Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (269672) > Сторінка 4105 з 4495

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 449 898 1347 1796 2245 2694 3143 3592 4041 4100 4101 4102 4103 4104 4105 4106 4107 4108 4109 4110 4490 4495  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CRCW0603220KFKEAHP CRCW0603220KFKEAHP VISHAY crcwhpe3.pdf Description: VISHAY - CRCW0603220KFKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 kohm, ± 1%, 330 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschicht (doppelseitig)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 330mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
isCanonical: N
Widerstand: 220kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHLP4040DZER100M8A IHLP4040DZER100M8A VISHAY ihlp-4040dz-8a.pdf Description: VISHAY - IHLP4040DZER100M8A - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 6.5 A, Geschirmt, 8.5 A, IHLP-4040DZ-8A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.03306ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 10.79mm x 10.16mm x 4mm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 6.5A
Sättigungsstrom (Isat): 8.5A
Produktlänge: 10.79mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: IHLP-4040DZ-8A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 10.16mm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHLP4040DZER100M8A IHLP4040DZER100M8A VISHAY ihlp-4040dz-8a.pdf Description: VISHAY - IHLP4040DZER100M8A - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 6.5 A, Geschirmt, 8.5 A, IHLP-4040DZ-8A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.03306ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 10.79mm x 10.16mm x 4mm
isCanonical: N
RMS-Strom Irms: 6.5A
Sättigungsstrom (Isat): 8.5A
Produktlänge: 10.79mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: IHLP-4040DZ-8A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 10.16mm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-E3 SI2312BDS-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0010924773-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY228GP-E3/54 VISHAY by228gp.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 2.5A; Ifsm: 50A; DO201AD; Ufmax: 1.6V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.5kV
Load current: 2.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Max. forward impulse current: 50A
Case: DO201AD
Kind of package: 13 inch reel
Reverse recovery time: 20µs
Manufacturer standard package: 1400pcs.
Max. forward voltage: 1.6V
Max. load current: 10A
Leakage current: 0.2mA
Capacitance: 40pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF18N50D-E3 SIHF18N50D-E3 VISHAY sihf18n50d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 53A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF VISHAY IRFZ48RPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 291A
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+242.49 грн
5+177.77 грн
10+156.60 грн
50+116.82 грн
100+104.97 грн
250+93.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460APBF IRFP460APBF VISHAY irfp460a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+377.41 грн
5+294.59 грн
10+260.73 грн
25+216.71 грн
50+189.62 грн
100+168.46 грн
200+153.22 грн
500+139.67 грн
750+135.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460LCPBF IRFP460LCPBF VISHAY IRFP460LCPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+515.07 грн
5+393.63 грн
10+330.14 грн
25+253.95 грн
50+226.02 грн
100+216.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBF IRFP460PBF VISHAY IRFP460PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+379.24 грн
5+308.13 грн
10+270.04 грн
25+198.08 грн
50+191.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY IRF510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.96 грн
10+51.21 грн
50+47.49 грн
100+43.68 грн
250+38.77 грн
500+35.30 грн
1000+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY IRF510SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.45 грн
10+56.80 грн
50+50.28 грн
100+47.66 грн
250+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF VISHAY IRF510SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF IRF520PBF VISHAY IRF520PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 37A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6N137-X007T 6N137-X007T VISHAY 6N137-X007T.pdf Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: logic; Uinsul: 5kV; 10Mbps; Uce: 7V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: logic
Transfer rate: 10Mbps
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 7ns
Output voltage: 7V
Collector-emitter voltage: 7V
Insulation voltage: 5kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-E3/5AT SS14-E3/5AT VISHAY ss12.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 13 inch reel
Max. forward voltage: 0.5V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Kind of package: 13 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 40A
Manufacturer standard package: 7500pcs.
на замовлення 4467 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.79 грн
31+13.88 грн
34+12.49 грн
100+10.41 грн
500+8.05 грн
1000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-E3/61T SS14-E3/61T VISHAY SS14-E3_61T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 7 inch reel
Max. forward voltage: 0.5V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 40A
Manufacturer standard package: 1800pcs.
