Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (231770) > Сторінка 3768 з 3863

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 386 772 1158 1544 1930 2316 2702 3088 3474 3763 3764 3765 3766 3767 3768 3769 3770 3771 3772 3773 3860 3863  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY IRF840A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY IRF840ASPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+163.80 грн
5+120.84 грн
10+109.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF VISHAY irf840as_IRF840al.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY IRF840LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 683 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.16 грн
10+120.84 грн
25+102.24 грн
50+88.72 грн
100+76.05 грн
250+65.06 грн
500+59.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF VISHAY IRF840SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.00 грн
10+75.20 грн
50+60.84 грн
100+58.30 грн
250+54.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLPBF IRF840STRLPBF VISHAY IRF840SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40-05-E3-08 BAS40-05-E3-08 VISHAY BAS40-00_to_BAS40-06_Rev2.2_2-13-18.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 5pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Reverse recovery time: 5ns
Features of semiconductor devices: small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.83 грн
57+7.52 грн
100+4.29 грн
500+3.12 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE27CA-E3/54 1.5KE27CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 27.05V; 40A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 23.1V
Breakdown voltage: 27.05V
Max. forward impulse current: 40A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.21 грн
20+21.46 грн
100+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822-E3/54 1N5822-E3/54 VISHAY 1n5820-22.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO201AD; Ufmax: 0.525V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 1400pcs.
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+20.02 грн
30+14.53 грн
100+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TAP BYV26C-TAP VISHAY byv26.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 30ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 30A
Case: SOD57
Max. forward voltage: 1.3V
Leakage current: 0.1mA
Reverse recovery time: 30ns
на замовлення 7881 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.67 грн
16+26.53 грн
100+21.21 грн
200+19.60 грн
500+17.49 грн
1000+15.89 грн
2000+14.28 грн
2500+13.77 грн
5000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TR BYV26C-TR VISHAY byv26.pdf description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; 10 inch reel; Ifsm: 30A; SOD57
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Kind of package: 10 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: SOD57
Max. forward voltage: 1.3V
Leakage current: 0.1mA
Reverse recovery time: 30ns
Quantity in set/package: 5000pcs.
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.75 грн
27+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE400A-E3/54 1.5KE400A-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 400V; 2.7A; unidirectional; DO201; 13 inch reel
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 2.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: 1.5KE
Kind of package: 13 inch reel
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.22 грн
15+28.22 грн
50+25.35 грн
100+24.17 грн
250+22.48 грн
500+21.29 грн
1400+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY IRF740APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY IRF740A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY IRF740LC.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+223.86 грн
10+106.47 грн
25+94.64 грн
50+87.04 грн
100+79.43 грн
250+70.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY IRF740PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+131.95 грн
10+78.58 грн
40+66.76 грн
50+65.06 грн
100+60.84 грн
250+55.77 грн
500+52.39 грн
1000+49.01 грн
2000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF IRF740SPBF VISHAY IRF740SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF IRF740STRLPBF VISHAY IRF740SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18CA-E3/54 1.5KE18CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 18V; 59.5A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: THT
Kind of package: 13 inch reel
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Manufacturer series: 1.5KE
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: DO201
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Leakage current: 1µA
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.94 грн
100+25.60 грн
250+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE180CA-E3/54 1.5KE180CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 180V; 6.1A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: THT
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 6.1A
Max. off-state voltage: 154V
Breakdown voltage: 180V
Manufacturer series: 1.5KE
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: DO201
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Leakage current: 1µA
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.96 грн
12+36.17 грн
100+26.62 грн
500+21.72 грн
1000+19.86 грн
1400+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18A-E3/54 1.5KE18A-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; unidirectional; DO201; 13 inch reel
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: THT
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 59.5A
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Manufacturer series: 1.5KE
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: DO201
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Leakage current: 1µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE200A-E3/54 P6KE200A-E3/54 VISHAY p6ke.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; unidirectional; DO15; 13 inch reel
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: THT
Kind of package: 13 inch reel
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 2.2A
Max. off-state voltage: 171V
Breakdown voltage: 200V
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Case: DO15
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6KE
Technology: TransZorb®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937-E3/54 1N4937-E3/54 VISHAY 1n400x.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; 13 inch reel; Ifsm: 30A; DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 12pF
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
Leakage current: 0.1mA
Features of semiconductor devices: fast switching
Quantity in set/package: 5500pcs.
