Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (292750) > Сторінка 4662 з 4880

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 488 976 1464 1952 2440 2928 3416 3904 4392 4657 4658 4659 4660 4661 4662 4663 4664 4665 4666 4667 4880  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BAT54WS-E3-08 BAT54WS-E3-08 VISHAY bat54ws.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 0.2A; SOD323; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.6A
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+14.19 грн
33+ 10.54 грн
42+ 8.44 грн
100+ 5.06 грн
250+ 4.43 грн
263+ 3.05 грн
722+ 2.89 грн
Мінімальне замовлення: 27
IRFP9140PBF IRFP9140PBF VISHAY IRFP9140PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 180W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.83 грн
5+ 94.34 грн
11+ 76.31 грн
29+ 72.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
1N4004-E3/54 1N4004-E3/54 VISHAY 1n400x.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 15pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+15.69 грн
33+ 10.68 грн
49+ 7.1 грн
100+ 5.33 грн
469+ 1.71 грн
1288+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 24
1N4004-E3/73 1N4004-E3/73 VISHAY 1n4001.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 15pF
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 27813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+14.19 грн
35+ 10.13 грн
52+ 6.71 грн
100+ 5.04 грн
491+ 1.64 грн
1350+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 27
1N4004GP-E3/54 1N4004GP-E3/54 VISHAY 1n400x.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 8pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 4094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.27 грн
9+ 40.37 грн
25+ 26.91 грн
100+ 20.26 грн
122+ 6.59 грн
336+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY IRF640PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY IRF640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 130W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.69 грн
10+ 65.9 грн
17+ 49.25 грн
45+ 47.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF640STRLPBF IRF640STRLPBF VISHAY IRF640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BAT54A-E3-08 BAT54A-E3-08 VISHAY BAT54_A_C_S_Rev1.9_3-16-16.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; SOT23; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 5ns
Semiconductor structure: common anode; double
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.38 грн
120+ 2.99 грн
355+ 2.29 грн
965+ 2.16 грн
Мінімальне замовлення: 70
BAT54A-HE3-08 BAT54A-HE3-08 VISHAY Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; SOT23; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 5ns
Semiconductor structure: common anode; double
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
75+5.3 грн
115+ 3.11 грн
315+ 2.58 грн
855+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 75
BAT54S-E3-08 BAT54S-E3-08 VISHAY bat54-vi.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; SOT23; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.3A
Reverse recovery time: 5ns
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.24V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
на замовлення 15637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
62+6.05 грн
148+ 2.35 грн
411+ 1.96 грн
1129+ 1.85 грн
12000+ 1.78 грн
Мінімальне замовлення: 62
BAT54S-HE3-08 BAT54S-HE3-08 VISHAY BAT54_A_C_S_Rev1.9_3-16-16.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; SOT23; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 5ns
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
65+5.98 грн
100+ 3.48 грн
290+ 2.79 грн
795+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 65
VS-10BQ100-M3/5BT VS-10BQ100-M3/5BT VISHAY VS-10BQ100-M3-5BT.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 1A; SMB; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.59V
Case: SMB
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 38A
на замовлення 7265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+13.9 грн
45+ 8.6 грн
100+ 7.77 грн
115+ 7.14 грн
310+ 6.73 грн
3200+ 6.52 грн
Мінімальне замовлення: 30
VS-10BQ100HM3/5BT VISHAY vs-10bq100hm3.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 1A; SMB; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 65pF
Max. forward voltage: 0.82V
Case: SMB
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 780A
товар відсутній
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 VISHAY si2307bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.5A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY SI2307CDS-T1-GE3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+20.39 грн
25+ 14.29 грн
74+ 10.96 грн
202+ 10.34 грн
Мінімальне замовлення: 19
SMAJ15A-E3/61 SMAJ15A-E3/61 VISHAY smajA-CA_ser.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 300W; 16.7V; 16.4A; unidirectional; SMA; reel,tape; SMAJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7V