на замовлення 5049 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.17 грн
27+16.17 грн
50+11.14 грн
100+9.44 грн
500+6.37 грн
1000+5.33 грн
1800+4.58 грн
3600+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-M3/61T SS14-M3/61T VISHAY SS12-SS16.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 7 inch reel
Max. forward voltage: 0.5V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 40A
Manufacturer standard package: 1800pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB6S-E3/80 MB6S-E3/80 VISHAY MB6S-E3-80.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 0.5A; Ifsm: 35A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 35A
Case: MBS; TO269AA
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+41.02 грн
17+25.40 грн
50+20.82 грн
100+18.96 грн
500+14.56 грн
3000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06034K70FKTABC CRCW06034K70FKTABC VISHAY Data Sheet CRCW_BCe3.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 4.7kΩ; SMD; 0603; 0.1W; ±1%; CRCW0603; 75V
Type of resistor: thick film
Resistance: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Power: 0.1W
Tolerance: ±1%
Operating voltage: 75V
Operating temperature: -55...155°C
Manufacturer series: CRCW0603
на замовлення 645500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
374+1.22 грн
1502+0.28 грн
5000+0.18 грн
10000+0.15 грн
20000+0.14 грн
50000+0.12 грн
75000+0.11 грн
Мінімальне замовлення: 374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE100CA-E3/54 1.5KE100CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 100V; 10.9A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 85.5V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 10.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.38 грн
22+20.15 грн
100+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS24HE3_A/H SS24HE3_A/H VISHAY ss22.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 2A; 7 inch reel
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 75A
Manufacturer standard package: 750pcs.
Max. forward voltage: 0.5V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HRC00FE1002WTNL HRC00FE1002WTNL VISHAY HRC.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 10uF; 450VDC; ±20%; 10000h; -25÷105°C
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 10µF
Operating voltage: 450V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -25...105°C
Dimensions: 12.5x20mm
на замовлення 724 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.73 грн
10+43.60 грн
50+31.57 грн
100+26.33 грн
300+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAL204217109E3 MAL204217109E3 VISHAY 041042043ash.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 10uF; 450VDC; Ø12.5x30mm; ±20%
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 10µF
Operating voltage: 450V DC
Body dimensions: Ø12.5x30mm
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -40...85°C
Height: 30mm
Diameter: 12.5mm
Leads: axial
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+323.63 грн
5+256.49 грн
10+229.40 грн
20+204.01 грн
60+171.00 грн
100+159.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAL204272109E3 MAL204272109E3 VISHAY 041042043ash.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 10uF; 450VDC; Ø12.5x30mm
Tolerance: ±20%
Diameter: 12.5mm
Mounting: THT
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
Operating temperature: -40...105°C
Leads: axial
Body dimensions: Ø12.5x30mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 10µF
Height: 30mm
Operating voltage: 450V DC
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+407.50 грн
5+270.88 грн
10+257.34 грн
25+245.49 грн
50+237.87 грн
100+231.94 грн
200+226.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 VISHAY siss54dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 148.5A; Idm: 300A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 42W
Gate charge: 72nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 148.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -12...16V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 1.5mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0FKEA CRCW120610K0FKEA VISHAY dcrcwe3.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 10kΩ; SMD; 1206; 0.25W; ±1%; 200V; -55÷125°C
Type of resistor: thick film
Resistance: 10kΩ
Mounting: SMD
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Power: 0.25W
Tolerance: ±1%
Operating voltage: 200V
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 16847 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
80+5.75 грн
177+2.40 грн
292+1.45 грн
500+1.03 грн
1000+0.88 грн
5000+0.62 грн
10000+0.53 грн
15000+0.48 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0FKTABC CRCW120610K0FKTABC VISHAY Data Sheet CRCW_BCe3.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 10kΩ; SMD; 1206; 0.25W; ±1%; 200V; -55÷155°C
Type of resistor: thick film
Resistance: 10kΩ
Mounting: SMD
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Power: 0.25W
Tolerance: ±1%
Operating voltage: 200V
Operating temperature: -55...155°C
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
693+0.66 грн
837+0.51 грн
955+0.44 грн
1174+0.36 грн
2000+0.29 грн
4000+0.25 грн
5000+0.24 грн
10000+0.23 грн
50000+0.22 грн
Мінімальне замовлення: 693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0JNEA CRCW120610K0JNEA VISHAY dcrcwe3.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 10kΩ; SMD; 1206; 0.25W; ±5%; 200V; -55÷125°C
Type of resistor: thick film
Resistance: 10kΩ
Mounting: SMD
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Power: 0.25W
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 200V
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 7749 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
66+6.93 грн
138+3.07 грн
180+2.35 грн
220+1.93 грн
268+1.58 грн
500+1.01 грн
1000+0.84 грн
2500+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0JNTABC CRCW120610K0JNTABC VISHAY Data Sheet CRCW_BCe3.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 10kΩ; SMD; 1206; 0.25W; ±5%; 200V; -55÷155°C
Type of resistor: thick film
Resistance: 10kΩ
Mounting: SMD
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Power: 0.25W
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 200V
Operating temperature: -55...155°C
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
300+1.94 грн
1000+0.58 грн
5000+0.28 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4001-E3/54 1N4001-E3/54 VISHAY 1n400x.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 1A; Ifsm: 30A; DO41; 13 inch reel
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 15pF
Manufacturer standard package: 5500pcs.
