| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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TPH1500CNH1,LQ(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH1500CNH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 74 A, 0.013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TPH1400CQH,LQ(M1 | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH1400CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 32 A, 0.0114 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V Verlustleistung: 170W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm |
на замовлення 3720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TPH1400CQH,LQ(M1 | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH1400CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 32 A, 0.0114 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V Verlustleistung: 170W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm |
на замовлення 3720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TPH6R008QM,LQ(M1 | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH6R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 135W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm |
на замовлення 3935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TPH6R008QM,LQ(M1 | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH6R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 135W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm |
на замовлення 3935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TPH1500CNH1,LQ(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH1500CNH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 74 A, 0.013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TBD62384AFWG(Z,EHZ | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TBD62384AFWG(Z,EHZ - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 8 Ausgänge, PSOP, -40°C bis 85°CtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 500mA isCanonical: Y Ausgangsspannung: 50V Versorgungsspannung, min.: 4.5V Bauform - Treiber: PSOP SVHC: To Be Advised Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TBD62384AFWG(Z,EHZ | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TBD62384AFWG(Z,EHZ - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 8 Ausgänge, PSOP, -40°C bis 85°CtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 500mA isCanonical: N Ausgangsspannung: 50V Versorgungsspannung, min.: 4.5V Bauform - Treiber: PSOP SVHC: To Be Advised Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TBD62304AFWG(Z,EHZ | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TBD62304AFWG(Z,EHZ - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 7 Ausgänge, PSOP, -40°C bis 85°CtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 500mA isCanonical: N Ausgangsspannung: 50V Versorgungsspannung, min.: 4.5V Bauform - Treiber: PSOP SVHC: To Be Advised Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TBD62304AFWG(Z,EHZ | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TBD62304AFWG(Z,EHZ - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 7 Ausgänge, PSOP, -40°C bis 85°CtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 500mA isCanonical: Y Ausgangsspannung: 50V Versorgungsspannung, min.: 4.5V Bauform - Treiber: PSOP SVHC: To Be Advised Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TK16E60W5,S1VX(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK16E60W5,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 130W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm |
на замовлення 1019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TK090E65Z,S1X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK090E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 230W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TPN14006NH,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPN14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.011 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 30W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
на замовлення 2757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TK40A06N1,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK40A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0084 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TK4R3A06PL,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK4R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 68 A, 3300 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 36W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TK3R3A06PL,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK3R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 88 A, 2500 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 42W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TK560A60Y,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK560A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 30W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm |
на замовлення 645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TLP151A(TPL,E(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP151A(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 5 Pin(s), 3.75 kVrms tariffCode: 85414900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: To Be Advised Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 5Pin(s) euEccn: NLR Isolationsspannung: 3.75kVrms isCanonical: N hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
на замовлення 847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TLP151A(TPL,E(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP151A(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 5 Pin(s), 3.75 kVrms tariffCode: 85414900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: To Be Advised Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 5Pin(s) euEccn: NLR Isolationsspannung: 3.75kVrms isCanonical: Y hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
на замовлення 847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TLP2348(E(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP2348(E(T - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 10 Mbps, SOP, 5 Pin(s), TLP234tariffCode: 85414900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 5Pin(s) Isolationsspannung: 3.75kV euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOP rohsPhthalatesCompliant: YES Übertragungsrate: 10Mbps usEccn: EAR99 Produktpalette: TLP234 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TLP3483(TP,E(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP3483(TP,E(O - Optokoppler, 1 Kanal, P-SON, 4 Pin(s), 500 V tariffCode: 85364110 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 4Pin(s) Isolationsspannung: 500V euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: P-SON rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| TLP3483(TP,E(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP3483(TP,E(O - Optokoppler, 1 Kanal, P-SON, 4 Pin(s), 500 V tariffCode: 85364110 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 4Pin(s) Isolationsspannung: 500V euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: P-SON rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |
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TLP3475W(TP,E(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP3475W(TP,E(O - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 400 mA, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85414900 euEccn: NLR Art der Last: AC/DC rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA Isolationsspannung: 300Vrms SVHC: To Be Advised Lastspannung, max.: 60V Relaismontage: Oberflächenmontage Kontaktform: SPST-NO (1 Form A) Laststrom: 400mA Produktpalette: - productTraceability: No I/O-Kapazität: 0.9pF usEccn: EAR99 Bauform MOSFET-Relais: WSON Durchlasswiderstand, max.: 1.5ohm |
на замовлення 1423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TLP3412SRLA(TP,E(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP3412SRLA(TP,E(O - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), 60 V, 400 mA, S-VSON-4, OberflächenmontagetariffCode: 85364900 euEccn: NLR Art der Last: - rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA Isolationsspannung: 500Vrms SVHC: To Be Advised Lastspannung, max.: 60V Relaismontage: Oberflächenmontage Kontaktform: SPST-NO (1 Form A) Laststrom: 400mA Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code I/O-Kapazität: 1pF usEccn: EAR99 Bauform MOSFET-Relais: S-VSON-4 Durchlasswiderstand, max.: 1.5ohm |
