Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25196) > Сторінка 256 з 420

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 294 336 378 420  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S1JLS RVG S1JLS RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.49 грн
6000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLS RVG S1JLS RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 11945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.88 грн
12+28.82 грн
100+19.60 грн
500+13.79 грн
1000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UG8JH UG8JH Taiwan Semiconductor Corporation UG8J_I2103.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+114.07 грн
10+68.80 грн
100+45.59 грн
500+33.44 грн
1000+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N750CP ROG TSM60N750CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N750_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N750CP ROG TSM60N750CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N750_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N750CH C5G TSM60N750CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N750_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSN520M60 TSN520M60 Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSN520M60 S4G TSN520M60 S4G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE STANDARD 60V 20A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR140SH MUR140SH Taiwan Semiconductor Corporation MUR105SH SERIES_A2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.79 грн
6000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUR140S MUR140S Taiwan Semiconductor Corporation MUR105S SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.79 грн
6000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC25005W T0G GBPC25005W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC15_25_35%20SERIES_L2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC25005 T0G GBPC25005 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC15_25_35%20SERIES_L2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 25A GBPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC25005M T0G GBPC25005M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC15_25_35%20SERIES_L2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS40P06G TS40P06G Taiwan Semiconductor Corporation TS40P05G SERIES_G2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 40A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.13 грн
15+129.33 грн
105+95.20 грн
510+72.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TS40P06GH TS40P06GH Taiwan Semiconductor Corporation TS40P05G SERIES_G2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 40A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.71 грн
15+134.29 грн
105+99.03 грн
510+75.65 грн
1005+70.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SA12CAH SA12CAH Taiwan Semiconductor Corporation SA%20SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF1004G SF1004G Taiwan Semiconductor Corporation SF1001G SERIES_K2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ150CAH SMAJ150CAH Taiwan Semiconductor Corporation SMAJH SERIES_A2102.pdf Description: TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 150V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 167V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 243V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ150CA R3G SMAJ150CA R3G Taiwan Semiconductor Corporation SMAJ%20SERIES_U2102.pdf Description: TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 150V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 167V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 243V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3DFSH ESH3DFSH Taiwan Semiconductor Corporation ESH3DFSH_B2103.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3DFSH ESH3DFSH Taiwan Semiconductor Corporation ESH3DFSH_B2103.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+41.17 грн
11+30.81 грн
100+20.00 грн
500+14.98 грн
1000+10.85 грн
2000+10.52 грн
5000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R7G ESH3D R7G Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B%20SERIES_I2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R6G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D M6 Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R7 Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R6 Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D V7G ESH3D V7G Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B%20SERIES_I2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK32AHM2G SK32AHM2G Taiwan Semiconductor Corporation SK32A%20SERIES_V2102.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSF20U60C TSF20U60C Taiwan Semiconductor Corporation MBR20xxCT_Rev.L13.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.70 грн
10+188.80 грн
100+151.77 грн
500+117.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TST20U60CW TST20U60CW Taiwan Semiconductor Corporation TST20U45CW-TST20U60CW_C2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU402H GBU402H Taiwan Semiconductor Corporation GBU401%20SERIES_M2103.pdf Description: DIODE BRIDGE 4A 100V GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU403 GBU403 Taiwan Semiconductor Corporation GBU401%20SERIES_M2103.pdf Description: DIODE BRIDGE 4A 200V GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU403H GBU403H Taiwan Semiconductor Corporation GBU401%20SERIES_M2103.pdf Description: DIODE BRIDGE 4A 200V GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10H100CT MBRF10H100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10H100CT SERIES_I2105.pdf Description: DIODE ARR SCHOTTKY 100V ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS4K60 TS4K60 Taiwan Semiconductor Corporation TS4K40 SERIES_F2101.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A TS4K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS4K
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.76 грн
20+49.39 грн
100+38.41 грн
500+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TS20P05G TS20P05G Taiwan Semiconductor Corporation TS20P01G SERIES_O2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 20A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+169.81 грн
15+97.45 грн
105+70.77 грн
510+53.33 грн
1005+49.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TS35P05G TS35P05G Taiwan Semiconductor Corporation TS35P05G SERIES_F2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 35A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.55 грн
15+116.67 грн
105+85.50 грн
510+64.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TS6P05G TS6P05G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P01G%20SERIES_M2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TS15P06G TS15P06G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P01G SERIES_N2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 15A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.39 грн
15+98.28 грн
105+69.55 грн
510+52.35 грн
1005+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSI20H100CW TSI20H100CW Taiwan Semiconductor Corporation TSI20H100CW-TSI20H200CW_E2104.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.70 грн
