Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (3988) > Сторінка 66 з 67

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 60 61 62 63 64 65 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
YJG50N03B YJG50N03B Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.26 грн
25000+12.08 грн
50000+11.39 грн
100000+9.97 грн
200000+8.97 грн
500000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJG80G06A YJG80G06A YANGJIE TECHNOLOGY YJG80G06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 38W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.86 грн
13+30.12 грн
25+27.06 грн
40+22.86 грн
108+21.64 грн
500+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
YJGD20G10A YJGD20G10A Yangjie Technology Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.98 грн
25000+34.58 грн
50000+32.52 грн
100000+28.58 грн
200000+25.74 грн
500000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJH03N06A YJH03N06A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+4.16 грн
5000+3.79 грн
10000+3.58 грн
20000+3.15 грн
40000+2.82 грн
100000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
YJH03N06B YJH03N06B Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+4.16 грн
5000+3.79 грн
10000+3.58 грн
20000+3.15 грн
40000+2.82 грн
100000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
YJH03N10A YJH03N10A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98ABF8B38FBB478BF&compId=YJH03N10A.pdf?ci_sign=11dd79c439e7bd288c2933cc59edfa9fb413cf8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 4W
Gate charge: 16nC
Technology: TRENCH POWER MV
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
на замовлення 9185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
45+10.13 грн
100+6.57 грн
195+4.67 грн
535+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
YJH03N10A YJH03N10A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7.07 грн
5000+6.42 грн
10000+6.04 грн
20000+5.31 грн
40000+4.81 грн
100000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
YJH10N02A YJH10N02A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7.07 грн
5000+6.42 грн
10000+6.04 грн
20000+5.31 грн
40000+4.81 грн
100000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
YJJ09N03A YJJ09N03A Yangjie Technology YJJ09N03A.pdf Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.91 грн
15000+6.27 грн
30000+5.89 грн
60000+5.17 грн
120000+4.66 грн
300000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL02N10A YJL02N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJL02N10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+5.43 грн
140+2.91 грн
370+2.42 грн
1020+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03G10A YJL03G10A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB919FCB49F456C0C7&compId=YJL03G10A.pdf?ci_sign=92d88a828f5f1adb073bf9656d0c7a57c160abe5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 121A
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
99+4.18 грн
109+3.51 грн
250+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N04A YJL03N04A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.38 грн
15000+2.14 грн
30000+1.99 грн
60000+1.79 грн
120000+1.58 грн
300000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06A YJL03N06A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1772A8AEA78BF&compId=YJL03N06A.pdf?ci_sign=db9173cc23148a69957962f558eb05b87c0e5314 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
65+6.59 грн
145+2.71 грн
410+2.21 грн
1125+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AQ YJL03N06AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.08 грн
15000+4.59 грн
30000+4.36 грн
60000+3.80 грн
120000+3.44 грн
300000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06B YJL03N06B Yangjie Technology YJL03N06B.pdf Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.67 грн
15000+2.43 грн
30000+2.29 грн
60000+2.01 грн
120000+1.81 грн
300000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04AQ YJL05N04AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.83 грн
15000+3.54 грн
30000+3.32 грн
60000+2.91 грн
120000+2.63 грн
300000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N06AL YJL05N06AL Yangjie Technology Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.97 грн
15000+5.46 грн
30000+5.09 грн
60000+4.50 грн
120000+4.08 грн
300000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2300A YJL2300A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC186682DC238BF&compId=YJL2300A.pdf?ci_sign=9bf64c4f3083cada6afd9f54472b5637bb2c37ab Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.2nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 18A
Mounting: SMD
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
130+3.38 грн
190+2.02 грн
500+1.80 грн
570+1.59 грн
1560+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CQ YJL2301CQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.60 грн
15000+4.20 грн
30000+3.98 грн
60000+3.52 грн
120000+3.16 грн
300000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301D YJL2301D Yangjie Technology Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.62 грн
15000+2.45 грн
