Результат пошуку "irf71" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF
Код товару: 19112
Додати до обраних Обраний товар
IR infineon-irf7103-datasheet-en.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 256 шт
208 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
21 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104PBF IRF7104PBF
Код товару: 23932
Додати до обраних Обраний товар
IR infineon-irf7104-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,3 A
Rds(on),Om: 0,25 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 67 шт
42 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+18.00 грн
10+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105 IRF7105
Код товару: 32592
Додати до обраних Обраний товар
IR irf7105-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 25 V
Idd,A: 3,5 (2.3) A
Rds(on), Ohm: 0,1(0,25) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9,4
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 145 шт
118 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+16.00 грн
10+14.40 грн
100+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBF IRF7105PBF
Код товару: 113418
Додати до обраних Обраний товар
IR irf7105pbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 25 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
2+18.00 грн
10+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 ON Semiconductor HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 18893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+46.03 грн
1000+42.45 грн
10000+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710 Fairchild Semiconductor HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 18893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 505
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 ON Semiconductor HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+46.03 грн
1000+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710 Harris Corporation HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 505
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 HARRIS HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf description IRF710
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+46.03 грн
1000+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710 onsemi HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 505
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 Siliconix HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf description N-MOSFET 0.8A 400V 20W 3.6Ω IRF710 IRF710 TIRF710
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103QTRPBF International Rectifier/Infineon irf7103qpbf.pdf description 2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим:
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+30.20 грн
190+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TR JSMicro Semiconductor 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR JSMICRO TIRF7103 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TR International Rectifier 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TR UMW 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TR Infineon 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TR Infineon 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.36 грн
10+45.99 грн
11+38.35 грн
20+30.97 грн
50+23.67 грн
100+20.39 грн
200+18.63 грн
250+18.13 грн
500+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 176055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.05 грн
250+34.16 грн
1000+23.34 грн
2000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.95 грн
12000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 176055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.69 грн
50+49.05 грн
250+34.16 грн
1000+23.34 грн
2000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 506
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7103-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.35 грн
8000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7103-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 11930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.01 грн
10+48.19 грн
100+31.63 грн
500+22.98 грн
1000+20.82 грн
2000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.54 грн
8000+20.97 грн
16000+20.48 грн
24000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3807 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.40 грн
11+41.63 грн
100+27.19 грн
500+21.15 грн
1000+19.22 грн
2000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON 3732771.pdf Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.42 грн
500+26.89 грн
1000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7103pbf_1.pdf MOSFETs PLANAR FET
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.22 грн
10+53.24 грн
100+30.40 грн
500+23.57 грн
1000+21.34 грн
2000+19.45 грн
4000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON 3732771.pdf Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.11 грн
15+57.02 грн
100+37.42 грн
500+26.89 грн
1000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.01 грн
10+48.19 грн
100+31.63 грн
500+22.98 грн
1000+20.82 грн
2000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104PBF International Rectifier/Infineon irf7104pbf.pdf description 2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 15, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 1 А, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим:
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+20.14 грн
190+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TR UMW f9c2b41ac04f95b87669a908ab2a3d4d.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 12V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7104; IRF7104TR; SP001565336; SP001564756; IRF7104TR UMW TIRF7104 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.56 грн
15+54.83 грн
100+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRF7104-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.99 грн
10+48.67 грн
100+29.14 грн
500+26.70 грн
1000+24.19 грн
2000+22.17 грн
4000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.60 грн
22+35.05 грн
100+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7104-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.70 грн
10+58.24 грн
100+38.51 грн
500+28.19 грн
1000+25.63 грн
2000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TR JSMSEMI 69850eb381a8fb9e02c37607010e54df.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm/58mOhm; 7,2A/6,8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR JSMICRO TIRF7105 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TR UMW 69850eb381a8fb9e02c37607010e54df.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 25V; 20V; 160mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR UMW TIRF7105 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TR HXY MOSFET 69850eb381a8fb9e02c37607010e54df.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm/77mOhm; 6A/5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR HXY MOSFET TIRF7105 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7105pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.94 грн
11+40.96 грн
50+28.62 грн
100+24.34 грн
250+19.64 грн
500+17.20 грн
1000+16.11 грн
2000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7105-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.06 грн
8000+17.00 грн
