Результат пошуку "irf71" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF710 IRF710
Код товару: 23685
Додати до обраних Обраний товар

IR HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/17
Монтаж: THT
у наявності: 13 шт
13 шт - склад
1+16.00 грн
10+14.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF
Код товару: 19112
Додати до обраних Обраний товар

IR irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 23 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104PBF IRF7104PBF
Код товару: 23932
Додати до обраних Обраний товар

IR irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,3 A
Rds(on),Om: 0,25 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 68 шт
42 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+18.00 грн
10+16.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105 IRF7105
Код товару: 32592
Додати до обраних Обраний товар

IR irf7105-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 25 V
Idd,A: 3,5 (2.3) A
Rds(on), Ohm: 0,1(0,25) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9,4
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 254 шт
200 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+16.00 грн
10+14.40 грн
100+12.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBF IRF7105PBF
Код товару: 113418
Додати до обраних Обраний товар

IR irf7105pbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 25 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 53 шт
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Одеса
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+18.00 грн
10+16.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 HARRIS HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf description IRF710
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+43.73 грн
1000+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 FAIRCHILD HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf description IRF710
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+43.73 грн
1000+40.33 грн
10000+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 ON Semiconductor HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+43.73 грн
1000+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 Siliconix HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf description N-MOSFET 0.8A 400V 20W 3.6Ω IRF710 IRF710 TIRF710
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101 International Rectifier description 2xN-MOSFET 3.5A 20V 2W 0.1Ω IRF7101 smd TIRF7101
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TR IR 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm
на замовлення 272 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
8+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TR Infineon 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 10588 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TR UMW 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F730DD100BCF1A303005056AB0C4F&compId=irf7103pbf.pdf?ci_sign=2b12eb75b5f6dce55c65084304d884f8b12d91e4 description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+76.41 грн
7+57.72 грн
50+33.32 грн
65+14.59 грн
177+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F730DD100BCF1A303005056AB0C4F&compId=irf7103pbf.pdf?ci_sign=2b12eb75b5f6dce55c65084304d884f8b12d91e4 description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.69 грн
5+71.93 грн
50+39.99 грн
65+17.51 грн
177+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 39938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+46.75 грн
393+31.22 грн
500+29.01 грн
1000+27.90 грн
4000+21.82 грн
8000+19.76 грн
16000+18.78 грн
32000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.59 грн
12000+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 182790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+52.46 грн
50+51.86 грн
250+39.92 грн
1000+28.46 грн
2000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+66.53 грн
14+45.73 грн
25+45.35 грн
100+30.25 грн
250+27.75 грн
500+21.01 грн
1000+17.49 грн
3000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies irf7103.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+48.84 грн
363+33.78 грн
367+33.47 грн
500+25.45 грн
1000+19.62 грн
3000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 252
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 182790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.86 грн
250+39.92 грн
1000+28.46 грн
2000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON 3732771.pdf Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.57 грн
500+26.87 грн
1000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7103pbf_1-3224003.pdf MOSFETs PLANAR 40<-<100V
на замовлення 4609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.59 грн
10+54.30 грн
100+31.22 грн
500+24.34 грн
1000+21.81 грн
2000+19.97 грн
4000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON 3732771.pdf Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.71 грн
16+54.95 грн
100+36.57 грн
500+26.87 грн
1000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.54 грн
8000+19.41 грн
12000+19.21 грн
20000+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.03 грн
8000+17.99 грн
12000+17.81 грн
20000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104 IR Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-2,3A; Pdmax=2W; Rds=0,25 Ohm
