Результат пошуку "irf71" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 701
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 701
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 701
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 30
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 263
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 17
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 252
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 17
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 38
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 410
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 713
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1169
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 379
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 197
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 291
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 231
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF710 Код товару: 23685
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() ![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 400 V Idd,A: 2 А Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 170/17 Монтаж: THT |
у наявності: 13 шт
13 шт - склад
|
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF Код товару: 19112
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: SO-8 Uds,V: 50 V Idd,A: 3 А Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 290/12 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
у наявності: 23 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Харків 9 шт - РАДІОМАГ-Одеса |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7104PBF Код товару: 23932
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: SO-8 Uds,V: 20 V Id,A: 2,3 A Rds(on),Om: 0,25 Ohm Монтаж: SMD |
у наявності: 68 шт
42 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7105 Код товару: 32592
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: SO-8 Uds,V: 25 V Idd,A: 3,5 (2.3) A Rds(on), Ohm: 0,1(0,25) Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 330/9,4 Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі Монтаж: SMD |
у наявності: 254 шт
200 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ 13 шт - РАДІОМАГ-Львів 6 шт - РАДІОМАГ-Харків 5 шт - РАДІОМАГ-Одеса 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7105PBF Код товару: 113418
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: SO-8 Uds,V: 25 V Idd,A: 2,3 A Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4 Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі Монтаж: SMD |
у наявності: 53 шт
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів 20 шт - РАДІОМАГ-Одеса 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
IRF710 | HARRIS |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 4630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF710 | FAIRCHILD |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF710 | ON Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF710 | Siliconix |
![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7101 | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7103TR | IR |
![]() |
на замовлення 272 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7103TR | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 10588 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7103TR | UMW |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 1797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1797 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 39938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 182790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 3970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 3970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 182790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBFXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBFXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF7103TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7103TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7104 | IR | Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-2,3A; Pdmax=2W; Rds=0,25 Ohm |
на замовлення 122 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7104TR | UMW |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7104TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7104TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7104TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7104TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 3730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7104TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF7104TRPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7104TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7104TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7104TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 3725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7104TRPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF7105TR | UMW |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7105TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25/-25V Drain current: 3.5/-2.3A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1/0.25Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF7105TRPBF | Infineon |
![]() ![]() |