Max. forward impulse current: 16.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SMAJ
на замовлення 4797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
31+12.1 грн
59+ 5.97 грн
100+ 5.27 грн
175+ 4.59 грн
481+ 4.34 грн
Мінімальне замовлення: 31
VS-ETH3006FP-M3 VS-ETH3006FP-M3 VISHAY VS-ETH3006.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 180A; TO220FP-2; 27ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 180A
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.4V
Reverse recovery time: 27ns
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.47 грн
4+ 111.68 грн
10+ 86.02 грн
27+ 81.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP240PBF IRFP240PBF VISHAY IRFP240PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.06 грн
5+ 93.65 грн
11+ 74.22 грн
30+ 70.06 грн
250+ 69.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
T63XB103KT20 T63XB103KT20 VISHAY t63.pdf Category: 1/4 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 250mW; ±10%; linear; THT
Mounting: THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±10%
Max. operating voltage: 250V
Body dimensions: 6.8x6.8x5mm
Operating temperature: -55...155°C
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
IP rating: IP67
Potentiometer standard: 1/4"
Type of potentiometer: mounting
Number of mechanical turns: 15 ±5
Number of electrical turns: 13 ±2
Potentiometer series: T63XB
Characteristics: linear
Torque: 1Ncm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.52 грн
T63YB103KT20 T63YB103KT20 VISHAY t63.pdf Category: 1/4 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 250mW; ±10%; linear; THT
Mounting: THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±10%
Max. operating voltage: 250V
Body dimensions: 6.8x6.8x5mm
Operating temperature: -55...155°C
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
IP rating: IP67
Potentiometer standard: 1/4"
Type of potentiometer: mounting
Number of mechanical turns: 15 ±5
Number of electrical turns: 13 ±2
Potentiometer series: T63YB
Characteristics: linear
Torque: 1Ncm
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.15 грн
5+ 162.32 грн
7+ 115.85 грн
19+ 109.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
T93XB103KT20 T93XB103KT20 VISHAY t93.pdf Category: 3/8 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 500mW; THT; ±10%; linear
Mounting: THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±10%
Max. operating voltage: 250V
Body dimensions: 9.8x9.8x5mm
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 64Z; 67Z; 3296Z
IP rating: IP67
Potentiometer standard: 3/8"
Type of potentiometer: mounting
Number of mechanical turns: 22 ±5
Number of electrical turns: 19 ±2
Potentiometer series: T93XB
Characteristics: linear
Torque: 1,5Ncm
товар відсутній
T93YB103KT20 T93YB103KT20 VISHAY t93.pdf Category: 3/8 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 500mW; THT; ±10%; linear
Type of potentiometer: mounting
Kind of potentiometer: multiturn
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Characteristics: linear
Potentiometer series: T93YB
Track material: cermet
Operating temperature: -55...125°C
Potentiometer standard: 3/8"
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Body dimensions: 9.8x9.8x5mm
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Number of electrical turns: 19 ±2
Max. operating voltage: 250V
Number of mechanical turns: 22 ±5
Engineering PN: 64Y; 67Y; 3296Y
IP rating: IP67
Torque: 1,5Ncm
товар відсутній
1N5400-E3/54 1N5400-E3/54 VISHAY 1n5400_08.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; reel,tape; Ifsm: 200A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 30pF
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.2V
Leakage current: 0.5mA
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.89 грн
17+ 20.81 грн
18+ 19.77 грн
25+ 16.58 грн
Мінімальне замовлення: 14
VS-36MT60 VS-36MT60 VISHAY VS-26MT_36MT.pdf Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 600V; If: 35A; Ifsm: 475A; THT
Case: D-63
Load current: 35A
Kind of package: bulk
Electrical mounting: THT
Version: square
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward impulse current: 475A
Leads: connectors 6,3x0,8mm
Max. forward voltage: 1.19V
товар відсутній
VS-36MT80 VS-36MT80 VISHAY VS-26MT_36MT.pdf Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 800V; If: 35A; Ifsm: 475A; THT
Case: D-63
Load current: 35A
Kind of package: bulk
Electrical mounting: THT
Version: square
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward impulse current: 475A
Leads: connectors 6,3x0,8mm
Max. forward voltage: 1.19V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+898.69 грн
3+ 788.72 грн
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 VISHAY sq2308ces.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.3 грн
14+ 24.97 грн
25+ 21.78 грн
42+ 19.7 грн
114+ 18.59 грн