10+189.13 грн
100+154.94 грн
500+123.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSD20H100CW TSD20H100CW Taiwan Semiconductor Corporation TSD20H100CW%20SERIES_G2103.pdf Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 20A, 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSD20H100CW TSD20H100CW Taiwan Semiconductor Corporation TSD20H100CW%20SERIES_G2103.pdf Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 20A, 10
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.69 грн
10+168.48 грн
100+135.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SF68G SF68G Taiwan Semiconductor Corporation SF61G%20SERIES_G2105.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 6A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 1250
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04LDCR RLG TSM076NH04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM076NH04LDCR_D2207.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04LDCR RLG TSM076NH04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM076NH04LDCR_D2207.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 4425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+168.10 грн
10+103.98 грн
100+70.79 грн
500+53.09 грн
1000+51.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04DCR RLG TSM076NH04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM076NH04DCR_D2207.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1217pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04DCR RLG TSM076NH04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM076NH04DCR_D2207.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1217pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 4432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+168.10 грн
10+103.98 грн
100+70.79 грн
500+53.09 грн
1000+51.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MTZJ47S R0G MTZJ47S R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf Description: DIODE ZENER 46.5V 500MW DO34
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MTZJ7V5SA R0G MTZJ7V5SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf Description: DIODE ZENER 7.04V 500MW DO34
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MTZJ4V3SB R0G MTZJ4V3SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO34
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MTZJ6V2SB R0G MTZJ6V2SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf Description: DIODE ZENER 6.12V 500MW DO34
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP201G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP201G-KBP207G%20_E13_DS.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP201G C2 Taiwan Semiconductor Corporation KBP201G-KBP207G%20_E13_DS.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1KSMB15CAH 1KSMB15CAH Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=1KSMB15CAH Description: TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 47.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12.8V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.2V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER301G HER301G Taiwan Semiconductor Corporation HER301G SERIES_I2105.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ18CA R7 Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 1500W DO214AB SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 51.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 20V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C5V6 RYG BZY55C5V6 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT55C5V6 L1G BZT55C5V6 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C2V4_thru_BZT55C75.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW MINI MELF
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: Mini MELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA12CAH P4SMA12CAH Taiwan Semiconductor Corporation P4SMAH SERIES_A2102.pdf Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7V DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10.2V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16.7V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ30CAH SMAJ30CAH Taiwan Semiconductor Corporation SMAJH%20SERIES_A2102.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLS RVG S1DLS%20SERIES_H2103.pdf
S1JLS RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.49 грн
6000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLS RVG S1DLS%20SERIES_H2103.pdf
S1JLS RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 11945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.88 грн
12+28.82 грн
100+19.60 грн
500+13.79 грн
1000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UG8JH UG8J_I2103.pdf
UG8JH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.07 грн
10+68.80 грн
100+45.59 грн
500+33.44 грн
1000+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N750CP ROG TSM60N750_A14.pdf
TSM60N750CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N750CP ROG TSM60N750_A14.pdf
TSM60N750CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N750CH C5G TSM60N750_A14.pdf
TSM60N750CH C5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSN520M60
TSN520M60
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSN520M60 S4G
TSN520M60 S4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 60V 20A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR140SH MUR105SH SERIES_A2102.pdf
MUR140SH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.79 грн
6000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUR140S MUR105S SERIES_L2102.pdf
MUR140S
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.79 грн
6000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC25005W T0G GBPC15_25_35%20SERIES_L2103.pdf
GBPC25005W T0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC25005 T0G GBPC15_25_35%20SERIES_L2103.pdf
GBPC25005 T0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 25A GBPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC25005M T0G GBPC15_25_35%20SERIES_L2103.pdf
GBPC25005M T0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS40P06G TS40P05G SERIES_G2203.pdf
TS40P06G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 40A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.13 грн
15+129.33 грн
105+95.20 грн
510+72.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TS40P06GH TS40P05G SERIES_G2203.pdf
TS40P06GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 40A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.71 грн
15+134.29 грн
105+99.03 грн
510+75.65 грн
1005+70.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SA12CAH SA%20SERIES_L2105.pdf
SA12CAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF1004G SF1001G SERIES_K2104.pdf
SF1004G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ150CAH SMAJH SERIES_A2102.pdf
SMAJ150CAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 150V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 167V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 243V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ150CA R3G SMAJ%20SERIES_U2102.pdf
