Результат пошуку "irlz" : > 180
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLZ34 Код товару: 17390 |
IR |
 Транзистори > Польові N-канальніUds,V: 55 V Idd,A: 30 A |
товар відсутній
|
|||||||||
|
|
IRLZ34N Код товару: 965 |
IR, NXP |
 Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220AB Uds,V: 55 V Idd,A: 30 A Rds(on), Ohm: 0,035 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1600/35 Примітка: Управління логічним рівнем Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||
|
IRLZ34NSTRLPBF Код товару: 172480 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||
 |
IRLZ44NSTRLPBF Код товару: 75607 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||
|
|
IRLZ44NSTRR Код товару: 103285 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||
|
|
IRLZ44PBF Код товару: 35366 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,028 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3300/66 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||
|
|
IRLZ44Z Код товару: 99544 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 55 V Idd,A: 51 A Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1620/24 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||
|
|
IRLZ44ZPBF Код товару: 113451 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 51 A Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1620/24 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||
|
|
IRLZ44ZSPBF Код товару: 4350 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 51 A Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1620/24 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|||||||||
 |
IRLZ14 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IRLZ14PBF-BE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||
| IRLZ14SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||
| IRLZ14SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
 |
IRLZ14SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IRLZ14SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ14SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||
| IRLZ14STRLPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||
| IRLZ14STRLPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
|
|
IRLZ14STRLPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IRLZ14STRLPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLZ14SPBF |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ14STRLPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ14STRRPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ14STRRPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLZ14SPBF |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IRLZ24 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ24LPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IRLZ24LPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFET N-Chan 60V 17 Amp |
товар відсутній |
|||||||||
| IRLZ24N | IR - ASA only Supplier |
Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||
|
|
IRLZ24NLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ24NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 18A Power dissipation: 45W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 10nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 661 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRLZ24NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ24NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ24NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ24NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 18A Power dissipation: 45W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ24NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 18A Power dissipation: 45W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ24NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ24PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ24PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ24PBF-BE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ24SPBF | Vishay / Siliconix |
MOSFET N-Chan 60V 17 Amp 100mohm @ 5V |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ34 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ34N | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ34NLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ34NSPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||
| IRLZ34NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 21A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 68W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||
|
|
IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||
| IRLZ34PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 110A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||
| IRLZ34PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 110A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
|
|
IRLZ34PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ34PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ34PBF-BE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ34S | Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ34SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ34SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ44 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||
| IRLZ44N | IR - ASA only Supplier |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||
|
|
IRLZ44NLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRLZ44NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||
| IRLZ44NS | IR - ASA only Supplier |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||
|
|
IRLZ44NSTRL | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
| IRLZ34N Код товару: 965 |
|
|
Виробник: IR, NXP
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,035 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/35
Примітка: Управління логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,035 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/35
Примітка: Управління логічним рівнем
Монтаж: THT
товар відсутній
| IRLZ44PBF Код товару: 35366 |
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3300/66
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3300/66
Монтаж: THT
товар відсутній
| IRLZ44Z Код товару: 99544 |
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 51 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1620/24
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 51 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1620/24
Монтаж: THT
товар відсутній
| IRLZ44ZPBF Код товару: 113451 |
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 51 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1620/24
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 51 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1620/24
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товар відсутній
| IRLZ44ZSPBF Код товару: 4350 |
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 51 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1620/24
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 51 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1620/24
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товар відсутній
| IRLZ14SPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| IRLZ14SPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| IRLZ14STRLPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| IRLZ14STRLPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| IRLZ24N |
|
Виробник: IR - ASA only Supplier
Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
| IRLZ24NLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
| IRLZ24NPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 661 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 53.92 грн |
| 10+ | 43.24 грн |
| 34+ | 28.71 грн |
| 93+ | 27.12 грн |
| IRLZ24NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
| IRLZ24NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
| IRLZ24NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
| IRLZ24NSTRLPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
| IRLZ24NSTRLPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
| IRLZ24NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
| IRLZ34N | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
| IRLZ34NLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
| IRLZ34NPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
| IRLZ34NSPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
| IRLZ34NSTRLPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| IRLZ34NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
| IRLZ34PBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 110A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 110A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| IRLZ34PBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 110A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 110A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| IRLZ44N |
|
Виробник: IR - ASA only Supplier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
| IRLZ44NLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
| IRLZ44NPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
| IRLZ44NS | |
|
Виробник: IR - ASA only Supplier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
| IRLZ44NSTRL |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній