Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (132198) > Сторінка 41 з 2204

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 220 440 660 880 1100 1320 1540 1760 1980 2200 2204  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SMBYT01-400 SMBYT01-400 STMicroelectronics SMBYT01.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBYT01-400 SMBYT01-400 STMicroelectronics SMBYT01.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMDB3 SMDB3 STMicroelectronics en.CD00002277.pdf Description: DIAC/SIDAC 28-36V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Breakover: 28 ~ 36V
Current - Breakover: 10 µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Peak Output: 1 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDB3 SMDB3 STMicroelectronics en.CD00002277.pdf Description: DIAC/SIDAC 28-36V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Breakover: 28 ~ 36V
Current - Breakover: 10 µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Peak Output: 1 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ST13005 ST13005 STMicroelectronics ST13005_Rev2012.pdf description Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.55 грн
50+50.80 грн
100+45.26 грн
500+33.36 грн
1000+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ST1802HI ST1802HI STMicroelectronics ST1802HI.pdf Description: TRANS NPN 600V 10A ISOWATT-218
Packaging: Tube
Package / Case: ISOWATT-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 800mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: ISOWATT-218
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STC5NF20V STC5NF20V STMicroelectronics en.CD00002504.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STC5NF20V STC5NF20V STMicroelectronics en.CD00002504.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STC6NF30V STC6NF30V STMicroelectronics en.CD00002964.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STC6NF30V STC6NF30V STMicroelectronics en.CD00002964.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10T4 STD10NF10T4 STMicroelectronics en.DM00281628.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10T4 STD10NF10T4 STMicroelectronics en.DM00281628.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.08 грн
10+83.58 грн
50+62.91 грн
100+52.77 грн
500+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 STD12NF06T4 STMicroelectronics en.CD00002756.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.42 грн
10+75.35 грн
50+56.51 грн
100+47.33 грн
500+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 STD12NF06T4 STMicroelectronics en.CD00002756.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD17NF03LT4 STD17NF03LT4 STMicroelectronics STD17NF03L%28-1%29.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD17NF03LT4 STD17NF03LT4 STMicroelectronics STD17NF03L%28-1%29.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.67 грн
10+39.39 грн
50+28.92 грн
100+23.97 грн
500+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LT4 STD25NF10LT4 STMicroelectronics STD25NF10LT4.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.30 грн
10+151.23 грн
50+116.41 грн
100+98.70 грн
500+80.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LT4 STD25NF10LT4 STMicroelectronics STD25NF10LT4.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD30NF03LT4 STD30NF03LT4 STMicroelectronics STD30NF03L%28-1%29.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD30PF03LT4 STD30PF03LT4 STMicroelectronics en.CD00003366.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 24A DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD38NH02LT4 STD38NH02LT4 STMicroelectronics en.CD00003045.pdf Description: MOSFET N-CH 24V 38A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 19A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD38NH02LT4 STD38NH02LT4 STMicroelectronics en.CD00003045.pdf Description: MOSFET N-CH 24V 38A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM60T4 STD3NM60T4 STMicroelectronics en.CD00002718.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50T4 STD5NM50T4 STMicroelectronics STD5NM50%28-1%29.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 STD5NM60T4 STMicroelectronics en.CD00002085.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.24 грн
5000+61.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 STD5NM60T4 STMicroelectronics en.CD00002085.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 6652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.11 грн
10+139.57 грн
100+96.44 грн
500+73.23 грн
1000+70.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NH03L-1 STD60NH03L-1 STMicroelectronics en.CD00003434.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A I-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD70NH02LT4 STD70NH02LT4 STMicroelectronics en.CD00003443.pdf Description: MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STE180NE10 STE180NE10 STMicroelectronics en.CD00001950.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STE250NS10 STE250NS10 STMicroelectronics en.CD00002654.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 220A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 900 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOTOP®
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 125A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STE26NA90 STE26NA90 STMicroelectronics STE26NA90.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 660 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOTOP®
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STE48NM50 STE48NM50 STMicroelectronics en.CD00002356.pdf Description: MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOTOP®
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2111.61 грн
10+1487.00 грн
50+1254.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STE48NM60 STE48NM60 STMicroelectronics en.CD00003380.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOTOP®
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STE70NM50 STE70NM50 STMicroelectronics STE70NM50.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 70A ISOTOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STE70NM60 STE70NM60 STMicroelectronics en.CD00003286.pdf description Description: MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STIL02-P5 STMicroelectronics STIL02-P5.pdf Description: THYRISTOR PENTAWATT5 HV2
Packaging: Tube
Package / Case: Pentawatt-5 HV2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: Pentawatt-5 HV2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STIL04-P5 STMicroelectronics STIL.pdf Description: THYRISTOR PENTAWATT5 HV2
Packaging: Tube
Package / Case: Pentawatt-5 HV2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: Pentawatt-5 HV2
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN1N20 STN1N20 STMicroelectronics en.CD00001902.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1N20 STN1N20 STMicroelectronics en.CD00001902.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06L STN3NF06L STMicroelectronics en.CD00002430.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 30150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.51 грн
