Результат пошуку "irf71" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF
Код товару: 19112 		IR irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 382 шт
2+27.5 грн
10+ 24.8 грн
100+ 21.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF7104PBF IRF7104PBF
Код товару: 23932 		IR irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,3 A
Rds(on),Om: 0,25 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 89 шт
3+18 грн
10+ 16.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF7105 IRF7105
Код товару: 32592 		IR irf7105-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 25 V
Idd,A: 3,5 (2.3) A
Rds(on), Ohm: 0,1(0,25) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9,4
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 213 шт
4+16 грн
10+ 14.4 грн
100+ 12.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7105PBF IRF7105PBF
Код товару: 113418 		IR irf7105pbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 25 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 55 шт
3+18 грн
10+ 16.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF710 IRF710 onsemi HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+29.1 грн
Мінімальне замовлення: 740
IRF710 ONSEMI MOTOD144-3-131.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - IRF710 - IRF710, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 891
IRF710 IRF710 Fairchild Semiconductor HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+29.1 грн
Мінімальне замовлення: 740
IRF710 IRF710 Harris Corporation HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: PFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-E
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+29.1 грн
Мінімальне замовлення: 740
IRF710 Siliconix HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf description N-MOSFET 0.8A 400V 20W 3.6Ω IRF710 IRF710 TIRF710
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7101 International Rectifier description 2xN-MOSFET 3.5A 20V 2W 0.1Ω IRF7101 smd TIRF7101
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7103QTRPBF International Rectifier/Infineon IRF7103QPbF.pdf description 2N-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 3 А; Ptot, Вт = 2,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 73 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
23+27.72 грн
25+ 25.86 грн
100+ 24.02 грн
Мінімальне замовлення: 23
IRF7103TR IR Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm
на замовлення 272 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
8+36.39 грн
10+ 29.91 грн
100+ 27.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7103TR Infineon Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7103TR Infineon Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 15080 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7103TR UMW Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7103TR Infineon Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7103TR UMW Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 198739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.05 грн
250+ 32.37 грн
1000+ 25.58 грн
2000+ 21.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 198739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.13 грн
50+ 38.05 грн
250+ 32.37 грн
1000+ 25.58 грн
2000+ 21.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.89 грн
12000+ 22.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 description Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+53.79 грн
341+ 35.79 грн
366+ 33.35 грн
367+ 32.06 грн
500+ 25.06 грн
1000+ 22.66 грн
2000+ 22.58 грн
4000+ 21.44 грн
8000+ 20.39 грн
Мінімальне замовлення: 227
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 description Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 6383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.23 грн
10+ 55.34 грн
100+ 38.34 грн
500+ 30.06 грн
1000+ 25.58 грн
2000+ 22.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.23 грн
10+ 55.34 грн
100+ 38.34 грн
500+ 30.06 грн
1000+ 25.58 грн
2000+ 22.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON 3732771.pdf Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.89 грн
500+ 31.74 грн
1000+ 22.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON 3732771.pdf Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.52 грн
13+ 64.02 грн
100+ 40.89 грн
500+ 31.74 грн
1000+ 22.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7103pbf_1-3224003.pdf MOSFETs Y
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)
5+71.01 грн
10+ 61.91 грн
100+ 36.73 грн
500+ 30.68 грн
1000+ 26.11 грн
2000+ 24.77 грн
4000+ 21.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7104 IR Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-2,3A; Pdmax=2W; Rds=0,25 Ohm
на замовлення 122 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+34.99 грн
10+ 28.74 грн
100+ 26.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF7104PBF International Rectifier/Infineon irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace description 2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2,3 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 250 мОм @ 1 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
34+18.49 грн
37+ 17.25 грн
100+ 16.02 грн
Мінімальне замовлення: 34
IRF7104TR UMW Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 12V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7104; IRF7104TR; SP001565336; SP001564756; IRF7104TR UMW TIRF7104 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+58.63 грн
286+ 42.69 грн
289+ 42.26 грн
500+ 33.94 грн
1000+ 30.58 грн
Мінімальне замовлення: 209
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+31.49 грн
21+ 29.34 грн
100+ 25.73 грн
500+ 22.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.44 грн
14+ 59.84 грн
100+ 40.81 грн
500+ 31.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.81 грн
500+ 31.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+67.09 грн
11+ 54.97 грн
25+ 54.44 грн
100+ 38.22 грн
250+ 35.04 грн
500+ 28.01 грн
1000+ 27.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
387+31.6 грн
441+ 27.7 грн
500+ 25.39 грн
Мінімальне замовлення: 387
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.88 грн
8000+ 20.82 грн
12000+ 20.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace description Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.46 грн
10+ 54.68 грн
100+ 37.85 грн
500+ 29.68 грн
1000+ 25.26 грн
2000+ 22.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+34.68 грн
402+ 30.4 грн
425+ 28.77 грн
500+ 26.86 грн
1000+ 23.33 грн
2000+ 22.14 грн
4000+ 21.96 грн
Мінімальне замовлення: 352
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7104_DataSheet_v01_01_EN-3362843.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A
на замовлення 5126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.28 грн
