Продукція > UMW > Всі товари виробника UMW (1675) > Сторінка 19 з 28

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SG3525AP UMW en.CD00000958.pdf Regulating Pulse Width Modulator 400mA 35V 400kHz 0~70°C Replacement for: SG3525AP, SG3525AP013TR, E-SG3525AP SG3525AP UMW ULSG3525a smd UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SG3525AP UMW en.CD00000958.pdf Regulating Pulse Width Modulator 400mA 35V 400kHz 0~70°C Replacement for: SG3525AP, SG3525AP013TR, E-SG3525AP SG3525AP UMW ULSG3525a smd UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SGM3157 SGM3157 UMW SGM3157.pdf Description: IC SW SPDT-NO/NCX1 7OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 7Ohm (Typ)
-3db Bandwidth: 350MHz
Supplier Device Package: SC70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 7pC
Crosstalk: -54dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 150mOhm (Typ)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 5.2ns, 3.5ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA (Max)
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGM3157 SGM3157 UMW SGM3157.pdf Description: IC SW SPDT-NO/NCX1 7OHM SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 7Ohm (Typ)
-3db Bandwidth: 350MHz
Supplier Device Package: SC70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 7pC
Crosstalk: -54dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 150mOhm (Typ)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 5.2ns, 3.5ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA (Max)
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.99 грн
15+21.48 грн
25+19.21 грн
100+15.61 грн
250+14.47 грн
500+13.78 грн
1000+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300A SI2300A UMW SI2300A.pdf Description: 20V 6A 25MR@4.5V,6A 1V@50A N CHA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300A SI2300A UMW SI2300A.pdf Description: 20V 6A 25MR@4.5V,6A 1V@50A N CHA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 10 V
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.93 грн
12+27.33 грн
100+17.50 грн
500+12.45 грн
1000+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A SI2301A UMW UMW%20SI2301A.pdf Description: 20V 2.8A 400MW 142MR@2.5V,2A 1V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.58 грн
32+10.19 грн
36+8.94 грн
100+7.18 грн
250+6.59 грн
500+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A SI2301A UMW UMW%20SI2301A.pdf Description: 20V 2.8A 400MW 142MR@2.5V,2A 1V@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301B SI2301B UMW 545b8aefe2ed02bb6ced2d6aa75a75f4.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301B SI2301B UMW 545b8aefe2ed02bb6ced2d6aa75a75f4.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A SI2302A UMW UMW%20SI2302A.pdf Description: 20V 2.8A 1.25W 115MR@2.5V,3.1A 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.30 грн
39+8.21 грн
44+7.23 грн
100+5.77 грн
250+5.28 грн
500+4.99 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A SI2302A UMW UMW%20SI2302A.pdf Description: 20V 2.8A 1.25W 115MR@2.5V,3.1A 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302B SI2302B UMW 1db602c4e2b90fd255fe1e0f606602cc.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302B SI2302B UMW 1db602c4e2b90fd255fe1e0f606602cc.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303 SI2303 UMW SI2303.PDF Description: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303 SI2303 UMW SI2303.PDF Description: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.53 грн
19+16.90 грн
25+13.84 грн
100+9.72 грн
250+8.11 грн
500+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304A SI2304A UMW SI2304A.PDF Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304A SI2304A UMW SI2304A.PDF Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.89 грн
20+16.51 грн
25+13.68 грн
100+9.75 грн
250+8.23 грн
500+7.29 грн
1000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305A SI2305A UMW SI2305A.pdf Description: 20V 4.2A 65MR@4.5V,4.2A 1.38W 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305A SI2305A UMW SI2305A.pdf Description: 20V 4.2A 65MR@4.5V,4.2A 1.38W 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.19 грн
14+23.06 грн
25+18.96 грн
100+13.37 грн
250+11.20 грн
500+9.87 грн
1000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306A SI2306A UMW SI2306A.pdf Description: 30V 3.5A 1.25W 57MR@10V,3.5A 3V@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306A SI2306A UMW SI2306A.pdf Description: 30V 3.5A 1.25W 57MR@10V,3.5A 3V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.27 грн
