Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (269441) > Сторінка 4468 з 4491

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 449 898 1347 1796 2245 2694 3143 3592 4041 4463 4464 4465 4466 4467 4468 4469 4470 4471 4472 4473 4490 4491  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MBR30H100CT-E3/45 MBR30H100CT-E3/45 VISHAY mbr30h100ct.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 15Ax2; TO220AB; Ufmax: 930mV
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.93V
Max. forward impulse current: 275A
Leakage current: 5µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE24CA-E3/73 VISHAY 15ke.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 22.8V; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE; TransZorb®
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 20.5V
Breakdown voltage: 22.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Kind of package: 7 inch reel
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
K471J15C0GF5UH5 VISHAY kseries.pdf Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 470pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Mounting: THT
Capacitance: 0.47nF
Operating voltage: 50V
Tolerance: ±5%
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: C0G (NP0)
Terminal pitch: 5mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSC00AK4711JARL GSC00AK4711JARL VISHAY GSC.pdf Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; SMD; 470uF; 63VDC; ±20%; -55÷105°C; GSC
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: SMD
Capacitance: 470µF
Operating voltage: 63V DC
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -55...105°C
Manufacturer series: GSC
Height: 16.5mm
Dimensions: 16x16.5mm
Nominal life: 2000h
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8J-E4/51 KBU8J-E4/51 VISHAY kbu8.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+297.19 грн
10+232.79 грн
25+214.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8J-M3/P VISHAY kbu8.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 0.98V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHB24N65E-E3 SiHB24N65E-E3 VISHAY sihb24n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG44N65EF-GE3 VISHAY sihg44n65ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; Idm: 154A; 417W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 154A
Power dissipation: 417W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 278nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG64N65E-GE3 VISHAY sihg64n65e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 202A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 202A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 369nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHP24N65E-E3 SiHP24N65E-E3 VISHAY sihp24n65e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4747A-TR 1N4747A-TR VISHAY 1n4728a.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 20V; DO41; single diode; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 20V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N47xxA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6J5.0A-E3/61 SMA6J5.0A-E3/61 VISHAY sma6jm3.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.4V; 65.9A; unidirectional; DO214AC,SMA; SMA6J
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4V
Max. forward impulse current: 65.9A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AC; SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 0.15mA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Manufacturer series: SMA6J
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6J5.0A-E3/5A SMA6J5.0A-E3/5A VISHAY sma6jm3.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.4V; 300A; unidirectional; DO214AC,SMA; SMA6J
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4V
Max. forward impulse current: 0.3kA
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AC; SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 0.15mA
Manufacturer series: SMA6J
Technology: TransZorb®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6J5.0A-M3/5A SMA6J5.0A-M3/5A VISHAY sma6jm3.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.4V; 298A; unidirectional; DO214AC,SMA; SMA6J
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4V
Max. forward impulse current: 298A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AC; SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 0.15mA
Manufacturer series: SMA6J
Technology: TransZorb®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6J5.0A-M3/61 SMA6J5.0A-M3/61 VISHAY sma6jm3.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.4V; 65.9A; unidirectional; DO214AC,SMA; SMA6J
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4V
Max. forward impulse current: 65.9A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AC; SMA
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Manufacturer series: SMA6J
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ74 ILQ74 VISHAY il74.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 4; OUT: transistor; Uinsul: 5.3kV; Uce: 20V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 4
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5.3kV
Collector-emitter voltage: 20V
Case: DIP16
CTR@If: 35%@16mA
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2N682 VISHAY vs-2n681-2n5205series.pdf Category: Stud mounting thyristors
Description: Thyristor: stud; 50V; Ifmax: 25A; 16A; Igt: 40mA; TO208AA,TO48; screw
Mounting: screw
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 16A
Max. load current: 25A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: anode to stud
Case: TO48; TO208AA
Type of thyristor: stud
Manufacturer series: VS-2Nxxxx
Max. forward impulse current: 0.145kA
Gate current: 40mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSC00AN6820JARL GSC00AN6820JARL VISHAY GSC.pdf Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; SMD; 6.8mF; 6.3VDC; ±20%; -55÷105°C; GSC
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: SMD
Capacitance: 6.8mF
Operating voltage: 6.3V DC
