Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25142) > Сторінка 256 з 420

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 294 336 378 420  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
P4SMA24CA P4SMA24CA Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA SERIES_S2102.pdf Description: TVS DIODE 20.5VWM 33.2VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20.5V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33.2V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA24CAH P4SMA24CAH Taiwan Semiconductor Corporation P4SMAH SERIES_A2102.pdf Description: TVS DIODE 20.5VWM 33.2VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20.5V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33.2V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1635H MBR1635H Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=MBR1635 Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 35 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B3V0 RKG BZX585B3V0 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 3V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC43AH Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC43A R6 1.5SMC43A R6 Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 1500W DO214AB SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC43A R6G 1.5SMC43A R6G Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 1500W DO214AB SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC43A R7 1.5SMC43A R7 Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 1500W DO214AB SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER102G HER102G Taiwan Semiconductor Corporation HER101G SERIES_L2104.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2F ES2F Taiwan Semiconductor Corporation ES2A SERIES_L2102.pdf Description: DIODE STANDARD 300V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ES2FAH ES2FAH Taiwan Semiconductor Corporation ES2AAH SERIES_A2102.pdf Description: DIODE STANDARD 300V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
ES2FA ES2FA Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA SERIES_M2102.pdf Description: DIODE STANDARD 300V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2FH ES2FH Taiwan Semiconductor Corporation ES2AH SERIES_A2102.pdf Description: DIODE STANDARD 300V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLH S1JLH Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_Q2108.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLH S1JLH Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_Q2108.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 29696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.59 грн
12+29.36 грн
100+16.61 грн
500+10.32 грн
1000+7.91 грн
2000+6.88 грн
5000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S1JAL S1JAL Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 600V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JAL S1JAL Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 600V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.27 грн
13+25.86 грн
100+14.67 грн
500+9.12 грн
1000+6.99 грн
2000+6.08 грн
5000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S1JALH S1JALH Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 600V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JALH S1JALH Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 600V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLS RVG S1JLS RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.57 грн
6000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLS RVG S1JLS RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 11945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+37.13 грн
12+29.02 грн
100+19.73 грн
500+13.89 грн
1000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UG8JH UG8JH Taiwan Semiconductor Corporation UG8J_I2103.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+114.86 грн
10+69.27 грн
100+45.91 грн
500+33.67 грн
1000+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N750CP ROG TSM60N750CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N750_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N750CP ROG TSM60N750CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N750_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N750CH C5G TSM60N750CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N750_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSN520M60 TSN520M60 Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSN520M60 S4G TSN520M60 S4G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE STANDARD 60V 20A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR140SH MUR140SH Taiwan Semiconductor Corporation MUR105SH SERIES_A2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.84 грн
6000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUR140S MUR140S Taiwan Semiconductor Corporation MUR105S SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.84 грн
6000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC25005W T0G GBPC25005W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC15_25_35%20SERIES_L2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC25005 T0G GBPC25005 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC15_25_35%20SERIES_L2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 25A GBPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC25005M T0G GBPC25005M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC15_25_35%20SERIES_L2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS40P06G TS40P06G Taiwan Semiconductor Corporation TS40P05G SERIES_G2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 40A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.67 грн
15+130.23 грн
105+95.87 грн
510+73.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TS40P06GH TS40P06GH Taiwan Semiconductor Corporation TS40P05G SERIES_G2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 40A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.31 грн
15+135.22 грн
105+99.72 грн
510+76.17 грн
1005+70.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SA12CAH SA12CAH Taiwan Semiconductor Corporation SA%20SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF1004G SF1004G Taiwan Semiconductor Corporation SF1001G SERIES_K2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ150CAH SMAJ150CAH Taiwan Semiconductor Corporation SMAJH SERIES_A2102.pdf Description: TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 150V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 167V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 243V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ150CA R3G SMAJ150CA R3G Taiwan Semiconductor Corporation SMAJ%20SERIES_U2102.pdf Description: TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 150V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 167V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 243V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3DFSH ESH3DFSH Taiwan Semiconductor Corporation ESH3DFSH_B2103.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3DFSH ESH3DFSH Taiwan Semiconductor Corporation ESH3DFSH_B2103.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+41.45 грн