12000+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+46.80 грн
19+40.01 грн
25+39.62 грн
100+30.47 грн
250+27.93 грн
500+22.73 грн
1000+20.19 грн
3000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7105-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 19045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.22 грн
10+47.66 грн
100+31.23 грн
500+22.67 грн
1000+20.54 грн
2000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 54977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1169+27.62 грн
10000+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 1169
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7105_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 25V 3.5A
на замовлення 4204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.19 грн
10+47.23 грн
100+26.91 грн
500+20.85 грн
1000+18.90 грн
2000+17.29 грн
4000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+36.98 грн
438+29.49 грн
443+29.19 грн
522+23.86 грн
1000+19.63 грн
3000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 349
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON infineon-irf7105-datasheet-en.pdf description Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 26075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.26 грн
250+35.63 грн
1000+23.19 грн
2000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON infineon-irf7105-datasheet-en.pdf description Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 26075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.06 грн
50+54.26 грн
250+35.63 грн
1000+23.19 грн
2000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710B ON Semiconductor FAIRS16031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF710B
на замовлення 31050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1713+18.84 грн
10000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 1713
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710B IRF710B Fairchild Semiconductor FAIRS16031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 31593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 1137
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF IRF710PBF VISHAY IRF710PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.79 грн
11+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF IRF710PBF Vishay Semiconductors 91041.pdf MOSFETs TO220 400V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.79 грн
10+68.56 грн
100+53.34 грн
500+42.25 грн
1000+38.70 грн
2000+35.77 грн
5000+32.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF IRF710PBF Vishay 91041.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 765
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF IRF710PBF Vishay Siliconix 91041.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.62 грн
50+64.61 грн
100+57.80 грн
500+43.01 грн
1000+39.40 грн
2000+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF IRF710PBF Vishay 91041.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+145.04 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF IRF710PBF VISHAY VISH-S-A0019268322-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.5 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.90 грн
13+64.91 грн
100+48.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF IRF710PBF Vishay 91041.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.40 грн
50+65.91 грн
100+54.02 грн
500+44.20 грн
1000+37.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF IRF710PBF Vishay 91041.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.58 грн
41+18.10 грн
100+17.91 грн
500+17.10 грн
1000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF
Код товару: 19112
Додати до обраних Обраний товар
description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 256 шт
208 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
21 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104PBF
Код товару: 23932
Додати до обраних Обраний товар
description infineon-irf7104-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace
IRF7104PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,3 A
Rds(on),Om: 0,25 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 67 шт
42 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+18.00 грн
10+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105
Код товару: 32592
Додати до обраних Обраний товар
description irf7105-datasheet.pdf
IRF7105
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 25 V
Idd,A: 3,5 (2.3) A
Rds(on), Ohm: 0,1(0,25) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9,4
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 145 шт
118 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+16.00 грн
10+14.40 грн
100+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBF
Код товару: 113418
Додати до обраних Обраний товар
description irf7105pbf-datasheet.pdf
IRF7105PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 25 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
2+18.00 грн
10+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 18893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
701+46.03 грн
1000+42.45 грн
10000+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 18893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
505+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 505
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
701+46.03 грн
1000+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
505+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 505
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Виробник: HARRIS
IRF710
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
701+46.03 грн
1000+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
505+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 505
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 0.8A 400V 20W 3.6Ω IRF710 IRF710 TIRF710
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103QTRPBF description irf7103qpbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим:
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
95+30.20 грн
190+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TR 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR JSMICRO TIRF7103 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TR 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TR 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TR 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TR 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103pbf.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+62.36 грн
10+45.99 грн
11+38.35 грн
20+30.97 грн
50+23.67 грн
100+20.39 грн
200+18.63 грн
250+18.13 грн
500+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 176055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.05 грн
250+34.16 грн
1000+23.34 грн
2000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+18.95 грн
12000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 176055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.69 грн
50+49.05 грн
250+34.16 грн
1000+23.34 грн
2000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
506+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 506
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.35 грн
8000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description infineon-irf7103-datasheet-en.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 11930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.01 грн