на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TLP3475W(TP,E(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP3475W(TP,E(O - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 400 mA, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85414900 euEccn: NLR Art der Last: AC/DC rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: N Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA Isolationsspannung: 300Vrms SVHC: To Be Advised Lastspannung, max.: 60V Relaismontage: Oberflächenmontage Kontaktform: SPST-NO (1 Form A) Laststrom: 400mA Produktpalette: - productTraceability: No I/O-Kapazität: 0.9pF usEccn: EAR99 Bauform MOSFET-Relais: WSON Durchlasswiderstand, max.: 1.5ohm |
на замовлення 1423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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TLP3412SRLA(TP,E(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP3412SRLA(TP,E(O - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), 60 V, 400 mA, S-VSON-4, OberflächenmontagetariffCode: 85364900 euEccn: NLR Art der Last: - rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA Isolationsspannung: 500Vrms SVHC: To Be Advised Lastspannung, max.: 60V Relaismontage: Oberflächenmontage Kontaktform: SPST-NO (1 Form A) Laststrom: 400mA Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code I/O-Kapazität: 1pF usEccn: EAR99 Bauform MOSFET-Relais: S-VSON-4 Durchlasswiderstand, max.: 1.5ohm |
на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TLP2735(TP,E(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP2735(TP,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kVrms, 5 Mbps, SOIC, 6 Pin(s) tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kVrms SVHC: To Be Advised Bauform - Optokoppler: SOIC Anzahl der Pins: 6Pin(s) Übertragungsrate: 5Mbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TLP2735(TP,E(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP2735(TP,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kVrms, 5 Mbps, SOIC, 6 Pin(s) tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Isolationsspannung: 5kVrms SVHC: To Be Advised Bauform - Optokoppler: SOIC Anzahl der Pins: 6Pin(s) Übertragungsrate: 5Mbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TLP2719(TP,E(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP2719(TP,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 6 Pin(s), 25 mA, 5 kVrms, 20 % tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 20% isCanonical: Y usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kVrms Durchlassstrom If, max.: 25mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: - Bauform - Optokoppler: SOIC Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TLP2719(TP,E(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP2719(TP,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 6 Pin(s), 25 mA, 5 kVrms, 20 % tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 20% isCanonical: N usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kVrms Durchlassstrom If, max.: 25mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: - Bauform - Optokoppler: SOIC Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TLP2312(TPL,E(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP2312(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kVrms, 5 Mbps, SOIC, 5 Pin(s) tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Isolationsspannung: 3.75kVrms SVHC: To Be Advised Bauform - Optokoppler: SOIC Anzahl der Pins: 5Pin(s) Übertragungsrate: 5Mbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 3333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TLP172AM(TPR,E(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP172AM(TPR,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 500 mA, SOP-4, OberflächenmontagetariffCode: 85415900 euEccn: NLR Art der Last: AC/DC rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Gull-Wing hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA Isolationsspannung: 3.75kV SVHC: To Be Advised Lastspannung, max.: 60V Relaismontage: Oberflächenmontage Kontaktform: SPST-NO (1 Form A) Laststrom: 500mA Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code I/O-Kapazität: 0.8pF usEccn: EAR99 Bauform MOSFET-Relais: SOP-4 Durchlasswiderstand, max.: 2ohm |
на замовлення 16895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TLP2312(TPL,E(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP2312(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kVrms, 5 Mbps, SOIC, 5 Pin(s) tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Isolationsspannung: 3.75kVrms SVHC: To Be Advised Bauform - Optokoppler: SOIC Anzahl der Pins: 5Pin(s) Übertragungsrate: 5Mbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 3333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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XPN1300ANC,L1XHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPN1300ANC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0133 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 100W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TSON Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm |
на замовлення 3489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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XPN1300ANC,L1XHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPN1300ANC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0133 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 100W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TSON Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm |
на замовлення 3489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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XPH13016MC,L1XHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPH13016MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0129 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 132W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm |
на замовлення 2672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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XPN6R706NC,L1XHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPN6R706NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6700 µohm, TSON Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 100W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TSON Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm |
на замовлення 3015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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XPN6R706NC,L1XHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPN6R706NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6700 µohm, TSON Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 100W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TSON Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm |
на замовлення 3015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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SSM6J501NU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6J501NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.012 ohm, SOT-1220, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
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SSM6J501NU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6J501NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.012 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-1220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