500+ 18.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIHB12N60E-GE3 SIHB12N60E-GE3 VISHAY sihb12n60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 147W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHB12N60ET1-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHF12N60E-GE3 VISHAY sihf12n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHP12N60E-GE3 VISHAY sihp12n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
GBPC1204-E4/51 GBPC1204-E4/51 VISHAY GBPC3506-E4-51.pdf Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 12A; Ifsm: 200A
Kind of package: bulk
Electrical mounting: THT
Version: square
Type of bridge rectifier: single-phase
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: GBPC
Leads: connectors FASTON
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 12A
Max. forward impulse current: 200A
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.38 грн
3+ 184.52 грн
6+ 140.82 грн
16+ 133.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
BZX55C13-TAP BZX55C13-TAP VISHAY BZX55C10-TAP.pdf description Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 13V; Ammo Pack; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 13V
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 30850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.32 грн
230+ 1.56 грн
500+ 1.25 грн
700+ 1.15 грн
1920+ 1.09 грн
10000+ 1.05 грн
Мінімальне замовлення: 120
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF VISHAY IRFP22N50APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.41 грн
5+ 176.89 грн
6+ 138.04 грн
16+ 130.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP23N50LPBF IRFP23N50LPBF VISHAY IRFP23N50L.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 92A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.41 грн
5+ 176.2 грн
13+ 167.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP244PBF IRFP244PBF VISHAY IRFP244PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+119.53 грн
5+ 99.2 грн
11+ 76.31 грн
29+ 72.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250PBF IRFP250PBF VISHAY IRFP250PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.54 грн
5+ 97.12 грн
11+ 77.69 грн
29+ 72.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP254PBF IRFP254PBF VISHAY IRFP254.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.38 грн
5+ 129.72 грн
8+ 102.67 грн
22+ 97.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP260PBF IRFP260PBF VISHAY IRFP260.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Kind of package: tube
Mounting: THT
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Case: TO247AC
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.32 грн
5+ 197.01 грн
6+ 151.22 грн
15+ 142.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP264PBF IRFP264PBF VISHAY irfp264.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.44 грн
5+ 180.36 грн
6+ 151.22 грн
15+ 142.2 грн
100+ 140.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP27N60KPBF IRFP27N60KPBF VISHAY IRFP27N60-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+372.77 грн
4+ 241.4 грн
10+ 228.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
SB140-E3/54 VISHAY sb110.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; reel,tape; Ir: 10mA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 0.48V
Leakage current: 10mA
товар відсутній
1.5KE6.8CA-E3/54 1.5KE6.8CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 6.8V; 143A; bidirectional; DO201; 1.5kW; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 143A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 2mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: 1.5KE
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.91 грн
15+ 24.21 грн
44+ 18.52 грн
120+ 17.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
SS34-E3/57T SS34-E3/57T VISHAY ss32.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 3A; SMC; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Case: SMC
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
на замовлення 5243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+16.96 грн
30+ 11.65 грн
87+ 9.32 грн
237+ 8.81 грн
1700+ 8.67 грн
Мінімальне замовлення: 23
SS34-E3/9AT VISHAY ss32.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 3A; SMC; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Case: SMC
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20mA
Max. forward impulse current: 100A
товар відсутній
VS-50RIA60 VS-50RIA60 VISHAY vs-50ria_SER.pdf Category: Stud mounting thyristors
Description: Thyristor: stud; 600V; Ifmax: 80A; 50A; Igt: 100mA; TO208AC,TO65
Semiconductor structure: anode to stud
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 50A
Max. load current: 80A
Case: TO65; TO208AC
Max. forward impulse current: 1.43kA
Gate current: 100mA
Mounting: screw
Kind of package: bulk
Manufacturer series: VS-50RIA
Fastening thread: 1/4"-28UNF-2A
Type of thyristor: stud
товар відсутній
SS15P3S-M3/87A SS15P3S-M3/87A VISHAY ss15p3s.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 50V; 1A; SMA; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Case: SMA
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 40A
товар відсутній
