Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25643) > Сторінка 254 з 428

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 294 336 378 420 428  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TSN520M60 S4G TSN520M60 S4G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE STANDARD 60V 20A 8PDFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR140SH MUR140SH Taiwan Semiconductor Corporation MUR105SH SERIES_A2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.20 грн
6000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR140S MUR140S Taiwan Semiconductor Corporation MUR105S SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.20 грн
6000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC25005W T0G GBPC25005W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC15_25_35%20SERIES_L2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC25005 T0G GBPC25005 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC15_25_35%20SERIES_L2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 25A GBPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC25005M T0G GBPC25005M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC15_25_35%20SERIES_L2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS40P06G TS40P06G Taiwan Semiconductor Corporation TS40P05G SERIES_G2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 40A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.37 грн
15+119.57 грн
105+88.02 грн
510+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS40P06GH TS40P06GH Taiwan Semiconductor Corporation TS40P05G SERIES_G2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 40A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.12 грн
10+145.53 грн
50+111.71 грн
100+94.60 грн
500+76.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA12CAH SA12CAH Taiwan Semiconductor Corporation SA%20SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO204AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SF1004G SF1004G Taiwan Semiconductor Corporation SF1001G SERIES_K2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ150CAH SMAJ150CAH Taiwan Semiconductor Corporation SMAJH SERIES_A2102.pdf Description: TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 150V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 167V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 243V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ150CA R3G SMAJ150CA R3G Taiwan Semiconductor Corporation SMAJ%20SERIES_U2102.pdf Description: TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 150V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 167V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 243V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3DFSH ESH3DFSH Taiwan Semiconductor Corporation ESH3DFSH_B2103.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3DFSH ESH3DFSH Taiwan Semiconductor Corporation ESH3DFSH_B2103.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
11+28.48 грн
100+18.49 грн
500+13.85 грн
1000+10.04 грн
2000+9.72 грн
5000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R7G ESH3D R7G Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B%20SERIES_I2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R6G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D M6 Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R7 Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R6 Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D V7G ESH3D V7G Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B%20SERIES_I2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK32AHM2G SK32AHM2G Taiwan Semiconductor Corporation SK32A%20SERIES_V2102.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSF20U60C TSF20U60C Taiwan Semiconductor Corporation TSF20U45C SERIES_H2105.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 60V 10A ITO220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TST20U60CW TST20U60CW Taiwan Semiconductor Corporation TST20U45CW-TST20U60CW_C2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU402H GBU402H Taiwan Semiconductor Corporation GBU401%20SERIES_M2103.pdf Description: DIODE BRIDGE 4A 100V GBU
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBU
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU403 GBU403 Taiwan Semiconductor Corporation GBU401%20SERIES_M2103.pdf Description: DIODE BRIDGE 4A 200V GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU403H GBU403H Taiwan Semiconductor Corporation GBU401%20SERIES_M2103.pdf Description: DIODE BRIDGE 4A 200V GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10H100CT MBRF10H100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10H100CT SERIES_I2105.pdf Description: DIODE ARR SCHOTTKY 100V ITO220AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS4K60 TS4K60 Taiwan Semiconductor Corporation TS4K40 SERIES_F2101.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A TS4K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS4K
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.91 грн
10+60.55 грн
50+45.05 грн
100+37.58 грн
500+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS20P05G TS20P05G Taiwan Semiconductor Corporation TS20P01G SERIES_O2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 20A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.00 грн
15+90.10 грн
105+65.43 грн
510+49.31 грн
1005+45.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS35P05G TS35P05G Taiwan Semiconductor Corporation TS35P05G SERIES_F2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 35A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.34 грн
15+107.87 грн
105+79.05 грн
510+60.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS6P05G TS6P05G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P01G%20SERIES_M2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TS-6P
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Packaging: Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS15P06G TS15P06G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P01G SERIES_N2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 15A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.21 грн
10+96.29 грн
100+65.49 грн
500+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSI20H100CW TSI20H100CW Taiwan Semiconductor Corporation TSI20H100CW-TSI20H200CW_E2104.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.20 грн
10+174.86 грн
100+143.25 грн
500+114.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSD20H100CW TSD20H100CW Taiwan Semiconductor Corporation TSD20H100CW%20SERIES_G2103.pdf Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 20A, 10
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSD20H100CW TSD20H100CW Taiwan Semiconductor Corporation TSD20H100CW%20SERIES_G2103.pdf Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 20A, 10
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.99 грн
10+155.77 грн
100+125.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SF68G SF68G Taiwan Semiconductor Corporation SF61G%20SERIES_G2105.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 6A DO201AD
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04LDCR RLG TSM076NH04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM076NH04LDCR_D2207.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 55.6W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04LDCR RLG TSM076NH04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM076NH04LDCR_D2207.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 55.6W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.41 грн
10+96.13 грн
100+65.44 грн
500+49.08 грн
