Результат пошуку "irf71" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF
Код товару: 19112
IR irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 362 шт
очікується: 50 шт
1+27.5 грн
10+ 24.8 грн
100+ 21.8 грн
IRF7104PBF IRF7104PBF
Код товару: 23932
IR irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,3 A
Rds(on),Om: 0,25 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 69 шт
очікується: 20 шт
1+18 грн
10+ 16.5 грн
IRF7105 IRF7105
Код товару: 32592
IR irf7105-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 25 V
Idd,A: 3,5 (2.3) A
Rds(on), Ohm: 0,1(0,25) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9,4
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 71 шт
очікується: 10 шт
1+16 грн
10+ 14.4 грн
IRF7105PBF IRF7105PBF
Код товару: 113418
IR irf7105pbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 25 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 101 шт
1+18 грн
10+ 16.5 грн
IRF710 IRF710 Harris Corporation HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: PFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-E
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 740
IRF710 ONSEMI MOTOD144-3-131.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - IRF710 - IRF710, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 891
IRF710 IRF710 onsemi HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 740
IRF710 IRF710 Fairchild Semiconductor HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 740
IRF710 Siliconix HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf description N-MOSFET 0.8A 400V 20W 3.6Ω IRF710 IRF710 TIRF710
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+22 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7101 International Rectifier description 2xN-MOSFET 3.5A 20V 2W 0.1Ω IRF7101 smd TIRF7101
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+51.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7103QTRPBF International Rectifier/Infineon IRF7103QPbF.pdf description 2N-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 3 А; Ptot, Вт = 2,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 73 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
23+27.72 грн
25+ 25.86 грн
100+ 24.02 грн
Мінімальне замовлення: 23
IRF7103TR IR Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm
на замовлення 280 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
10+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7103TR Infineon Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7103TR Infineon Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 7040 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7103TR Infineon Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7103TR UMW Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7103TR Infineon Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 11950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7103TR Infineon Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.13 грн
13+ 26.66 грн
25+ 21.77 грн
50+ 15.87 грн
137+ 14.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+50.08 грн
228+ 49.69 грн
296+ 38.22 грн
299+ 36.51 грн
500+ 27.81 грн
1000+ 21.08 грн
3000+ 18.84 грн
Мінімальне замовлення: 226
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 207164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.13 грн
250+ 31.19 грн
1000+ 25.16 грн
2000+ 22.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+46.77 грн
13+ 46.5 грн
25+ 46.14 грн
100+ 34.22 грн
250+ 31.39 грн
500+ 24.79 грн
1000+ 19.57 грн
3000+ 17.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 description Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.1 грн
8000+ 21.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7103_DataSheet_v01_01_EN-3363112.pdf description MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A
на замовлення 48273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.9 грн
10+ 52.27 грн
100+ 33.99 грн
500+ 28.39 грн
1000+ 24.16 грн
2000+ 21.55 грн
4000+ 21.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 description Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 9067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.57 грн
10+ 50.73 грн
100+ 35.13 грн
500+ 27.54 грн
1000+ 23.44 грн
2000+ 20.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 41378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+78.21 грн
185+ 61.03 грн
220+ 51.34 грн
243+ 44.88 грн
500+ 38.64 грн
1000+ 28.05 грн
2000+ 26.65 грн
4000+ 24.68 грн
8000+ 24.59 грн
Мінімальне замовлення: 145
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 207164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.04 грн
50+ 38.13 грн
250+ 31.19 грн
1000+ 25.16 грн
2000+ 22.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.28 грн
12000+ 21.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.1 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.57 грн
10+ 50.73 грн
100+ 35.13 грн
500+ 27.54 грн
1000+ 23.44 грн
2000+ 20.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON 3732771.pdf Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.13 грн
500+ 20.28 грн
1000+ 15.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON 3732771.pdf Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+41.12 грн
22+ 33.31 грн
100+ 25.13 грн
500+ 20.28 грн
1000+ 15.46 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF7104 IR Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-2,3A; Pdmax=2W; Rds=0,25 Ohm
на замовлення 122 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
10+28.64 грн
11+ 24.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7104PBF International Rectifier/Infineon irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace description 2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2,3 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 250 мОм @ 1 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
34+18.49 грн
37+ 17.25 грн
100+ 16.02 грн
Мінімальне замовлення: 34
IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace description Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.17 грн
10+ 49.58 грн
100+ 34.33 грн
500+ 26.92 грн
1000+ 22.91 грн
2000+ 20.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+61.43 грн
11+ 53.25 грн
25+ 52.74 грн
100+ 35.06 грн
250+ 32.14 грн
500+ 25.84 грн
1000+ 16.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.44 грн
13+ 58.95 грн
100+ 37.62 грн
500+ 29.23 грн
1000+ 19.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.62 грн
500+ 29.23 грн
1000+ 19.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+56.79 грн
289+ 39.15 грн
292+ 38.76 грн
500+ 31.31 грн
1000+ 19.04 грн
Мінімальне замовлення: 199
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7104_DataSheet_v01_01_EN-3362843.pdf description MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A