16+20.38 грн
25+16.68 грн
100+11.73 грн
250+9.81 грн
500+8.63 грн
1000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307A SI2307A UMW SI2307A.pdf Description: 30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307A SI2307A UMW SI2307A.pdf Description: 30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 15 V
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.01 грн
14+23.54 грн
25+19.30 грн
100+13.65 грн
250+11.45 грн
500+10.10 грн
1000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308A SI2308A UMW SI2308A.pdf Description: 60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308A SI2308A UMW SI2308A.pdf Description: 60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.37 грн
14+22.59 грн
25+18.55 грн
100+13.07 грн
250+10.94 грн
500+9.63 грн
1000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309A SI2309A UMW d74087f7b9d7a2bce9ecd6ed636578af.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309A SI2309A UMW d74087f7b9d7a2bce9ecd6ed636578af.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310A SI2310A UMW SI2310A.pdf Description: 60V 3A 90MR@10V,3A 1.38W 3V@250A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310A SI2310A UMW SI2310A.pdf Description: 60V 3A 90MR@10V,3A 1.38W 3V@250A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.83 грн
14+23.77 грн
25+19.46 грн
100+13.74 грн
250+11.52 грн
500+10.15 грн
1000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312A SI2312A UMW SI2312A.pdf Description: 20V 3.77A 750MW 33MR@4.5V,5A 850
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.35 грн
18+18.09 грн
25+14.94 грн
100+10.66 грн
250+8.99 грн
500+7.96 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312A SI2312A UMW SI2312A.pdf Description: 20V 3.77A 750MW 33MR@4.5V,5A 850
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A SI2318A UMW SI2318A.pdf Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A SI2318A UMW SI2318A.pdf Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.27 грн
16+20.69 грн
100+13.13 грн
500+9.24 грн
1000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319A SI2319A UMW c7676d553312dd19521f9b68ff15cf79.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.45 грн
16+20.22 грн
100+12.79 грн
500+8.96 грн
1000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319A SI2319A UMW c7676d553312dd19521f9b68ff15cf79.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS SI2323DS UMW e1e8ff979d9611cf5a9ad984089268cb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.63 грн
17+19.43 грн
100+12.30 грн
500+8.62 грн
1000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS SI2323DS UMW e1e8ff979d9611cf5a9ad984089268cb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328A SI2328A UMW SI2328A.PDF Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328A SI2328A UMW SI2328A.PDF Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.81 грн
17+19.59 грн
25+16.21 грн
100+11.62 грн
250+9.84 грн
500+8.74 грн
1000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS SI2333CDS UMW e91d240b2667923e016b0d130c72f065.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS SI2333CDS UMW e91d240b2667923e016b0d130c72f065.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY SI4401BDY UMW 72e76850ad14549b1e217ee50e793470.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY SI4401BDY UMW 72e76850ad14549b1e217ee50e793470.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.90 грн
10+41.15 грн
100+26.72 грн
500+19.25 грн
1000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DY SI4425DY UMW fd7de421b7aa40f20eba8c06dc7b973e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DY SI4425DY UMW fd7de421b7aa40f20eba8c06dc7b973e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY SI4435DY UMW 13716945c9e9d4c20003fde598d34130.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.03 грн
11+29.78 грн
100+19.11 грн
500+13.64 грн
1000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY SI4435DY UMW 13716945c9e9d4c20003fde598d34130.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY SI4948BEY UMW 187cf952f1918d0d0a88e20df99d3250.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY SI4948BEY UMW 187cf952f1918d0d0a88e20df99d3250.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.54 грн
10+42.26 грн
100+27.57 грн
500+19.94 грн