1000+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04DCR RLG TSM076NH04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM076NH04DCR_D2207.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1217pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 55.6W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04DCR RLG TSM076NH04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM076NH04DCR_D2207.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1217pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 55.6W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.41 грн
10+96.13 грн
100+65.44 грн
500+49.08 грн
1000+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MTZJ47S R0G MTZJ47S R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf Description: DIODE ZENER 46.5V 500MW DO34
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MTZJ7V5SA R0G MTZJ7V5SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf Description: DIODE ZENER 7.04V 500MW DO34
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MTZJ4V3SB R0G MTZJ4V3SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO34
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MTZJ6V2SB R0G MTZJ6V2SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf Description: DIODE ZENER 6.12V 500MW DO34
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KBP201G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP201G-KBP207G%20_E13_DS.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP201G C2 Taiwan Semiconductor Corporation KBP201G-KBP207G%20_E13_DS.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1KSMB15CAH 1KSMB15CAH Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=1KSMB15CAH Description: TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO214AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.2V
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12.8V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 47.2A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER301G HER301G Taiwan Semiconductor Corporation HER301G SERIES_I2105.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ18CA R7 Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 1500W DO214AB SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 51.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 20V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C5V6 RYG BZY55C5V6 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW 0805
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT55C5V6 L1G BZT55C5V6 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C2V4_thru_BZT55C75.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW MINI MELF
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: Mini MELF
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA12CAH P4SMA12CAH Taiwan Semiconductor Corporation P4SMAH SERIES_A2102.pdf Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7V DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16.7V
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10.2V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ30CAH SMAJ30CAH Taiwan Semiconductor Corporation SMAJH%20SERIES_A2102.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904T RSG MMBT3904T RSG Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3904T_A2209.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904T RSG MMBT3904T RSG Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3904T_A2209.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.07 грн
35+8.93 грн
100+5.54 грн
500+3.80 грн
1000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM043NH04LCR RLG TSM043NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM043NH04LCR_B2207.pdf Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM043NH04LCR RLG TSM043NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM043NH04LCR_B2207.pdf Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.31 грн
10+103.23 грн
50+78.27 грн
100+65.87 грн
500+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-20B BZW06-20B Taiwan Semiconductor Corporation BZW06%20SERIES_K2105.pdf description Description: TVS DIODE 20.5VWM 42.8VC DO204AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-70 A0G BZW06-70 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW06%20SERIES_K2105.pdf Description: TVS DIODE 70.1VWM 146VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-128 BZW06-128 Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BZW06-128 Description: TVS DIODE 128VWM 265VC DO204AC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 265V
Voltage - Breakdown (Min): 143V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 128V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15A (8/20µs)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSN520M60 S4G
TSN520M60 S4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 60V 20A 8PDFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR140SH MUR105SH SERIES_A2102.pdf
MUR140SH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.20 грн
6000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR140S MUR105S SERIES_L2102.pdf
MUR140S
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.20 грн
6000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC25005W T0G GBPC15_25_35%20SERIES_L2103.pdf
GBPC25005W T0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC25005 T0G GBPC15_25_35%20SERIES_L2103.pdf
GBPC25005 T0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 25A GBPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC25005M T0G GBPC15_25_35%20SERIES_L2103.pdf
GBPC25005M T0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS40P06G TS40P05G SERIES_G2203.pdf
TS40P06G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 40A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+205.37 грн
15+119.57 грн
105+88.02 грн
510+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS40P06GH TS40P05G SERIES_G2203.pdf
TS40P06GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 40A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+233.12 грн
10+145.53 грн
50+111.71 грн
100+94.60 грн
500+76.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA12CAH SA%20SERIES_L2105.pdf
SA12CAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO204AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SF1004G SF1001G SERIES_K2104.pdf
SF1004G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ150CAH SMAJH SERIES_A2102.pdf
SMAJ150CAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 150V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 167V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 243V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ150CA R3G SMAJ%20SERIES_U2102.pdf
SMAJ150CA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 150V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 167V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 243V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3DFSH ESH3DFSH_B2103.pdf
ESH3DFSH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 3A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3DFSH ESH3DFSH_B2103.pdf
ESH3DFSH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 3A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.06 грн
11+28.48 грн
100+18.49 грн
500+13.85 грн
1000+10.04 грн
2000+9.72 грн
5000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R7G ESH3B%20SERIES_I2102.pdf
ESH3D R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D M6
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R7
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R6
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D V7G ESH3B%20SERIES_I2102.pdf
ESH3D V7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK32AHM2G SK32A%20SERIES_V2102.pdf
SK32AHM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSF20U60C TSF20U45C SERIES_H2105.pdf
TSF20U60C
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOT 60V 10A ITO220AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TST20U60CW TST20U45CW-TST20U60CW_C2104.pdf