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.10 грн
63+6.76 грн
69+6.15 грн
100+5.21 грн
500+4.14 грн
1000+3.68 грн
2000+3.24 грн
2500+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937-E3/73 1N4937-E3/73 VISHAY 1n4933.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; DO41; 200ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 12pF
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
Leakage current: 0.1mA
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.92 грн
63+6.76 грн
100+5.36 грн
500+4.49 грн
1000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/54 1N5817-E3/54 VISHAY 1n5817-19.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 20V; 1A; DO41; Ufmax: 0.45V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.20 грн
30+14.20 грн
33+13.01 грн
100+9.55 грн
250+8.20 грн
500+7.27 грн
1000+6.34 грн
2000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/73 1N5817-E3/73 VISHAY 1n5817-19.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 20V; 1A; DO41; Ufmax: 0.45V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 7368 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.20 грн
36+11.83 грн
100+9.46 грн
500+7.94 грн
1000+7.18 грн
3000+6.08 грн
6000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819-E3/54 1N5819-E3/54 VISHAY 1n5817-19.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 25A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 4191 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.75 грн
28+15.21 грн
32+13.27 грн
100+9.38 грн
500+7.10 грн
1000+6.42 грн
2000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819-E3/73 1N5819-E3/73 VISHAY 1n5817-19.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 25A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+19.11 грн
33+13.10 грн
100+9.04 грн
500+7.18 грн
1000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99-E3-08
+1
 		BAV99-E3-08 VISHAY bav99.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.15A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: 7 inch reel
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.10 грн
55+7.69 грн
100+5.05 грн
500+2.93 грн
1000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99-HE3-08 BAV99-HE3-08 VISHAY bav99.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.15A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: 7 inch reel
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007GP-E3/54 1N4007GP-E3/54 VISHAY 1n4001gp.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; 13 inch reel; Ifsm: 30A; DO41; 2us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 8pF
Reverse recovery time: 2µs
Quantity in set/package: 5500pcs.
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 7494 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.84 грн
50+16.98 грн
100+15.38 грн
250+12.93 грн
500+10.82 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
357B0102MXB251S22 357B0102MXB251S22 VISHAY 357.pdf Category: Cond. plastic single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; single turn; 1kΩ; ±20%; 1W; linear; 6.35mm
Type of potentiometer: shaft
Kind of potentiometer: single turn
Resistance: 1kΩ
Tolerance: ±20%
Power: 1W
Characteristics: linear
Shaft diameter: 6.35mm
Track material: plastic
Mechanical durability: 10000000 cycles
Shaft surface: smooth
Potentiometer features: without limiters
Thread length: 8mm
Shaft length: 14mm
L shaft length: 22mm
Linearity tolerance: ±2%
Manufacturer series: 357
Fastening thread: 3/8"x32UNEF
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2764.58 грн
3+2238.40 грн
10+2040.68 грн
25+1935.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
357B2102MAB251S22 357B2102MAB251S22 VISHAY 357.pdf Category: Cond. plastic single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; single turn; 1kΩ; ±20%; 1W; linear; 6.35mm
Type of potentiometer: shaft
Kind of potentiometer: single turn
Resistance: 1kΩ
Tolerance: ±20%
Power: 1W
Characteristics: linear
Shaft diameter: 6.35mm
Track material: plastic
Shaft surface: smooth
Shaft length: 14mm
Thread length: 8mm
L shaft length: 22mm
Fastening thread: 3/8"x32UNEF
Electrical rotation angle: 340°
Linearity tolerance: ±2%
Manufacturer series: 357
Mechanical durability: 10000000 cycles
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2621.71 грн
3+2147.99 грн
10+2106.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206A100KXAAC VJ1206A100KXAAC VISHAY vjcommercialseries.pdf Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 10pF; 50V; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: C0G (NP0)
Type of capacitor: ceramic
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Tolerance: ±10%
Operating voltage: 50V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+10.28 грн
100+7.60 грн
1000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BAS85-GS08 BAS85-GS08 VISHAY bas85.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.24V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 2500pcs.
Max. load current: 0.3A
на замовлення 45747 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.56 грн
38+11.24 грн
100+6.68 грн
500+3.97 грн
1000+3.32 грн
2500+3.04 грн
5000+2.88 грн
7500+2.82 грн
12500+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BAS85-GS18 BAS85-GS18 VISHAY bas85.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 5ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 13 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 10000pcs.