11+31.02 грн
100+20.14 грн
500+15.08 грн
1000+10.93 грн
2000+10.59 грн
5000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R7G ESH3D R7G Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B%20SERIES_I2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R6G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D M6 Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R7 Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R6 Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D V7G ESH3D V7G Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B%20SERIES_I2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK32AHM2G SK32AHM2G Taiwan Semiconductor Corporation SK32A%20SERIES_V2102.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSF20U60C TSF20U60C Taiwan Semiconductor Corporation MBR20xxCT_Rev.L13.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.22 грн
10+190.11 грн
100+152.83 грн
500+117.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TST20U60CW TST20U60CW Taiwan Semiconductor Corporation TST20U45CW-TST20U60CW_C2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU402H GBU402H Taiwan Semiconductor Corporation GBU401%20SERIES_M2103.pdf Description: DIODE BRIDGE 4A 100V GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU403 GBU403 Taiwan Semiconductor Corporation GBU401%20SERIES_M2103.pdf Description: DIODE BRIDGE 4A 200V GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU403H GBU403H Taiwan Semiconductor Corporation GBU401%20SERIES_M2103.pdf Description: DIODE BRIDGE 4A 200V GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10H100CT MBRF10H100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10H100CT SERIES_I2105.pdf Description: DIODE ARR SCHOTTKY 100V ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS4K60 TS4K60 Taiwan Semiconductor Corporation TS4K40 SERIES_F2101.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A TS4K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS4K
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.36 грн
20+49.73 грн
100+38.68 грн
500+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TS20P05G TS20P05G Taiwan Semiconductor Corporation TS20P01G SERIES_O2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 20A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+170.99 грн
15+98.13 грн
105+71.27 грн
510+53.70 грн
1005+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TS35P05G TS35P05G Taiwan Semiconductor Corporation TS35P05G SERIES_F2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 35A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.95 грн
15+117.48 грн
105+86.09 грн
510+65.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TS6P05G TS6P05G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P01G%20SERIES_M2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TS15P06G TS15P06G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P01G SERIES_N2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 15A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.63 грн
15+98.96 грн
105+70.04 грн
510+52.71 грн
1005+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSI20H100CW TSI20H100CW Taiwan Semiconductor Corporation TSI20H100CW-TSI20H200CW_E2104.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.22 грн
10+190.44 грн
100+156.02 грн
500+124.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSD20H100CW TSD20H100CW Taiwan Semiconductor Corporation TSD20H100CW%20SERIES_G2103.pdf Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 20A, 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA24CA P4SMA SERIES_S2102.pdf
P4SMA24CA
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 20.5VWM 33.2VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20.5V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33.2V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA24CAH P4SMAH SERIES_A2102.pdf
P4SMA24CAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 20.5VWM 33.2VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20.5V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33.2V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1635H pdf.php?pn=MBR1635
MBR1635H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 35 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B3V0 RKG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B3V0 RKG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC43AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC43A R6
1.5SMC43A R6
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 1500W DO214AB SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC43A R6G
1.5SMC43A R6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 1500W DO214AB SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC43A R7
1.5SMC43A R7
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 1500W DO214AB SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER102G HER101G SERIES_L2104.pdf
HER102G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2F ES2A SERIES_L2102.pdf
ES2F
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 300V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ES2FAH ES2AAH SERIES_A2102.pdf
ES2FAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 300V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7500+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
ES2FA ES2AA SERIES_M2102.pdf
ES2FA
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 300V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2FH ES2AH SERIES_A2102.pdf
ES2FH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 300V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLH S1AL%20SERIES_Q2108.pdf
S1JLH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLH S1AL%20SERIES_Q2108.pdf
S1JLH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 29696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.59 грн
12+29.36 грн
100+16.61 грн
500+10.32 грн
1000+7.91 грн
2000+6.88 грн
5000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S1JAL
S1JAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JAL
S1JAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.27 грн
13+25.86 грн
100+14.67 грн
500+9.12 грн
1000+6.99 грн