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TK35N65W5,S1F(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK35N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TK5R1P08QM,RQ(S2 | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TK5R1P08QM,RQ(S2 | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TW140N120C,S1F(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TW140N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.182 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 107W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TK18A50D(STA4,X,M) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK18A50D(STA4,X,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.22 ohm, SC-67, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: SC-67 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TPD4164K,F(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPD4164K,F(S - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 1 Ausgang, 13.5-16.5V Versorgung, 2Aout, -40 bis 135°C, HDIP-30tariffCode: 85423990 euEccn: NLR IC-Typ: Motortreiber rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Ausgangsstrom: 2A Motortyp: Bürstenloser Drei-Phasen-DC-Motor Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: HDIP Ausgangsspannung: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 13.5V SVHC: To Be Advised Anzahl der Pins: 30Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 16.5V Betriebstemperatur, max.: 135°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TPD4163K,F(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPD4163K,F(S - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 1 Ausgang, 13.5-16.5V Versorgung, 1Aout, -40 bis 135°C, HDIP-30tariffCode: 85423990 euEccn: NLR IC-Typ: Motortreiber rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Ausgangsstrom: 1A Motortyp: Bürstenloser Drei-Phasen-DC-Motor Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: HDIP Ausgangsspannung: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 13.5V SVHC: To Be Advised Anzahl der Pins: 30Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 16.5V Betriebstemperatur, max.: 135°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TPW1R104PB,L1Q(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPW1R104PB,L1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 950 µohm, DSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 132W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm |
на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TPW1R104PB,L1Q(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPW1R104PB,L1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 950 µohm, DSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 132W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm |
на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TK7R7P10PL,RQ(S2 | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK7R7P10PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 93W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm |
на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TK7R7P10PL,RQ(S2 | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK7R7P10PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 93W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm |
на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SSM6L820R,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6L820R,LXHF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.0391 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP-F Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSVII-H/U-MOSVI Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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XPQ1R00AQB,LXHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPQ1R00AQB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1030 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 750W Bauform - Transistor: L-TOGL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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XPQR3004PB,LXHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPQR3004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 300 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 400A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 750W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: L-TOGL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 300µohm |
на замовлення 1405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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XPJ1R004PB,LXHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPJ1R004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1000 µohm, S-TOGL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 223W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: S-TOGL Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm |
на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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XPQR3004PB,LXHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPQR3004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 300 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 400A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 750W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: L-TOGL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 300µohm |
на замовлення 1405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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XPJ1R004PB,LXHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPJ1R004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1000 µohm, S-TOGL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 223W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: S-TOGL Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm |
на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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XPQ1R00AQB,LXHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPQ1R00AQB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1030 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 750W Bauform - Transistor: L-TOGL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TK290P60Y,RQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK290P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 100W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TK290P60Y,RQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK290P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 100W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TPH1500CNH1,LQ(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1500CNH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 74 A, 0.013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH1500CNH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 74 A, 0.013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPH1400CQH,LQ(M1 |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1400CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 32 A, 0.0114 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
Description: TOSHIBA - TPH1400CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 32 A, 0.0114 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPH1400CQH,LQ(M1 |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1400CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 32 A, 0.0114 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
Description: TOSHIBA - TPH1400CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 32 A, 0.0114 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPH6R008QM,LQ(M1 |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH6R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 135W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
Description: TOSHIBA - TPH6R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 135W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPH6R008QM,LQ(M1 |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH6R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 135W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
Description: TOSHIBA - TPH6R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 135W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPH1500CNH1,LQ(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1500CNH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 74 A, 0.013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH1500CNH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 74 A, 0.013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TBD62384AFWG(Z,EHZ |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBD62384AFWG(Z,EHZ - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 8 Ausgänge, PSOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
isCanonical: Y
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Bauform - Treiber: PSOP
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
Description: TOSHIBA - TBD62384AFWG(Z,EHZ - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 8 Ausgänge, PSOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
isCanonical: Y
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Bauform - Treiber: PSOP
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TBD62384AFWG(Z,EHZ |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBD62384AFWG(Z,EHZ - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 8 Ausgänge, PSOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
isCanonical: N
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Bauform - Treiber: PSOP
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
Description: TOSHIBA - TBD62384AFWG(Z,EHZ - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 8 Ausgänge, PSOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
