Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (24892) > Сторінка 146 з 415

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 164 205 246 287 328 369 410 415  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TUAS8K M3G TUAS8K M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 8A, 800V, STANDARD RECOVERY RECT
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ36CAHM4G SMBJ36CAHM4G Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ%20SERIES_R2104.pdf Description: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6J17A R3G SMA6J17A R3G Taiwan Semiconductor Corporation SMA6J%20SERIES_E2102.pdf Description: TVS DIODE 17VWM 26.7VC DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6J17A R3G SMA6J17A R3G Taiwan Semiconductor Corporation SMA6J%20SERIES_E2102.pdf Description: TVS DIODE 17VWM 26.7VC DO214AC
на замовлення 3218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.37 грн
10+54.58 грн
100+41.85 грн
500+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA4738 M2G 1SMA4738 M2G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4737%20SERIES_P2102.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 1.25W DO214AC
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 4.5 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SW RVG BAT54SW RVG Taiwan Semiconductor Corporation BAT54W%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 30V 200MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURF1620CT C0G MURF1620CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MURF1620CT%20SERIES_K2105.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V ITO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURF1620CTHC0G MURF1620CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE ARRAY GP 200V 16A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA4755 M2G 1SMA4755 M2G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4737%20SERIES_P2102.pdf Description: DIODE ZENER 43V 1.25W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55B6V8 L1G BZV55B6V8 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B2V4%20SERIES_G2301.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW MINI MELF
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: Mini MELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JLS RVG RS1JLS RVG Taiwan Semiconductor Corporation RS1JLS%20SERIES_D2103.pdf Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JLS RVG RS1JLS RVG Taiwan Semiconductor Corporation RS1JLS%20SERIES_D2103.pdf Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.11 грн
12+26.08 грн
100+16.24 грн
500+10.42 грн
1000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ51A R7G SMDJ51A R7G Taiwan Semiconductor Corporation SMDJ%20SERIES_E1708.pdf Description: TVS DIODE 51V 82.4V DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS6K80HD3G TS6K80HD3G Taiwan Semiconductor Corporation TS6K40%20SERIES_F2101.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A TS4K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS4K
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS6KL60 D3G TS6KL60 D3G Taiwan Semiconductor Corporation TS6KL60%20SERIES_C15.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBJL
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TS6K40 D3G TS6K40 D3G Taiwan Semiconductor Corporation TS6K40%20SERIES_F2101.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A TS4K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS4K
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS6K40HD3G TS6K40HD3G Taiwan Semiconductor Corporation TS6K40%20SERIES_F2101.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A TS4K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS4K
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS6K60HD3G TS6K60HD3G Taiwan Semiconductor Corporation TS6K40%20SERIES_F2101.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS4K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS4K
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J9.0CA M4G SMB10J9.0CA M4G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_A1511.pdf Description: TVS DIODE 9V 15.4V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J36A M4G SMB10J36A M4G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_A1511.pdf Description: TVS DIODE 36V 58.1V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J40A M4G SMB10J40A M4G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_A1511.pdf Description: TVS DIODE 40V 64.5V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J36CA M4G SMB10J36CA M4G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_A1511.pdf Description: TVS DIODE 36V 58.1V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J40CA M4G SMB10J40CA M4G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_A1511.pdf Description: TVS DIODE 40V 64.5V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CP ROG TSM1NB60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CP_A2309.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CP ROG TSM1NB60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CP_A2309.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.58 грн
10+44.22 грн
100+30.15 грн
500+22.61 грн
1000+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB60CP ROG TSM4NB60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60_L1901.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB60CP ROG TSM4NB60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60_L1901.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79B22 A0G BZX79B22 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B2V4%20SERIES_D1610.pdf Description: DIODE ZENER 22V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39A R5G P6SMB39A R5G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.05V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39A R5G P6SMB39A R5G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.05V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39CA R5G P6SMB39CA R5G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.05V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39CA R5G P6SMB39CA R5G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.05V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR3050CT C0G MBR3050CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3035CT%20SERIES_K2104.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 50V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR3050CTHC0G MBR3050CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3035CT%20SERIES_K2104.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 50V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR3050PT C0G MBR3050PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3035PT%20SERIES_K2103.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 50V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-40 R0G BZW04-40 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-44 R0G BZW04-44 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4953DCS RLG TSM4953DCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4953D_D15.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.43 грн
