Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (129522) > Сторінка 43 з 2159

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 215 430 645 860 1075 1290 1505 1720 1935 2150 2159  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STPS40150CW STPS40150CW STMicroelectronics en.CD00004991.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 150V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 150 V
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.57 грн
30+128.91 грн
120+105.00 грн
510+82.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS61150CW STPS61150CW STMicroelectronics en.CD00003685.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 150V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 150 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.54 грн
30+134.45 грн
120+129.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS61H100CW STPS61H100CW STMicroelectronics stps61h100c.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 100V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 16 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS80150CW STPS80150CW STMicroelectronics en.CD00003688.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 150V 40A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.38 грн
30+144.92 грн
120+142.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30B-TR STPS8L30B-TR STMicroelectronics en.CD00001328.pdf description Description: DIODE SCHOTTKY 30V 8A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.48 грн
10+48.42 грн
100+37.28 грн
500+27.32 грн
1000+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS12NF30L STS12NF30L STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS12NF30L STS12NF30L STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS17NF3LL STS17NF3LL STMicroelectronics en.CD00002899.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS2DPFS20V STS2DPFS20V STMicroelectronics CD00002609.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS2DPFS20V STS2DPFS20V STMicroelectronics CD00002609.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics en.CD00001553.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.74 грн
10+121.10 грн
100+83.24 грн
500+62.93 грн
1000+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics en.CD00001553.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNFS30L STS4DNFS30L STMicroelectronics en.CD00002834.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DPF30L STS4DPF30L STMicroelectronics en.CD00002918.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DPF30L STS4DPF30L STMicroelectronics en.CD00002918.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS5DNF20V STS5DNF20V STMicroelectronics en.CD00002341.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS5DNF20V STS5DNF20V STMicroelectronics en.CD00002341.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 8SOIC
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS5PF20V STS5PF20V STMicroelectronics en.CD00003660.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5A 8SO
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 2.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS5PF30L STS5PF30L STMicroelectronics en.CD00001945.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS7C4F30L STS7C4F30L STMicroelectronics STS7C4F30L.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS7PF30L STS7PF30L STMicroelectronics STS7PF30L.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS9NF30L STS9NF30L STMicroelectronics en.CD00001935.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS9NF30L STS9NF30L STMicroelectronics en.CD00001935.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STSA851 STSA851 STMicroelectronics en.CD00003052.pdf Description: TRANS NPN 60V 5A TO92-3
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT4PF20V STT4PF20V STMicroelectronics en.CD00003353.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT4PF20V STT4PF20V STMicroelectronics en.CD00003353.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTA112U STTA112U STMicroelectronics STTA112U.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SMB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SMB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTA112U STTA112U STMicroelectronics STTA112U.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SMB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SMB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTA212S STTA212S STMicroelectronics STTA212S.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A SMC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SMC
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTA506D STTA506D STMicroelectronics en.CD00000743.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 5A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1506DPI STTH1506DPI STMicroelectronics en.CD00003621.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 15A DOP3I
Packaging: Tube
Package / Case: DOP3I-2 Insulated (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: DOP3I
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.18 грн
30+225.38 грн
120+220.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1L06A STTH1L06A STMicroelectronics en.CD00002694.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+7.46 грн
10000+6.56 грн
15000+6.24 грн
25000+5.52 грн
35000+5.33 грн
50000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1L06A STTH1L06A STMicroelectronics en.CD00002694.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 96548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.98 грн
14+21.54 грн
100+13.63 грн
500+9.59 грн
1000+8.56 грн
2000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1L06RL STTH1L06RL STMicroelectronics en.CD00002694.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+4.33 грн
10000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1L06RL STTH1L06RL STMicroelectronics en.CD00002694.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 22103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.73 грн
36+8.51 грн
100+7.47 грн
500+6.00 грн
1000+5.48 грн
2000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1R06RL STTH1R06RL STMicroelectronics en.CD00005135.pdf description Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.46 грн
22+13.86 грн
100+8.90 грн
500+6.91 грн
1000+6.06 грн
2000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1R06RL STTH1R06RL STMicroelectronics en.CD00005135.pdf description Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH3006DPI STTH3006DPI STMicroelectronics en.CD00003620.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 30A DOP3I
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DOP3I
Current - Average Rectified (Io): 30A
Package / Case: DOP3I-2 Insulated (Straight Leads)
Packaging: Tube
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH3L06 STTH3L06 STMicroelectronics en.CD00002695.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 3A DO201AD
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
на замовлення 20400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+10.85 грн
1200+8.78 грн
1800+8.41 грн
3000+7.44 грн
4200+7.26 грн
6000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH3L06 STTH3L06 STMicroelectronics en.CD00002695.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 3A DO201AD
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.36 грн