VF20100C-M3/4W VF20100C-M3/4W VISHAY vf20100c.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220FP; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.79V
товар відсутній
MBR20100CT-E3/4W MBR20100CT-E3/4W VISHAY mbr20100.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.75V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.44 грн
6+ 65.9 грн
15+ 54.8 грн
41+ 52.03 грн
500+ 49.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHLP5050CEER100M01 VISHAY IHLP-5050CE-01.pdf Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 10uH; 7A; 30.4mΩ; ±20%; 12.9x12.9x3.5mm; IHLP
Operating temperature: -55...125°C
Inductance: 10µH
Type of inductor: wire
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
Manufacturer series: IHLP
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm
Operating current: 7A
Mounting: SMD
Resistance: 30.4mΩ
товар відсутній
IHLP5050CEER1R0M01 VISHAY IHLP-5050CE-01.pdf Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 1uH; 24A; 3.3mΩ; ±20%; 12.9x12.9x3.5mm; IHLP
Operating temperature: -55...125°C
Inductance: 1µH
Type of inductor: wire
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
Manufacturer series: IHLP
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm
Operating current: 24A
Mounting: SMD
Resistance: 3.3mΩ
товар відсутній
IHLP5050CEER1R5M01 VISHAY IHLP-5050CE-01.pdf Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 1.5uH; 19A; 5.1mΩ; ±20%; 12.9x12.9x3.5mm; IHLP
Operating temperature: -55...125°C
Inductance: 1.5µH
Type of inductor: wire
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
Manufacturer series: IHLP
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm
Operating current: 19A
Mounting: SMD
Resistance: 5.1mΩ
товар відсутній
IHLP5050CEER2R2M01 VISHAY IHLP-5050CE-01.pdf Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 2.2uH; 16A; 7.2mΩ; ±20%; 12.9x12.9x3.5mm; IHLP
Operating temperature: -55...125°C
Inductance: 2.2µH
Type of inductor: wire
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
Manufacturer series: IHLP
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm
Operating current: 16A
Mounting: SMD
Resistance: 7.2mΩ
товар відсутній
IHLP5050CEER3R3M01 VISHAY IHLP-5050CE-01.pdf Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 3.3uH; 12A; 11mΩ; ±20%; 12.9x12.9x3.5mm; IHLP
Operating temperature: -55...125°C
Inductance: 3.3µH
Type of inductor: wire
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
Manufacturer series: IHLP
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm
Operating current: 12A
Mounting: SMD
Resistance: 11mΩ
товар відсутній
IHLP5050CEER4R7M01 VISHAY IHLP-5050CE-01.pdf Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 4.7uH; 10A; 14.3mΩ; ±20%; 12.9x12.9x3.5mm; IHLP
Operating temperature: -55...125°C
Inductance: 4.7µH
Type of inductor: wire
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
Manufacturer series: IHLP
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm
Operating current: 10A
Mounting: SMD
Resistance: 14.3mΩ
товар відсутній
IHLP5050CEER5R6M01 VISHAY IHLP-5050CE-01.pdf Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 5.6uH; 9.5A; 18.3mΩ; ±20%; 12.9x12.9x3.5mm
Type of inductor: wire
Mounting: SMD
Inductance: 5.6µH
Operating current: 9.5A
Resistance: 18.3mΩ
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm
Operating temperature: -55...125°C
Manufacturer series: IHLP
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
товар відсутній
IHLP5050CEER6R8M01 VISHAY IHLP-5050CE-01.pdf Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 6.8uH; 9A; 19.8mΩ; ±20%; 12.9x12.9x3.5mm; IHLP
Operating temperature: -55...125°C
Inductance: 6.8µH
Type of inductor: wire
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
Manufacturer series: IHLP
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm
Operating current: 9A
Mounting: SMD
Resistance: 19.8mΩ
товар відсутній
IHLP5050CEERR47M01 VISHAY IHLP-5050CE-01.pdf Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 0.47uH; 32A; 1.6mΩ; ±20%; 12.9x12.9x3.5mm; IHLP
Type of inductor: wire
Mounting: SMD
Inductance: 0.47µH
Operating current: 32A
Resistance: 1.6mΩ
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm
Operating temperature: -55...125°C
Manufacturer series: IHLP
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
товар відсутній
IHLP5050CEERR68M01 VISHAY IHLP-5050CE-01.pdf Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 0.68uH; 28A; 2.3mΩ; ±20%; 12.9x12.9x3.5mm; IHLP
Operating temperature: -55...125°C
Inductance: 0.68µH
Type of inductor: wire
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
Manufacturer series: IHLP
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm
Operating current: 28A
Mounting: SMD
Resistance: 2.3mΩ
товар відсутній
IHLP5050EZER100M01 VISHAY IHLP-5050EZ-01.pdf Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 10uH; 9A; 21.4mΩ; ±20%; 12.9x12.9x5mm; IHLP
Operating temperature: -55...125°C
Inductance: 10µH
Type of inductor: wire
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
Manufacturer series: IHLP