isCanonical: N
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Bauform - Treiber: PSOP
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TBD62304AFWG(Z,EHZ |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBD62304AFWG(Z,EHZ - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 7 Ausgänge, PSOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
isCanonical: N
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Bauform - Treiber: PSOP
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge
Description: TOSHIBA - TBD62304AFWG(Z,EHZ - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 7 Ausgänge, PSOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
isCanonical: N
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Bauform - Treiber: PSOP
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TBD62304AFWG(Z,EHZ |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBD62304AFWG(Z,EHZ - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 7 Ausgänge, PSOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
isCanonical: Y
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Bauform - Treiber: PSOP
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge
Description: TOSHIBA - TBD62304AFWG(Z,EHZ - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 7 Ausgänge, PSOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
isCanonical: Y
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Bauform - Treiber: PSOP
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK16E60W5,S1VX(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK16E60W5,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
Description: TOSHIBA - TK16E60W5,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK090E65Z,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK090E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
Description: TOSHIBA - TK090E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPN14006NH,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
Description: TOSHIBA - TPN14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK40A06N1,S4X(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK40A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0084 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK40A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0084 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK4R3A06PL,S4X(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 68 A, 3300 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 36W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
Description: TOSHIBA - TK4R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 68 A, 3300 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 36W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK3R3A06PL,S4X(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 88 A, 2500 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
Description: TOSHIBA - TK3R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 88 A, 2500 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK560A60Y,S4X(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK560A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
Description: TOSHIBA - TK560A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLP151A(TPL,E(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP151A(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 5 Pin(s), 3.75 kVrms
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
euEccn: NLR
Isolationsspannung: 3.75kVrms
isCanonical: N
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
Description: TOSHIBA - TLP151A(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 5 Pin(s), 3.75 kVrms
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
euEccn: NLR
Isolationsspannung: 3.75kVrms
isCanonical: N
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLP151A(TPL,E(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP151A(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 5 Pin(s), 3.75 kVrms
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
euEccn: NLR
Isolationsspannung: 3.75kVrms
isCanonical: Y
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
Description: TOSHIBA - TLP151A(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 5 Pin(s), 3.75 kVrms
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
euEccn: NLR
Isolationsspannung: 3.75kVrms
isCanonical: Y
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLP2348(E(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2348(E(T - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 10 Mbps, SOP, 5 Pin(s), TLP234
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 10Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: TLP234
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: TOSHIBA - TLP2348(E(T - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 10 Mbps, SOP, 5 Pin(s), TLP234
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 10Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: TLP234
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLP3483(TP,E(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP3483(TP,E(O - Optokoppler, 1 Kanal, P-SON, 4 Pin(s), 500 V
tariffCode: 85364110
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 500V
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: P-SON
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TLP3483(TP,E(O - Optokoppler, 1 Kanal, P-SON, 4 Pin(s), 500 V
tariffCode: 85364110
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 500V
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: P-SON
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLP3483(TP,E(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP3483(TP,E(O - Optokoppler, 1 Kanal, P-SON, 4 Pin(s), 500 V
tariffCode: 85364110
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 500V
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: P-SON
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TLP3483(TP,E(O - Optokoppler, 1 Kanal, P-SON, 4 Pin(s), 500 V
tariffCode: 85364110
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 500V
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: P-SON
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLP3475W(TP,E(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP3475W(TP,E(O - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 400 mA, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 300Vrms
SVHC: To Be Advised
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 400mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 0.9pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: WSON
Durchlasswiderstand, max.: 1.5ohm
Description: TOSHIBA - TLP3475W(TP,E(O - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 400 mA, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 300Vrms
SVHC: To Be Advised
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 400mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 0.9pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: WSON
Durchlasswiderstand, max.: 1.5ohm
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLP3412SRLA(TP,E(O |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP3412SRLA(TP,E(O - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), 60 V, 400 mA, S-VSON-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
euEccn: NLR
Art der Last: -
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 500Vrms
SVHC: To Be Advised
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 400mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: S-VSON-4
Durchlasswiderstand, max.: 1.5ohm
Description: TOSHIBA - TLP3412SRLA(TP,E(O - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), 60 V, 400 mA, S-VSON-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
euEccn: NLR
Art der Last: -
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 500Vrms
SVHC: To Be Advised
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 400mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: S-VSON-4
Durchlasswiderstand, max.: 1.5ohm
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLP3475W(TP,E(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP3475W(TP,E(O - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 400 mA, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 300Vrms
SVHC: To Be Advised
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 400mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 0.9pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: WSON
Durchlasswiderstand, max.: 1.5ohm