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.97 грн
65+6.60 грн
500+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54WS-E3-08 BAT54WS-E3-08 VISHAY bat54ws.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Max. load current: 0.3A
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.41 грн
41+10.41 грн
100+6.53 грн
500+4.96 грн
1000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004-E3/54 1N4004-E3/54 VISHAY 1n400x.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ifsm: 30A; DO41; 13 inch reel
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 15pF
Manufacturer standard package: 5500pcs.
на замовлення 10318 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.23 грн
46+9.31 грн
100+8.80 грн
500+6.94 грн
1000+6.69 грн
5500+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004-E3/73 1N4004-E3/73 VISHAY 1n4001.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ifsm: 30A; DO41; Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 15pF
на замовлення 25616 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.41 грн
40+10.58 грн
100+7.22 грн
500+5.54 грн
1000+4.95 грн
3000+4.15 грн
6000+3.71 грн
9000+3.47 грн
24000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004GP-E3/54 1N4004GP-E3/54 VISHAY 1n400x.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ifsm: 30A; DO41; 13 inch reel; 2us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward voltage: 1.1V
Reverse recovery time: 2µs
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 8pF
Manufacturer standard package: 5500pcs.
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.47 грн
23+18.62 грн
60+7.11 грн
100+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY IRF640PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY IRF640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRLPBF IRF640STRLPBF VISHAY IRF640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A-E3-08 BAT54A-E3-08 VISHAY bat54_bat54a_bat54c_bat54s.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.23W
Leakage current: 2µA
Manufacturer standard package: 3000pcs.
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.12 грн
85+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A-HE3-08 BAT54A-HE3-08 VISHAY Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.23W
Leakage current: 2µA
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Application: automotive industry
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
80+5.83 грн
125+3.40 грн
500+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54S-E3-08 BAT54S-E3-08 VISHAY bat54-vi.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Max. load current: 0.3A
Reverse recovery time: 5ns
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 0.6A
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Max. forward voltage: 0.24V
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
Kind of package: 7 inch reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54S-HE3-08 BAT54S-HE3-08 VISHAY bat54_bat54a_bat54c_bat54s.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.8V
Kind of package: 7 inch reel
Capacitance: 10pF
Reverse recovery time: 5ns
Max. forward impulse current: 0.6A
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
Application: automotive industry
Leakage current: 2µA
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBF IRFP240PBF VISHAY IRFP240PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T63XB103KT20 T63XB103KT20 VISHAY t63.pdf Category: 1/4 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; 10kΩ; multiturn; 250mW; ±10%; linear; THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 6.8x6.8x5mm
Operating temperature: -55...155°C
Mounting: THT
Manufacturer series: T63XB
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 13 ±2
Track material: cermet
Characteristics: linear
Potentiometer standard - inch: 1/4"
Kind of potentiometer: multiturn
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Number of mechanical turns: 15 ±5
Torque: 1Ncm
Operating voltage: 250V
IP rating: IP67
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+252.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T63YB103KT20 T63YB103KT20 VISHAY t63.pdf Category: 1/4 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; 10kΩ; multiturn; 250mW; ±10%; linear; THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 6.8x6.8x5mm
Operating temperature: -55...155°C
Mounting: THT
Manufacturer series: T63YB
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 13 ±2
Track material: cermet
Characteristics: linear
Potentiometer standard - inch: 1/4"
Kind of potentiometer: multiturn
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Number of mechanical turns: 15 ±5
Torque: 1Ncm
Operating voltage: 250V