на замовлення 6676 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.10 грн
77+5.49 грн
100+4.32 грн
500+3.50 грн
1000+3.18 грн
2500+3.03 грн
5000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
NTCLE100E3472JB0 NTCLE100E3472JB0 VISHAY ntcle100.pdf Category: THT measurement NTC thermistors
Description: NTC thermistor; 4.7kΩ; THT; 3977K; -40÷125°C; 500mW
Resistance: 4.7kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Material constant B: 3977K
Type of sensor: NTC thermistor
на замовлення 7169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.03 грн
18+24.50 грн
19+22.56 грн
25+19.94 грн
50+18.17 грн
100+16.73 грн
200+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE47CA-E3/54 1.5KE47CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 47.05V; 23.1A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 40.2V
Breakdown voltage: 47.05V
Max. forward impulse current: 23.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.94 грн
17+24.93 грн
50+23.15 грн
100+22.31 грн
500+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N50E-GE3 VISHAY siha25n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB25N50E-GE3 VISHAY sihb25n50e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3 VISHAY sihg25n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 VISHAY tf-sihp25n50e-ge3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10100-E3/4W MBR10100-E3/4W VISHAY MBR10100-E3-4W.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10A; TO220AC; Ufmax: 0.65V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Quantity in set/package: 50pcs.
на замовлення 658 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.50 грн
11+40.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C12-TAP BZX85C12-TAP VISHAY BZX85C10-TAP.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 12V; Ammo Pack; DO41; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 12V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO41
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 12121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+10.01 грн
70+6.08 грн
105+4.06 грн
5000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C5V1-TAP BZX85C5V1-TAP VISHAY BZX85C10-TAP.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 5.1V; Ammo Pack; DO41; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 5.1V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 11340 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.74 грн
40+10.65 грн
44+9.63 грн
100+6.40 грн
500+4.90 грн
1000+4.25 грн
2500+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF VISHAY IRF540PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF IRF540SPBF VISHAY irf540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4400 TLLR4400 VISHAY TLLx440x-DTE.pdf Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 0.63÷1.2mcd; 50°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC
Type of diode: LED
LED colour: red
LED diameter: 3mm
Luminosity: 0.63...1.2mcd
Viewing angle: 50°
Wavelength: 612...625nm
LED lens: diffused; red
LED current: 2mA
Mounting: THT
Front: convex
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
Number of terminals: 2
Terminal pitch: 2.54mm
на замовлення 882 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.12 грн
22+19.77 грн
27+16.06 грн
50+13.86 грн
100+12.08 грн
250+10.48 грн
500+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4400-AS12Z TLLR4400-AS12Z VISHAY TLLR4400-AS12Z.pdf Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 0.63÷1.2mcd; 25°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC
Type of diode: LED
LED colour: red
LED diameter: 3mm
Luminosity: 0.63...1.2mcd
Viewing angle: 25°
Wavelength: 612...625nm
LED lens: diffused; red
LED current: 2mA
Mounting: THT
Front: convex
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
Number of terminals: 2
Terminal pitch: 2.54mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4401 TLLR4401 VISHAY TLLx440x-DTE.pdf Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 1÷2mcd; 50°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC; No.of term: 2
Type of diode: LED
LED colour: red
LED diameter: 3mm
Luminosity: 1...2mcd
Viewing angle: 50°
Wavelength: 612...625nm
LED lens: diffused; red
LED current: 2mA
Mounting: THT
Front: convex
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
Number of terminals: 2
Terminal pitch: 2.54mm
на замовлення 4874 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.21 грн
22+20.03 грн
25+17.07 грн
50+15.04 грн
100+13.35 грн
250+11.66 грн
500+10.65 грн
1000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C8V2-TAP BZX55C8V2-TAP VISHAY BZX55C10-TAP.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; Ammo Pack; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 8.2V
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 10869 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
84+5.46 грн
136+3.13 грн
179+2.37 грн
250+2.01 грн
500+1.75 грн
1000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206G107MXYTW1BC VJ1206G107MXYTW1BC VISHAY vjw1bcbascomseries.pdf Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100uF; 6.3V; X5R; ±20%; SMD; 1206
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 100µF
Operating voltage: 6.3V
Dielectric: X5R
Tolerance: ±20%
Mounting: SMD
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW1206390KFKTABC CRCW1206390KFKTABC VISHAY Data Sheet CRCW_BCe3.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; SMD; 1206; 390kΩ; 0.25W; ±1%; 200V; -55÷155°C