30000+2.29 грн
60000+2.01 грн
120000+1.79 грн
300000+1.65 грн
600000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301D YJL2301D YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1993FD362B8BF&compId=YJL2301D.pdf?ci_sign=c323e1e1ebec5f34241d251119aa9dcd52b1f6eb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301F YJL2301F YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC19CFF1800F8BF&compId=YJL2301F.pdf?ci_sign=238e9a03127ca25e9e4923df7c0acef4bc139b24 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301G YJL2301G Yangjie Technology Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.91 грн
15000+1.76 грн
30000+1.61 грн
60000+1.43 грн
120000+1.29 грн
300000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301N YJL2301N Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.75 грн
15000+1.61 грн
30000+1.45 грн
60000+1.29 грн
120000+1.15 грн
300000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A YJL2302A Yangjie Technology YJL2302A.pdf Description: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.14 грн
15000+1.91 грн
30000+1.83 грн
60000+1.58 грн
120000+1.43 грн
300000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A YJL2302A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1AD130E1018BF&compId=YJL2302A.pdf?ci_sign=6794f97cdb9cd9db65b730c83d69c994d09d9e3f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.66 грн
190+2.03 грн
500+1.80 грн
550+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305A YJL2305A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1BA20DCF158BF&compId=YJL2305A.pdf?ci_sign=97db82c6e1d3565fc4171d27f8ab5d5e43cda9df Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 62mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.2nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -23A
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
60+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B YJL2305B YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C3FC624058BF&compId=YJL2305B.pdf?ci_sign=c0398c014f9f7ef705f204e1ee078eed5e92af72 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -4.4A; 1.2W
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.4A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.2nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -22A
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A YJL2312A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C87F151158BF&compId=YJL2312A.pdf?ci_sign=14798a51d0e6f46150da34ff01d50476a545c2c9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.6nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 27A
Case: SOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.50 грн
140+2.93 грн
400+2.24 грн
1100+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A YJL2312A Yangjie Technology Description: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.78 грн
15000+2.52 грн
30000+2.37 грн
60000+2.08 грн
120000+1.87 грн
300000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AL YJL2312AL Yangjie Technology Description: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.57 грн
15000+3.21 грн
30000+3.06 грн
60000+2.65 грн
120000+2.37 грн
300000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AQ YJL2312AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.08 грн
15000+4.59 грн
30000+4.36 грн
60000+3.80 грн
120000+3.44 грн
300000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400A YJL3400A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1D1106B0B78BF&compId=YJL3400A.pdf?ci_sign=1e420084b71e8e4635e93db8195231c4f88b3315 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.50 грн
140+2.90 грн
420+2.23 грн
1120+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401A YJL3401A YANGJIE TECHNOLOGY YJL3401A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.66 грн
140+3.10 грн
380+2.37 грн
1060+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL YJL3401AL Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.97 грн
15000+3.59 грн
30000+3.44 грн
60000+3.01 грн
120000+2.73 грн
300000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL YJL3401AL YANGJIE TECHNOLOGY YJL3401AL.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AQ YJL3401AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.08 грн
15000+4.59 грн
30000+4.36 грн
60000+3.80 грн
120000+3.44 грн
300000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404AQ YJL3404AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.24 грн
15000+4.82 грн
30000+4.51 грн
60000+3.95 грн
120000+3.59 грн
300000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407A YJL3407A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC241C9FDDC18BF&compId=YJL3407A.pdf?ci_sign=262ef08183db2939e608c94b85e202cf14018610 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AL YJL3407AL YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC23C0BC2DC18BF&compId=YJL3407AL.pdf?ci_sign=5cf4cb3fd4b8c39a55258ae084a93b116a2bc051 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
90+4.65 грн
150+2.71 грн
400+2.30 грн
1080+2.18 грн
3000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