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 12.9x12.9x5mm
Operating current: 9A
Mounting: SMD
Resistance: 21.4mΩ
товар відсутній
BAT54WS-E3-08 bat54ws.pdf
BAT54WS-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 0.2A; SOD323; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.6A
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+14.19 грн
33+ 10.54 грн
42+ 8.44 грн
100+ 5.06 грн
250+ 4.43 грн
263+ 3.05 грн
722+ 2.89 грн
Мінімальне замовлення: 27
IRFP9140PBF IRFP9140PBF.pdf
IRFP9140PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 180W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+106.83 грн
5+ 94.34 грн
11+ 76.31 грн
29+ 72.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
1N4004-E3/54 1n400x.pdf
1N4004-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 15pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+15.69 грн
33+ 10.68 грн
49+ 7.1 грн
100+ 5.33 грн
469+ 1.71 грн
1288+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 24
1N4004-E3/73 1n4001.pdf
1N4004-E3/73
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 15pF
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 27813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+14.19 грн
35+ 10.13 грн
52+ 6.71 грн
100+ 5.04 грн
491+ 1.64 грн
1350+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 27
1N4004GP-E3/54 1n400x.pdf
1N4004GP-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 8pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 4094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+58.27 грн
9+ 40.37 грн
25+ 26.91 грн
100+ 20.26 грн
122+ 6.59 грн
336+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF640PBF IRF640PBF.pdf
IRF640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF640SPBF IRF640S.pdf
IRF640SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 130W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+77.69 грн
10+ 65.9 грн
17+ 49.25 грн
45+ 47.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF640STRLPBF IRF640S.pdf
IRF640STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BAT54A-E3-08 BAT54_A_C_S_Rev1.9_3-16-16.pdf
BAT54A-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; SOT23; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 5ns
Semiconductor structure: common anode; double
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+5.38 грн
120+ 2.99 грн
355+ 2.29 грн
965+ 2.16 грн
Мінімальне замовлення: 70
BAT54A-HE3-08
BAT54A-HE3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; SOT23; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 5ns
Semiconductor structure: common anode; double
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+5.3 грн
115+ 3.11 грн
315+ 2.58 грн
855+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 75
BAT54S-E3-08 bat54-vi.pdf
BAT54S-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; SOT23; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.3A
Reverse recovery time: 5ns
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.24V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
на замовлення 15637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
62+6.05 грн
148+ 2.35 грн
411+ 1.96 грн
1129+ 1.85 грн
12000+ 1.78 грн
Мінімальне замовлення: 62
BAT54S-HE3-08 BAT54_A_C_S_Rev1.9_3-16-16.pdf
BAT54S-HE3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; SOT23; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 5ns
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
65+5.98 грн
100+ 3.48 грн
290+ 2.79 грн
795+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 65
VS-10BQ100-M3/5BT VS-10BQ100-M3-5BT.pdf
VS-10BQ100-M3/5BT
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 1A; SMB; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.59V
Case: SMB
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 38A
на замовлення 7265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+13.9 грн
45+ 8.6 грн
100+ 7.77 грн
115+ 7.14 грн
310+ 6.73 грн
3200+ 6.52 грн
Мінімальне замовлення: 30
VS-10BQ100HM3/5BT vs-10bq100hm3.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 1A; SMB; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 65pF
Max. forward voltage: 0.82V
Case: SMB
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 780A
товар відсутній
SI2307BDS-T1-E3 si2307bd.pdf
SI2307BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.5A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3.pdf
SI2307CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+20.39 грн
25+ 14.29 грн
74+ 10.96 грн
202+ 10.34 грн
Мінімальне замовлення: 19
SMAJ15A-E3/61 smajA-CA_ser.pdf
SMAJ15A-E3/61
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 300W; 16.7V; 16.4A; unidirectional; SMA; reel,tape; SMAJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7V
Max. forward impulse current: 16.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SMAJ
на замовлення 4797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+12.1 грн
59+ 5.97 грн
100+ 5.27 грн
175+ 4.59 грн
481+ 4.34 грн
Мінімальне замовлення: 31
VS-ETH3006FP-M3 VS-ETH3006.pdf