IP rating: IP67
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+247.05 грн
10+176.07 грн
25+161.68 грн
50+152.37 грн
100+143.06 грн
250+136.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T93XB103KT20 T93XB103KT20 VISHAY t93.pdf Category: 3/8 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; 10kΩ; multiturn; 500mW; THT; ±10%; linear
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 9.8x9.8x5mm
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: T93XB
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 19 ±2
Track material: cermet
Engineering PN: 64Z; 67Z; 3296Z
Characteristics: linear
Potentiometer standard - inch: 3/8"
Kind of potentiometer: multiturn
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Number of mechanical turns: 22 ±5
Torque: 1.5Ncm
Operating voltage: 250V
IP rating: IP67
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+107.57 грн
10+74.49 грн
50+69.41 грн
100+66.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T93YB103KT20 T93YB103KT20 VISHAY t93.pdf Category: 3/8 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; 10kΩ; multiturn; 500mW; THT; ±10%; linear
Type of potentiometer: mounting
Resistance: 10kΩ
Kind of potentiometer: multiturn
Power: 0.5W
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Characteristics: linear
Manufacturer series: T93YB
Track material: cermet
Potentiometer standard - inch: 3/8"
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Body dimensions: 9.8x9.8x5mm
Number of electrical turns: 19 ±2
Number of mechanical turns: 22 ±5
Engineering PN: 64Y; 67Y; 3296Y
IP rating: IP67
Torque: 1.5Ncm
Operating temperature: -55...125°C
Operating voltage: 250V
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+116.69 грн
5+93.12 грн
10+83.80 грн
25+71.95 грн
30+69.41 грн
50+65.18 грн
100+60.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT60 VS-36MT60 VISHAY VS-26MT_36MT.pdf Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 600V; If: 35A; Ifsm: 475A; THT
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 35A
Kind of package: bulk
Leads dimensions: 6.3x0.8mm
Case: D-63
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. forward impulse current: 475A
Max. forward voltage: 1.19V
Version: square
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1149.56 грн
5+910.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60E-GE3 SIHB12N60E-GE3 VISHAY sihb12n60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 147W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 147W
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60ET1-GE3 SIHB12N60ET1-GE3 VISHAY doc?91486 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-GE3 SIHF12N60E-GE3 VISHAY sihf12n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 33W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-GE3 SIHP12N60E-GE3 VISHAY sihp12n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF VISHAY IRFP22N50APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF IRFP250PBF VISHAY IRFP250PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 491 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+392.91 грн
5+270.04 грн
10+215.86 грн
25+159.14 грн
50+134.60 грн
100+121.05 грн
125+119.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF IRFP260PBF VISHAY IRFP260.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 652 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+400.20 грн
10+218.40 грн
25+202.32 грн
50+189.62 грн
100+176.92 грн
125+174.38 грн
375+162.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP264PBF IRFP264PBF VISHAY irfp264.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+464.93 грн
10+284.43 грн
25+262.42 грн
50+245.49 грн
100+229.40 грн
250+208.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE6.8CA-E3/54 1.5KE6.8CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 6.8V; 143A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 143A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 2mA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.49 грн
12+35.30 грн
100+26.33 грн
250+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS34-E3/57T SS34-E3/57T VISHAY ss32_ss36.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 3A; 7 inch reel
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 100A
Manufacturer standard package: 850pcs.
Max. forward voltage: 0.5V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.96 грн
16+27.26 грн
100+18.96 грн
500+13.88 грн
850+12.27 грн
1700+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS34-E3/9AT VISHAY ss32_ss36.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 3A; 13 inch reel
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 100A
Manufacturer standard package: 3500pcs.