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -55...105°C
Height: 16.5mm
Dimensions: 18x16.5mm
Manufacturer series: GSC
Nominal life: 2000h
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSC00AN6821AARL GSC00AN6821AARL VISHAY GSC.pdf Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; SMD; 6.8mF; 10VDC; ±20%; -55÷105°C; GSC
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: SMD
Capacitance: 6.8mF
Operating voltage: 10V DC
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -55...105°C
Height: 16.5mm
Dimensions: 18x16.5mm
Manufacturer series: GSC
Nominal life: 2000h
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZSC00AN6820JARL ZSC00AN6820JARL VISHAY ZSC.pdf Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; SMD; 6.8mF; 6.3VDC; Ø18x16.5mm
Type of capacitor: electrolytic
Kind of capacitor: low ESR
Mounting: SMD
Capacitance: 6.8mF
Operating voltage: 6.3V DC
Body dimensions: Ø18x16.5mm
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -55...105°C
Height: 16.5mm
Diameter: 18mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZSC00AN6821AARL ZSC00AN6821AARL VISHAY ZSC.pdf Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; SMD; 6.8mF; 10VDC; Ø18x16.5mm
Type of capacitor: electrolytic
Kind of capacitor: low ESR
Mounting: SMD
Capacitance: 6.8mF
Operating voltage: 10V DC
Body dimensions: Ø18x16.5mm
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -55...105°C
Height: 16.5mm
Diameter: 18mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ10CA-E3/52 SMBJ10CA-E3/52 VISHAY smbjA-CA_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 11.1÷12.3V; 35.3A; bidirectional; ±5%; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 35.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Kind of package: 7 inch reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.61 грн
24+17.78 грн
28+15.58 грн
100+8.89 грн
500+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ10D-M3/H SMBJ10D-M3/H VISHAY SMBJxxxD.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 11.3÷12.1V; 35.9A; unidirectional; ±3.5%; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.3...12.1V
Max. forward impulse current: 35.9A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±3.5%
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 2µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Kind of package: 7 inch reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.91 грн
18+24.38 грн
21+20.91 грн
100+10.58 грн
500+6.69 грн
750+6.01 грн
1500+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ100A-E3/5B SMBJ100A-E3/5B VISHAY smbj.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 111V; 3.7A; unidirectional; DO214AA,SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 0.1kV
Breakdown voltage: 111V
Max. forward impulse current: 3.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SMBJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ100CA-E3/52 SMBJ100CA-E3/52 VISHAY smbjA-CA_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 113÷121V; 3.7A; bidirectional; ±5%; DO214AA,SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 0.1kV
Breakdown voltage: 113...121V
Max. forward impulse current: 3.7A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 7 inch reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Technology: TransZorb®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB160A-E3/52 P6SMB160A-E3/52 VISHAY p6smb.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 160V; 2.7A; unidirectional; ±5%; DO214AA,SMB
Max. off-state voltage: 136V
Max. forward impulse current: 2.7A
Case: DO214AA; SMB
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Type of diode: TVS
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 160V
Manufacturer series: P6SMB
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB160A-E3/5B P6SMB160A-E3/5B VISHAY p6smb.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 160V; 2.7A; unidirectional; ±5%; DO214AA,SMB
Max. off-state voltage: 136V
Max. forward impulse current: 2.7A
Case: DO214AA; SMB
Kind of package: 13 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Type of diode: TVS
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 160V
Manufacturer series: P6SMB
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB160A-M3/52 P6SMB160A-M3/52 VISHAY p6smb.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 160V; 2.7A; unidirectional; ±5%; DO214AA,SMB
Max. off-state voltage: 136V
Max. forward impulse current: 2.7A
Case: DO214AA; SMB
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Type of diode: TVS
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 160V
Manufacturer series: P6SMB
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB160A-M3/5B P6SMB160A-M3/5B VISHAY p6smb.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 160V; 2.7A; unidirectional; ±5%; DO214AA,SMB
Max. off-state voltage: 136V
Max. forward impulse current: 2.7A
Case: DO214AA; SMB
Kind of package: 13 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Type of diode: TVS
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 160V
Manufacturer series: P6SMB
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB160AHE3_B/I P6SMB160AHE3_B/I VISHAY p6smb.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 152V; 2.7A; unidirectional; ±5%; DO214AA,SMB
Max. off-state voltage: 136V
Max. forward impulse current: 2.7A
Case: DO214AA; SMB
Kind of package: 13 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Type of diode: TVS
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 152V
Manufacturer series: P6SMB
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-26MB160A VS-26MB160A VISHAY vs-mbhv.pdf Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; Ufmax: 1.25V; If: 25A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Version: square
Case: D-34
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B160-E3/61T B160-E3/61T VISHAY b120_ser.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; 7 inch reel
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Manufacturer standard package: 1800pcs.