VS-ETH3006FP-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 180A; TO220FP-2; 27ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 180A
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.4V
Reverse recovery time: 27ns
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.47 грн
4+ 111.68 грн
10+ 86.02 грн
27+ 81.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP240PBF IRFP240PBF.pdf
IRFP240PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+112.06 грн
5+ 93.65 грн
11+ 74.22 грн
30+ 70.06 грн
250+ 69.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
T63XB103KT20 t63.pdf
T63XB103KT20
Виробник: VISHAY
Category: 1/4 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 250mW; ±10%; linear; THT
Mounting: THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±10%
Max. operating voltage: 250V
Body dimensions: 6.8x6.8x5mm
Operating temperature: -55...155°C
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
IP rating: IP67
Potentiometer standard: 1/4"
Type of potentiometer: mounting
Number of mechanical turns: 15 ±5
Number of electrical turns: 13 ±2
Potentiometer series: T63XB
Characteristics: linear
Torque: 1Ncm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+373.52 грн
T63YB103KT20 t63.pdf
T63YB103KT20
Виробник: VISHAY
Category: 1/4 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 250mW; ±10%; linear; THT
Mounting: THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±10%
Max. operating voltage: 250V
Body dimensions: 6.8x6.8x5mm
Operating temperature: -55...155°C
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
IP rating: IP67
Potentiometer standard: 1/4"
Type of potentiometer: mounting
Number of mechanical turns: 15 ±5
Number of electrical turns: 13 ±2
Potentiometer series: T63YB
Characteristics: linear
Torque: 1Ncm
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+215.15 грн
5+ 162.32 грн
7+ 115.85 грн
19+ 109.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
T93XB103KT20 t93.pdf
T93XB103KT20
Виробник: VISHAY
Category: 3/8 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 500mW; THT; ±10%; linear
Mounting: THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±10%
Max. operating voltage: 250V
Body dimensions: 9.8x9.8x5mm
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 64Z; 67Z; 3296Z
IP rating: IP67
Potentiometer standard: 3/8"
Type of potentiometer: mounting
Number of mechanical turns: 22 ±5
Number of electrical turns: 19 ±2
Potentiometer series: T93XB
Characteristics: linear
Torque: 1,5Ncm
товар відсутній
T93YB103KT20 t93.pdf
T93YB103KT20
Виробник: VISHAY
Category: 3/8 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 500mW; THT; ±10%; linear
Type of potentiometer: mounting
Kind of potentiometer: multiturn
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Characteristics: linear
Potentiometer series: T93YB
Track material: cermet
Operating temperature: -55...125°C
Potentiometer standard: 3/8"
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Body dimensions: 9.8x9.8x5mm
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Number of electrical turns: 19 ±2
Max. operating voltage: 250V
Number of mechanical turns: 22 ±5
Engineering PN: 64Y; 67Y; 3296Y
IP rating: IP67
Torque: 1,5Ncm
товар відсутній
1N5400-E3/54 1n5400_08.pdf
1N5400-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; reel,tape; Ifsm: 200A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 30pF
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.2V
Leakage current: 0.5mA
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+26.89 грн
17+ 20.81 грн
18+ 19.77 грн
25+ 16.58 грн
Мінімальне замовлення: 14
VS-36MT60 VS-26MT_36MT.pdf
VS-36MT60
Виробник: VISHAY
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 600V; If: 35A; Ifsm: 475A; THT
Case: D-63
Load current: 35A
Kind of package: bulk
Electrical mounting: THT
Version: square
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward impulse current: 475A
Leads: connectors 6,3x0,8mm
Max. forward voltage: 1.19V
товар відсутній
VS-36MT80 VS-26MT_36MT.pdf
VS-36MT80
Виробник: VISHAY
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 800V; If: 35A; Ifsm: 475A; THT
Case: D-63
Load current: 35A
Kind of package: bulk
Electrical mounting: THT
Version: square
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward impulse current: 475A
Leads: connectors 6,3x0,8mm
Max. forward voltage: 1.19V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+898.69 грн
3+ 788.72 грн
SQ2308CES-T1_GE3 sq2308ces.pdf
SQ2308CES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+49.3 грн
14+ 24.97 грн
25+ 21.78 грн
42+ 19.7 грн
114+ 18.59 грн
500+ 18.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIHB12N60E-GE3 sihb12n60.pdf
SIHB12N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 147W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHB12N60ET1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHF12N60E-GE3 sihf12n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHP12N60E-GE3 sihp12n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