Description: TOSHIBA - TLP3475W(TP,E(O - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 400 mA, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 300Vrms
SVHC: To Be Advised
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 400mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 0.9pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: WSON
Durchlasswiderstand, max.: 1.5ohm
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLP3412SRLA(TP,E(O |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP3412SRLA(TP,E(O - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), 60 V, 400 mA, S-VSON-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
euEccn: NLR
Art der Last: -
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 500Vrms
SVHC: To Be Advised
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 400mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: S-VSON-4
Durchlasswiderstand, max.: 1.5ohm
Description: TOSHIBA - TLP3412SRLA(TP,E(O - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), 60 V, 400 mA, S-VSON-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
euEccn: NLR
Art der Last: -
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 500Vrms
SVHC: To Be Advised
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 400mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: S-VSON-4
Durchlasswiderstand, max.: 1.5ohm
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLP2735(TP,E(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2735(TP,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kVrms, 5 Mbps, SOIC, 6 Pin(s)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kVrms
SVHC: To Be Advised
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Übertragungsrate: 5Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - TLP2735(TP,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kVrms, 5 Mbps, SOIC, 6 Pin(s)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kVrms
SVHC: To Be Advised
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Übertragungsrate: 5Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLP2735(TP,E(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2735(TP,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kVrms, 5 Mbps, SOIC, 6 Pin(s)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Isolationsspannung: 5kVrms
SVHC: To Be Advised
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Übertragungsrate: 5Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - TLP2735(TP,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kVrms, 5 Mbps, SOIC, 6 Pin(s)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Isolationsspannung: 5kVrms
SVHC: To Be Advised
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Übertragungsrate: 5Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLP2719(TP,E(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2719(TP,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 6 Pin(s), 25 mA, 5 kVrms, 20 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kVrms
Durchlassstrom If, max.: 25mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TLP2719(TP,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 6 Pin(s), 25 mA, 5 kVrms, 20 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kVrms
Durchlassstrom If, max.: 25mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLP2719(TP,E(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2719(TP,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 6 Pin(s), 25 mA, 5 kVrms, 20 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kVrms
Durchlassstrom If, max.: 25mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TLP2719(TP,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 6 Pin(s), 25 mA, 5 kVrms, 20 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kVrms
Durchlassstrom If, max.: 25mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLP2312(TPL,E(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2312(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kVrms, 5 Mbps, SOIC, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Isolationsspannung: 3.75kVrms
SVHC: To Be Advised
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Übertragungsrate: 5Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - TLP2312(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kVrms, 5 Mbps, SOIC, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Isolationsspannung: 3.75kVrms
SVHC: To Be Advised
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Übertragungsrate: 5Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 3333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLP172AM(TPR,E(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP172AM(TPR,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 500 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415900
euEccn: NLR
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
SVHC: To Be Advised
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 500mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 2ohm
Description: TOSHIBA - TLP172AM(TPR,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 500 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415900
euEccn: NLR
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
SVHC: To Be Advised
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 500mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 2ohm
на замовлення 16895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLP2312(TPL,E(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2312(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kVrms, 5 Mbps, SOIC, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 3.75kVrms
SVHC: To Be Advised
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Übertragungsrate: 5Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - TLP2312(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kVrms, 5 Mbps, SOIC, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 3.75kVrms
SVHC: To Be Advised
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Übertragungsrate: 5Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 3333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| XPN1300ANC,L1XHQ(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPN1300ANC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0133 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
Description: TOSHIBA - XPN1300ANC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0133 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
на замовлення 3489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| XPN1300ANC,L1XHQ(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPN1300ANC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0133 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
Description: TOSHIBA - XPN1300ANC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0133 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
на замовлення 3489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| XPH13016MC,L1XHQ(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPH13016MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0129 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 132W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
Description: TOSHIBA - XPH13016MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0129 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 132W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| XPN6R706NC,L1XHQ(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPN6R706NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6700 µohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
Description: TOSHIBA - XPN6R706NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6700 µohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| XPN6R706NC,L1XHQ(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPN6R706NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6700 µohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
Description: TOSHIBA - XPN6R706NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6700 µohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM6J501NU,LF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J501NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.012 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM6J501NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.012 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM6J501NU,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J501NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.012 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM6J501NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.012 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK35N65W5,S1F(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK35N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK35N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK5R1P08QM,RQ(S2 |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK5R1P08QM,RQ(S2 |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TW140N120C,S1F(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW140N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.182 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 107W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