5000+20.55 грн
7500+20.44 грн
12500+18.49 грн
17500+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4953DCS RLG TSM4953DCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4953D_D15.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 22547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.41 грн
10+56.47 грн
100+35.77 грн
500+26.17 грн
1000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ51AHR3G SMAJ51AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 56.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 82.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ51AHR3G SMAJ51AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 56.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 82.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS20P05G C2G TS20P05G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS20P01G%20SERIES_O2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 20A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS1117BCP ROG TS1117BCP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TS1117B_H1607.pdf Description: IC REG LINEAR POS ADJ 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 12V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.5V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 90 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS1117BCP50 ROG TS1117BCP50 ROG Taiwan Semiconductor Corporation TS1117B_H1607.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 12V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.5V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 90 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLW RVG ESGLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation ESDLW%20SERIES_A1708.pdf Description: DIODE, SUPER FAST
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLW RVG ESGLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation ESDLW%20SERIES_A1708.pdf Description: DIODE, SUPER FAST
на замовлення 5855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.03 грн
10+31.07 грн
100+21.13 грн
500+14.87 грн
1000+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLWHRVG ESGLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation ESDLW%20SERIES_D2103.pdf Description: DIODE GP 400V 800MA SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.17 грн
6000+9.83 грн
9000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLWHRVG ESGLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation ESDLW%20SERIES_D2103.pdf Description: DIODE GP 400V 800MA SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.41 грн
18+17.08 грн
100+11.88 грн
500+8.71 грн
1000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLW RQG ESGLW RQG Taiwan Semiconductor Corporation ESDLW%20SERIES_A1708.pdf Description: DIODE, SUPER FAST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLWHRQG ESGLWHRQG Taiwan Semiconductor Corporation ESDLW%20SERIES_A1708.pdf Description: DIODE, SUPER FAST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RVG HS1JL RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RVG HS1JL RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFL HS1JFL Taiwan Semiconductor Corporation HS1AFL SERIES_B2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFL HS1JFL Taiwan Semiconductor Corporation HS1AFL SERIES_B2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 15260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.90 грн
18+17.39 грн
100+8.77 грн
500+6.71 грн
1000+4.98 грн
2000+4.19 грн
5000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFS M3G HS1JFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFS M3G HS1JFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JAL M3G HS1JAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JAL M3G HS1JAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JLW RVG HS1JLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JLW RVG HS1JLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TUAS8K M3G
TUAS8K M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 8A, 800V, STANDARD RECOVERY RECT
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ36CAHM4G SMBJ%20SERIES_R2104.pdf
SMBJ36CAHM4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6J17A R3G SMA6J%20SERIES_E2102.pdf
SMA6J17A R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 17VWM 26.7VC DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6J17A R3G SMA6J%20SERIES_E2102.pdf
SMA6J17A R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 17VWM 26.7VC DO214AC
на замовлення 3218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.37 грн
10+54.58 грн
100+41.85 грн
500+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA4738 M2G 1SMA4737%20SERIES_P2102.pdf
1SMA4738 M2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 8.2V 1.25W DO214AC
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 4.5 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SW RVG BAT54W%20SERIES_D2102.pdf
BAT54SW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOT 30V 200MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURF1620CT C0G MURF1620CT%20SERIES_K2105.pdf
MURF1620CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 200V ITO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURF1620CTHC0G
MURF1620CTHC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 200V 16A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA4755 M2G 1SMA4737%20SERIES_P2102.pdf
1SMA4755 M2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 1.25W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55B6V8 L1G BZV55B2V4%20SERIES_G2301.pdf
BZV55B6V8 L1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW MINI MELF
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: Mini MELF
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JLS RVG RS1JLS%20SERIES_D2103.pdf
RS1JLS RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JLS RVG RS1JLS%20SERIES_D2103.pdf
RS1JLS RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.11 грн
12+26.08 грн
100+16.24 грн
500+10.42 грн
1000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ51A R7G SMDJ%20SERIES_E1708.pdf
SMDJ51A R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 51V 82.4V DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS6K80HD3G TS6K40%20SERIES_F2101.pdf
TS6K80HD3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A TS4K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS4K
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS6KL60 D3G TS6KL60%20SERIES_C15.pdf
TS6KL60 D3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBJL
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TS6K40 D3G TS6K40%20SERIES_F2101.pdf
TS6K40 D3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A TS4K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS4K
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS6K40HD3G TS6K40%20SERIES_F2101.pdf
TS6K40HD3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A TS4K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS4K
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS6K60HD3G TS6K40%20SERIES_F2101.pdf