10+48.19 грн
100+31.63 грн
500+22.98 грн
1000+20.82 грн
2000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+23.54 грн
8000+20.97 грн
16000+20.48 грн
24000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3807 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+71.40 грн
11+41.63 грн
100+27.19 грн
500+21.15 грн
1000+19.22 грн
2000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 3732771.pdf
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.42 грн
500+26.89 грн
1000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf_1.pdf
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR FET
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.22 грн
10+53.24 грн
100+30.40 грн
500+23.57 грн
1000+21.34 грн
2000+19.45 грн
4000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 3732771.pdf
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+91.11 грн
15+57.02 грн
100+37.42 грн
500+26.89 грн
1000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.01 грн
10+48.19 грн
100+31.63 грн
500+22.98 грн
1000+20.82 грн
2000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104PBF description irf7104pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 15, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 1 А, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим:
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
95+20.14 грн
190+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TR f9c2b41ac04f95b87669a908ab2a3d4d.pdf
Виробник: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 12V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7104; IRF7104TR; SP001565336; SP001564756; IRF7104TR UMW TIRF7104 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF description INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7104TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.56 грн
15+54.83 грн
100+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF description Infineon-IRF7104-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.99 грн
10+48.67 грн
100+29.14 грн
500+26.70 грн
1000+24.19 грн
2000+22.17 грн
4000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+42.60 грн
22+35.05 грн
100+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF description INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7104TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF description infineon-irf7104-datasheet-en.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.70 грн
10+58.24 грн
100+38.51 грн
500+28.19 грн
1000+25.63 грн
2000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TR 69850eb381a8fb9e02c37607010e54df.pdf
Виробник: JSMSEMI
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm/58mOhm; 7,2A/6,8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR JSMICRO TIRF7105 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TR 69850eb381a8fb9e02c37607010e54df.pdf
Виробник: UMW
Transistor N/P-Channel MOSFET; 25V; 20V; 160mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR UMW TIRF7105 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TR 69850eb381a8fb9e02c37607010e54df.pdf
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm/77mOhm; 6A/5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR HXY MOSFET TIRF7105 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description irf7105pbf.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.94 грн
11+40.96 грн
50+28.62 грн
100+24.34 грн
250+19.64 грн
500+17.20 грн
1000+16.11 грн
2000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description infineon-irf7105-datasheet-en.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.06 грн
8000+17.00 грн
12000+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description irf7105.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+46.80 грн
19+40.01 грн
25+39.62 грн
100+30.47 грн
250+27.93 грн
500+22.73 грн
1000+20.19 грн
3000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description infineon-irf7105-datasheet-en.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 19045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.22 грн
10+47.66 грн
100+31.23 грн
500+22.67 грн
1000+20.54 грн
2000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description irf7105.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 54977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1169+27.62 грн
10000+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 1169
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description Infineon_IRF7105_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 25V 3.5A
на замовлення 4204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.19 грн
10+47.23 грн
100+26.91 грн
500+20.85 грн
1000+18.90 грн
2000+17.29 грн
4000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description irf7105.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
349+36.98 грн
438+29.49 грн
443+29.19 грн
522+23.86 грн
1000+19.63 грн
3000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 349
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description infineon-irf7105-datasheet-en.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 26075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.26 грн
250+35.63 грн
1000+23.19 грн
2000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description infineon-irf7105-datasheet-en.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 26075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.06 грн
50+54.26 грн
250+35.63 грн
1000+23.19 грн
2000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710B FAIRS16031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
IRF710B
на замовлення 31050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1713+18.84 грн
10000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 1713
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710B FAIRS16031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710B
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 31593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1137+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 1137
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF IRF710PBF.pdf
IRF710PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.79 грн
11+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 400V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.79 грн
10+68.56 грн
100+53.34 грн
500+42.25 грн
1000+38.70 грн
2000+35.77 грн
5000+32.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
765+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 765
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.62 грн
50+64.61 грн
100+57.80 грн
500+43.01 грн
1000+39.40 грн
2000+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+145.04 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF VISH-S-A0019268322-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF710PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.5 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.90 грн
13+64.91 грн
100+48.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+66.40 грн
50+65.91 грн
100+54.02 грн
500+44.20 грн
1000+37.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+50.58 грн
41+18.10 грн
100+17.91 грн
500+17.10 грн
1000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]