на замовлення 3663 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7105TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7105TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 55107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7105TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 33001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7105TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 2838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7105TRPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7105TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7105TRPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF710B | FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 31050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF710PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 36W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 332 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF710PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 36W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 332 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF710PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF710PBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF710PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF710PBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 2497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF710PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF710PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF710PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF710PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 2268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
IRF710 Код товару: 23685
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() ![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/17
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/17
Монтаж: THT
у наявності: 13 шт
13 шт - склад
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 16.00 грн |
10+ | 14.00 грн |
IRF7103TRPBF Код товару: 19112
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 23 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 27.50 грн |
10+ | 24.80 грн |
100+ | 21.80 грн |
IRF7104PBF Код товару: 23932
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,3 A
Rds(on),Om: 0,25 Ohm
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,3 A
Rds(on),Om: 0,25 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 68 шт
42 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 18.00 грн |
10+ | 16.50 грн |
IRF7105 Код товару: 32592
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 25 V
Idd,A: 3,5 (2.3) A
Rds(on), Ohm: 0,1(0,25) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9,4
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 25 V
Idd,A: 3,5 (2.3) A
Rds(on), Ohm: 0,1(0,25) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9,4
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 254 шт
200 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 16.00 грн |
10+ | 14.40 грн |
100+ | 12.90 грн |
IRF7105PBF Код товару: 113418
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 25 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 25 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 53 шт
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Одеса
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Одеса
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 18.00 грн |
10+ | 16.50 грн |
IRF710 | ![]() |
![]() ![]() |
Виробник: HARRIS
IRF710
IRF710
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
701+ | 43.73 грн |
1000+ | 40.33 грн |
IRF710 | ![]() |
![]() ![]() |
Виробник: FAIRCHILD
IRF710
IRF710
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
701+ | 43.73 грн |
1000+ | 40.33 грн |
10000+ | 35.95 грн |
IRF710 | ![]() |
![]() ![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
701+ | 43.73 грн |
1000+ | 40.33 грн |
IRF710 | ![]() |
![]() ![]() |
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 25.88 грн |
IRF7101 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
2xN-MOSFET 3.5A 20V 2W 0.1Ω IRF7101 smd TIRF7101
кількість в упаковці: 10 шт
2xN-MOSFET 3.5A 20V 2W 0.1Ω IRF7101 smd TIRF7101
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 56.04 грн |
IRF7103TR |
![]() |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm
на замовлення 272 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 36.57 грн |
IRF7103TR |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 10588 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 14.79 грн |
IRF7103TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 11.09 грн |
IRF7103TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 76.41 грн |
7+ | 57.72 грн |
50+ | 33.32 грн |
65+ | 14.59 грн |
177+ | 13.79 грн |
IRF7103TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 91.69 грн |
5+ | 71.93 грн |
50+ | 39.99 грн |
65+ | 17.51 грн |
177+ | 16.55 грн |
IRF7103TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 39938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
263+ | 46.75 грн |
393+ | 31.22 грн |
500+ | 29.01 грн |
1000+ | 27.90 грн |
4000+ | 21.82 грн |
8000+ | 19.76 грн |
16000+ | 18.78 грн |
32000+ | 17.86 грн |
IRF7103TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 28.59 грн |
12000+ | 25.84 грн |
IRF7103TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 182790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 52.46 грн |
50+ | 51.86 грн |
250+ | 39.92 грн |
1000+ | 28.46 грн |
2000+ | 25.39 грн |
IRF7103TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF7103TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 66.53 грн |
14+ | 45.73 грн |
25+ | 45.35 грн |
100+ | 30.25 грн |
250+ | 27.75 грн |
500+ | 21.01 грн |
1000+ | 17.49 грн |
3000+ | 13.62 грн |
IRF7103TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
252+ | 48.84 грн |
363+ | 33.78 грн |
367+ | 33.47 грн |
500+ | 25.45 грн |
1000+ | 19.62 грн |
3000+ | 14.66 грн |
IRF7103TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 182790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 51.86 грн |
250+ | 39.92 грн |
1000+ | 28.46 грн |
2000+ | 25.39 грн |
IRF7103TRPBFXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 36.57 грн |
500+ | 26.87 грн |
1000+ | 22.30 грн |
IRF7103TRPBFXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR 40<-<100V
MOSFETs PLANAR 40<-<100V
на замовлення 4609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 87.59 грн |
10+ | 54.30 грн |
100+ | 31.22 грн |
500+ | 24.34 грн |
1000+ | 21.81 грн |
2000+ | 19.97 грн |