YJM04N10A YJM04N10A Yangjie Technology Description: SOT-223 N 100V 4A Transistors F
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
YJM05N06A YJM05N06A Yangjie Technology Description: SOT-223 N 60V 5A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.96 грн
12500+8.18 грн
25000+7.67 грн
50000+6.78 грн
100000+6.09 грн
250000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
YJP25N15B YJP25N15B YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ13N03A YJQ13N03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.63 грн
15000+6.02 грн
30000+5.66 грн
60000+4.98 грн
120000+4.51 грн
300000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ15GP10A YJQ15GP10A YANGJIE TECHNOLOGY YJQ15GP10A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9.5A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 17.2W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+20.83 грн
28+14.14 грн
73+12.38 грн
199+11.70 грн
500+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ2012A YJQ2012A Yangjie Technology Description: DFN2020-6L N 20V 12A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.32 грн
15000+4.82 грн
30000+4.51 грн
60000+4.02 грн
120000+3.59 грн
300000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ20N04A YJQ20N04A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 20A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.24 грн
25000+9.33 грн
50000+8.79 грн
100000+7.75 грн
200000+6.96 грн
500000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ20P03A YJQ20P03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.24 грн
25000+10.18 грн
50000+9.61 грн
100000+8.41 грн
200000+7.60 грн
500000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ2301A YJQ2301A Yangjie Technology Description: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.60 грн
15000+5.97 грн
30000+5.66 грн
60000+4.95 грн
120000+4.51 грн
300000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ3400A YJQ3400A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC00E5916B858BF&compId=YJQ3400A.pdf?ci_sign=edf90e3781289916461715116e5c208a35597069 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.32 грн
100+4.36 грн
240+3.77 грн
660+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ3407A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCAB8550BF3FC540CE&compId=YJQ3407A.pdf?ci_sign=fbe9f91bf85954caa161eb5143fe6bada378ad49 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.4A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.4W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ35G10A YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 54W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ35N04A YJQ35N04A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.09 грн
25000+12.83 грн
50000+12.09 грн
100000+10.59 грн
200000+9.55 грн
500000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ35N04A YJQ35N04A YANGJIE TECHNOLOGY YJQ35N04A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 40W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+12.18 грн
40+10.32 грн
100+9.17 грн
110+8.23 грн
300+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ4606A YJQ4606A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.20 грн
25000+8.36 грн
50000+7.85 грн
100000+6.90 грн
200000+6.22 грн
500000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ50N03A YJQ50N03A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.73 грн
25000+12.46 грн
50000+11.77 грн
100000+10.33 грн
200000+9.33 грн
500000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ50P03A YJQ50P03A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.99 грн
25000+24.54 грн
50000+23.09 грн
100000+20.30 грн
200000+18.29 грн
500000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ60N03A YJQ60N03A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.91 грн
25000+19.95 грн
50000+18.73 грн
100000+16.50 грн
200000+14.85 грн
500000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQD12N03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJQD25N04A YJQD25N04A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.09 грн
25000+12.83 грн
50000+12.09 грн
100000+10.59 грн
200000+9.55 грн
500000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJG50N03B
YJG50N03B
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.26 грн
25000+12.08 грн
50000+11.39 грн
100000+9.97 грн
200000+8.97 грн
500000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJG80G06A YJG80G06A.pdf
YJG80G06A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 38W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.86 грн
13+30.12 грн
25+27.06 грн
40+22.86 грн
108+21.64 грн
500+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
YJGD20G10A
YJGD20G10A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+37.98 грн
25000+34.58 грн
50000+32.52 грн
100000+28.58 грн
200000+25.74 грн
500000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJH03N06A
YJH03N06A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+4.16 грн
5000+3.79 грн
10000+3.58 грн
20000+3.15 грн
40000+2.82 грн
100000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
YJH03N06B
YJH03N06B
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+4.16 грн