Description: TOSHIBA - TW140N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.182 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 107W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK18A50D(STA4,X,M) |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK18A50D(STA4,X,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.22 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK18A50D(STA4,X,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.22 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPD4164K,F(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPD4164K,F(S - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 1 Ausgang, 13.5-16.5V Versorgung, 2Aout, -40 bis 135°C, HDIP-30
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: Bürstenloser Drei-Phasen-DC-Motor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HDIP
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 13.5V
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Betriebstemperatur, max.: 135°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: TOSHIBA - TPD4164K,F(S - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 1 Ausgang, 13.5-16.5V Versorgung, 2Aout, -40 bis 135°C, HDIP-30
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: Bürstenloser Drei-Phasen-DC-Motor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HDIP
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 13.5V
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Betriebstemperatur, max.: 135°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPD4163K,F(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPD4163K,F(S - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 1 Ausgang, 13.5-16.5V Versorgung, 1Aout, -40 bis 135°C, HDIP-30
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 1A
Motortyp: Bürstenloser Drei-Phasen-DC-Motor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HDIP
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 13.5V
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Betriebstemperatur, max.: 135°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: TOSHIBA - TPD4163K,F(S - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 1 Ausgang, 13.5-16.5V Versorgung, 1Aout, -40 bis 135°C, HDIP-30
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 1A
Motortyp: Bürstenloser Drei-Phasen-DC-Motor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HDIP
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 13.5V
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 16.5V
Betriebstemperatur, max.: 135°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPW1R104PB,L1Q(O |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW1R104PB,L1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 950 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 132W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
Description: TOSHIBA - TPW1R104PB,L1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 950 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 132W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPW1R104PB,L1Q(O |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW1R104PB,L1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 950 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 132W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
Description: TOSHIBA - TPW1R104PB,L1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 950 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 132W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK7R7P10PL,RQ(S2 |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7R7P10PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 93W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
Description: TOSHIBA - TK7R7P10PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 93W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK7R7P10PL,RQ(S2 |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7R7P10PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 93W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
Description: TOSHIBA - TK7R7P10PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 93W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM6L820R,LXHF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6L820R,LXHF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP-F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H/U-MOSVI Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM6L820R,LXHF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP-F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H/U-MOSVI Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| XPQ1R00AQB,LXHQ(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPQ1R00AQB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1030 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - XPQ1R00AQB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1030 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| XPQR3004PB,LXHQ(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPQR3004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 300 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 750W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 300µohm
Description: TOSHIBA - XPQR3004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 300 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 750W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 300µohm
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| XPJ1R004PB,LXHQ(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPJ1R004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1000 µohm, S-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 223W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: S-TOGL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
Description: TOSHIBA - XPJ1R004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1000 µohm, S-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 223W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: S-TOGL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| XPQR3004PB,LXHQ(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPQR3004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 300 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 750W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 300µohm
Description: TOSHIBA - XPQR3004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 300 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 750W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 300µohm
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| XPJ1R004PB,LXHQ(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPJ1R004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1000 µohm, S-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 223W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: S-TOGL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
Description: TOSHIBA - XPJ1R004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1000 µohm, S-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 223W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: S-TOGL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| XPQ1R00AQB,LXHQ(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPQ1R00AQB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1030 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - XPQ1R00AQB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1030 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK290P60Y,RQ(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK290P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
Description: TOSHIBA - TK290P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK290P60Y,RQ(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK290P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
Description: TOSHIBA - TK290P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)


