Max. forward voltage: 0.5V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Kind of package: 13 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20mA
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW0603220KFKEAHP crcwhpe3.pdf
CRCW0603220KFKEAHP
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW0603220KFKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 kohm, ± 1%, 330 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschicht (doppelseitig)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 330mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
isCanonical: N
Widerstand: 220kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHLP4040DZER100M8A ihlp-4040dz-8a.pdf
IHLP4040DZER100M8A
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IHLP4040DZER100M8A - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 6.5 A, Geschirmt, 8.5 A, IHLP-4040DZ-8A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.03306ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 10.79mm x 10.16mm x 4mm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 6.5A
Sättigungsstrom (Isat): 8.5A
Produktlänge: 10.79mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: IHLP-4040DZ-8A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 10.16mm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHLP4040DZER100M8A ihlp-4040dz-8a.pdf
IHLP4040DZER100M8A
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IHLP4040DZER100M8A - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 6.5 A, Geschirmt, 8.5 A, IHLP-4040DZ-8A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.03306ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 10.79mm x 10.16mm x 4mm
isCanonical: N
RMS-Strom Irms: 6.5A
Sättigungsstrom (Isat): 8.5A
Produktlänge: 10.79mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: IHLP-4040DZ-8A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 10.16mm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-E3 VISH-S-A0010924773-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2312BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY228GP-E3/54 by228gp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 2.5A; Ifsm: 50A; DO201AD; Ufmax: 1.6V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.5kV
Load current: 2.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Max. forward impulse current: 50A
Case: DO201AD
Kind of package: 13 inch reel
Reverse recovery time: 20µs
Manufacturer standard package: 1400pcs.
Max. forward voltage: 1.6V
Max. load current: 10A
Leakage current: 0.2mA
Capacitance: 40pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF18N50D-E3 sihf18n50d.pdf
SIHF18N50D-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 53A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF.pdf
IRFZ48RPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 291A
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+242.49 грн
5+177.77 грн
10+156.60 грн
50+116.82 грн
100+104.97 грн
250+93.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460APBF irfp460a.pdf
IRFP460APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+377.41 грн
5+294.59 грн
10+260.73 грн
25+216.71 грн
50+189.62 грн
100+168.46 грн
200+153.22 грн
500+139.67 грн
750+135.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460LCPBF IRFP460LCPBF.pdf
IRFP460LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+515.07 грн
5+393.63 грн
10+330.14 грн
25+253.95 грн
50+226.02 грн
100+216.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBF IRFP460PBF.pdf
IRFP460PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+379.24 грн
5+308.13 грн
10+270.04 грн
25+198.08 грн
50+191.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF.pdf
IRF510PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+82.96 грн
10+51.21 грн
50+47.49 грн
100+43.68 грн
250+38.77 грн
500+35.30 грн
1000+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF.pdf
IRF510SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+129.45 грн
10+56.80 грн
50+50.28 грн
100+47.66 грн
250+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510SPBF.pdf
IRF510STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF description IRF520PBF.pdf
IRF520PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 37A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6N137-X007T 6N137-X007T.pdf
6N137-X007T
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: logic; Uinsul: 5kV; 10Mbps; Uce: 7V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: logic
Transfer rate: 10Mbps
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 7ns
Output voltage: 7V
Collector-emitter voltage: 7V
Insulation voltage: 5kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-E3/5AT ss12.pdf
SS14-E3/5AT
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 13 inch reel
Max. forward voltage: 0.5V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Kind of package: 13 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 40A
Manufacturer standard package: 7500pcs.
на замовлення 4467 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.79 грн
31+13.88 грн
34+12.49 грн
100+10.41 грн
500+8.05 грн
1000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-E3/61T SS14-E3_61T.pdf
SS14-E3/61T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 7 inch reel
Max. forward voltage: 0.5V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 40A
Manufacturer standard package: 1800pcs.