10+70.47 грн
50+52.72 грн
100+44.11 грн
500+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06L STN3NF06L STMicroelectronics en.CD00002430.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.82 грн
12000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN715 STN715 STMicroelectronics STN715.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-223
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN851 STN851 STMicroelectronics en.CD00003047.pdf Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 5818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.19 грн
10+54.70 грн
100+36.23 грн
500+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN851 STN851 STMicroelectronics en.CD00003047.pdf Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.71 грн
2000+23.57 грн
3000+22.47 грн
5000+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FP STP11NM60FP STMicroelectronics STB11NM60_-1%2C%20STP11NM60_FP.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60Z STP13NK60Z STMicroelectronics en.CD00002816.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.17 грн
10+159.15 грн
50+122.69 грн
100+104.11 грн
500+84.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP16NS25 STP16NS25 STMicroelectronics en.CD00002244.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60 STP20NM60 STMicroelectronics en.CD00002505.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.43 грн
10+323.56 грн
50+256.44 грн
100+220.41 грн
500+197.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10 STP24NF10 STMicroelectronics en.CD00002071.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 1534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.92 грн
10+115.35 грн
50+87.77 грн
100+74.03 грн
500+59.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06 STP36NF06 STMicroelectronics en.CD00003408.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF03L STP40NF03L STMicroelectronics en.CD00001916.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.67 грн
10+72.38 грн
50+54.17 грн
100+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10 STP40NF10 STMicroelectronics en.CD00047653.pdf description Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.16 грн
10+90.43 грн
50+68.32 грн
100+57.41 грн
500+45.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP45NF06 STP45NF06 STMicroelectronics en.CD00002243.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 38A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.06 грн
10+107.80 грн
50+81.84 грн
100+68.94 грн
500+55.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK50Z STP4NK50Z STMicroelectronics en.CD00003100.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK60Z STP4NK60Z STMicroelectronics en.DM00090931.pdf description Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.30 грн
10+116.72 грн
50+88.73 грн
100+74.81 грн
500+59.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80Z STP4NK80Z STMicroelectronics ST%28D%2CP%294NK80Z%28-1%2CFP%29.pdf description Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.37 грн
50+94.70 грн
100+85.24 грн
500+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP55NF06FP STP55NF06FP STMicroelectronics en.CD00002311.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.42 грн
10+121.82 грн
50+92.99 грн
100+78.54 грн
500+63.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK40Z STP5NK40Z STMicroelectronics ST%28D%2CP%295NK40Z%28FP%2C-1%29.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK50Z STP5NK50Z STMicroelectronics en.CD00003019.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.65 грн
50+73.15 грн
100+65.66 грн
500+49.28 грн
1000+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK60Z STP5NK60Z STMicroelectronics en.CD00003042.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBYT01-400 SMBYT01.pdf
SMBYT01-400
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 400V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBYT01-400 SMBYT01.pdf
SMBYT01-400
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 400V 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMDB3 en.CD00002277.pdf
SMDB3
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIAC/SIDAC 28-36V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Breakover: 28 ~ 36V
Current - Breakover: 10 µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Peak Output: 1 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDB3 en.CD00002277.pdf
SMDB3
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIAC/SIDAC 28-36V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Breakover: 28 ~ 36V
Current - Breakover: 10 µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Peak Output: 1 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ST13005 description ST13005_Rev2012.pdf
ST13005
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.55 грн
50+50.80 грн
100+45.26 грн
500+33.36 грн
1000+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ST1802HI ST1802HI.pdf
ST1802HI
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 600V 10A ISOWATT-218
Packaging: Tube
Package / Case: ISOWATT-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 800mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: ISOWATT-218
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STC5NF20V en.CD00002504.pdf
STC5NF20V
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STC5NF20V en.CD00002504.pdf
STC5NF20V
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STC6NF30V en.CD00002964.pdf
STC6NF30V
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STC6NF30V en.CD00002964.pdf
STC6NF30V
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10T4 en.DM00281628.pdf
STD10NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10T4 en.DM00281628.pdf
STD10NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+136.08 грн
10+83.58 грн
50+62.91 грн
100+52.77 грн
500+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 en.CD00002756.pdf
STD12NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.42 грн
10+75.35 грн
50+56.51 грн
100+47.33 грн
500+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 en.CD00002756.pdf
STD12NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD17NF03LT4 STD17NF03L%28-1%29.pdf
STD17NF03LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD17NF03LT4 STD17NF03L%28-1%29.pdf
STD17NF03LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.67 грн
10+39.39 грн
50+28.92 грн
100+23.97 грн
500+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LT4 STD25NF10LT4.pdf
STD25NF10LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+241.30 грн
10+151.23 грн
50+116.41 грн
100+98.70 грн
500+80.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LT4 STD25NF10LT4.pdf
STD25NF10LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD30NF03LT4 STD30NF03L%28-1%29.pdf
STD30NF03LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD30PF03LT4 en.CD00003366.pdf
STD30PF03LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 24A DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD38NH02LT4 en.CD00003045.pdf