на замовлення 5762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.27 грн
10+ 54.51 грн
100+ 33.01 грн
500+ 27.61 грн
1000+ 22.33 грн
2000+ 20.32 грн
4000+ 20.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+84.26 грн
153+ 73.98 грн
224+ 50.57 грн
238+ 45.8 грн
500+ 37.44 грн
1000+ 29.78 грн
2000+ 28.54 грн
4000+ 26.32 грн
Мінімальне замовлення: 134
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.5 грн
8000+ 20.17 грн
12000+ 19.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+19.7 грн
Мінімальне замовлення: 574
IRF7105TR UMW Transistor N/P-Channel MOSFET; 25V; 20V; 160mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR UMW TIRF7105 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7105TRPBF Infineon irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0 description Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(25; -25)V; Id=(3,5; -2,3)A; Pdmax=2W; Rds=(0,1; 0,25) Ohm
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
8+37.63 грн
10+ 32.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 34328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.93 грн
17+ 44.34 грн
100+ 30.53 грн
500+ 23.87 грн
1000+ 16.47 грн
5000+ 15.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.86 грн
8000+ 13.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7105_DataSheet_v01_01_EN-3363130.pdf description MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 25V 3.5A
на замовлення 15526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.45 грн
10+ 39.54 грн
100+ 26.18 грн
500+ 22.01 грн
1000+ 18.56 грн
2000+ 16.67 грн
4000+ 16.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0 description Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.87 грн
8000+ 13.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+66.69 грн
218+ 52.01 грн
258+ 43.76 грн
285+ 38.22 грн
500+ 32.9 грн
1000+ 23.86 грн
2000+ 22.7 грн
Мінімальне замовлення: 170
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 34328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.53 грн
500+ 23.87 грн
1000+ 16.47 грн
5000+ 15.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0 description Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 5479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.49 грн
10+ 38.8 грн
100+ 26.87 грн
500+ 21.07 грн
1000+ 17.93 грн
2000+ 15.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
445+25.38 грн
511+ 22.11 грн
514+ 22 грн
565+ 19.29 грн
1000+ 13.72 грн
Мінімальне замовлення: 445
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+25.71 грн
24+ 23.76 грн
25+ 23.57 грн
100+ 19.8 грн
250+ 18.24 грн
500+ 15.92 грн
1000+ 12.48 грн
Мінімальне замовлення: 22
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7103TRPBF
Код товару: 19112
description irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 362 шт
очікується: 50 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+27.5 грн
10+ 24.8 грн
100+ 21.8 грн
IRF7104PBF
Код товару: 23932
description irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace
IRF7104PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,3 A
Rds(on),Om: 0,25 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 69 шт
очікується: 20 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+18 грн
10+ 16.5 грн
IRF7105
Код товару: 32592
description irf7105-datasheet.pdf
IRF7105
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 25 V
Idd,A: 3,5 (2.3) A
Rds(on), Ohm: 0,1(0,25) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9,4
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 71 шт
очікується: 10 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+16 грн
10+ 14.4 грн
IRF7105PBF
Код товару: 113418
description irf7105pbf-datasheet.pdf
IRF7105PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 25 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 101 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+18 грн
10+ 16.5 грн
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710
Виробник: Harris Corporation
Description: PFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-E
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
740+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 740
IRF710 description MOTOD144-3-131.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF710 - IRF710, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
891+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 891
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
740+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 740
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
740+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 740
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 0.8A 400V 20W 3.6Ω IRF710 IRF710 TIRF710
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+22 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7101 description
Виробник: International Rectifier
2xN-MOSFET 3.5A 20V 2W 0.1Ω IRF7101 smd TIRF7101
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+51.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7103QTRPBF description IRF7103QPbF.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 3 А; Ptot, Вт = 2,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 73 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+27.72 грн
25+ 25.86 грн
100+ 24.02 грн
Мінімальне замовлення: 23
IRF7103TR
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm
на замовлення 280 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7103TR
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7103TR
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 7040 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7103TR
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7103TR
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7103TR
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 11950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7103TR
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7103TRPBF description irf7103pbf.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+51.13 грн
13+ 26.66 грн
25+ 21.77 грн
50+ 15.87 грн
137+ 14.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
226+50.08 грн
228+ 49.69 грн
296+ 38.22 грн
299+ 36.51 грн
500+ 27.81 грн
1000+ 21.08 грн
3000+ 18.84 грн
Мінімальне замовлення: 226
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 207164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+38.13 грн
250+ 31.19 грн
1000+ 25.16 грн
2000+ 22.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+46.77 грн
13+ 46.5 грн
25+ 46.14 грн
100+ 34.22 грн
250+ 31.39 грн
500+ 24.79 грн
1000+ 19.57 грн
3000+ 17.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF7103TRPBF description irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+23.1 грн
