Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25361) > Сторінка 144 з 423

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 168 210 252 294 336 378 420 423  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TS6K40 D3G TS6K40 D3G Taiwan Semiconductor Corporation TS6K40%20SERIES_F2101.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A TS4K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS4K
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS6K40HD3G TS6K40HD3G Taiwan Semiconductor Corporation TS6K40%20SERIES_F2101.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A TS4K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS4K
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS6K60HD3G TS6K60HD3G Taiwan Semiconductor Corporation TS6K40%20SERIES_F2101.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS4K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS4K
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J9.0CA M4G SMB10J9.0CA M4G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_A1511.pdf Description: TVS DIODE 9V 15.4V DO214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J36A M4G SMB10J36A M4G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_A1511.pdf Description: TVS DIODE 36V 58.1V DO214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J40A M4G SMB10J40A M4G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_A1511.pdf Description: TVS DIODE 40V 64.5V DO214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J36CA M4G SMB10J36CA M4G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_A1511.pdf Description: TVS DIODE 36V 58.1V DO214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J40CA M4G SMB10J40CA M4G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_A1511.pdf Description: TVS DIODE 40V 64.5V DO214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CP ROG TSM1NB60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CP_A2309.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CP ROG TSM1NB60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CP_A2309.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.08 грн
10+44.57 грн
100+30.39 грн
500+22.79 грн
1000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB60CP ROG TSM4NB60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60_L1901.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB60CP ROG TSM4NB60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60_L1901.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79B22 A0G BZX79B22 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B2V4%20SERIES_D1610.pdf Description: DIODE ZENER 22V 500MW DO35
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39A R5G P6SMB39A R5G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AA
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.05V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.6A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Applications: General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39A R5G P6SMB39A R5G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AA
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.05V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39CA R5G P6SMB39CA R5G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.6A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.05V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39CA R5G P6SMB39CA R5G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.05V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.6A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR3050CT C0G MBR3050CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3035CT%20SERIES_K2104.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 50V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR3050CTHC0G MBR3050CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3035CT%20SERIES_K2104.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 50V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR3050PT C0G MBR3050PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3035PT%20SERIES_K2103.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 50V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-40 R0G BZW04-40 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO204AL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-44 R0G BZW04-44 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO204AL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4953DCS RLG TSM4953DCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4953D_D15.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.80 грн
5000+19.39 грн
7500+18.58 грн
12500+16.58 грн
17500+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4953DCS RLG TSM4953DCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4953D_D15.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 22299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.86 грн
10+50.66 грн
100+33.37 грн
500+24.36 грн
1000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ51AHR3G SMAJ51AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SMAJH%20SERIES_A2102.pdf Description: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 82.4V
Voltage - Breakdown (Min): 56.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.9A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ51AHR3G SMAJ51AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SMAJH%20SERIES_A2102.pdf Description: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 82.4V
Voltage - Breakdown (Min): 56.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.9A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS20P05G C2G TS20P05G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS20P01G%20SERIES_O2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 20A TS-6P
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Supplier Device Package: TS-6P
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS1117BCP ROG TS1117BCP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TS1117B_H1607.pdf Description: IC REG LINEAR POS ADJ 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 12V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.5V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 90 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS1117BCP50 ROG TS1117BCP50 ROG Taiwan Semiconductor Corporation TS1117B_H1607.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 12V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.5V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 90 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLW RVG ESGLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation ESDLW%20SERIES_A1708.pdf Description: DIODE, SUPER FAST
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLW RVG ESGLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation ESDLW%20SERIES_A1708.pdf Description: DIODE, SUPER FAST
на замовлення 5855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.35 грн
10+31.31 грн
100+21.29 грн
500+14.99 грн
1000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLWHRVG ESGLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation ESDLW%20SERIES_D2103.pdf Description: DIODE GP 400V 800MA SOD123W
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123W