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 560 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.32 грн
44+9.65 грн
100+6.43 грн
500+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2N690 VISHAY vs-2n681-2n5205series.pdf Category: Stud mounting thyristors
Description: Thyristor: stud; 600V; Ifmax: 25A; 16A; Igt: 40mA; TO208AA,TO48; bulk
Type of thyristor: stud
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 25A
Load current: 16A
Gate current: 40mA
Case: TO48; TO208AA
Mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.145kA
Semiconductor structure: anode to stud
Manufacturer series: VS-2Nxxxx
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S102K33Y5PP63K5R VISHAY sseries.pdf Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 1nF; 2kVDC; Y5P; ±10%; THT; 5mm; Ø: 8.5mm; 4x8.5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 1nF
Operating voltage: 2kV DC
Dielectric: Y5P
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Terminal pitch: 5mm
Diameter: 8.5mm
Manufacturer series: S
Leads: radial
Body dimensions: 4x8.5mm
Operating temperature: -30...85°C
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZG04-33-HM3-08 BZG04-33-HM3-08 VISHAY bzg04-m-series.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.25W; 39V; SMD; DO214AC,SMA; 5uA
Max. forward voltage: 1.2V
Power dissipation: 1.25W
Leakage current: 5µA
Case: DO214AC; SMA
Zener voltage: 39V
Type of diode: Zener
Mounting: SMD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE250A-E3/54 VISHAY p6ke.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 237V; 1.7A; unidirectional; DO15,DO204AC; P6KE
Semiconductor structure: unidirectional
Max. off-state voltage: 214V
Case: DO15; DO204AC
Max. forward impulse current: 1.7A
Manufacturer series: P6KE
Mounting: THT
Breakdown voltage: 237V
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
Leakage current: 1µA
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-VSKE250-04PBF VISHAY vs-vsk250_270_320pbf.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 400V; If: 250A; MAGN-A-Pak; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 250A
Case: MAGN-A-Pak
Max. forward voltage: 1.29V
Max. forward impulse current: 7.015kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Manufacturer series: VS-VSKE250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-VSKE250-12PBF VISHAY vs-vsk250_270_320pbf.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.2kV; If: 250A; MAGN-A-Pak; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 250A
Case: MAGN-A-Pak
Max. forward voltage: 1.29V
Max. forward impulse current: 7.015kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Manufacturer series: VS-VSKE250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-VSKE250-16PBF VISHAY vs-vsk250_270_320pbf.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 250A; MAGN-A-Pak; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 250A
Case: MAGN-A-Pak
Max. forward voltage: 1.29V
Max. forward impulse current: 7.015kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Manufacturer series: VS-VSKE250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7623DN-T1-GE3 VISHAY si7623dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 180nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9mΩ
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMB02070X7500GB700 CMB02070X7500GB700 VISHAY Category: SMD resistors
Description: Resistor: carbon film; 750Ω; SMD; MELF; 0207; 1W; ±2%; 500V; L: 5.8mm
Length: 5.8mm
Tolerance: ±2%
Diameter: 2.2mm
Type of resistor: carbon film
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Resistance: 750Ω
Body dimensions: Ø2.2x5.8mm
Power: 1W
Roll diameter max.: 330mm
Case: MELF
Conform to the norm: AEC-Q200
Operating voltage: 500V
Case - inch: 0207
Case - mm: 6123
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMB02070X1021FB700 CMB02070X1021FB700 VISHAY Category: SMD resistors
Description: Resistor: carbon film; 1.02kΩ; SMD; MELF; 0207; 1W; ±1%; 500V
Length: 5.8mm
Tolerance: ±1%
Diameter: 2.2mm
Type of resistor: carbon film
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Resistance: 1.02kΩ
Body dimensions: Ø2.2x5.8mm
Power: 1W
Roll diameter max.: 330mm
Case: MELF
Conform to the norm: AEC-Q200
Operating voltage: 500V
Case - inch: 0207
Case - mm: 6123
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV98-200-TR BYV98-200-TR VISHAY byv98.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 4A; Ifsm: 70A; SOD64; 10 inch reel
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD64
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 70A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: 10 inch reel
Reverse recovery time: 35ns
Manufacturer standard package: 2500pcs.