TS6K60HD3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS4K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS4K
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J9.0CA M4G SMB10J%20SERIES_A1511.pdf
SMB10J9.0CA M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 9V 15.4V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J36A M4G SMB10J%20SERIES_A1511.pdf
SMB10J36A M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 36V 58.1V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J40A M4G SMB10J%20SERIES_A1511.pdf
SMB10J40A M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 40V 64.5V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J36CA M4G SMB10J%20SERIES_A1511.pdf
SMB10J36CA M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 36V 58.1V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J40CA M4G SMB10J%20SERIES_A1511.pdf
SMB10J40CA M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 40V 64.5V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CP ROG TSM1NB60CP_A2309.pdf
TSM1NB60CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CP ROG TSM1NB60CP_A2309.pdf
TSM1NB60CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.58 грн
10+44.22 грн
100+30.15 грн
500+22.61 грн
1000+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB60CP ROG TSM4NB60_L1901.pdf
TSM4NB60CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB60CP ROG TSM4NB60_L1901.pdf
TSM4NB60CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79B22 A0G BZX79B2V4%20SERIES_D1610.pdf
BZX79B22 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 22V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39A R5G P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf
P6SMB39A R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.05V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39A R5G P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf
P6SMB39A R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.05V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39CA R5G P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf
P6SMB39CA R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.05V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39CA R5G P6SMB%20SERIES_Q2209.pdf
P6SMB39CA R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.05V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR3050CT C0G MBR3035CT%20SERIES_K2104.pdf
MBR3050CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOTT 50V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR3050CTHC0G MBR3035CT%20SERIES_K2104.pdf
MBR3050CTHC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOTT 50V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR3050PT C0G MBR3035PT%20SERIES_K2103.pdf
MBR3050PT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOTT 50V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-40 R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-40 R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-44 R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-44 R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4953DCS RLG TSM4953D_D15.pdf
TSM4953DCS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.43 грн
5000+20.55 грн
7500+20.44 грн
12500+18.49 грн
17500+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4953DCS RLG TSM4953D_D15.pdf
TSM4953DCS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 22547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.41 грн
10+56.47 грн
100+35.77 грн
500+26.17 грн
1000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ51AHR3G
SMAJ51AHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 56.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 82.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ51AHR3G
SMAJ51AHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 56.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 82.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS20P05G C2G TS20P01G%20SERIES_O2203.pdf
TS20P05G C2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 20A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS1117BCP ROG TS1117B_H1607.pdf
TS1117BCP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: IC REG LINEAR POS ADJ 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 12V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.5V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 90 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS1117BCP50 ROG TS1117B_H1607.pdf
TS1117BCP50 ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: IC REG LINEAR 5V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 12V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.5V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 90 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLW RVG ESDLW%20SERIES_A1708.pdf
ESGLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SUPER FAST
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLW RVG ESDLW%20SERIES_A1708.pdf
ESGLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SUPER FAST
на замовлення 5855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.03 грн
10+31.07 грн
100+21.13 грн
500+14.87 грн
1000+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLWHRVG ESDLW%20SERIES_D2103.pdf
ESGLWHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 400V 800MA SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.17 грн
6000+9.83 грн
9000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLWHRVG ESDLW%20SERIES_D2103.pdf
ESGLWHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 400V 800MA SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.41 грн
18+17.08 грн
100+11.88 грн
500+8.71 грн
1000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLW RQG ESDLW%20SERIES_A1708.pdf
ESGLW RQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SUPER FAST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESGLWHRQG ESDLW%20SERIES_A1708.pdf
ESGLWHRQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SUPER FAST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RVG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1JL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RVG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1JL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFL HS1AFL SERIES_B2103.pdf
HS1JFL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFL HS1AFL SERIES_B2103.pdf
HS1JFL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 15260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.90 грн
18+17.39 грн
100+8.77 грн
500+6.71 грн
1000+4.98 грн
2000+4.19 грн
5000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFS M3G
HS1JFS M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFS M3G
HS1JFS M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JAL M3G
HS1JAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JAL M3G
HS1JAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JLW RVG HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf
HS1JLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JLW RVG HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf
HS1JLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 164 205 246 287 328 369 410 415  [ Наступна Сторінка >> ]