5000+3.79 грн
10000+3.58 грн
20000+3.15 грн
40000+2.82 грн
100000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
YJH03N10A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98ABF8B38FBB478BF&compId=YJH03N10A.pdf?ci_sign=11dd79c439e7bd288c2933cc59edfa9fb413cf8f
YJH03N10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 4W
Gate charge: 16nC
Technology: TRENCH POWER MV
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
на замовлення 9185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
45+10.13 грн
100+6.57 грн
195+4.67 грн
535+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
YJH03N10A
YJH03N10A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+7.07 грн
5000+6.42 грн
10000+6.04 грн
20000+5.31 грн
40000+4.81 грн
100000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
YJH10N02A
YJH10N02A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+7.07 грн
5000+6.42 грн
10000+6.04 грн
20000+5.31 грн
40000+4.81 грн
100000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
YJJ09N03A YJJ09N03A.pdf
YJJ09N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.91 грн
15000+6.27 грн
30000+5.89 грн
60000+5.17 грн
120000+4.66 грн
300000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL02N10A YJL02N10A.pdf
YJL02N10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
80+5.43 грн
140+2.91 грн
370+2.42 грн
1020+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03G10A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB919FCB49F456C0C7&compId=YJL03G10A.pdf?ci_sign=92d88a828f5f1adb073bf9656d0c7a57c160abe5
YJL03G10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 121A
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
99+4.18 грн
109+3.51 грн
250+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N04A
YJL03N04A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.38 грн
15000+2.14 грн
30000+1.99 грн
60000+1.79 грн
120000+1.58 грн
300000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1772A8AEA78BF&compId=YJL03N06A.pdf?ci_sign=db9173cc23148a69957962f558eb05b87c0e5314
YJL03N06A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
65+6.59 грн
145+2.71 грн
410+2.21 грн
1125+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AQ
YJL03N06AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.08 грн
15000+4.59 грн
30000+4.36 грн
60000+3.80 грн
120000+3.44 грн
300000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06B YJL03N06B.pdf
YJL03N06B
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.67 грн
15000+2.43 грн
30000+2.29 грн
60000+2.01 грн
120000+1.81 грн
300000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04AQ
YJL05N04AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.83 грн
15000+3.54 грн
30000+3.32 грн
60000+2.91 грн
120000+2.63 грн
300000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N06AL
YJL05N06AL
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.97 грн
15000+5.46 грн
30000+5.09 грн
60000+4.50 грн
120000+4.08 грн
300000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2300A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC186682DC238BF&compId=YJL2300A.pdf?ci_sign=9bf64c4f3083cada6afd9f54472b5637bb2c37ab
YJL2300A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.2nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 18A
Mounting: SMD
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
130+3.38 грн
190+2.02 грн
500+1.80 грн
570+1.59 грн
1560+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CQ
YJL2301CQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.60 грн
15000+4.20 грн
30000+3.98 грн
60000+3.52 грн
120000+3.16 грн
300000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301D
YJL2301D
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.62 грн
15000+2.45 грн
30000+2.29 грн
60000+2.01 грн
120000+1.79 грн
300000+1.65 грн
600000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1993FD362B8BF&compId=YJL2301D.pdf?ci_sign=c323e1e1ebec5f34241d251119aa9dcd52b1f6eb
YJL2301D
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC19CFF1800F8BF&compId=YJL2301F.pdf?ci_sign=238e9a03127ca25e9e4923df7c0acef4bc139b24
YJL2301F
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301G
YJL2301G
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.91 грн
15000+1.76 грн
30000+1.61 грн
60000+1.43 грн
120000+1.29 грн
300000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301N
YJL2301N
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.75 грн
15000+1.61 грн
30000+1.45 грн
60000+1.29 грн
120000+1.15 грн
300000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A YJL2302A.pdf
YJL2302A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.14 грн
15000+1.91 грн
30000+1.83 грн
60000+1.58 грн
120000+1.43 грн
300000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1AD130E1018BF&compId=YJL2302A.pdf?ci_sign=6794f97cdb9cd9db65b730c83d69c994d09d9e3f
YJL2302A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
120+3.66 грн
190+2.03 грн
500+1.80 грн
550+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1BA20DCF158BF&compId=YJL2305A.pdf?ci_sign=97db82c6e1d3565fc4171d27f8ab5d5e43cda9df