12+26.81 грн
100+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH506DTI STTH506DTI STMicroelectronics en.CD00003623.pdf Description: DIODE STD 600V 5A TO220AC INS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Packaging: Tube
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.17 грн
50+65.79 грн
100+65.47 грн
500+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH5L06B-TR STTH5L06B-TR STMicroelectronics en.CD00002719.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.14 грн
10+84.20 грн
100+65.49 грн
500+52.09 грн
1000+42.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH5L06B-TR STTH5L06B-TR STMicroelectronics en.CD00002719.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.21 грн
5000+40.54 грн
12500+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH5R06FP STTH5R06FP STMicroelectronics en.CD00002497.pdf description Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220FPAC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220FPAC
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.02 грн
50+46.96 грн
100+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH806DTI STTH806DTI STMicroelectronics en.CD00003622.pdf description Description: DIODE STD 600V 8A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.08 грн
50+47.55 грн
100+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STV160NF02LT4 STV160NF02LT4 STMicroelectronics STV160NF02L.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: 10-PowerSO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STV160NF03LT4 STV160NF03LT4 STMicroelectronics STV160NF03L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 160A 10POWERSO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: 10-PowerSO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK60Z STW10NK60Z STMicroelectronics en.CD00002815.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics en.CD00003020.pdf description Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.20 грн
30+219.00 грн
120+182.16 грн
510+145.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NK100Z STW11NK100Z STMicroelectronics en.CD00003426.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 4.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.97 грн
30+266.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z STW12NK80Z STMicroelectronics en.CD00003379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.82 грн
30+249.50 грн
120+208.55 грн
510+167.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW13NK60Z STW13NK60Z STMicroelectronics en.CD00002816.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.15 грн
30+224.45 грн
120+186.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW14NK50Z STW14NK50Z STMicroelectronics en.CD00002817.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+362.10 грн
30+196.03 грн
120+162.39 грн
510+129.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW14NM50 STW14NM50 STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 550V 14A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK50Z STW15NK50Z STMicroelectronics en.CD00003043.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.37 грн
30+224.75 грн
120+187.11 грн
510+149.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NK50Z STW20NK50Z STMicroelectronics en.DM00052344.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.24 грн
30+221.99 грн
120+184.19 грн
510+146.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50 STW20NM50 STMicroelectronics en.CD00002376.pdf Description: MOSFET N-CH 550V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60 STW20NM60 STMicroelectronics en.CD00002505.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+541.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM50 STW26NM50 STMicroelectronics en.CD00002680.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+814.13 грн
30+471.92 грн
120+403.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60 STW26NM60 STMicroelectronics STW26NM60.pdf description Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS40150CW en.CD00004991.pdf
STPS40150CW
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARR SCHOT 150V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 150 V
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.57 грн
30+128.91 грн
120+105.00 грн
510+82.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS61150CW en.CD00003685.pdf
STPS61150CW
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARR SCHOT 150V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 150 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+220.54 грн
30+134.45 грн
120+129.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS61H100CW stps61h100c.pdf
STPS61H100CW
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 16 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS80150CW en.CD00003688.pdf
STPS80150CW
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARR SCHOT 150V 40A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.38 грн
30+144.92 грн
120+142.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS8L30B-TR description en.CD00001328.pdf
STPS8L30B-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 8A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.48 грн
10+48.42 грн
100+37.28 грн
500+27.32 грн
1000+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS12NF30L
STS12NF30L
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS12NF30L
STS12NF30L
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS17NF3LL en.CD00002899.pdf
STS17NF3LL
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS2DPFS20V CD00002609.pdf
STS2DPFS20V
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS2DPFS20V CD00002609.pdf
STS2DPFS20V
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L en.CD00001553.pdf
STS4DNF60L
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+194.74 грн
10+121.10 грн
100+83.24 грн
500+62.93 грн
1000+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNF60L en.CD00001553.pdf
STS4DNF60L
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+58.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DNFS30L en.CD00002834.pdf
STS4DNFS30L
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DPF30L en.CD00002918.pdf
STS4DPF30L
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS4DPF30L en.CD00002918.pdf
STS4DPF30L
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS5DNF20V description en.CD00002341.pdf
STS5DNF20V
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS5DNF20V description en.CD00002341.pdf
STS5DNF20V
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 8SOIC
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS5PF20V en.CD00003660.pdf
STS5PF20V
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 20V 5A 8SO
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 2.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS5PF30L en.CD00001945.pdf
STS5PF30L
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS7C4F30L STS7C4F30L.pdf
STS7C4F30L
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS7PF30L STS7PF30L.pdf
STS7PF30L
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS9NF30L en.CD00001935.pdf
STS9NF30L
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS9NF30L en.CD00001935.pdf
STS9NF30L
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STSA851 en.CD00003052.pdf
STSA851
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 60V 5A TO92-3