10+ 56.81 грн
100+ 36.03 грн
500+ 30.05 грн
1000+ 25.76 грн
2000+ 22.94 грн
4000+ 20.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7105TR UMW Transistor N/P-Channel MOSFET; 25V; 20V; 160mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR UMW TIRF7105 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7105TRPBF Infineon irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0 description Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(25; -25)V; Id=(3,5; -2,3)A; Pdmax=2W; Rds=(0,1; 0,25) Ohm
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+46.48 грн
10+ 37.76 грн
100+ 35.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0 description Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.68 грн
50+ 31.18 грн
250+ 26.44 грн
1000+ 20.96 грн
2000+ 17.39 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0 description Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51 грн
10+ 42.81 грн
100+ 29.62 грн
500+ 23.23 грн
1000+ 19.77 грн
2000+ 17.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
520+23.49 грн
690+ 17.69 грн
Мінімальне замовлення: 520
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.18 грн
250+ 26.44 грн
1000+ 20.96 грн
2000+ 17.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7105_DataSheet_v01_01_EN-3363130.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 25V 3.5A
на замовлення 12861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.51 грн
10+ 38.03 грн
100+ 26.25 грн
500+ 23.29 грн
1000+ 20.06 грн
2000+ 18.01 грн
4000+ 17.8 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF710B ONSEMI FAIRS16031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - IRF710B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 31593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2004+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 2004
IRF710B IRF710B Fairchild Semiconductor FAIRS16031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 31593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 1665
IRF710PBF IRF710PBF VISHAY IRF710PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+48.94 грн
10+ 37.6 грн
38+ 23.09 грн
102+ 21.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF710PBF IRF710PBF VISHAY IRF710PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+58.73 грн
10+ 46.86 грн
38+ 27.71 грн
102+ 26.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF710PBF IRF710PBF Vishay 91041.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 295
IRF710PBF IRF710PBF Vishay 91041.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+38.44 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRF710PBF IRF710PBF Vishay 91041.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+38.43 грн
Мінімальне замовлення: 318
IRF710PBF IRF710PBF Vishay Siliconix 91041.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 6471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.28 грн
50+ 41.21 грн
100+ 32.66 грн
500+ 25.97 грн
1000+ 25.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF710PBF IRF710PBF Vishay 91041.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+41.11 грн
17+ 35.7 грн
100+ 30.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF7103TRPBF
Код товару: 19112		 description irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 382 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+27.5 грн
10+ 24.8 грн
100+ 21.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF7104PBF
Код товару: 23932		 description irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace
IRF7104PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,3 A
Rds(on),Om: 0,25 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 89 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+18 грн
10+ 16.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF7105
Код товару: 32592		 description irf7105-datasheet.pdf
IRF7105
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 25 V
Idd,A: 3,5 (2.3) A
Rds(on), Ohm: 0,1(0,25) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9,4
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 213 шт
Кількість Ціна без ПДВ
4+16 грн
10+ 14.4 грн
100+ 12.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7105PBF
Код товару: 113418		 description irf7105pbf-datasheet.pdf
IRF7105PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 25 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 55 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+18 грн
10+ 16.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
740+29.1 грн
Мінімальне замовлення: 740
IRF710 description MOTOD144-3-131.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF710 - IRF710, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
891+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 891
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
740+29.1 грн
Мінімальне замовлення: 740
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710
Виробник: Harris Corporation
Description: PFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-E
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
740+29.1 грн
Мінімальне замовлення: 740
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 0.8A 400V 20W 3.6Ω IRF710 IRF710 TIRF710
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7101 description
Виробник: International Rectifier
2xN-MOSFET 3.5A 20V 2W 0.1Ω IRF7101 smd TIRF7101
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7103QTRPBF description IRF7103QPbF.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 3 А; Ptot, Вт = 2,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 73 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+27.72 грн
25+ 25.86 грн
100+ 24.02 грн
Мінімальне замовлення: 23
IRF7103TR
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm
на замовлення 272 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.39 грн
10+ 29.91 грн
100+ 27.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7103TR
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7103TR
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 15080 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7103TR
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7103TR
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7103TR
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 198739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+38.05 грн
250+ 32.37 грн
1000+ 25.58 грн
2000+ 21.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 198739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+50.13 грн
50+ 38.05 грн
250+ 32.37 грн
1000+ 25.58 грн
2000+ 21.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+22.89 грн
12000+ 22.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7103TRPBF description irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
227+53.79 грн
341+ 35.79 грн
366+ 33.35 грн
367+ 32.06 грн
500+ 25.06 грн
1000+ 22.66 грн