Mounting: SMD
Type of resistor: thick film
Operating temperature: -55...155°C
Power: 0.25W
Tolerance: ±1%
Resistance: 390kΩ
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
B340A-E3/61T B340A-E3/61T VISHAY b330la.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 3A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMA
Max. forward voltage: 0.55V
Load current: 3A
Max. off-state voltage: 40V
Max. forward impulse current: 65A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 7388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.57 грн
500+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SS12-E3/61T SS12-E3/61T VISHAY SS14-E3_61T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 20V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.28 грн
100+5.37 грн
250+4.54 грн
500+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ24A-E3/52 SMBJ24A-E3/52 VISHAY smbjA-CA_ser.pdf description Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 26.7÷29.5V; 15.4A; unidirectional; ±5%; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.7...29.5V
Max. forward impulse current: 15.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMBJ
Tolerance: ±5%
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.84 грн
27+16.22 грн
30+14.11 грн
50+9.38 грн
100+7.77 грн
250+6.00 грн
500+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ24A-E3/5B SMBJ24A-E3/5B VISHAY smbjA-CA_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 26.7÷29.5V; 15.4A; unidirectional; ±5%; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.7...29.5V
Max. forward impulse current: 15.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMBJ
Tolerance: ±5%
Kind of package: 13 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US1M-E3/5AT US1M-E3/5AT VISHAY us1_test_dcicons.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 7500pcs.
Leakage current: 50µA
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.20 грн
30+14.36 грн
100+10.08 грн
500+7.63 грн
1000+6.73 грн
2000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
US1M-E3/61T US1M-E3/61T VISHAY US1M-E3-61T.pdf description Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
Capacitance: 10pF
на замовлення 10211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.47 грн
38+11.32 грн
50+9.30 грн
100+8.53 грн
500+7.01 грн
1000+6.34 грн
1800+5.83 грн
3600+5.32 грн
5400+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
US1MHE3_A/H US1MHE3_A/H VISHAY us1_test_dcicons.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
Application: automotive industry
Leakage current: 50µA
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+20.02 грн
29+14.96 грн
100+13.60 грн
500+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840A.pdf
IRF840APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.80 грн
5+120.84 грн
10+109.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF irf840as_IRF840al.pdf
IRF840ASTRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LC.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 683 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.16 грн
10+120.84 грн
25+102.24 грн
50+88.72 грн
100+76.05 грн
250+65.06 грн
500+59.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF.pdf
IRF840SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.00 грн
10+75.20 грн
50+60.84 грн
100+58.30 грн
250+54.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLPBF IRF840SPBF.pdf
IRF840STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40-05-E3-08 BAS40-00_to_BAS40-06_Rev2.2_2-13-18.pdf
BAS40-05-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 5pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Reverse recovery time: 5ns
Features of semiconductor devices: small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.83 грн
57+7.52 грн
100+4.29 грн
500+3.12 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE27CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE27CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 27.05V; 40A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 23.1V
Breakdown voltage: 27.05V
Max. forward impulse current: 40A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+28.21 грн
20+21.46 грн
100+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822-E3/54 1n5820-22.pdf
1N5822-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO201AD; Ufmax: 0.525V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 1400pcs.
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+20.02 грн
30+14.53 грн
100+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TAP byv26.pdf
BYV26C-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 30ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 30A
Case: SOD57
Max. forward voltage: 1.3V
Leakage current: 0.1mA
Reverse recovery time: 30ns
на замовлення 7881 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+33.67 грн
16+26.53 грн
100+21.21 грн
200+19.60 грн
500+17.49 грн
1000+15.89 грн
2000+14.28 грн
2500+13.77 грн
5000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TR description byv26.pdf
BYV26C-TR
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; 10 inch reel; Ifsm: 30A; SOD57
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Kind of package: 10 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: SOD57
Max. forward voltage: 1.3V
Leakage current: 0.1mA
Reverse recovery time: 30ns
Quantity in set/package: 5000pcs.