TST20U60CW
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU402H GBU401%20SERIES_M2103.pdf
GBU402H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE BRIDGE 4A 100V GBU
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBU
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU403 GBU401%20SERIES_M2103.pdf
GBU403
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE BRIDGE 4A 200V GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU403H GBU401%20SERIES_M2103.pdf
GBU403H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE BRIDGE 4A 200V GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10H100CT MBRF10H100CT SERIES_I2105.pdf
MBRF10H100CT
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOTTKY 100V ITO220AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS4K60 TS4K40 SERIES_F2101.pdf
TS4K60
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A TS4K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS4K
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.91 грн
10+60.55 грн
50+45.05 грн
100+37.58 грн
500+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS20P05G TS20P01G SERIES_O2203.pdf
TS20P05G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 20A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+157.00 грн
15+90.10 грн
105+65.43 грн
510+49.31 грн
1005+45.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS35P05G TS35P05G SERIES_F2203.pdf
TS35P05G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 35A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+186.34 грн
15+107.87 грн
105+79.05 грн
510+60.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS6P05G TS6P01G%20SERIES_M2203.pdf
TS6P05G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TS-6P
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Packaging: Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS15P06G TS15P01G SERIES_N2203.pdf
TS15P06G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 15A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.21 грн
10+96.29 грн
100+65.49 грн
500+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSI20H100CW TSI20H100CW-TSI20H200CW_E2104.pdf
TSI20H100CW
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+202.20 грн
10+174.86 грн
100+143.25 грн
500+114.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSD20H100CW TSD20H100CW%20SERIES_G2103.pdf
TSD20H100CW
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 20A, 10
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSD20H100CW TSD20H100CW%20SERIES_G2103.pdf
TSD20H100CW
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 20A, 10
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+179.99 грн
10+155.77 грн
100+125.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SF68G SF61G%20SERIES_G2105.pdf
SF68G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 6A DO201AD
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1250+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04LDCR RLG TSM076NH04LDCR_D2207.pdf
TSM076NH04LDCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 55.6W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04LDCR RLG TSM076NH04LDCR_D2207.pdf
TSM076NH04LDCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 55.6W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+155.41 грн
10+96.13 грн
100+65.44 грн
500+49.08 грн
1000+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04DCR RLG TSM076NH04DCR_D2207.pdf
TSM076NH04DCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1217pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 55.6W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04DCR RLG TSM076NH04DCR_D2207.pdf
TSM076NH04DCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1217pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 55.6W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+155.41 грн
10+96.13 грн
100+65.44 грн
500+49.08 грн
1000+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MTZJ47S R0G MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf
MTZJ47S R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 46.5V 500MW DO34
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MTZJ7V5SA R0G MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf
MTZJ7V5SA R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 7.04V 500MW DO34
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MTZJ4V3SB R0G MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf
MTZJ4V3SB R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO34
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MTZJ6V2SB R0G MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf
MTZJ6V2SB R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 6.12V 500MW DO34
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KBP201G C2G KBP201G-KBP207G%20_E13_DS.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP201G C2 KBP201G-KBP207G%20_E13_DS.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1KSMB15CAH pdf.php?pn=1KSMB15CAH
1KSMB15CAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO214AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.2V
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12.8V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 47.2A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER301G HER301G SERIES_I2105.pdf
HER301G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ18CA R7
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 1500W DO214AB SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 51.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 20V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C5V6 RYG BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf
BZY55C5V6 RYG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW 0805
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT55C5V6 L1G BZT55C2V4_thru_BZT55C75.pdf
BZT55C5V6 L1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW MINI MELF
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: Mini MELF
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA12CAH P4SMAH SERIES_A2102.pdf
P4SMA12CAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7V DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16.7V
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10.2V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ30CAH SMAJH%20SERIES_A2102.pdf
SMAJ30CAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904T RSG MMBT3904T_A2209.pdf
MMBT3904T RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904T RSG MMBT3904T_A2209.pdf
MMBT3904T RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+15.07 грн
35+8.93 грн
100+5.54 грн
500+3.80 грн
1000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM043NH04LCR RLG TSM043NH04LCR_B2207.pdf
TSM043NH04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM043NH04LCR RLG TSM043NH04LCR_B2207.pdf
TSM043NH04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+167.31 грн
10+103.23 грн
50+78.27 грн
100+65.87 грн
500+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-20B description BZW06%20SERIES_K2105.pdf
BZW06-20B
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 20.5VWM 42.8VC DO204AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-70 A0G BZW06%20SERIES_K2105.pdf
BZW06-70 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 70.1VWM 146VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-128 pdf.php?pn=BZW06-128
BZW06-128
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 128VWM 265VC DO204AC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 265V
Voltage - Breakdown (Min): 143V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 128V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15A (8/20µs)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 294 336 378 420 428  [ Наступна Сторінка >> ]