STD38NH02LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 24V 38A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 19A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD38NH02LT4 en.CD00003045.pdf
STD38NH02LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 24V 38A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NM60T4 en.CD00002718.pdf
STD3NM60T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 3A DPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50T4 STD5NM50%28-1%29.pdf
STD5NM50T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 en.CD00002085.pdf
STD5NM60T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+68.24 грн
5000+61.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 en.CD00002085.pdf
STD5NM60T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 6652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+223.11 грн
10+139.57 грн
100+96.44 грн
500+73.23 грн
1000+70.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NH03L-1 en.CD00003434.pdf
STD60NH03L-1
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 60A I-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD70NH02LT4 en.CD00003443.pdf
STD70NH02LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STE180NE10 en.CD00001950.pdf
STE180NE10
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STE250NS10 en.CD00002654.pdf
STE250NS10
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 220A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 900 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOTOP®
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 125A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STE26NA90 STE26NA90.pdf
STE26NA90
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 660 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOTOP®
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STE48NM50 en.CD00002356.pdf
STE48NM50
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOTOP®
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2111.61 грн
10+1487.00 грн
50+1254.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STE48NM60 en.CD00003380.pdf
STE48NM60
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOTOP®
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STE70NM50 description STE70NM50.pdf
STE70NM50
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 70A ISOTOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STE70NM60 description en.CD00003286.pdf
STE70NM60
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STIL02-P5 STIL02-P5.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: THYRISTOR PENTAWATT5 HV2
Packaging: Tube
Package / Case: Pentawatt-5 HV2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: Pentawatt-5 HV2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STIL04-P5 STIL.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: THYRISTOR PENTAWATT5 HV2
Packaging: Tube
Package / Case: Pentawatt-5 HV2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: Pentawatt-5 HV2
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN1N20 en.CD00001902.pdf
STN1N20
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1N20 en.CD00001902.pdf
STN1N20
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06L en.CD00002430.pdf
STN3NF06L
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 30150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.51 грн
10+70.47 грн
50+52.72 грн
100+44.11 грн
500+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06L en.CD00002430.pdf
STN3NF06L
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+29.82 грн
12000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN715 STN715.pdf
STN715
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-223
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN851 en.CD00003047.pdf
STN851
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 5818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.19 грн
10+54.70 грн
100+36.23 грн
500+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN851 en.CD00003047.pdf
STN851
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+26.71 грн
2000+23.57 грн
3000+22.47 грн
5000+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FP STB11NM60_-1%2C%20STP11NM60_FP.pdf
STP11NM60FP
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60Z en.CD00002816.pdf
STP13NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+253.17 грн
10+159.15 грн
50+122.69 грн
100+104.11 грн
500+84.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP16NS25 en.CD00002244.pdf
STP16NS25
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 250V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60 en.CD00002505.pdf
STP20NM60
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+498.43 грн
10+323.56 грн
50+256.44 грн
100+220.41 грн
500+197.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NF10 en.CD00002071.pdf
STP24NF10
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 1534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.92 грн
10+115.35 грн
50+87.77 грн
100+74.03 грн
500+59.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06 en.CD00003408.pdf
STP36NF06
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF03L en.CD00001916.pdf
STP40NF03L
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.67 грн
10+72.38 грн
50+54.17 грн
100+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10 description en.CD00047653.pdf
STP40NF10
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.16 грн
10+90.43 грн
50+68.32 грн
100+57.41 грн
500+45.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP45NF06 en.CD00002243.pdf
STP45NF06
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 38A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.06 грн
10+107.80 грн
50+81.84 грн
100+68.94 грн
500+55.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK50Z description en.CD00003100.pdf
STP4NK50Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK60Z description en.DM00090931.pdf
STP4NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+188.30 грн
10+116.72 грн
50+88.73 грн
100+74.81 грн
500+59.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80Z description ST%28D%2CP%294NK80Z%28-1%2CFP%29.pdf
STP4NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.37 грн
50+94.70 грн
100+85.24 грн
500+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP55NF06FP en.CD00002311.pdf
STP55NF06FP
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+195.42 грн
10+121.82 грн
50+92.99 грн
100+78.54 грн
500+63.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK40Z ST%28D%2CP%295NK40Z%28FP%2C-1%29.pdf
STP5NK40Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 400V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK50Z description en.CD00003019.pdf
STP5NK50Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.65 грн
50+73.15 грн
100+65.66 грн
500+49.28 грн
1000+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP5NK60Z en.CD00003042.pdf
STP5NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 220 440 660 880 1100 1320 1540 1760 1980 2200 2204  [ Наступна Сторінка >> ]