Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25141) > Сторінка 141 з 420
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SMAJ9.0AHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 10V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.4V Power - Peak Pulse: 400W Power Line Protection: No Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| KBPF207G C8G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 2A 1000V STANDARD BRIDGE RECTIFI |
на замовлення 4066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| TS10K40-A D3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A D3 |
на замовлення 3392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
TSM150NB04DCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A/38A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 38A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1132pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSM250NB06DCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8PDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TSM150NB04DCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A/38A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 38A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1132pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active |
на замовлення 423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TSM250NB06DCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8PDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TSUP10M45SH S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 10A, 45V, SCHOTTKY RECTIFIER |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSUP10M45SH S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 10A, 45V, SCHOTTKY RECTIFIER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TQM150NB04DCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8PDFNUPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TQM150NB04DCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8PDFNUPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) |
на замовлення 1670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DBLS204G RDG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A DBLS |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DBLS106G RDG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBLS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
HS1MAL M3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1A, 1000V, HIGH EFFICIENT |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
HS1MFS M3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1A, 1000V, HIGH EFFICIENT |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
HS1MFS M3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1A, 1000V, HIGH EFFICIENT |
на замовлення 6728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
HS1MAL M3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1A, 1000V, HIGH EFFICIENT |
на замовлення 6950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
ES1DFS M3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
ES1JFS M3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 600V, SUPER FAST RECOV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
ES1JAL M3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 600V, SUPER FAST RECOV |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
ES1GAL M3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 400V, SUPER FAST RECOV |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
ES1BAL M3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 100V, SUPER FAST RECOV |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
ES1GFS M3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 400V, SUPER FAST RECOV |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
ES1BFS M3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 100V, SUPER FAST RECOV |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
ES1DAL M3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
ES1BAL M3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 100V, SUPER FAST RECOV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
ES1JFS M3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 600V, SUPER FAST RECOV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
ES1BFS M3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 100V, SUPER FAST RECOV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
ES1JAL M3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 600V, SUPER FAST RECOV |
на замовлення 6771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
ES1DAL M3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
ES1GAL M3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 400V, SUPER FAST RECOV |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
ES1GFS M3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 400V, SUPER FAST RECOV |
на замовлення 6853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
ES1DFS M3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TQM150NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56UPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TQM150NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56UPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MBR2060CT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MBR2060CTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST30L45CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO220AB |
на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST30L45C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSF30L45C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 45V ITO220AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SK54C V7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
1SMA4746 R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 18V 1.25W DO214ACPackaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Part Status: Discontinued at Digi-Key Power - Max: 1.25 W Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 13.7 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
1SMA4746 R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 18V 1.25W DO214ACPackaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Part Status: Discontinued at Digi-Key Power - Max: 1.25 W Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 13.7 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SK320A R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 3A DO214ACPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SK320A R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 3A DO214ACPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSM60NB600CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TSM60NB600CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO252 |
на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SMDJ70A R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO214ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26.5A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70V Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 77.8V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V Power - Peak Pulse: 3000W (3kW) Power Line Protection: No Part Status: Discontinued at Digi-Key |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SMDJ70AHR7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
P4SMA20CA M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
P4SMA20CA R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
P4SMA20CAHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
P4SMA20CAHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SMF9.0A RQG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL, 200W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SMF9.0A RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC SOD123WPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V Supplier Device Package: SOD-123W Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 10V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.4V Power - Peak Pulse: 200W Power Line Protection: No Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SMF90A RQG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL, 200W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SMF90A RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 90VWM 146VC SOD123WPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.05A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 90V Supplier Device Package: SOD-123W Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 100V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 146V Power - Peak Pulse: 200W Power Line Protection: No Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SMF9.0AHRQG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL, 200W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SMF9.0AHRVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC SOD123WPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V Supplier Device Package: SOD-123W Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 10V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.4V Power - Peak Pulse: 200W Power Line Protection: No Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SMF90AHRQG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL, 200W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SMAJ9.0AHR3G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 10V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 10V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBPF207G C8G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 2A 1000V STANDARD BRIDGE RECTIFI
Description: 2A 1000V STANDARD BRIDGE RECTIFI
на замовлення 4066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TS10K40-A D3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A D3
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A D3
на замовлення 3392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSM150NB04DCR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A/38A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1132pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A/38A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1132pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSM250NB06DCR RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 34.19 грн |