4000+ | 17.14 грн |
IRF7103TRPBFXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 86.71 грн |
16+ | 54.95 грн |
100+ | 36.57 грн |
500+ | 26.87 грн |
1000+ | 22.30 грн |
IRF7103TRPBFXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 20.54 грн |
8000+ | 19.41 грн |
12000+ | 19.21 грн |
20000+ | 18.33 грн |
IRF7103TRPBFXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 19.03 грн |
8000+ | 17.99 грн |
12000+ | 17.81 грн |
20000+ | 17.01 грн |
IRF7104 |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-2,3A; Pdmax=2W; Rds=0,25 Ohm
Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-2,3A; Pdmax=2W; Rds=0,25 Ohm
на замовлення 122 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.16 грн |
IRF7104TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 12V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7104; IRF7104TR; SP001565336; SP001564756; IRF7104TR UMW TIRF7104 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 12V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7104; IRF7104TR; SP001565336; SP001564756; IRF7104TR UMW TIRF7104 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 17.32 грн |
IRF7104TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 37.03 грн |
19+ | 31.96 грн |
30+ | 20.86 грн |
IRF7104TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
38+ | 15.98 грн |
IRF7104TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 24.41 грн |
IRF7104TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
410+ | 29.91 грн |
430+ | 28.52 грн |
500+ | 25.09 грн |
1000+ | 23.09 грн |
2000+ | 19.68 грн |
IRF7104TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF7104TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 36.23 грн |
IRF7104TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
713+ | 17.21 грн |
IRF7104TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 30.95 грн |
8000+ | 29.47 грн |
12000+ | 28.51 грн |
IRF7104TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 101.79 грн |
10+ | 61.08 грн |
100+ | 34.82 грн |
500+ | 27.47 грн |
1000+ | 27.02 грн |
2000+ | 25.71 грн |
4000+ | 21.43 грн |
IRF7104TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 85.85 грн |
16+ | 55.03 грн |
100+ | 36.23 грн |
IRF7105TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N/P-Channel MOSFET; 25V; 20V; 160mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR UMW TIRF7105 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N/P-Channel MOSFET; 25V; 20V; 160mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR UMW TIRF7105 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 11.48 грн |
IRF7105TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 36.06 грн |
17+ | 24.00 грн |
25+ | 20.73 грн |
50+ | 18.57 грн |
82+ | 11.56 грн |
224+ | 10.92 грн |
IRF7105TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(25; -25)V; Id=(3,5; -2,3)A; Pdmax=2W; Rds=(0,1; 0,25) Ohm
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(25; -25)V; Id=(3,5; -2,3)A; Pdmax=2W; Rds=(0,1; 0,25) Ohm
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.70 грн |
IRF7105TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 19.38 грн |
8000+ | 19.28 грн |
IRF7105TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 55107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1169+ | 26.23 грн |
10000+ | 23.38 грн |
IRF7105TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 33001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
379+ | 32.43 грн |
394+ | 31.13 грн |
500+ | 30.00 грн |
1000+ | 27.99 грн |
2500+ | 25.15 грн |
5000+ | 23.50 грн |
10000+ | 22.92 грн |
25000+ | 22.41 грн |
IRF7105TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
197+ | 62.36 грн |
270+ | 45.52 грн |
500+ | 31.06 грн |
1000+ | 29.87 грн |
2000+ | 23.13 грн |
IRF7105TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 54.95 грн |
250+ | 37.60 грн |
1000+ | 24.47 грн |
2000+ | 20.68 грн |
IRF7105TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 20.91 грн |
8000+ | 20.80 грн |
IRF7105TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 83.62 грн |
50+ | 54.95 грн |
250+ | 37.60 грн |
1000+ | 24.47 грн |
2000+ | 20.68 грн |
IRF710B |
![]() |
Виробник: FAIRCHILD
IRF710B
IRF710B
на замовлення 31050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1711+ | 17.92 грн |
10000+ | 15.98 грн |
IRF710PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 56.66 грн |
10+ | 47.83 грн |
38+ | 25.27 грн |
102+ | 23.92 грн |
IRF710PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 332 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 68.00 грн |
10+ | 59.61 грн |
38+ | 30.33 грн |
102+ | 28.70 грн |
IRF710PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
291+ | 42.16 грн |
IRF710PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.5 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.5 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 73.58 грн |
15+ | 58.81 грн |
100+ | 42.84 грн |
IRF710PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF710PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 400V 2A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 400V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 57.86 грн |
10+ | 39.78 грн |
500+ | 32.45 грн |
1000+ | 30.77 грн |
2000+ | 30.69 грн |
5000+ | 29.31 грн |
10000+ | 28.62 грн |
IRF710PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 39.15 грн |
28+ | 21.94 грн |
IRF710PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 41.02 грн |
50+ | 31.85 грн |
IRF710PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
231+ | 53.09 грн |
900+ | 48.52 грн |
1350+ | 45.14 грн |
1800+ | 41.05 грн |
IRF710PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 400V 2A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 400V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 92.86 грн |
10+ | 39.78 грн |
100+ | 34.52 грн |
500+ | 31.84 грн |
1000+ | 29.69 грн |
2000+ | 28.24 грн |
5000+ | 25.49 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]