1000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY SI9945BDY UMW 140ec8e618e8fc91200d74b565101fec.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY SI9945BDY UMW 140ec8e618e8fc91200d74b565101fec.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.02 грн
10+49.21 грн
100+32.19 грн
500+23.32 грн
1000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9948AEY SI9948AEY UMW 176109c249bfbf20c8ca1d47cdfa1baf.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 5.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9948AEY SI9948AEY UMW 176109c249bfbf20c8ca1d47cdfa1baf.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 5.3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.58 грн
10+53.55 грн
100+35.15 грн
500+25.55 грн
1000+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SLVU2.8-4.TBT SLVU2.8-4.TBT UMW SLVU2-8-4-TBT.pdf Description: SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 2.8V (Max)
Supplier Device Package: 8-SOP
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+67.49 грн
1000+60.28 грн
1500+57.90 грн
2500+51.85 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SLVU2.8-4.TBT SLVU2.8-4.TBT UMW SLVU2-8-4-TBT.pdf Description: SOP-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 2.8V (Max)
Supplier Device Package: 8-SOP
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.01 грн
10+115.87 грн
25+98.95 грн
100+75.01 грн
250+66.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SM05 SM05 UMW SMxx.pdf Description: SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM05 SM05 UMW SMxx.pdf Description: SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.61 грн
18+17.69 грн
25+15.54 грн
100+9.44 грн
250+7.81 грн
500+6.25 грн
1000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SM4027PSU SM4027PSU UMW b402c12cbd743f26e50401b756da0460.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM4027PSU SM4027PSU UMW b402c12cbd743f26e50401b756da0460.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.18 грн
10+43.28 грн
100+28.21 грн
500+20.41 грн
1000+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SG3525AP en.CD00000958.pdf
Виробник: UMW
Regulating Pulse Width Modulator 400mA 35V 400kHz 0~70°C Replacement for: SG3525AP, SG3525AP013TR, E-SG3525AP SG3525AP UMW ULSG3525a smd UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SG3525AP en.CD00000958.pdf
Виробник: UMW
Regulating Pulse Width Modulator 400mA 35V 400kHz 0~70°C Replacement for: SG3525AP, SG3525AP013TR, E-SG3525AP SG3525AP UMW ULSG3525a smd UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SGM3157 SGM3157.pdf
SGM3157
Виробник: UMW
Description: IC SW SPDT-NO/NCX1 7OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 7Ohm (Typ)
-3db Bandwidth: 350MHz
Supplier Device Package: SC70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 7pC
Crosstalk: -54dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 150mOhm (Typ)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 5.2ns, 3.5ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA (Max)
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGM3157 SGM3157.pdf
SGM3157
Виробник: UMW
Description: IC SW SPDT-NO/NCX1 7OHM SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 7Ohm (Typ)
-3db Bandwidth: 350MHz
Supplier Device Package: SC70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 7pC
Crosstalk: -54dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 150mOhm (Typ)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 5.2ns, 3.5ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA (Max)
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.99 грн
15+21.48 грн
25+19.21 грн
100+15.61 грн
250+14.47 грн
500+13.78 грн
1000+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300A SI2300A.pdf
SI2300A
Виробник: UMW
Description: 20V 6A 25MR@4.5V,6A 1V@50A N CHA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300A SI2300A.pdf
SI2300A
Виробник: UMW
Description: 20V 6A 25MR@4.5V,6A 1V@50A N CHA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 10 V
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.93 грн
12+27.33 грн
100+17.50 грн
500+12.45 грн
1000+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A UMW%20SI2301A.pdf
SI2301A
Виробник: UMW
Description: 20V 2.8A 400MW 142MR@2.5V,2A 1V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.58 грн
32+10.19 грн
36+8.94 грн
100+7.18 грн
250+6.59 грн
500+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A UMW%20SI2301A.pdf