8000+ 21.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7103TRPBF description Infineon_IRF7103_DataSheet_v01_01_EN-3363112.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A
на замовлення 48273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.9 грн
10+ 52.27 грн
100+ 33.99 грн
500+ 28.39 грн
1000+ 24.16 грн
2000+ 21.55 грн
4000+ 21.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7103TRPBF description irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 9067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.57 грн
10+ 50.73 грн
100+ 35.13 грн
500+ 27.54 грн
1000+ 23.44 грн
2000+ 20.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 41378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
145+78.21 грн
185+ 61.03 грн
220+ 51.34 грн
243+ 44.88 грн
500+ 38.64 грн
1000+ 28.05 грн
2000+ 26.65 грн
4000+ 24.68 грн
8000+ 24.59 грн
Мінімальне замовлення: 145
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 207164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+47.04 грн
50+ 38.13 грн
250+ 31.19 грн
1000+ 25.16 грн
2000+ 22.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+22.28 грн
12000+ 21.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+23.1 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.57 грн
10+ 50.73 грн
100+ 35.13 грн
500+ 27.54 грн
1000+ 23.44 грн
2000+ 20.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7103TRPBFXTMA1 3732771.pdf
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+25.13 грн
500+ 20.28 грн
1000+ 15.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7103TRPBFXTMA1 3732771.pdf
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+41.12 грн
22+ 33.31 грн
100+ 25.13 грн
500+ 20.28 грн
1000+ 15.46 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF7104
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-2,3A; Pdmax=2W; Rds=0,25 Ohm
на замовлення 122 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.64 грн
11+ 24.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7104PBF description irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace
Виробник: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2,3 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 250 мОм @ 1 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+18.49 грн
37+ 17.25 грн
100+ 16.02 грн
Мінімальне замовлення: 34
IRF7104TRPBF description irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.17 грн
10+ 49.58 грн
100+ 34.33 грн
500+ 26.92 грн
1000+ 22.91 грн
2000+ 20.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+61.43 грн
11+ 53.25 грн
25+ 52.74 грн
100+ 35.06 грн
250+ 32.14 грн
500+ 25.84 грн
1000+ 16.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7104TRPBF description INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7104TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+71.44 грн
13+ 58.95 грн
100+ 37.62 грн
500+ 29.23 грн
1000+ 19.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7104TRPBF description INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7104TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+37.62 грн
500+ 29.23 грн
1000+ 19.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
199+56.79 грн
289+ 39.15 грн
292+ 38.76 грн
500+ 31.31 грн
1000+ 19.04 грн
Мінімальне замовлення: 199
IRF7104TRPBF description Infineon_IRF7104_DataSheet_v01_01_EN-3362843.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A
на замовлення 5762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.27 грн
10+ 54.51 грн
100+ 33.01 грн
500+ 27.61 грн
1000+ 22.33 грн
2000+ 20.32 грн
4000+ 20.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
134+84.26 грн
153+ 73.98 грн
224+ 50.57 грн
238+ 45.8 грн
500+ 37.44 грн
1000+ 29.78 грн
2000+ 28.54 грн
4000+ 26.32 грн
Мінімальне замовлення: 134
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+21.5 грн
8000+ 20.17 грн
12000+ 19.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
574+19.7 грн
Мінімальне замовлення: 574
IRF7105TR
Виробник: UMW
Transistor N/P-Channel MOSFET; 25V; 20V; 160mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR UMW TIRF7105 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7105TRPBF description irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(25; -25)V; Id=(3,5; -2,3)A; Pdmax=2W; Rds=(0,1; 0,25) Ohm
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.63 грн
10+ 32.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7105TRPBF description INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7105TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 34328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+54.93 грн
17+ 44.34 грн
100+ 30.53 грн
500+ 23.87 грн
1000+ 16.47 грн
5000+ 15.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF7105TRPBF description irf7105.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+13.86 грн
8000+ 13.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7105TRPBF description Infineon_IRF7105_DataSheet_v01_01_EN-3363130.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 25V 3.5A
на замовлення 15526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.45 грн
10+ 39.54 грн
100+ 26.18 грн
500+ 22.01 грн
1000+ 18.56 грн
2000+ 16.67 грн
4000+ 16.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7105TRPBF description irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7105TRPBF description irf7105.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+13.87 грн
8000+ 13.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7105TRPBF description irf7105.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
170+66.69 грн
218+ 52.01 грн
258+ 43.76 грн
285+ 38.22 грн
500+ 32.9 грн
1000+ 23.86 грн
2000+ 22.7 грн
Мінімальне замовлення: 170
IRF7105TRPBF description INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7105TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 34328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+30.53 грн
500+ 23.87 грн
1000+ 16.47 грн
5000+ 15.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7105TRPBF description irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 5479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.49 грн
10+ 38.8 грн
100+ 26.87 грн
500+ 21.07 грн
1000+ 17.93 грн
2000+ 15.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7105TRPBF description irf7105.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
445+25.38 грн
511+ 22.11 грн
514+ 22 грн
565+ 19.29 грн
1000+ 13.72 грн
Мінімальне замовлення: 445
IRF7105TRPBF description irf7105.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+25.71 грн
24+ 23.76 грн
25+ 23.57 грн
100+ 19.8 грн
250+ 18.24 грн
500+ 15.92 грн
1000+ 12.48 грн
Мінімальне замовлення: 22
IRF7105TRPBF description irf7105.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]