на замовлення 5049 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.17 грн
27+16.17 грн
50+11.14 грн
100+9.44 грн
500+6.37 грн
1000+5.33 грн
1800+4.58 грн
3600+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-M3/61T SS12-SS16.pdf
SS14-M3/61T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 7 inch reel
Max. forward voltage: 0.5V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 40A
Manufacturer standard package: 1800pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB6S-E3/80 MB6S-E3-80.pdf
MB6S-E3/80
Виробник: VISHAY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 0.5A; Ifsm: 35A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 35A
Case: MBS; TO269AA
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+41.02 грн
17+25.40 грн
50+20.82 грн
100+18.96 грн
500+14.56 грн
3000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06034K70FKTABC Data Sheet CRCW_BCe3.pdf
CRCW06034K70FKTABC
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 4.7kΩ; SMD; 0603; 0.1W; ±1%; CRCW0603; 75V
Type of resistor: thick film
Resistance: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Power: 0.1W
Tolerance: ±1%
Operating voltage: 75V
Operating temperature: -55...155°C
Manufacturer series: CRCW0603
на замовлення 645500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
374+1.22 грн
1502+0.28 грн
5000+0.18 грн
10000+0.15 грн
20000+0.14 грн
50000+0.12 грн
75000+0.11 грн
Мінімальне замовлення: 374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE100CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE100CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 100V; 10.9A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 85.5V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 10.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+37.38 грн
22+20.15 грн
100+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS24HE3_A/H ss22.pdf
SS24HE3_A/H
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 2A; 7 inch reel
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 75A
Manufacturer standard package: 750pcs.
Max. forward voltage: 0.5V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HRC00FE1002WTNL HRC.pdf
HRC00FE1002WTNL
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 10uF; 450VDC; ±20%; 10000h; -25÷105°C
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 10µF
Operating voltage: 450V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -25...105°C
Dimensions: 12.5x20mm
на замовлення 724 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+64.73 грн
10+43.60 грн
50+31.57 грн
100+26.33 грн
300+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAL204217109E3 041042043ash.pdf
MAL204217109E3
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 10uF; 450VDC; Ø12.5x30mm; ±20%
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 10µF
Operating voltage: 450V DC
Body dimensions: Ø12.5x30mm
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -40...85°C
Height: 30mm
Diameter: 12.5mm
Leads: axial
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+323.63 грн
5+256.49 грн
10+229.40 грн
20+204.01 грн
60+171.00 грн
100+159.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAL204272109E3 041042043ash.pdf
MAL204272109E3
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 10uF; 450VDC; Ø12.5x30mm
Tolerance: ±20%
Diameter: 12.5mm
Mounting: THT
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
Operating temperature: -40...105°C
Leads: axial
Body dimensions: Ø12.5x30mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 10µF
Height: 30mm
Operating voltage: 450V DC
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+407.50 грн
5+270.88 грн
10+257.34 грн
25+245.49 грн
50+237.87 грн
100+231.94 грн
200+226.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 siss54dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 148.5A; Idm: 300A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 42W
Gate charge: 72nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 148.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -12...16V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 1.5mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0FKEA dcrcwe3.pdf
CRCW120610K0FKEA
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 10kΩ; SMD; 1206; 0.25W; ±1%; 200V; -55÷125°C
Type of resistor: thick film
Resistance: 10kΩ
Mounting: SMD
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Power: 0.25W
Tolerance: ±1%
Operating voltage: 200V
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 16847 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+5.75 грн
177+2.40 грн
292+1.45 грн
500+1.03 грн
1000+0.88 грн
5000+0.62 грн
10000+0.53 грн
15000+0.48 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0FKTABC Data Sheet CRCW_BCe3.pdf
CRCW120610K0FKTABC
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 10kΩ; SMD; 1206; 0.25W; ±1%; 200V; -55÷155°C
Type of resistor: thick film
Resistance: 10kΩ
Mounting: SMD
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Power: 0.25W
Tolerance: ±1%
Operating voltage: 200V
Operating temperature: -55...155°C
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
693+0.66 грн
837+0.51 грн
955+0.44 грн
1174+0.36 грн
2000+0.29 грн
4000+0.25 грн
5000+0.24 грн
10000+0.23 грн
50000+0.22 грн
Мінімальне замовлення: 693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0JNEA dcrcwe3.pdf
CRCW120610K0JNEA
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 10kΩ; SMD; 1206; 0.25W; ±5%; 200V; -55÷125°C
Type of resistor: thick film
Resistance: 10kΩ
Mounting: SMD
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Power: 0.25W
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 200V
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 7749 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
66+6.93 грн
138+3.07 грн
180+2.35 грн
220+1.93 грн
268+1.58 грн
500+1.01 грн
1000+0.84 грн
2500+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0JNTABC Data Sheet CRCW_BCe3.pdf
CRCW120610K0JNTABC
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 10kΩ; SMD; 1206; 0.25W; ±5%; 200V; -55÷155°C
Type of resistor: thick film
Resistance: 10kΩ
Mounting: SMD
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Power: 0.25W
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 200V
Operating temperature: -55...155°C
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+1.94 грн
1000+0.58 грн
5000+0.28 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4001-E3/54 1n400x.pdf
1N4001-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 1A; Ifsm: 30A; DO41; 13 inch reel
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 15pF
Manufacturer standard package: 5500pcs.