Leakage current: 0.2mA
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+50.14 грн
11+42.24 грн
100+39.11 грн
500+35.89 грн
1000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYW72-TAP BYW72-TAP VISHAY BYW72-TAP.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; Ifsm: 100A; SOD64; Ammo Pack; 200ns
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD64
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 100A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 604 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.76 грн
13+32.84 грн
50+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10D-E3/TR BYG10D-E3/TR VISHAY byg10.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO214AC; SMA
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: 7 inch reel
Reverse recovery time: 4µs
Manufacturer standard package: 1800pcs.
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.79 грн
29+14.90 грн
38+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10Y-E3/TR BYG10Y-E3/TR VISHAY byg10.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.6kV; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO214AC; SMA
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: 7 inch reel
Reverse recovery time: 4µs
Manufacturer standard package: 1800pcs.
на замовлення 5561 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.79 грн
25+17.27 грн
28+15.66 грн
100+13.12 грн
500+12.27 грн
1000+11.09 грн
1800+10.16 грн
3600+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYT54M-TAP BYT54M-TAP VISHAY byt54a.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1.25A; Ifsm: 30A; SOD57; Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.25A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD57
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Reverse recovery time: 100ns
Leakage current: 0.15mA
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.26 грн
11+40.04 грн
50+32.93 грн
100+30.39 грн
250+27.17 грн
500+25.14 грн
1000+23.11 грн
2500+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5627-TAP 1N5627-TAP VISHAY 1n5624_7.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; Ifsm: 100A; SOD64; Ammo Pack; 7.5us
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD64
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 18A
Max. forward impulse current: 100A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Reverse recovery time: 7.5µs
Manufacturer standard package: 2500pcs.
Leakage current: 10µA
Capacitance: 60pF
на замовлення 6933 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.34 грн
11+41.14 грн
100+36.82 грн
250+34.71 грн
500+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM36E-TAP BYM36E-TAP VISHAY bym36.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2.9A; Ifsm: 65A; SOD64; Ammo Pack; 150ns
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2.9A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD64
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 65A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Reverse recovery time: 150ns
Leakage current: 0.1mA
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.07 грн
10+58.41 грн
100+46.30 грн
500+38.77 грн
1000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T93XA221KT20 VISHAY Category: 3/8 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; 220Ω; multiturn; 500mW; THT; ±10%; linear
Type of potentiometer: mounting
Resistance: 220Ω
Kind of potentiometer: multiturn
Power: 0.5W
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Characteristics: linear
Manufacturer series: T93XA
Track material: cermet
Potentiometer standard - inch: 3/8"
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Terminal pitch: 2.54mm
Body dimensions: 9.7x9.8x5mm
Number of electrical turns: 21 ±2
Number of mechanical turns: 23 ±5
IP rating: IP67
Torque: 1.5Ncm
Operating temperature: -55...125°C
Operating voltage: 250V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5227B-TR 1N5227B-TR VISHAY 1n5221.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3.6V; DO35; single diode; 1N52xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3.6V
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N52xxB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP440PBF IRFP440PBF VISHAY IRFP440.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; 150W; TO247AC
Case: TO247AC
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Gate charge: 63nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.85Ω
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+307.22 грн
5+220.09 грн
10+181.15 грн
25+139.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VTVS11ASMF-HM3-08 VTVS11ASMF-HM3-08 VISHAY vtvs3v3asmf.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 12.6V; 21.13A; unidirectional; DO219AB,SMF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 11.2V
Breakdown voltage: 12.6V
Max. forward impulse current: 21.13A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO219AB; SMF
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
Technology: TransZorb®
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VTVS11ASMF-HM3-18 VTVS11ASMF-HM3-18 VISHAY vtvs3v3asmf.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 12.6V; 21.13A; unidirectional; DO219AB,SMF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 11.2V
Breakdown voltage: 12.6V
Max. forward impulse current: 21.13A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO219AB; SMF
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
Technology: TransZorb®
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA6N80AE-GE3 SIHA6N80AE-GE3 VISHAY siha6n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA6N80E-GE3 SIHA6N80E-GE3 VISHAY siha6n80e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB6N80E-GE3 SIHB6N80E-GE3 VISHAY sihb6n80e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; Idm: 15A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80AE-GE3 SIHD6N80AE-GE3 VISHAY sihd6n80ae.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80E-GE3 SIHD6N80E-GE3 VISHAY sihd6n80e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; Idm: 15A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N80E-GE3 SIHP6N80E-GE3 VISHAY sihp6n80e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 820mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR30H100CT-E3/45 mbr30h100ct.pdf