на замовлення 122 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+35.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TR UMW f9c2b41ac04f95b87669a908ab2a3d4d.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 12V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7104; IRF7104TR; SP001565336; SP001564756; IRF7104TR UMW TIRF7104 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+37.03 грн
19+31.96 грн
30+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+29.91 грн
430+28.52 грн
500+25.09 грн
1000+23.09 грн
2000+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 410
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 713
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies irf7104.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+30.95 грн
8000+29.47 грн
12000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7104_DataSheet_v01_01_EN-3362843.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.79 грн
10+61.08 грн
100+34.82 грн
500+27.47 грн
1000+27.02 грн
2000+25.71 грн
4000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.85 грн
16+55.03 грн
100+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TR UMW 69850eb381a8fb9e02c37607010e54df.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 25V; 20V; 160mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR UMW TIRF7105 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73624E9CF8F1A303005056AB0C4F&compId=irf7105pbf.pdf?ci_sign=dd73476fc951e3f65fd1e97ec32dcb771610ef64 description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+36.06 грн
17+24.00 грн
25+20.73 грн
50+18.57 грн
82+11.56 грн
224+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF Infineon irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0 description Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(25; -25)V; Id=(3,5; -2,3)A; Pdmax=2W; Rds=(0,1; 0,25) Ohm
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+46.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.38 грн
8000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 55107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1169+26.23 грн
10000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 1169
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 33001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+32.43 грн
394+31.13 грн
500+30.00 грн
1000+27.99 грн
2500+25.15 грн
5000+23.50 грн
10000+22.92 грн
25000+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 379
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+62.36 грн
270+45.52 грн
500+31.06 грн
1000+29.87 грн
2000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.95 грн
250+37.60 грн
1000+24.47 грн
2000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.91 грн
8000+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+83.62 грн
50+54.95 грн
250+37.60 грн
1000+24.47 грн
2000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710B FAIRCHILD FAIRS16031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF710B
на замовлення 31050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+17.92 грн
10000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF IRF710PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D0F843616469&compId=IRF710PBF.pdf?ci_sign=869a59766b0c020f529d2b5260aa15182097df0a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+56.66 грн
10+47.83 грн
38+25.27 грн
102+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF IRF710PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D0F843616469&compId=IRF710PBF.pdf?ci_sign=869a59766b0c020f529d2b5260aa15182097df0a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 332 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.00 грн
10+59.61 грн
38+30.33 грн
102+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF IRF710PBF Vishay 91041.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
291+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 291
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF IRF710PBF VISHAY VISH-S-A0013276556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.5 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.58 грн
15+58.81 грн
100+42.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF IRF710PBF Vishay 91041.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF IRF710PBF Vishay Semiconductors 91041.pdf MOSFETs TO220 400V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.86 грн
10+39.78 грн
500+32.45 грн
1000+30.77 грн
2000+30.69 грн
5000+29.31 грн
10000+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF IRF710PBF Vishay 91041.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+39.15 грн
28+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF IRF710PBF Vishay 91041.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+41.02 грн
50+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF-BE3 IRF710PBF-BE3 Vishay 91041.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+53.09 грн
900+48.52 грн
1350+45.14 грн
1800+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF-BE3 IRF710PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91041.pdf MOSFETs TO220 400V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.86 грн
10+39.78 грн
100+34.52 грн
500+31.84 грн
1000+29.69 грн
2000+28.24 грн
5000+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710
Код товару: 23685
Додати до обраних Обраний товар