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.75 грн
27+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE400A-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE400A-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 400V; 2.7A; unidirectional; DO201; 13 inch reel
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 2.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: 1.5KE
Kind of package: 13 inch reel
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.22 грн
15+28.22 грн
50+25.35 грн
100+24.17 грн
250+22.48 грн
500+21.29 грн
1400+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF.pdf
IRF740APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740A.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF description IRF740LC.pdf
IRF740LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+223.86 грн
10+106.47 грн
25+94.64 грн
50+87.04 грн
100+79.43 грн
250+70.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF.pdf
IRF740PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+131.95 грн
10+78.58 грн
40+66.76 грн
50+65.06 грн
100+60.84 грн
250+55.77 грн
500+52.39 грн
1000+49.01 грн
2000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF IRF740SPBF.pdf
IRF740SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF IRF740SPBF.pdf
IRF740STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE18CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 18V; 59.5A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: THT
Kind of package: 13 inch reel
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Manufacturer series: 1.5KE
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: DO201
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Leakage current: 1µA
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+30.94 грн
100+25.60 грн
250+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE180CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE180CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 180V; 6.1A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: THT
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 6.1A
Max. off-state voltage: 154V
Breakdown voltage: 180V
Manufacturer series: 1.5KE
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: DO201
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Leakage current: 1µA
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.96 грн
12+36.17 грн
100+26.62 грн
500+21.72 грн
1000+19.86 грн
1400+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18A-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE18A-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; unidirectional; DO201; 13 inch reel
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: THT
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 59.5A
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Manufacturer series: 1.5KE
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: DO201
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Leakage current: 1µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE200A-E3/54 p6ke.pdf
P6KE200A-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; unidirectional; DO15; 13 inch reel
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: THT
Kind of package: 13 inch reel
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 2.2A
Max. off-state voltage: 171V
Breakdown voltage: 200V
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Case: DO15
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6KE
Technology: TransZorb®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937-E3/54 1n400x.pdf
1N4937-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; 13 inch reel; Ifsm: 30A; DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 12pF
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
Leakage current: 0.1mA
Features of semiconductor devices: fast switching
Quantity in set/package: 5500pcs.
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+9.10 грн
63+6.76 грн
69+6.15 грн
100+5.21 грн
500+4.14 грн
1000+3.68 грн
2000+3.24 грн
2500+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937-E3/73 1n4933.pdf
1N4937-E3/73
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; DO41; 200ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 12pF
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
Leakage current: 0.1mA
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.92 грн
63+6.76 грн
100+5.36 грн
500+4.49 грн
1000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/54 1n5817-19.pdf
1N5817-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 20V; 1A; DO41; Ufmax: 0.45V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.20 грн
30+14.20 грн
33+13.01 грн
100+9.55 грн
250+8.20 грн
500+7.27 грн
1000+6.34 грн
2000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/73 1n5817-19.pdf
1N5817-E3/73
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 20V; 1A; DO41; Ufmax: 0.45V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 7368 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.20 грн
36+11.83 грн
100+9.46 грн
500+7.94 грн
1000+7.18 грн
3000+6.08 грн
6000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819-E3/54 1n5817-19.pdf
1N5819-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 25A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 4191 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.75 грн
28+15.21 грн
32+13.27 грн
100+9.38 грн
500+7.10 грн
1000+6.42 грн
2000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819-E3/73 1n5817-19.pdf
1N5819-E3/73
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 25A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+19.11 грн
33+13.10 грн
100+9.04 грн
500+7.18 грн
1000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99-E3-08 bav99.pdf
BAV99-E3-08
+1
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.15A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: 7 inch reel
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+9.10 грн
55+7.69 грн
100+5.05 грн
500+2.93 грн
1000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99-HE3-08 bav99.pdf
BAV99-HE3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.15A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: 7 inch reel
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007GP-E3/54 1n4001gp.pdf
1N4007GP-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; 13 inch reel; Ifsm: 30A; DO41; 2us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 8pF
Reverse recovery time: 2µs
Quantity in set/package: 5500pcs.