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+20.97 грн
65+6.60 грн
500+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54WS-E3-08 bat54ws.pdf
BAT54WS-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Max. load current: 0.3A
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.41 грн
41+10.41 грн
100+6.53 грн
500+4.96 грн
1000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004-E3/54 1n400x.pdf
1N4004-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ifsm: 30A; DO41; 13 inch reel
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 15pF
Manufacturer standard package: 5500pcs.
на замовлення 10318 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+18.23 грн
46+9.31 грн
100+8.80 грн
500+6.94 грн
1000+6.69 грн
5500+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004-E3/73 1n4001.pdf
1N4004-E3/73
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ifsm: 30A; DO41; Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 15pF
на замовлення 25616 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.41 грн
40+10.58 грн
100+7.22 грн
500+5.54 грн
1000+4.95 грн
3000+4.15 грн
6000+3.71 грн
9000+3.47 грн
24000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004GP-E3/54 1n400x.pdf
1N4004GP-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ifsm: 30A; DO41; 13 inch reel; 2us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward voltage: 1.1V
Reverse recovery time: 2µs
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 8pF
Manufacturer standard package: 5500pcs.
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.47 грн
23+18.62 грн
60+7.11 грн
100+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF.pdf
IRF640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640S.pdf
IRF640SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRLPBF IRF640S.pdf
IRF640STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A-E3-08 bat54_bat54a_bat54c_bat54s.pdf
BAT54A-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.23W
Leakage current: 2µA
Manufacturer standard package: 3000pcs.
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+9.12 грн
85+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A-HE3-08
BAT54A-HE3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.23W
Leakage current: 2µA
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Application: automotive industry
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+5.83 грн
125+3.40 грн
500+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54S-E3-08 bat54-vi.pdf
BAT54S-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Max. load current: 0.3A
Reverse recovery time: 5ns
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 0.6A
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Max. forward voltage: 0.24V
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
Kind of package: 7 inch reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54S-HE3-08 bat54_bat54a_bat54c_bat54s.pdf
BAT54S-HE3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.8V
Kind of package: 7 inch reel
Capacitance: 10pF
Reverse recovery time: 5ns
Max. forward impulse current: 0.6A
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
Application: automotive industry
Leakage current: 2µA
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBF IRFP240PBF.pdf
IRFP240PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T63XB103KT20 t63.pdf
T63XB103KT20
Виробник: VISHAY
Category: 1/4 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; 10kΩ; multiturn; 250mW; ±10%; linear; THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 6.8x6.8x5mm
Operating temperature: -55...155°C
Mounting: THT
Manufacturer series: T63XB
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 13 ±2
Track material: cermet
Characteristics: linear
Potentiometer standard - inch: 1/4"
Kind of potentiometer: multiturn
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Number of mechanical turns: 15 ±5
Torque: 1Ncm
Operating voltage: 250V
IP rating: IP67
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+252.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T63YB103KT20 t63.pdf
T63YB103KT20
Виробник: VISHAY
Category: 1/4 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; 10kΩ; multiturn; 250mW; ±10%; linear; THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 6.8x6.8x5mm
Operating temperature: -55...155°C
Mounting: THT
Manufacturer series: T63YB
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 13 ±2
Track material: cermet
Characteristics: linear
Potentiometer standard - inch: 1/4"
Kind of potentiometer: multiturn
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Number of mechanical turns: 15 ±5
Torque: 1Ncm
Operating voltage: 250V
IP rating: IP67
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+247.05 грн
10+176.07 грн
25+161.68 грн
50+152.37 грн
100+143.06 грн
250+136.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T93XB103KT20 t93.pdf