2000+ 22.58 грн
4000+ 21.44 грн
8000+ 20.39 грн
Мінімальне замовлення: 227
IRF7103TRPBF description irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 6383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.23 грн
10+ 55.34 грн
100+ 38.34 грн
500+ 30.06 грн
1000+ 25.58 грн
2000+ 22.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.23 грн
10+ 55.34 грн
100+ 38.34 грн
500+ 30.06 грн
1000+ 25.58 грн
2000+ 22.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7103TRPBFXTMA1 3732771.pdf
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+40.89 грн
500+ 31.74 грн
1000+ 22.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7103TRPBFXTMA1 3732771.pdf
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+77.52 грн
13+ 64.02 грн
100+ 40.89 грн
500+ 31.74 грн
1000+ 22.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf_1-3224003.pdf
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Y
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.01 грн
10+ 61.91 грн
100+ 36.73 грн
500+ 30.68 грн
1000+ 26.11 грн
2000+ 24.77 грн
4000+ 21.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7104
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-2,3A; Pdmax=2W; Rds=0,25 Ohm
на замовлення 122 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.99 грн
10+ 28.74 грн
100+ 26.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF7104PBF description irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace
Виробник: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2,3 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 250 мОм @ 1 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+18.49 грн
37+ 17.25 грн
100+ 16.02 грн
Мінімальне замовлення: 34
IRF7104TR
Виробник: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 12V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7104; IRF7104TR; SP001565336; SP001564756; IRF7104TR UMW TIRF7104 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
209+58.63 грн
286+ 42.69 грн
289+ 42.26 грн
500+ 33.94 грн
1000+ 30.58 грн
Мінімальне замовлення: 209
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+31.49 грн
21+ 29.34 грн
100+ 25.73 грн
500+ 22.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7104TRPBF description INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7104TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+77.44 грн
14+ 59.84 грн
100+ 40.81 грн
500+ 31.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7104TRPBF description INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7104TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+40.81 грн
500+ 31.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+67.09 грн
11+ 54.97 грн
25+ 54.44 грн
100+ 38.22 грн
250+ 35.04 грн
500+ 28.01 грн
1000+ 27.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
387+31.6 грн
441+ 27.7 грн
500+ 25.39 грн
Мінімальне замовлення: 387
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+20.88 грн
8000+ 20.82 грн
12000+ 20.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7104TRPBF description irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.46 грн
10+ 54.68 грн
100+ 37.85 грн
500+ 29.68 грн
1000+ 25.26 грн
2000+ 22.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
352+34.68 грн
402+ 30.4 грн
425+ 28.77 грн
500+ 26.86 грн
1000+ 23.33 грн
2000+ 22.14 грн
4000+ 21.96 грн
Мінімальне замовлення: 352
IRF7104TRPBF description Infineon_IRF7104_DataSheet_v01_01_EN-3362843.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A
на замовлення 5126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.28 грн
10+ 56.81 грн
100+ 36.03 грн
500+ 30.05 грн
1000+ 25.76 грн
2000+ 22.94 грн
4000+ 20.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7105TR
Виробник: UMW
Transistor N/P-Channel MOSFET; 25V; 20V; 160mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR UMW TIRF7105 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7105TRPBF description irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(25; -25)V; Id=(3,5; -2,3)A; Pdmax=2W; Rds=(0,1; 0,25) Ohm
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.48 грн
10+ 37.76 грн
100+ 35.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7105TRPBF description irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7105TRPBF description INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7105TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+44.68 грн
50+ 31.18 грн
250+ 26.44 грн
1000+ 20.96 грн
2000+ 17.39 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF7105TRPBF description irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51 грн
10+ 42.81 грн
100+ 29.62 грн
500+ 23.23 грн
1000+ 19.77 грн
2000+ 17.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7105TRPBF description irf7105.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
520+23.49 грн
690+ 17.69 грн
Мінімальне замовлення: 520
IRF7105TRPBF description INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7105TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+31.18 грн
250+ 26.44 грн
1000+ 20.96 грн
2000+ 17.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7105TRPBF description Infineon_IRF7105_DataSheet_v01_01_EN-3363130.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 25V 3.5A
на замовлення 12861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.51 грн
10+ 38.03 грн
100+ 26.25 грн
500+ 23.29 грн
1000+ 20.06 грн
2000+ 18.01 грн
4000+ 17.8 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF710B FAIRS16031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF710B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 31593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2004+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 2004
IRF710B FAIRS16031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710B
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 31593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1665+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 1665
IRF710PBF IRF710PBF.pdf
IRF710PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+48.94 грн
10+ 37.6 грн
38+ 23.09 грн
102+ 21.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF710PBF IRF710PBF.pdf
IRF710PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.73 грн
10+ 46.86 грн
38+ 27.71 грн
102+ 26.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
295+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 295
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+38.44 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
318+38.43 грн
Мінімальне замовлення: 318
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 6471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.28 грн
50+ 41.21 грн
100+ 32.66 грн
500+ 25.97 грн
1000+ 25.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+41.11 грн
17+ 35.7 грн
100+ 30.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]