SI2301A
Виробник: UMW
Description: 20V 2.8A 400MW 142MR@2.5V,2A 1V@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301B 545b8aefe2ed02bb6ced2d6aa75a75f4.pdf
SI2301B
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301B 545b8aefe2ed02bb6ced2d6aa75a75f4.pdf
SI2301B
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A UMW%20SI2302A.pdf
SI2302A
Виробник: UMW
Description: 20V 2.8A 1.25W 115MR@2.5V,3.1A 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.30 грн
39+8.21 грн
44+7.23 грн
100+5.77 грн
250+5.28 грн
500+4.99 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A UMW%20SI2302A.pdf
SI2302A
Виробник: UMW
Description: 20V 2.8A 1.25W 115MR@2.5V,3.1A 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302B 1db602c4e2b90fd255fe1e0f606602cc.pdf
SI2302B
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302B 1db602c4e2b90fd255fe1e0f606602cc.pdf
SI2302B
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303 SI2303.PDF
SI2303
Виробник: UMW
Description: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303 SI2303.PDF
SI2303
Виробник: UMW
Description: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.53 грн
19+16.90 грн
25+13.84 грн
100+9.72 грн
250+8.11 грн
500+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304A SI2304A.PDF
SI2304A
Виробник: UMW
Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304A SI2304A.PDF
SI2304A
Виробник: UMW
Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.89 грн
20+16.51 грн
25+13.68 грн
100+9.75 грн
250+8.23 грн
500+7.29 грн
1000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305A SI2305A.pdf
SI2305A
Виробник: UMW
Description: 20V 4.2A 65MR@4.5V,4.2A 1.38W 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305A SI2305A.pdf
SI2305A
Виробник: UMW
Description: 20V 4.2A 65MR@4.5V,4.2A 1.38W 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.19 грн
14+23.06 грн
25+18.96 грн
100+13.37 грн
250+11.20 грн
500+9.87 грн
1000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306A SI2306A.pdf
SI2306A
Виробник: UMW
Description: 30V 3.5A 1.25W 57MR@10V,3.5A 3V@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306A SI2306A.pdf
SI2306A
Виробник: UMW
Description: 30V 3.5A 1.25W 57MR@10V,3.5A 3V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.27 грн
16+20.38 грн
25+16.68 грн
100+11.73 грн
250+9.81 грн
500+8.63 грн
1000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307A SI2307A.pdf
SI2307A
Виробник: UMW
Description: 30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307A SI2307A.pdf
SI2307A
Виробник: UMW
Description: 30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 15 V
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.01 грн
14+23.54 грн
25+19.30 грн
100+13.65 грн
250+11.45 грн
500+10.10 грн
1000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308A SI2308A.pdf
SI2308A
Виробник: UMW
Description: 60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308A SI2308A.pdf
SI2308A
Виробник: UMW
Description: 60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.37 грн
14+22.59 грн
25+18.55 грн
100+13.07 грн
250+10.94 грн
500+9.63 грн
1000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309A d74087f7b9d7a2bce9ecd6ed636578af.pdf
SI2309A
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309A d74087f7b9d7a2bce9ecd6ed636578af.pdf
SI2309A
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310A SI2310A.pdf
SI2310A
Виробник: UMW
Description: 60V 3A 90MR@10V,3A 1.38W 3V@250A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310A SI2310A.pdf
SI2310A
Виробник: UMW
Description: 60V 3A 90MR@10V,3A 1.38W 3V@250A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.83 грн
14+23.77 грн
25+19.46 грн
100+13.74 грн
250+11.52 грн
500+10.15 грн
1000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312A SI2312A.pdf
SI2312A
Виробник: UMW
Description: 20V 3.77A 750MW 33MR@4.5V,5A 850
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.35 грн
18+18.09 грн
25+14.94 грн
100+10.66 грн
250+8.99 грн
500+7.96 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312A SI2312A.pdf
SI2312A
Виробник: UMW
Description: 20V 3.77A 750MW 33MR@4.5V,5A 850
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A SI2318A.pdf
SI2318A
Виробник: UMW
Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A SI2318A.pdf
SI2318A
Виробник: UMW
Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.27 грн
16+20.69 грн
100+13.13 грн
500+9.24 грн