description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
IRF710
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/17
Монтаж: THT
у наявності: 13 шт
13 шт - склад
Кількість Ціна
1+16.00 грн
10+14.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF
Код товару: 19112
Додати до обраних Обраний товар

description irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 23 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104PBF
Код товару: 23932
Додати до обраних Обраний товар

description irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace
IRF7104PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,3 A
Rds(on),Om: 0,25 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 68 шт
42 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+18.00 грн
10+16.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105
Код товару: 32592
Додати до обраних Обраний товар

description irf7105-datasheet.pdf
IRF7105
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 25 V
Idd,A: 3,5 (2.3) A
Rds(on), Ohm: 0,1(0,25) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9,4
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 254 шт
200 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+16.00 грн
10+14.40 грн
100+12.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBF
Код товару: 113418
Додати до обраних Обраний товар

description irf7105pbf-datasheet.pdf
IRF7105PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 25 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 53 шт
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Одеса
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+18.00 грн
10+16.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Виробник: HARRIS
IRF710
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
701+43.73 грн
1000+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Виробник: FAIRCHILD
IRF710
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
701+43.73 грн
1000+40.33 грн
10000+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
701+43.73 грн
1000+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 0.8A 400V 20W 3.6Ω IRF710 IRF710 TIRF710
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101 description
Виробник: International Rectifier
2xN-MOSFET 3.5A 20V 2W 0.1Ω IRF7101 smd TIRF7101
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TR 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm
на замовлення 272 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
8+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TR 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 10588 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TR 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F730DD100BCF1A303005056AB0C4F&compId=irf7103pbf.pdf?ci_sign=2b12eb75b5f6dce55c65084304d884f8b12d91e4
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+76.41 грн
7+57.72 грн
50+33.32 грн
65+14.59 грн
177+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F730DD100BCF1A303005056AB0C4F&compId=irf7103pbf.pdf?ci_sign=2b12eb75b5f6dce55c65084304d884f8b12d91e4
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.69 грн
5+71.93 грн
50+39.99 грн
65+17.51 грн
177+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 39938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
263+46.75 грн
393+31.22 грн
500+29.01 грн
1000+27.90 грн
4000+21.82 грн
8000+19.76 грн
16000+18.78 грн
32000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.59 грн
12000+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 182790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.46 грн
50+51.86 грн
250+39.92 грн
1000+28.46 грн
2000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+66.53 грн
14+45.73 грн
25+45.35 грн
100+30.25 грн
250+27.75 грн
500+21.01 грн
1000+17.49 грн
3000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
252+48.84 грн
363+33.78 грн
367+33.47 грн
500+25.45 грн
1000+19.62 грн
3000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 252
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 182790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.86 грн
250+39.92 грн
1000+28.46 грн
2000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 3732771.pdf
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.57 грн
500+26.87 грн
1000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf_1-3224003.pdf
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR 40<-<100V
на замовлення 4609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.59 грн
10+54.30 грн
100+31.22 грн
500+24.34 грн
1000+21.81 грн
2000+19.97 грн
4000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 3732771.pdf
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.71 грн
16+54.95 грн
100+36.57 грн
500+26.87 грн
1000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+20.54 грн
8000+19.41 грн
12000+19.21 грн
20000+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.03 грн
8000+17.99 грн
12000+17.81 грн
20000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-2,3A; Pdmax=2W; Rds=0,25 Ohm
на замовлення 122 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TR f9c2b41ac04f95b87669a908ab2a3d4d.pdf
Виробник: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 12V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7104; IRF7104TR; SP001565336; SP001564756; IRF7104TR UMW TIRF7104 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+37.03 грн
19+31.96 грн
30+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
410+29.91 грн
430+28.52 грн
500+25.09 грн
1000+23.09 грн
2000+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 410
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF description INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7104TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
713+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 713
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF description irf7104.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+30.95 грн
8000+29.47 грн
12000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF description Infineon_IRF7104_DataSheet_v01_01_EN-3362843.pdf
IRF7104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.79 грн
10+61.08 грн
100+34.82 грн
500+27.47 грн
1000+27.02 грн
2000+25.71 грн
4000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF description INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7104TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.85 грн
16+55.03 грн
100+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TR 69850eb381a8fb9e02c37607010e54df.pdf
Виробник: UMW
Transistor N/P-Channel MOSFET; 25V; 20V; 160mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR UMW TIRF7105 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73624E9CF8F1A303005056AB0C4F&compId=irf7105pbf.pdf?ci_sign=dd73476fc951e3f65fd1e97ec32dcb771610ef64
IRF7105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+36.06 грн
17+24.00 грн
25+20.73 грн
50+18.57 грн
82+11.56 грн
224+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(25; -25)V; Id=(3,5; -2,3)A; Pdmax=2W; Rds=(0,1; 0,25) Ohm
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description irf7105.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.38 грн
8000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description irf7105.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 55107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1169+26.23 грн
10000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 1169
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description irf7105.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 33001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
379+32.43 грн
394+31.13 грн
500+30.00 грн
1000+27.99 грн
2500+25.15 грн
5000+23.50 грн
10000+22.92 грн
25000+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 379
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description irf7105.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
197+62.36 грн
270+45.52 грн
500+31.06 грн
1000+29.87 грн
2000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7105TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.95 грн
250+37.60 грн
1000+24.47 грн
2000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description irf7105.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+20.91 грн
8000+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7105TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+83.62 грн
50+54.95 грн
250+37.60 грн
1000+24.47 грн
2000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710B FAIRS16031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FAIRCHILD
IRF710B
на замовлення 31050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1711+17.92 грн
10000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D0F843616469&compId=IRF710PBF.pdf?ci_sign=869a59766b0c020f529d2b5260aa15182097df0a
IRF710PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.66 грн
10+47.83 грн
38+25.27 грн
102+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D0F843616469&compId=IRF710PBF.pdf?ci_sign=869a59766b0c020f529d2b5260aa15182097df0a
IRF710PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 332 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.00 грн
10+59.61 грн
38+30.33 грн
102+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
291+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 291
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF VISH-S-A0013276556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF710PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.5 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.58 грн
15+58.81 грн
100+42.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 400V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.86 грн
10+39.78 грн
500+32.45 грн
1000+30.77 грн
2000+30.69 грн
5000+29.31 грн
10000+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+39.15 грн
28+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+41.02 грн
50+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF-BE3 91041.pdf
IRF710PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
231+53.09 грн
900+48.52 грн
1350+45.14 грн
1800+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF-BE3 91041.pdf
IRF710PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 400V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.86 грн
10+39.78 грн
100+34.52 грн
500+31.84 грн
1000+29.69 грн
2000+28.24 грн
5000+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]