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT4PF20V en.CD00003353.pdf
STT4PF20V
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT4PF20V en.CD00003353.pdf
STT4PF20V
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTA112U STTA112U.pdf
STTA112U
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SMB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SMB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTA112U STTA112U.pdf
STTA112U
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SMB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SMB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTA212S STTA212S.pdf
STTA212S
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A SMC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SMC
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTA506D en.CD00000743.pdf
STTA506D
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 5A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1506DPI en.CD00003621.pdf
STTH1506DPI
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 15A DOP3I
Packaging: Tube
Package / Case: DOP3I-2 Insulated (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: DOP3I
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+498.18 грн
30+225.38 грн
120+220.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1L06A en.CD00002694.pdf
STTH1L06A
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+7.46 грн
10000+6.56 грн
15000+6.24 грн
25000+5.52 грн
35000+5.33 грн
50000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1L06A en.CD00002694.pdf
STTH1L06A
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 96548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.98 грн
14+21.54 грн
100+13.63 грн
500+9.59 грн
1000+8.56 грн
2000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1L06RL en.CD00002694.pdf
STTH1L06RL
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+4.33 грн
10000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1L06RL en.CD00002694.pdf
STTH1L06RL
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 22103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.73 грн
36+8.51 грн
100+7.47 грн
500+6.00 грн
1000+5.48 грн
2000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1R06RL description en.CD00005135.pdf
STTH1R06RL
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.46 грн
22+13.86 грн
100+8.90 грн
500+6.91 грн
1000+6.06 грн
2000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1R06RL description en.CD00005135.pdf
STTH1R06RL
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH3006DPI en.CD00003620.pdf
STTH3006DPI
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 30A DOP3I
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DOP3I
Current - Average Rectified (Io): 30A
Package / Case: DOP3I-2 Insulated (Straight Leads)
Packaging: Tube
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH3L06 en.CD00002695.pdf
STTH3L06
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 3A DO201AD
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
на замовлення 20400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+10.85 грн
1200+8.78 грн
1800+8.41 грн
3000+7.44 грн
4200+7.26 грн
6000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH3L06 en.CD00002695.pdf
STTH3L06
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 3A DO201AD
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.36 грн
12+26.81 грн
100+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH506DTI en.CD00003623.pdf
STTH506DTI
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STD 600V 5A TO220AC INS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Packaging: Tube
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.17 грн
50+65.79 грн
100+65.47 грн
500+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH5L06B-TR en.CD00002719.pdf
STTH5L06B-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.14 грн
10+84.20 грн
100+65.49 грн
500+52.09 грн
1000+42.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH5L06B-TR en.CD00002719.pdf
STTH5L06B-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+44.21 грн
5000+40.54 грн
12500+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH5R06FP description en.CD00002497.pdf
STTH5R06FP
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220FPAC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220FPAC
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+104.02 грн
50+46.96 грн
100+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH806DTI description en.CD00003622.pdf
STTH806DTI
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STD 600V 8A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+136.08 грн
50+47.55 грн
100+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STV160NF02LT4 STV160NF02L.pdf
STV160NF02LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: 10-PowerSO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STV160NF03LT4 STV160NF03L.pdf
STV160NF03LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 160A 10POWERSO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: 10-PowerSO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK60Z en.CD00002815.pdf
STW10NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+376.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK80Z description en.CD00003020.pdf
STW10NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+401.20 грн
30+219.00 грн
120+182.16 грн
510+145.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NK100Z en.CD00003426.pdf
STW11NK100Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 4.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+480.97 грн
30+266.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z en.CD00003379.pdf
STW12NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+452.82 грн
30+249.50 грн
120+208.55 грн
510+167.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW13NK60Z en.CD00002816.pdf
STW13NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+412.15 грн
30+224.45 грн
120+186.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW14NK50Z description en.CD00002817.pdf
STW14NK50Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+362.10 грн
30+196.03 грн
120+162.39 грн
510+129.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW14NM50
STW14NM50
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 550V 14A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK50Z en.CD00003043.pdf
STW15NK50Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+411.37 грн
30+224.75 грн
120+187.11 грн
510+149.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NK50Z en.DM00052344.pdf
STW20NK50Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+408.24 грн
30+221.99 грн
120+184.19 грн
510+146.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM50 en.CD00002376.pdf
STW20NM50
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 550V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60 en.CD00002505.pdf
STW20NM60
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+541.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM50 en.CD00002680.pdf
STW26NM50
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+814.13 грн
30+471.92 грн
120+403.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60 description STW26NM60.pdf
STW26NM60
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 215 430 645 860 1075 1290 1505 1720 1935 2150 2159  [ Наступна Сторінка >> ]