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 7494 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.84 грн
50+16.98 грн
100+15.38 грн
250+12.93 грн
500+10.82 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
357B0102MXB251S22 357.pdf
357B0102MXB251S22
Виробник: VISHAY
Category: Cond. plastic single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; single turn; 1kΩ; ±20%; 1W; linear; 6.35mm
Type of potentiometer: shaft
Kind of potentiometer: single turn
Resistance: 1kΩ
Tolerance: ±20%
Power: 1W
Characteristics: linear
Shaft diameter: 6.35mm
Track material: plastic
Mechanical durability: 10000000 cycles
Shaft surface: smooth
Potentiometer features: without limiters
Thread length: 8mm
Shaft length: 14mm
L shaft length: 22mm
Linearity tolerance: ±2%
Manufacturer series: 357
Fastening thread: 3/8"x32UNEF
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2764.58 грн
3+2238.40 грн
10+2040.68 грн
25+1935.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
357B2102MAB251S22 357.pdf
357B2102MAB251S22
Виробник: VISHAY
Category: Cond. plastic single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; single turn; 1kΩ; ±20%; 1W; linear; 6.35mm
Type of potentiometer: shaft
Kind of potentiometer: single turn
Resistance: 1kΩ
Tolerance: ±20%
Power: 1W
Characteristics: linear
Shaft diameter: 6.35mm
Track material: plastic
Shaft surface: smooth
Shaft length: 14mm
Thread length: 8mm
L shaft length: 22mm
Fastening thread: 3/8"x32UNEF
Electrical rotation angle: 340°
Linearity tolerance: ±2%
Manufacturer series: 357
Mechanical durability: 10000000 cycles
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2621.71 грн
3+2147.99 грн
10+2106.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206A100KXAAC vjcommercialseries.pdf
VJ1206A100KXAAC
Виробник: VISHAY
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 10pF; 50V; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: C0G (NP0)
Type of capacitor: ceramic
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Tolerance: ±10%
Operating voltage: 50V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+10.28 грн
100+7.60 грн
1000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BAS85-GS08 bas85.pdf
BAS85-GS08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.24V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 2500pcs.
Max. load current: 0.3A
на замовлення 45747 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+14.56 грн
38+11.24 грн
100+6.68 грн
500+3.97 грн
1000+3.32 грн
2500+3.04 грн
5000+2.88 грн
7500+2.82 грн
12500+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BAS85-GS18 bas85.pdf
BAS85-GS18
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 5ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 13 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 10000pcs.
на замовлення 6676 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+9.10 грн
77+5.49 грн
100+4.32 грн
500+3.50 грн
1000+3.18 грн
2500+3.03 грн
5000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
NTCLE100E3472JB0 ntcle100.pdf
NTCLE100E3472JB0
Виробник: VISHAY
Category: THT measurement NTC thermistors
Description: NTC thermistor; 4.7kΩ; THT; 3977K; -40÷125°C; 500mW
Resistance: 4.7kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Material constant B: 3977K
Type of sensor: NTC thermistor
на замовлення 7169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+30.03 грн
18+24.50 грн
19+22.56 грн
25+19.94 грн
50+18.17 грн
100+16.73 грн
200+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE47CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE47CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 47.05V; 23.1A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 40.2V
Breakdown voltage: 47.05V
Max. forward impulse current: 23.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+30.94 грн
17+24.93 грн
50+23.15 грн
100+22.31 грн
500+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N50E-GE3 siha25n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB25N50E-GE3 sihb25n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3 sihg25n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 tf-sihp25n50e-ge3.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10100-E3/4W MBR10100-E3-4W.pdf
MBR10100-E3/4W
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10A; TO220AC; Ufmax: 0.65V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Quantity in set/package: 50pcs.
