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF840PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - IRF840PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 161.75 грн |
10+ | 120.47 грн |
25+ | 112.89 грн |
50+ | 100.13 грн |
100+ | 85.93 грн |
500+ | 80.87 грн |
IRF840PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
80+ | 152.55 грн |
105+ | 116.85 грн |
112+ | 109.54 грн |
IRF840PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 142.81 грн |
10+ | 103.63 грн |
100+ | 74.95 грн |
500+ | 62.48 грн |
1000+ | 54.90 грн |
2000+ | 50.84 грн |
5000+ | 49.11 грн |
IRF840S |
![]() |
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 51.20 грн |
IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 126.37 грн |
10+ | 104.82 грн |
17+ | 55.54 грн |
46+ | 52.41 грн |
IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 354 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 151.64 грн |
10+ | 130.63 грн |
17+ | 66.65 грн |
46+ | 62.89 грн |
IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
189+ | 64.57 грн |
191+ | 63.92 грн |
IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF840SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 149.95 грн |
10+ | 122.15 грн |
100+ | 85.93 грн |
IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 68.48 грн |
IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 73.13 грн |
25+ | 72.39 грн |
100+ | 69.10 грн |
500+ | 63.35 грн |
1000+ | 60.20 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]