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.26 грн
6000+9.91 грн
9000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLWHRVG ESGLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation ESDLW%20SERIES_D2103.pdf Description: DIODE GP 400V 800MA SOD123W
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123W
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123W
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.57 грн
18+17.22 грн
100+11.98 грн
500+8.78 грн
1000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLW RQG ESGLW RQG Taiwan Semiconductor Corporation ESDLW%20SERIES_A1708.pdf Description: DIODE, SUPER FAST
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLWHRQG ESGLWHRQG Taiwan Semiconductor Corporation ESDLW%20SERIES_A1708.pdf Description: DIODE, SUPER FAST
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RVG HS1JL RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RVG HS1JL RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFL HS1JFL Taiwan Semiconductor Corporation HS1AFL SERIES_B2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123F
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFL HS1JFL Taiwan Semiconductor Corporation HS1AFL SERIES_B2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123F
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.11 грн
18+17.52 грн
100+8.84 грн
500+6.77 грн
1000+5.02 грн
2000+4.22 грн
5000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFS M3G HS1JFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFS M3G HS1JFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JAL M3G HS1JAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JAL M3G HS1JAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JLW RVG HS1JLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-123W
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JLW RVG HS1JLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-123W
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123W
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J M2G HS1J M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_K15.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RQG HS1JL RQG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL R3G HS1JL R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RHG HS1JL RHG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL M2G HS1JL M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL MHG HS1JL MHG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL MQG HS1JL MQG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL MTG HS1JL MTG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RTG HS1JL RTG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RFG HS1JL RFG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RUG HS1JL RUG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1DFL HS1DFL Taiwan Semiconductor Corporation HS1AFL SERIES_B2103.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123F
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.84 грн
20000+2.49 грн
30000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1DFL HS1DFL Taiwan Semiconductor Corporation HS1AFL SERIES_B2103.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123F
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 35417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.41 грн
31+9.90 грн
100+6.14 грн
500+4.23 грн
1000+3.73 грн
2000+3.31 грн
5000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1DFS M3G HS1DFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1DFS M3G HS1DFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 6790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TS6K40 D3G TS6K40%20SERIES_F2101.pdf
TS6K40 D3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A TS4K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS4K
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS6K40HD3G TS6K40%20SERIES_F2101.pdf
TS6K40HD3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A TS4K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS4K
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS6K60HD3G TS6K40%20SERIES_F2101.pdf
TS6K60HD3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS4K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS4K
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J9.0CA M4G SMB10J%20SERIES_A1511.pdf
SMB10J9.0CA M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 9V 15.4V DO214AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J36A M4G SMB10J%20SERIES_A1511.pdf
SMB10J36A M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 36V 58.1V DO214AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J40A M4G SMB10J%20SERIES_A1511.pdf
SMB10J40A M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 40V 64.5V DO214AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J36CA M4G SMB10J%20SERIES_A1511.pdf
SMB10J36CA M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 36V 58.1V DO214AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J40CA M4G SMB10J%20SERIES_A1511.pdf
SMB10J40CA M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 40V 64.5V DO214AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CP ROG TSM1NB60CP_A2309.pdf
TSM1NB60CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CP ROG TSM1NB60CP_A2309.pdf
TSM1NB60CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+64.08 грн
10+44.57 грн
100+30.39 грн
500+22.79 грн
1000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB60CP ROG TSM4NB60_L1901.pdf
TSM4NB60CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB60CP ROG TSM4NB60_L1901.pdf
TSM4NB60CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79B22 A0G BZX79B2V4%20SERIES_D1610.pdf
BZX79B22 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 22V 500MW DO35
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39A R5G P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf
P6SMB39A R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AA
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.05V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.6A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Applications: General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39A R5G P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf
P6SMB39A R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AA
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.05V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39CA R5G P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf
P6SMB39CA R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.6A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.05V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39CA R5G P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf
P6SMB39CA R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.05V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.6A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR3050CT C0G MBR3035CT%20SERIES_K2104.pdf
MBR3050CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOTT 50V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR3050CTHC0G MBR3035CT%20SERIES_K2104.pdf
MBR3050CTHC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOTT 50V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR3050PT C0G MBR3035PT%20SERIES_K2103.pdf