SMAJ150CA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 150V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 167V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 243V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3DFSH ESH3DFSH_B2103.pdf
ESH3DFSH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 3A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3DFSH ESH3DFSH_B2103.pdf
ESH3DFSH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 3A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.17 грн
11+30.81 грн
100+20.00 грн
500+14.98 грн
1000+10.85 грн
2000+10.52 грн
5000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R7G ESH3B%20SERIES_I2102.pdf
ESH3D R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D M6
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R7
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R6
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D V7G ESH3B%20SERIES_I2102.pdf
ESH3D V7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK32AHM2G SK32A%20SERIES_V2102.pdf
SK32AHM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSF20U60C MBR20xxCT_Rev.L13.pdf
TSF20U60C
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.70 грн
10+188.80 грн
100+151.77 грн
500+117.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TST20U60CW TST20U45CW-TST20U60CW_C2104.pdf
TST20U60CW
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU402H GBU401%20SERIES_M2103.pdf
GBU402H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE BRIDGE 4A 100V GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU403 GBU401%20SERIES_M2103.pdf
GBU403
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE BRIDGE 4A 200V GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU403H GBU401%20SERIES_M2103.pdf
GBU403H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE BRIDGE 4A 200V GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10H100CT MBRF10H100CT SERIES_I2105.pdf
MBRF10H100CT
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOTTKY 100V ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS4K60 TS4K40 SERIES_F2101.pdf
TS4K60
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A TS4K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS4K
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.76 грн
20+49.39 грн
100+38.41 грн
500+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TS20P05G TS20P01G SERIES_O2203.pdf
TS20P05G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 20A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.81 грн
15+97.45 грн
105+70.77 грн
510+53.33 грн
1005+49.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TS35P05G TS35P05G SERIES_F2203.pdf
TS35P05G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 35A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.55 грн
15+116.67 грн
105+85.50 грн
510+64.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TS6P05G TS6P01G%20SERIES_M2203.pdf
TS6P05G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TS15P06G TS15P01G SERIES_N2203.pdf
TS15P06G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 15A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.39 грн
15+98.28 грн
105+69.55 грн
510+52.35 грн
1005+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSI20H100CW TSI20H100CW-TSI20H200CW_E2104.pdf
TSI20H100CW
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.70 грн
10+189.13 грн
100+154.94 грн
500+123.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSD20H100CW TSD20H100CW%20SERIES_G2103.pdf
TSD20H100CW
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 20A, 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSD20H100CW TSD20H100CW%20SERIES_G2103.pdf
TSD20H100CW
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 20A, 10
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.69 грн
10+168.48 грн
100+135.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SF68G SF61G%20SERIES_G2105.pdf
SF68G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 6A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1250+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 1250
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04LDCR RLG TSM076NH04LDCR_D2207.pdf
TSM076NH04LDCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04LDCR RLG TSM076NH04LDCR_D2207.pdf
TSM076NH04LDCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 4425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.10 грн
10+103.98 грн
100+70.79 грн
500+53.09 грн
1000+51.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04DCR RLG TSM076NH04DCR_D2207.pdf
TSM076NH04DCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1217pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04DCR RLG TSM076NH04DCR_D2207.pdf
TSM076NH04DCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1217pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 4432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.10 грн
10+103.98 грн
100+70.79 грн
500+53.09 грн
1000+51.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MTZJ47S R0G MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf
MTZJ47S R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 46.5V 500MW DO34
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MTZJ7V5SA R0G MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf
MTZJ7V5SA R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 7.04V 500MW DO34
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MTZJ4V3SB R0G MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf
MTZJ4V3SB R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO34
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MTZJ6V2SB R0G MTZJ2V0SA%20SERIES_C1804.pdf
MTZJ6V2SB R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 6.12V 500MW DO34
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP201G C2G KBP201G-KBP207G%20_E13_DS.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP201G C2 KBP201G-KBP207G%20_E13_DS.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1KSMB15CAH pdf.php?pn=1KSMB15CAH
1KSMB15CAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 47.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12.8V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.2V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER301G HER301G SERIES_I2105.pdf
HER301G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ18CA R7
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 1500W DO214AB SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 51.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 20V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C5V6 RYG BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf
BZY55C5V6 RYG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT55C5V6 L1G BZT55C2V4_thru_BZT55C75.pdf
BZT55C5V6 L1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW MINI MELF
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: Mini MELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA12CAH P4SMAH SERIES_A2102.pdf
P4SMA12CAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7V DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10.2V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16.7V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ30CAH SMAJH%20SERIES_A2102.pdf
SMAJ30CAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 294 336 378 420  [ Наступна Сторінка >> ]