на замовлення 658 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.50 грн
11+40.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C12-TAP BZX85C10-TAP.pdf
BZX85C12-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 12V; Ammo Pack; DO41; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 12V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO41
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 12121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+10.01 грн
70+6.08 грн
105+4.06 грн
5000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C5V1-TAP BZX85C10-TAP.pdf
BZX85C5V1-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 5.1V; Ammo Pack; DO41; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 5.1V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 11340 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.74 грн
40+10.65 грн
44+9.63 грн
100+6.40 грн
500+4.90 грн
1000+4.25 грн
2500+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF.pdf
IRF540PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF irf540s.pdf
IRF540SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4400 TLLx440x-DTE.pdf
TLLR4400
Виробник: VISHAY
Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 0.63÷1.2mcd; 50°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC
Type of diode: LED
LED colour: red
LED diameter: 3mm
Luminosity: 0.63...1.2mcd
Viewing angle: 50°
Wavelength: 612...625nm
LED lens: diffused; red
LED current: 2mA
Mounting: THT
Front: convex
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
Number of terminals: 2
Terminal pitch: 2.54mm
на замовлення 882 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.12 грн
22+19.77 грн
27+16.06 грн
50+13.86 грн
100+12.08 грн
250+10.48 грн
500+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4400-AS12Z TLLR4400-AS12Z.pdf
TLLR4400-AS12Z
Виробник: VISHAY
Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 0.63÷1.2mcd; 25°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC
Type of diode: LED
LED colour: red
LED diameter: 3mm
Luminosity: 0.63...1.2mcd
Viewing angle: 25°
Wavelength: 612...625nm
LED lens: diffused; red
LED current: 2mA
Mounting: THT
Front: convex
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
Number of terminals: 2
Terminal pitch: 2.54mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4401 TLLx440x-DTE.pdf
TLLR4401
Виробник: VISHAY
Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 1÷2mcd; 50°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC; No.of term: 2
Type of diode: LED
LED colour: red
LED diameter: 3mm
Luminosity: 1...2mcd
Viewing angle: 50°
Wavelength: 612...625nm
LED lens: diffused; red
LED current: 2mA
Mounting: THT
Front: convex
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
Number of terminals: 2
Terminal pitch: 2.54mm
на замовлення 4874 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+28.21 грн
22+20.03 грн
25+17.07 грн
50+15.04 грн
100+13.35 грн
250+11.66 грн
500+10.65 грн
1000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C8V2-TAP BZX55C10-TAP.pdf
BZX55C8V2-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; Ammo Pack; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 8.2V
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 10869 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
84+5.46 грн
136+3.13 грн
179+2.37 грн
250+2.01 грн
500+1.75 грн
1000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206G107MXYTW1BC vjw1bcbascomseries.pdf
VJ1206G107MXYTW1BC
Виробник: VISHAY
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100uF; 6.3V; X5R; ±20%; SMD; 1206
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 100µF
Operating voltage: 6.3V
Dielectric: X5R
Tolerance: ±20%
Mounting: SMD
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW1206390KFKTABC Data Sheet CRCW_BCe3.pdf
CRCW1206390KFKTABC
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; SMD; 1206; 390kΩ; 0.25W; ±1%; 200V; -55÷155°C
Mounting: SMD
Type of resistor: thick film
Operating temperature: -55...155°C
Power: 0.25W
Tolerance: ±1%
Resistance: 390kΩ
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
B340A-E3/61T b330la.pdf
B340A-E3/61T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 3A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMA
Max. forward voltage: 0.55V
Load current: 3A
Max. off-state voltage: 40V
Max. forward impulse current: 65A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 7388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+24.57 грн
500+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SS12-E3/61T SS14-E3_61T.pdf
SS12-E3/61T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 20V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.28 грн
100+5.37 грн
250+4.54 грн
500+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ24A-E3/52 description smbjA-CA_ser.pdf
SMBJ24A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 26.7÷29.5V; 15.4A; unidirectional; ±5%; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.7...29.5V
Max. forward impulse current: 15.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMBJ
Tolerance: ±5%
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.84 грн
27+16.22 грн
30+14.11 грн
50+9.38 грн
100+7.77 грн
250+6.00 грн
500+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ24A-E3/5B smbjA-CA_ser.pdf
SMBJ24A-E3/5B
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 26.7÷29.5V; 15.4A; unidirectional; ±5%; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.7...29.5V
Max. forward impulse current: 15.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMBJ
Tolerance: ±5%
Kind of package: 13 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US1M-E3/5AT us1_test_dcicons.pdf
US1M-E3/5AT
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 7500pcs.
Leakage current: 50µA
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.20 грн
30+14.36 грн
100+10.08 грн
500+7.63 грн
1000+6.73 грн
2000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
US1M-E3/61T description US1M-E3-61T.pdf
US1M-E3/61T
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
Capacitance: 10pF
на замовлення 10211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.47 грн
38+11.32 грн
50+9.30 грн
100+8.53 грн
500+7.01 грн
1000+6.34 грн
1800+5.83 грн
3600+5.32 грн
5400+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
US1MHE3_A/H us1_test_dcicons.pdf
US1MHE3_A/H
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
Application: automotive industry
Leakage current: 50µA
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+20.02 грн
29+14.96 грн
100+13.60 грн
500+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 386 772 1158 1544 1930 2316 2702 3088 3474 3763 3764 3765 3766 3767 3768 3769 3770 3771 3772 3773 3860 3863  [ Наступна Сторінка >> ]