MBR30H100CT-E3/45
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 15Ax2; TO220AB; Ufmax: 930mV
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.93V
Max. forward impulse current: 275A
Leakage current: 5µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE24CA-E3/73 15ke.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 22.8V; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE; TransZorb®
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 20.5V
Breakdown voltage: 22.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Kind of package: 7 inch reel
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
K471J15C0GF5UH5 kseries.pdf
Виробник: VISHAY
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 470pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Mounting: THT
Capacitance: 0.47nF
Operating voltage: 50V
Tolerance: ±5%
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: C0G (NP0)
Terminal pitch: 5mm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSC00AK4711JARL GSC.pdf
GSC00AK4711JARL
Виробник: VISHAY
Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; SMD; 470uF; 63VDC; ±20%; -55÷105°C; GSC
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: SMD
Capacitance: 470µF
Operating voltage: 63V DC
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -55...105°C
Manufacturer series: GSC
Height: 16.5mm
Dimensions: 16x16.5mm
Nominal life: 2000h
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8J-E4/51 kbu8.pdf
KBU8J-E4/51
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+297.19 грн
10+232.79 грн
25+214.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8J-M3/P kbu8.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 0.98V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHB24N65E-E3 sihb24n65e.pdf
SiHB24N65E-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG44N65EF-GE3 sihg44n65ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; Idm: 154A; 417W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 154A
Power dissipation: 417W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 278nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG64N65E-GE3 sihg64n65e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 202A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 202A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 369nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHP24N65E-E3 sihp24n65e.pdf
SiHP24N65E-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4747A-TR 1n4728a.pdf
1N4747A-TR
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 20V; DO41; single diode; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 20V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N47xxA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6J5.0A-E3/61 sma6jm3.pdf
SMA6J5.0A-E3/61
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.4V; 65.9A; unidirectional; DO214AC,SMA; SMA6J
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4V
Max. forward impulse current: 65.9A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AC; SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 0.15mA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Manufacturer series: SMA6J
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6J5.0A-E3/5A sma6jm3.pdf
SMA6J5.0A-E3/5A
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.4V; 300A; unidirectional; DO214AC,SMA; SMA6J
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4V
Max. forward impulse current: 0.3kA
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AC; SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 0.15mA
Manufacturer series: SMA6J
Technology: TransZorb®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6J5.0A-M3/5A sma6jm3.pdf
SMA6J5.0A-M3/5A
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.4V; 298A; unidirectional; DO214AC,SMA; SMA6J
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4V
Max. forward impulse current: 298A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AC; SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 0.15mA
Manufacturer series: SMA6J
Technology: TransZorb®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6J5.0A-M3/61 sma6jm3.pdf
SMA6J5.0A-M3/61
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.4V; 65.9A; unidirectional; DO214AC,SMA; SMA6J
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4V
Max. forward impulse current: 65.9A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AC; SMA
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Manufacturer series: SMA6J
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ74 il74.pdf
ILQ74
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 4; OUT: transistor; Uinsul: 5.3kV; Uce: 20V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 4
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5.3kV
Collector-emitter voltage: 20V
Case: DIP16
CTR@If: 35%@16mA
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2N682 vs-2n681-2n5205series.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Stud mounting thyristors
Description: Thyristor: stud; 50V; Ifmax: 25A; 16A; Igt: 40mA; TO208AA,TO48; screw
Mounting: screw
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 16A
Max. load current: 25A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: anode to stud
Case: TO48; TO208AA
Type of thyristor: stud
Manufacturer series: VS-2Nxxxx
Max. forward impulse current: 0.145kA
Gate current: 40mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSC00AN6820JARL GSC.pdf
GSC00AN6820JARL
Виробник: VISHAY
Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; SMD; 6.8mF; 6.3VDC; ±20%; -55÷105°C; GSC
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: SMD
Capacitance: 6.8mF
Operating voltage: 6.3V DC