GBPC1204-E4/51 GBPC3506-E4-51.pdf
GBPC1204-E4/51
Виробник: VISHAY
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 12A; Ifsm: 200A
Kind of package: bulk
Electrical mounting: THT
Version: square
Type of bridge rectifier: single-phase
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: GBPC
Leads: connectors FASTON
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 12A
Max. forward impulse current: 200A
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+220.38 грн
3+ 184.52 грн
6+ 140.82 грн
16+ 133.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
BZX55C13-TAP description BZX55C10-TAP.pdf
BZX55C13-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 13V; Ammo Pack; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 13V
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 30850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
120+3.32 грн
230+ 1.56 грн
500+ 1.25 грн
700+ 1.15 грн
1920+ 1.09 грн
10000+ 1.05 грн
Мінімальне замовлення: 120
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF.pdf
IRFP22N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.41 грн
5+ 176.89 грн
6+ 138.04 грн
16+ 130.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP23N50LPBF description IRFP23N50L.pdf
IRFP23N50LPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 92A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+276.41 грн
5+ 176.2 грн
13+ 167.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP244PBF IRFP244PBF.pdf
IRFP244PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+119.53 грн
5+ 99.2 грн
11+ 76.31 грн
29+ 72.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250PBF IRFP250PBF.pdf
IRFP250PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+116.54 грн
5+ 97.12 грн
11+ 77.69 грн
29+ 72.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP254PBF IRFP254.pdf
IRFP254PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+155.38 грн
5+ 129.72 грн
8+ 102.67 грн
22+ 97.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP260PBF description IRFP260.pdf
IRFP260PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Kind of package: tube
Mounting: THT
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Case: TO247AC
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+235.32 грн
5+ 197.01 грн
6+ 151.22 грн
15+ 142.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP264PBF irfp264.pdf
IRFP264PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.44 грн
5+ 180.36 грн
6+ 151.22 грн
15+ 142.2 грн
100+ 140.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP27N60KPBF IRFP27N60-DTE.pdf
IRFP27N60KPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+372.77 грн
4+ 241.4 грн
10+ 228.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
SB140-E3/54 sb110.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; reel,tape; Ir: 10mA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 0.48V
Leakage current: 10mA
товар відсутній
1.5KE6.8CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE6.8CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 6.8V; 143A; bidirectional; DO201; 1.5kW; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 143A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 2mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: 1.5KE
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+28.91 грн
15+ 24.21 грн
44+ 18.52 грн
120+ 17.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
SS34-E3/57T ss32.pdf
SS34-E3/57T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 3A; SMC; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Case: SMC
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
на замовлення 5243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+16.96 грн
30+ 11.65 грн
87+ 9.32 грн
237+ 8.81 грн
1700+ 8.67 грн
Мінімальне замовлення: 23
SS34-E3/9AT ss32.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 3A; SMC; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Case: SMC
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20mA
Max. forward impulse current: 100A
товар відсутній
VS-50RIA60 vs-50ria_SER.pdf
VS-50RIA60
Виробник: VISHAY
Category: Stud mounting thyristors
Description: Thyristor: stud; 600V; Ifmax: 80A; 50A; Igt: 100mA; TO208AC,TO65
Semiconductor structure: anode to stud
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 50A
Max. load current: 80A
Case: TO65; TO208AC
Max. forward impulse current: 1.43kA
Gate current: 100mA
Mounting: screw
Kind of package: bulk
Manufacturer series: VS-50RIA
Fastening thread: 1/4"-28UNF-2A
Type of thyristor: stud
товар відсутній
SS15P3S-M3/87A ss15p3s.pdf
SS15P3S-M3/87A
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 50V; 1A; SMA; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Case: SMA
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 40A
товар відсутній
VF20100C-M3/4W vf20100c.pdf
VF20100C-M3/4W
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220FP; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.79V
товар відсутній
MBR20100CT-E3/4W mbr20100.pdf