2000+6.08 грн
5000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S1JALH
S1JALH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JALH
S1JALH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLS RVG S1DLS%20SERIES_H2103.pdf
S1JLS RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.57 грн
6000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLS RVG S1DLS%20SERIES_H2103.pdf
S1JLS RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 11945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.13 грн
12+29.02 грн
100+19.73 грн
500+13.89 грн
1000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UG8JH UG8J_I2103.pdf
UG8JH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.86 грн
10+69.27 грн
100+45.91 грн
500+33.67 грн
1000+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N750CP ROG TSM60N750_A14.pdf
TSM60N750CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N750CP ROG TSM60N750_A14.pdf
TSM60N750CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60N750CH C5G TSM60N750_A14.pdf
TSM60N750CH C5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSN520M60
TSN520M60
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSN520M60 S4G
TSN520M60 S4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 60V 20A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR140SH MUR105SH SERIES_A2102.pdf
MUR140SH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.84 грн
6000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUR140S MUR105S SERIES_L2102.pdf
MUR140S
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.84 грн
6000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC25005W T0G GBPC15_25_35%20SERIES_L2103.pdf
GBPC25005W T0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC25005 T0G GBPC15_25_35%20SERIES_L2103.pdf
GBPC25005 T0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 25A GBPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC25005M T0G GBPC15_25_35%20SERIES_L2103.pdf
GBPC25005M T0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS40P06G TS40P05G SERIES_G2203.pdf
TS40P06G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 40A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.67 грн
15+130.23 грн
105+95.87 грн
510+73.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TS40P06GH TS40P05G SERIES_G2203.pdf
TS40P06GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 40A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.31 грн
15+135.22 грн
105+99.72 грн
510+76.17 грн
1005+70.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SA12CAH SA%20SERIES_L2105.pdf
SA12CAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF1004G SF1001G SERIES_K2104.pdf
SF1004G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ150CAH SMAJH SERIES_A2102.pdf
SMAJ150CAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 150V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 167V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 243V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ150CA R3G SMAJ%20SERIES_U2102.pdf
SMAJ150CA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 150V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 167V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 243V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3DFSH ESH3DFSH_B2103.pdf
ESH3DFSH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 3A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3DFSH ESH3DFSH_B2103.pdf
ESH3DFSH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 3A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.45 грн
11+31.02 грн
100+20.14 грн
500+15.08 грн
1000+10.93 грн
2000+10.59 грн
5000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R7G ESH3B%20SERIES_I2102.pdf
ESH3D R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D M6
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R7
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D R6
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D V7G ESH3B%20SERIES_I2102.pdf
ESH3D V7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK32AHM2G SK32A%20SERIES_V2102.pdf
SK32AHM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSF20U60C MBR20xxCT_Rev.L13.pdf
TSF20U60C
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.22 грн
10+190.11 грн
100+152.83 грн
500+117.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TST20U60CW TST20U45CW-TST20U60CW_C2104.pdf
TST20U60CW
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU402H GBU401%20SERIES_M2103.pdf
GBU402H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE BRIDGE 4A 100V GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU403 GBU401%20SERIES_M2103.pdf
GBU403
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE BRIDGE 4A 200V GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU403H GBU401%20SERIES_M2103.pdf
GBU403H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE BRIDGE 4A 200V GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10H100CT MBRF10H100CT SERIES_I2105.pdf
MBRF10H100CT
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOTTKY 100V ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS4K60 TS4K40 SERIES_F2101.pdf
TS4K60
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A TS4K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS4K
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.36 грн
20+49.73 грн
100+38.68 грн
500+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TS20P05G TS20P01G SERIES_O2203.pdf
TS20P05G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 20A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.99 грн
15+98.13 грн
105+71.27 грн
510+53.70 грн
1005+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TS35P05G TS35P05G SERIES_F2203.pdf
TS35P05G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 35A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.95 грн
15+117.48 грн
105+86.09 грн
510+65.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TS6P05G TS6P01G%20SERIES_M2203.pdf
TS6P05G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TS15P06G TS15P01G SERIES_N2203.pdf
TS15P06G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 15A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.63 грн
15+98.96 грн
105+70.04 грн
510+52.71 грн
1005+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSI20H100CW TSI20H100CW-TSI20H200CW_E2104.pdf
TSI20H100CW
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.22 грн
10+190.44 грн
100+156.02 грн
500+124.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSD20H100CW TSD20H100CW%20SERIES_G2103.pdf
TSD20H100CW
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 20A, 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 294 336 378 420  [ Наступна Сторінка >> ]