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -55...105°C
Height: 16.5mm
Dimensions: 18x16.5mm
Manufacturer series: GSC
Nominal life: 2000h
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSC00AN6821AARL GSC.pdf
GSC00AN6821AARL
Виробник: VISHAY
Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; SMD; 6.8mF; 10VDC; ±20%; -55÷105°C; GSC
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: SMD
Capacitance: 6.8mF
Operating voltage: 10V DC
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -55...105°C
Height: 16.5mm
Dimensions: 18x16.5mm
Manufacturer series: GSC
Nominal life: 2000h
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZSC00AN6820JARL ZSC.pdf
ZSC00AN6820JARL
Виробник: VISHAY
Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; SMD; 6.8mF; 6.3VDC; Ø18x16.5mm
Type of capacitor: electrolytic
Kind of capacitor: low ESR
Mounting: SMD
Capacitance: 6.8mF
Operating voltage: 6.3V DC
Body dimensions: Ø18x16.5mm
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -55...105°C
Height: 16.5mm
Diameter: 18mm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZSC00AN6821AARL ZSC.pdf
ZSC00AN6821AARL
Виробник: VISHAY
Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; SMD; 6.8mF; 10VDC; Ø18x16.5mm
Type of capacitor: electrolytic
Kind of capacitor: low ESR
Mounting: SMD
Capacitance: 6.8mF
Operating voltage: 10V DC
Body dimensions: Ø18x16.5mm
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -55...105°C
Height: 16.5mm
Diameter: 18mm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ10CA-E3/52 smbjA-CA_ser.pdf
SMBJ10CA-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 11.1÷12.3V; 35.3A; bidirectional; ±5%; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 35.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Kind of package: 7 inch reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.61 грн
24+17.78 грн
28+15.58 грн
100+8.89 грн
500+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ10D-M3/H SMBJxxxD.pdf
SMBJ10D-M3/H
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 11.3÷12.1V; 35.9A; unidirectional; ±3.5%; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.3...12.1V
Max. forward impulse current: 35.9A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±3.5%
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 2µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Kind of package: 7 inch reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.91 грн
18+24.38 грн
21+20.91 грн
100+10.58 грн
500+6.69 грн
750+6.01 грн
1500+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ100A-E3/5B smbj.pdf
SMBJ100A-E3/5B
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 111V; 3.7A; unidirectional; DO214AA,SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 0.1kV
Breakdown voltage: 111V
Max. forward impulse current: 3.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SMBJ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ100CA-E3/52 smbjA-CA_ser.pdf
SMBJ100CA-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 113÷121V; 3.7A; bidirectional; ±5%; DO214AA,SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 0.1kV
Breakdown voltage: 113...121V
Max. forward impulse current: 3.7A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 7 inch reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Technology: TransZorb®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB160A-E3/52 p6smb.pdf
P6SMB160A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 160V; 2.7A; unidirectional; ±5%; DO214AA,SMB
Max. off-state voltage: 136V
Max. forward impulse current: 2.7A
Case: DO214AA; SMB
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Type of diode: TVS
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 160V
Manufacturer series: P6SMB
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB160A-E3/5B p6smb.pdf
P6SMB160A-E3/5B
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 160V; 2.7A; unidirectional; ±5%; DO214AA,SMB
Max. off-state voltage: 136V
Max. forward impulse current: 2.7A
Case: DO214AA; SMB
Kind of package: 13 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Type of diode: TVS
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 160V
Manufacturer series: P6SMB
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB160A-M3/52 p6smb.pdf
P6SMB160A-M3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 160V; 2.7A; unidirectional; ±5%; DO214AA,SMB
Max. off-state voltage: 136V
Max. forward impulse current: 2.7A
Case: DO214AA; SMB
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Type of diode: TVS
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 160V
Manufacturer series: P6SMB
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB160A-M3/5B p6smb.pdf
P6SMB160A-M3/5B
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 160V; 2.7A; unidirectional; ±5%; DO214AA,SMB
Max. off-state voltage: 136V
Max. forward impulse current: 2.7A
Case: DO214AA; SMB
Kind of package: 13 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Type of diode: TVS
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 160V
Manufacturer series: P6SMB
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB160AHE3_B/I p6smb.pdf
P6SMB160AHE3_B/I
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 152V; 2.7A; unidirectional; ±5%; DO214AA,SMB
Max. off-state voltage: 136V
Max. forward impulse current: 2.7A
Case: DO214AA; SMB
Kind of package: 13 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Type of diode: TVS
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 152V
Manufacturer series: P6SMB
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-26MB160A vs-mbhv.pdf
VS-26MB160A
Виробник: VISHAY
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; Ufmax: 1.25V; If: 25A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Version: square
Case: D-34
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B160-E3/61T b120_ser.pdf
B160-E3/61T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; 7 inch reel
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Manufacturer standard package: 1800pcs.