| 5000+ | 30.92 грн |
| TSM150NB04DCR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A/38A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1132pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A/38A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1132pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 79.49 грн |
| 10+ | 62.75 грн |
| 100+ | 48.82 грн |
| TSM250NB06DCR RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.37 грн |
| 10+ | 76.79 грн |
| 100+ | 51.53 грн |
| 500+ | 38.20 грн |
| 1000+ | 34.94 грн |
| TSUP10M45SH S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 10A, 45V, SCHOTTKY RECTIFIER
Description: 10A, 45V, SCHOTTKY RECTIFIER
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSUP10M45SH S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 10A, 45V, SCHOTTKY RECTIFIER
Description: 10A, 45V, SCHOTTKY RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TQM150NB04DCR RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TQM150NB04DCR RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.88 грн |
| 10+ | 91.62 грн |
| 100+ | 61.69 грн |
| 500+ | 45.87 грн |
| 1000+ | 42.00 грн |
| DBLS204G RDG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A DBLS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A DBLS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DBLS106G RDG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBLS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBLS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HS1MAL M3G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 1A, 1000V, HIGH EFFICIENT
Description: 75NS, 1A, 1000V, HIGH EFFICIENT
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| HS1MFS M3G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 1A, 1000V, HIGH EFFICIENT
Description: 75NS, 1A, 1000V, HIGH EFFICIENT
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| HS1MFS M3G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 1A, 1000V, HIGH EFFICIENT
Description: 75NS, 1A, 1000V, HIGH EFFICIENT
на замовлення 6728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| HS1MAL M3G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 1A, 1000V, HIGH EFFICIENT
Description: 75NS, 1A, 1000V, HIGH EFFICIENT
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ES1DFS M3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ES1JFS M3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 600V, SUPER FAST RECOV
Description: 35NS, 1A, 600V, SUPER FAST RECOV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1JAL M3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 600V, SUPER FAST RECOV
Description: 35NS, 1A, 600V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ES1GAL M3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 400V, SUPER FAST RECOV
Description: 35NS, 1A, 400V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ES1BAL M3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 100V, SUPER FAST RECOV
Description: 35NS, 1A, 100V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ES1GFS M3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 400V, SUPER FAST RECOV
Description: 35NS, 1A, 400V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ES1BFS M3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 100V, SUPER FAST RECOV
Description: 35NS, 1A, 100V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ES1DAL M3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ES1BAL M3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 100V, SUPER FAST RECOV
Description: 35NS, 1A, 100V, SUPER FAST RECOV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1JFS M3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 600V, SUPER FAST RECOV
Description: 35NS, 1A, 600V, SUPER FAST RECOV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1BFS M3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 100V, SUPER FAST RECOV
Description: 35NS, 1A, 100V, SUPER FAST RECOV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1JAL M3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 600V, SUPER FAST RECOV
Description: 35NS, 1A, 600V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 6771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ES1DAL M3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ES1GAL M3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 400V, SUPER FAST RECOV
Description: 35NS, 1A, 400V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ES1GFS M3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 400V, SUPER FAST RECOV
Description: 35NS, 1A, 400V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 6853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ES1DFS M3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TQM150NB04CR RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 30.05 грн |
| TQM150NB04CR RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.90 грн |
| 10+ | 73.44 грн |
| 100+ | 48.90 грн |
| 500+ | 36.02 грн |
| 1000+ | 32.84 грн |
| MBR2060CT C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2060CTHC0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TST30L45CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO220AB
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST30L45C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSF30L45C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 45V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 45V ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SK54C V7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1SMA4746 R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 18V 1.25W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Max: 1.25 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 13.7 V
Description: DIODE ZENER 18V 1.25W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Max: 1.25 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 13.7 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1SMA4746 R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 18V 1.25W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Max: 1.25 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 13.7 V
Description: DIODE ZENER 18V 1.25W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Max: 1.25 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 13.7 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SK320A R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 3A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 3A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SK320A R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 3A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 3A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSM60NB600CP ROG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO252
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 144.13 грн |
| TSM60NB600CP ROG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO252
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO252
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 280.71 грн |
| 10+ | 242.25 грн |
| 100+ | 198.48 грн |
| 500+ | 158.56 грн |
| 1000+ | 133.73 грн |
| SMDJ70A R7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMDJ70AHR7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AB
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P4SMA20CA M2G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO214AC
Description: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P4SMA20CA R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO214AC
Description: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P4SMA20CAHM2G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO214AC
Description: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P4SMA20CAHR3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO214AC
Description: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMF9.0A RQG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL, 200W
Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL, 200W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMF9.0A RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: SOD-123W
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 10V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.4V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: SOD-123W
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 10V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.4V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMF90A RQG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL, 200W
Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL, 200W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMF90A RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 90VWM 146VC SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.05A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 90V
Supplier Device Package: SOD-123W
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 100V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 146V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 90VWM 146VC SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.05A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 90V
Supplier Device Package: SOD-123W
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 100V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 146V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMF9.0AHRQG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL, 200W
Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL, 200W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMF9.0AHRVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: SOD-123W
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 10V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.4V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: SOD-123W
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 10V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.4V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMF90AHRQG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL, 200W
Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL, 200W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.










.jpg)