1000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319A c7676d553312dd19521f9b68ff15cf79.pdf
SI2319A
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.45 грн
16+20.22 грн
100+12.79 грн
500+8.96 грн
1000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319A c7676d553312dd19521f9b68ff15cf79.pdf
SI2319A
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS e1e8ff979d9611cf5a9ad984089268cb.pdf
SI2323DS
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.63 грн
17+19.43 грн
100+12.30 грн
500+8.62 грн
1000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS e1e8ff979d9611cf5a9ad984089268cb.pdf
SI2323DS
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328A SI2328A.PDF
SI2328A
Виробник: UMW
Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328A SI2328A.PDF
SI2328A
Виробник: UMW
Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.81 грн
17+19.59 грн
25+16.21 грн
100+11.62 грн
250+9.84 грн
500+8.74 грн
1000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS e91d240b2667923e016b0d130c72f065.pdf
SI2333CDS
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS e91d240b2667923e016b0d130c72f065.pdf
SI2333CDS
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY 72e76850ad14549b1e217ee50e793470.pdf
SI4401BDY
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY 72e76850ad14549b1e217ee50e793470.pdf
SI4401BDY
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.90 грн
10+41.15 грн
100+26.72 грн
500+19.25 грн
1000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DY fd7de421b7aa40f20eba8c06dc7b973e.pdf
SI4425DY
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DY fd7de421b7aa40f20eba8c06dc7b973e.pdf
SI4425DY
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY 13716945c9e9d4c20003fde598d34130.pdf
SI4435DY
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.03 грн
11+29.78 грн
100+19.11 грн
500+13.64 грн
1000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY 13716945c9e9d4c20003fde598d34130.pdf
SI4435DY
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY 187cf952f1918d0d0a88e20df99d3250.pdf
SI4948BEY
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY 187cf952f1918d0d0a88e20df99d3250.pdf
SI4948BEY
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.54 грн
10+42.26 грн
100+27.57 грн
500+19.94 грн
1000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY 140ec8e618e8fc91200d74b565101fec.pdf
SI9945BDY
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY 140ec8e618e8fc91200d74b565101fec.pdf
SI9945BDY
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.02 грн
10+49.21 грн
100+32.19 грн
500+23.32 грн
1000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9948AEY 176109c249bfbf20c8ca1d47cdfa1baf.pdf
SI9948AEY
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2P-CH 60V 5.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9948AEY 176109c249bfbf20c8ca1d47cdfa1baf.pdf
SI9948AEY
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2P-CH 60V 5.3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.58 грн
10+53.55 грн
100+35.15 грн
500+25.55 грн
1000+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SLVU2.8-4.TBT SLVU2-8-4-TBT.pdf
SLVU2.8-4.TBT
Виробник: UMW
Description: SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 2.8V (Max)
Supplier Device Package: 8-SOP
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+67.49 грн
1000+60.28 грн
1500+57.90 грн
2500+51.85 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SLVU2.8-4.TBT SLVU2-8-4-TBT.pdf
SLVU2.8-4.TBT
Виробник: UMW
Description: SOP-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 2.8V (Max)
Supplier Device Package: 8-SOP
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.01 грн
10+115.87 грн
25+98.95 грн
100+75.01 грн
250+66.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SM05 SMxx.pdf
SM05
Виробник: UMW
Description: SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM05 SMxx.pdf
SM05
Виробник: UMW
Description: SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.61 грн
18+17.69 грн
25+15.54 грн
100+9.44 грн
250+7.81 грн
500+6.25 грн
1000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SM4027PSU b402c12cbd743f26e50401b756da0460.pdf
SM4027PSU
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM4027PSU b402c12cbd743f26e50401b756da0460.pdf
SM4027PSU
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.18 грн
10+43.28 грн
100+28.21 грн
500+20.41 грн
1000+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28  [ Наступна Сторінка >> ]