MBR20100CT-E3/4W
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.75V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+78.44 грн
6+ 65.9 грн
15+ 54.8 грн
41+ 52.03 грн
500+ 49.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHLP5050CEER100M01 IHLP-5050CE-01.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 10uH; 7A; 30.4mΩ; ±20%; 12.9x12.9x3.5mm; IHLP
Operating temperature: -55...125°C
Inductance: 10µH
Type of inductor: wire
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
Manufacturer series: IHLP
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm
Operating current: 7A
Mounting: SMD
Resistance: 30.4mΩ
товар відсутній
IHLP5050CEER1R0M01 IHLP-5050CE-01.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 1uH; 24A; 3.3mΩ; ±20%; 12.9x12.9x3.5mm; IHLP
Operating temperature: -55...125°C
Inductance: 1µH
Type of inductor: wire
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
Manufacturer series: IHLP
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm
Operating current: 24A
Mounting: SMD
Resistance: 3.3mΩ
товар відсутній
IHLP5050CEER1R5M01 IHLP-5050CE-01.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 1.5uH; 19A; 5.1mΩ; ±20%; 12.9x12.9x3.5mm; IHLP
Operating temperature: -55...125°C
Inductance: 1.5µH
Type of inductor: wire
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
Manufacturer series: IHLP
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm
Operating current: 19A
Mounting: SMD
Resistance: 5.1mΩ
товар відсутній
IHLP5050CEER2R2M01 IHLP-5050CE-01.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 2.2uH; 16A; 7.2mΩ; ±20%; 12.9x12.9x3.5mm; IHLP
Operating temperature: -55...125°C
Inductance: 2.2µH
Type of inductor: wire
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
Manufacturer series: IHLP
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm
Operating current: 16A
Mounting: SMD
Resistance: 7.2mΩ
товар відсутній
IHLP5050CEER3R3M01 IHLP-5050CE-01.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 3.3uH; 12A; 11mΩ; ±20%; 12.9x12.9x3.5mm; IHLP
Operating temperature: -55...125°C
Inductance: 3.3µH
Type of inductor: wire
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
Manufacturer series: IHLP
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm
Operating current: 12A
Mounting: SMD
Resistance: 11mΩ
товар відсутній
IHLP5050CEER4R7M01 IHLP-5050CE-01.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 4.7uH; 10A; 14.3mΩ; ±20%; 12.9x12.9x3.5mm; IHLP
Operating temperature: -55...125°C
Inductance: 4.7µH
Type of inductor: wire
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
Manufacturer series: IHLP
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm
Operating current: 10A
Mounting: SMD
Resistance: 14.3mΩ
товар відсутній
IHLP5050CEER5R6M01 IHLP-5050CE-01.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 5.6uH; 9.5A; 18.3mΩ; ±20%; 12.9x12.9x3.5mm
Type of inductor: wire
Mounting: SMD
Inductance: 5.6µH
Operating current: 9.5A
Resistance: 18.3mΩ
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm
Operating temperature: -55...125°C
Manufacturer series: IHLP
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
товар відсутній
IHLP5050CEER6R8M01 IHLP-5050CE-01.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 6.8uH; 9A; 19.8mΩ; ±20%; 12.9x12.9x3.5mm; IHLP
Operating temperature: -55...125°C
Inductance: 6.8µH
Type of inductor: wire
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
Manufacturer series: IHLP
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm
Operating current: 9A
Mounting: SMD
Resistance: 19.8mΩ
товар відсутній
IHLP5050CEERR47M01 IHLP-5050CE-01.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 0.47uH; 32A; 1.6mΩ; ±20%; 12.9x12.9x3.5mm; IHLP
Type of inductor: wire
Mounting: SMD
Inductance: 0.47µH
Operating current: 32A
Resistance: 1.6mΩ
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm
Operating temperature: -55...125°C
Manufacturer series: IHLP
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
товар відсутній
IHLP5050CEERR68M01 IHLP-5050CE-01.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 0.68uH; 28A; 2.3mΩ; ±20%; 12.9x12.9x3.5mm; IHLP
Operating temperature: -55...125°C
Inductance: 0.68µH
Type of inductor: wire
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
Manufacturer series: IHLP
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm
Operating current: 28A
Mounting: SMD
Resistance: 2.3mΩ
товар відсутній
IHLP5050EZER100M01 IHLP-5050EZ-01.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 10uH; 9A; 21.4mΩ; ±20%; 12.9x12.9x5mm; IHLP
Operating temperature: -55...125°C
Inductance: 10µH
Type of inductor: wire
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
Manufacturer series: IHLP
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 12.9x12.9x5mm
Operating current: 9A
Mounting: SMD
Resistance: 21.4mΩ
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 488 976 1464 1952 2440 2928 3416 3904 4392 4657 4658 4659 4660 4661 4662 4663 4664 4665 4666 4667 4880  [ Наступна Сторінка >> ]