T93XB103KT20
Виробник: VISHAY
Category: 3/8 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; 10kΩ; multiturn; 500mW; THT; ±10%; linear
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 9.8x9.8x5mm
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: T93XB
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 19 ±2
Track material: cermet
Engineering PN: 64Z; 67Z; 3296Z
Characteristics: linear
Potentiometer standard - inch: 3/8"
Kind of potentiometer: multiturn
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Number of mechanical turns: 22 ±5
Torque: 1.5Ncm
Operating voltage: 250V
IP rating: IP67
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+107.57 грн
10+74.49 грн
50+69.41 грн
100+66.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T93YB103KT20 t93.pdf
T93YB103KT20
Виробник: VISHAY
Category: 3/8 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; 10kΩ; multiturn; 500mW; THT; ±10%; linear
Type of potentiometer: mounting
Resistance: 10kΩ
Kind of potentiometer: multiturn
Power: 0.5W
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Characteristics: linear
Manufacturer series: T93YB
Track material: cermet
Potentiometer standard - inch: 3/8"
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Body dimensions: 9.8x9.8x5mm
Number of electrical turns: 19 ±2
Number of mechanical turns: 22 ±5
Engineering PN: 64Y; 67Y; 3296Y
IP rating: IP67
Torque: 1.5Ncm
Operating temperature: -55...125°C
Operating voltage: 250V
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+116.69 грн
5+93.12 грн
10+83.80 грн
25+71.95 грн
30+69.41 грн
50+65.18 грн
100+60.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT60 VS-26MT_36MT.pdf
VS-36MT60
Виробник: VISHAY
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 600V; If: 35A; Ifsm: 475A; THT
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 35A
Kind of package: bulk
Leads dimensions: 6.3x0.8mm
Case: D-63
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. forward impulse current: 475A
Max. forward voltage: 1.19V
Version: square
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1149.56 грн
5+910.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60E-GE3 sihb12n60.pdf
SIHB12N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 147W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 147W
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60ET1-GE3 doc?91486
SIHB12N60ET1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-GE3 sihf12n6.pdf
SIHF12N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 33W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-GE3 sihp12n6.pdf
SIHP12N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF.pdf
IRFP22N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF IRFP250PBF.pdf
IRFP250PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 491 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+392.91 грн
5+270.04 грн
10+215.86 грн
25+159.14 грн
50+134.60 грн
100+121.05 грн
125+119.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF description IRFP260.pdf
IRFP260PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 652 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+400.20 грн
10+218.40 грн
25+202.32 грн
50+189.62 грн
100+176.92 грн
125+174.38 грн
375+162.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP264PBF irfp264.pdf
IRFP264PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+464.93 грн
10+284.43 грн
25+262.42 грн
50+245.49 грн
100+229.40 грн
250+208.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE6.8CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE6.8CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 6.8V; 143A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 143A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 2mA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+46.49 грн
12+35.30 грн
100+26.33 грн
250+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS34-E3/57T ss32_ss36.pdf
SS34-E3/57T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 3A; 7 inch reel
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 100A
Manufacturer standard package: 850pcs.
Max. forward voltage: 0.5V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+51.96 грн
16+27.26 грн
100+18.96 грн
500+13.88 грн
850+12.27 грн
1700+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS34-E3/9AT ss32_ss36.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 3A; 13 inch reel
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 100A
Manufacturer standard package: 3500pcs.
Max. forward voltage: 0.5V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Kind of package: 13 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20mA
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 449 898 1347 1796 2245 2694 3143 3592 4041 4100 4101 4102 4103 4104 4105 4106 4107 4108 4109 4110 4490 4495  [ Наступна Сторінка >> ]