MBR3050PT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOTT 50V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-40 R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-40 R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO204AL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-44 R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-44 R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO204AL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4953DCS RLG TSM4953D_D15.pdf
TSM4953DCS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+21.80 грн
5000+19.39 грн
7500+18.58 грн
12500+16.58 грн
17500+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4953DCS RLG TSM4953D_D15.pdf
TSM4953DCS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 22299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+83.86 грн
10+50.66 грн
100+33.37 грн
500+24.36 грн
1000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ51AHR3G SMAJH%20SERIES_A2102.pdf
SMAJ51AHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 82.4V
Voltage - Breakdown (Min): 56.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.9A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ51AHR3G SMAJH%20SERIES_A2102.pdf
SMAJ51AHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 82.4V
Voltage - Breakdown (Min): 56.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.9A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS20P05G C2G TS20P01G%20SERIES_O2203.pdf
TS20P05G C2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 20A TS-6P
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Supplier Device Package: TS-6P
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS1117BCP ROG TS1117B_H1607.pdf
TS1117BCP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: IC REG LINEAR POS ADJ 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 12V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.5V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 90 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS1117BCP50 ROG TS1117B_H1607.pdf
TS1117BCP50 ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: IC REG LINEAR 5V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 12V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.5V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 90 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLW RVG ESDLW%20SERIES_A1708.pdf
ESGLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SUPER FAST
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLW RVG ESDLW%20SERIES_A1708.pdf
ESGLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SUPER FAST
на замовлення 5855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.35 грн
10+31.31 грн
100+21.29 грн
500+14.99 грн
1000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLWHRVG ESDLW%20SERIES_D2103.pdf
ESGLWHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 400V 800MA SOD123W
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123W
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.26 грн
6000+9.91 грн
9000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLWHRVG ESDLW%20SERIES_D2103.pdf
ESGLWHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 400V 800MA SOD123W
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123W
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123W
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.57 грн
18+17.22 грн
100+11.98 грн
500+8.78 грн
1000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLW RQG ESDLW%20SERIES_A1708.pdf
ESGLW RQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SUPER FAST
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLWHRQG ESDLW%20SERIES_A1708.pdf
ESGLWHRQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SUPER FAST
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RVG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1JL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RVG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1JL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFL HS1AFL SERIES_B2103.pdf
HS1JFL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123F
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFL HS1AFL SERIES_B2103.pdf
HS1JFL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123F
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+26.11 грн
18+17.52 грн
100+8.84 грн
500+6.77 грн
1000+5.02 грн
2000+4.22 грн
5000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFS M3G
HS1JFS M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFS M3G
HS1JFS M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JAL M3G
HS1JAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JAL M3G
HS1JAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JLW RVG HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf
HS1JLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-123W
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JLW RVG HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf
HS1JLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-123W
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123W
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J M2G HS1A%20SERIES_K15.pdf
HS1J M2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RQG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1JL RQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL R3G HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1JL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RHG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1JL RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL M2G HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1JL M2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL MHG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1JL MHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL MQG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1JL MQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL MTG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1JL MTG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RTG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1JL RTG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RFG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1JL RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RUG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1JL RUG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1DFL HS1AFL SERIES_B2103.pdf
HS1DFL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123F
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+2.84 грн
20000+2.49 грн
30000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1DFL HS1AFL SERIES_B2103.pdf
HS1DFL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123F
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 35417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.41 грн
31+9.90 грн
100+6.14 грн
500+4.23 грн
1000+3.73 грн
2000+3.31 грн
5000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1DFS M3G
HS1DFS M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1DFS M3G
HS1DFS M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 6790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 168 210 252 294 336 378 420 423  [ Наступна Сторінка >> ]