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 560 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+17.32 грн
44+9.65 грн
100+6.43 грн
500+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2N690 vs-2n681-2n5205series.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Stud mounting thyristors
Description: Thyristor: stud; 600V; Ifmax: 25A; 16A; Igt: 40mA; TO208AA,TO48; bulk
Type of thyristor: stud
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 25A
Load current: 16A
Gate current: 40mA
Case: TO48; TO208AA
Mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.145kA
Semiconductor structure: anode to stud
Manufacturer series: VS-2Nxxxx
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S102K33Y5PP63K5R sseries.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 1nF; 2kVDC; Y5P; ±10%; THT; 5mm; Ø: 8.5mm; 4x8.5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 1nF
Operating voltage: 2kV DC
Dielectric: Y5P
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Terminal pitch: 5mm
Diameter: 8.5mm
Manufacturer series: S
Leads: radial
Body dimensions: 4x8.5mm
Operating temperature: -30...85°C
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZG04-33-HM3-08 bzg04-m-series.pdf
BZG04-33-HM3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.25W; 39V; SMD; DO214AC,SMA; 5uA
Max. forward voltage: 1.2V
Power dissipation: 1.25W
Leakage current: 5µA
Case: DO214AC; SMA
Zener voltage: 39V
Type of diode: Zener
Mounting: SMD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE250A-E3/54 p6ke.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 237V; 1.7A; unidirectional; DO15,DO204AC; P6KE
Semiconductor structure: unidirectional
Max. off-state voltage: 214V
Case: DO15; DO204AC
Max. forward impulse current: 1.7A
Manufacturer series: P6KE
Mounting: THT
Breakdown voltage: 237V
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
Leakage current: 1µA
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-VSKE250-04PBF vs-vsk250_270_320pbf.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 400V; If: 250A; MAGN-A-Pak; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 250A
Case: MAGN-A-Pak
Max. forward voltage: 1.29V
Max. forward impulse current: 7.015kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Manufacturer series: VS-VSKE250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-VSKE250-12PBF vs-vsk250_270_320pbf.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.2kV; If: 250A; MAGN-A-Pak; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 250A
Case: MAGN-A-Pak
Max. forward voltage: 1.29V
Max. forward impulse current: 7.015kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Manufacturer series: VS-VSKE250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-VSKE250-16PBF vs-vsk250_270_320pbf.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 250A; MAGN-A-Pak; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 250A
Case: MAGN-A-Pak
Max. forward voltage: 1.29V
Max. forward impulse current: 7.015kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Manufacturer series: VS-VSKE250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7623DN-T1-GE3 si7623dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 180nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9mΩ
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMB02070X7500GB700
CMB02070X7500GB700
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: carbon film; 750Ω; SMD; MELF; 0207; 1W; ±2%; 500V; L: 5.8mm
Length: 5.8mm
Tolerance: ±2%
Diameter: 2.2mm
Type of resistor: carbon film
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Resistance: 750Ω
Body dimensions: Ø2.2x5.8mm
Power: 1W
Roll diameter max.: 330mm
Case: MELF
Conform to the norm: AEC-Q200
Operating voltage: 500V
Case - inch: 0207
Case - mm: 6123
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMB02070X1021FB700
CMB02070X1021FB700
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: carbon film; 1.02kΩ; SMD; MELF; 0207; 1W; ±1%; 500V
Length: 5.8mm
Tolerance: ±1%
Diameter: 2.2mm
Type of resistor: carbon film
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Resistance: 1.02kΩ
Body dimensions: Ø2.2x5.8mm
Power: 1W
Roll diameter max.: 330mm
Case: MELF
Conform to the norm: AEC-Q200
Operating voltage: 500V
Case - inch: 0207
Case - mm: 6123
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV98-200-TR byv98.pdf
BYV98-200-TR
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 4A; Ifsm: 70A; SOD64; 10 inch reel
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD64
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 70A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: 10 inch reel
Reverse recovery time: 35ns
Manufacturer standard package: 2500pcs.
Leakage current: 0.2mA
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+50.14 грн
11+42.24 грн
100+39.11 грн
500+35.89 грн
1000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYW72-TAP BYW72-TAP.pdf
BYW72-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; Ifsm: 100A; SOD64; Ammo Pack; 200ns
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD64
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 100A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 604 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+43.76 грн
13+32.84 грн
50+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10D-E3/TR byg10.pdf
BYG10D-E3/TR
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO214AC; SMA
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: 7 inch reel
Reverse recovery time: 4µs
Manufacturer standard package: 1800pcs.
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.79 грн
29+14.90 грн
38+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10Y-E3/TR byg10.pdf
BYG10Y-E3/TR
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.6kV; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO214AC; SMA
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: 7 inch reel
Reverse recovery time: 4µs
Manufacturer standard package: 1800pcs.
на замовлення 5561 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.79 грн
25+17.27 грн
28+15.66 грн
100+13.12 грн
500+12.27 грн
1000+11.09 грн
1800+10.16 грн
3600+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYT54M-TAP byt54a.pdf
BYT54M-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1.25A; Ifsm: 30A; SOD57; Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.25A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD57
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Reverse recovery time: 100ns
Leakage current: 0.15mA
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+59.26 грн
11+40.04 грн
50+32.93 грн
100+30.39 грн
250+27.17 грн
500+25.14 грн
1000+23.11 грн
2500+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5627-TAP 1n5624_7.pdf
1N5627-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; Ifsm: 100A; SOD64; Ammo Pack; 7.5us
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD64
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 18A
Max. forward impulse current: 100A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Reverse recovery time: 7.5µs
Manufacturer standard package: 2500pcs.
Leakage current: 10µA
Capacitance: 60pF
на замовлення 6933 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+58.34 грн
11+41.14 грн
100+36.82 грн
250+34.71 грн
500+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM36E-TAP bym36.pdf
BYM36E-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2.9A; Ifsm: 65A; SOD64; Ammo Pack; 150ns
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2.9A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD64
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 65A
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Reverse recovery time: 150ns
Leakage current: 0.1mA
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+92.07 грн
10+58.41 грн
100+46.30 грн
500+38.77 грн
1000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T93XA221KT20
Виробник: VISHAY
Category: 3/8 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; 220Ω; multiturn; 500mW; THT; ±10%; linear
Type of potentiometer: mounting
Resistance: 220Ω
Kind of potentiometer: multiturn
Power: 0.5W
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Characteristics: linear
Manufacturer series: T93XA
Track material: cermet
Potentiometer standard - inch: 3/8"
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Terminal pitch: 2.54mm
Body dimensions: 9.7x9.8x5mm
Number of electrical turns: 21 ±2
Number of mechanical turns: 23 ±5
IP rating: IP67
Torque: 1.5Ncm
Operating temperature: -55...125°C
Operating voltage: 250V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5227B-TR 1n5221.pdf
1N5227B-TR
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3.6V; DO35; single diode; 1N52xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3.6V
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N52xxB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP440PBF IRFP440.pdf
IRFP440PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; 150W; TO247AC
Case: TO247AC
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Gate charge: 63nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.85Ω
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+307.22 грн
5+220.09 грн
10+181.15 грн
25+139.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VTVS11ASMF-HM3-08 vtvs3v3asmf.pdf
VTVS11ASMF-HM3-08
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 12.6V; 21.13A; unidirectional; DO219AB,SMF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 11.2V
Breakdown voltage: 12.6V
Max. forward impulse current: 21.13A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO219AB; SMF
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
Technology: TransZorb®
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VTVS11ASMF-HM3-18 vtvs3v3asmf.pdf
VTVS11ASMF-HM3-18
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 12.6V; 21.13A; unidirectional; DO219AB,SMF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 11.2V
Breakdown voltage: 12.6V
Max. forward impulse current: 21.13A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO219AB; SMF
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
Technology: TransZorb®
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA6N80AE-GE3 siha6n80ae.pdf
SIHA6N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA6N80E-GE3 siha6n80e.pdf
SIHA6N80E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB6N80E-GE3 sihb6n80e.pdf
SIHB6N80E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; Idm: 15A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80AE-GE3 sihd6n80ae.pdf
SIHD6N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80E-GE3 sihd6n80e.pdf
SIHD6N80E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; Idm: 15A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N80E-GE3 sihp6n80e.pdf
SIHP6N80E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 820mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 449 898 1347 1796 2245 2694 3143 3592 4041 4463 4464 4465 4466 4467 4468 4469 4470 4471 4472 4473 4490 4491  [ Наступна Сторінка >> ]