YJL2305A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 62mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.2nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -23A
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
60+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C3FC624058BF&compId=YJL2305B.pdf?ci_sign=c0398c014f9f7ef705f204e1ee078eed5e92af72
YJL2305B
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -4.4A; 1.2W
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.4A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.2nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -22A
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C87F151158BF&compId=YJL2312A.pdf?ci_sign=14798a51d0e6f46150da34ff01d50476a545c2c9
YJL2312A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.6nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 27A
Case: SOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
120+3.50 грн
140+2.93 грн
400+2.24 грн
1100+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A
YJL2312A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.78 грн
15000+2.52 грн
30000+2.37 грн
60000+2.08 грн
120000+1.87 грн
300000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AL
YJL2312AL
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.57 грн
15000+3.21 грн
30000+3.06 грн
60000+2.65 грн
120000+2.37 грн
300000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AQ
YJL2312AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.08 грн
15000+4.59 грн
30000+4.36 грн
60000+3.80 грн
120000+3.44 грн
300000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1D1106B0B78BF&compId=YJL3400A.pdf?ci_sign=1e420084b71e8e4635e93db8195231c4f88b3315
YJL3400A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
120+3.50 грн
140+2.90 грн
420+2.23 грн
1120+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401A YJL3401A.pdf
YJL3401A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
120+3.66 грн
140+3.10 грн
380+2.37 грн
1060+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL
YJL3401AL
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.97 грн
15000+3.59 грн
30000+3.44 грн
60000+3.01 грн
120000+2.73 грн
300000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL YJL3401AL.pdf
YJL3401AL
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AQ
YJL3401AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.08 грн
15000+4.59 грн
30000+4.36 грн
60000+3.80 грн
120000+3.44 грн
300000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404AQ
YJL3404AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.24 грн
15000+4.82 грн
30000+4.51 грн
60000+3.95 грн
120000+3.59 грн
300000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC241C9FDDC18BF&compId=YJL3407A.pdf?ci_sign=262ef08183db2939e608c94b85e202cf14018610
YJL3407A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC23C0BC2DC18BF&compId=YJL3407AL.pdf?ci_sign=5cf4cb3fd4b8c39a55258ae084a93b116a2bc051
YJL3407AL
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
90+4.65 грн
150+2.71 грн
400+2.30 грн
1080+2.18 грн
3000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
YJM04N10A
YJM04N10A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-223 N 100V 4A Transistors F
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
YJM05N06A
YJM05N06A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-223 N 60V 5A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.96 грн
12500+8.18 грн
25000+7.67 грн
50000+6.78 грн
100000+6.09 грн
250000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
YJP25N15B
YJP25N15B
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ13N03A
YJQ13N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.63 грн
15000+6.02 грн
30000+5.66 грн
60000+4.98 грн
120000+4.51 грн
300000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ15GP10A YJQ15GP10A.pdf
YJQ15GP10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9.5A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 17.2W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+20.83 грн
28+14.14 грн
73+12.38 грн
199+11.70 грн
500+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ2012A
YJQ2012A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN2020-6L N 20V 12A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.32 грн
15000+4.82 грн
30000+4.51 грн
60000+4.02 грн
120000+3.59 грн
300000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ20N04A
YJQ20N04A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 20A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.24 грн
25000+9.33 грн
50000+8.79 грн
100000+7.75 грн
200000+6.96 грн
500000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ20P03A
YJQ20P03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.24 грн
25000+10.18 грн
50000+9.61 грн
100000+8.41 грн
200000+7.60 грн
500000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ2301A
YJQ2301A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.60 грн
15000+5.97 грн
30000+5.66 грн
60000+4.95 грн
120000+4.51 грн
300000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ3400A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC00E5916B858BF&compId=YJQ3400A.pdf?ci_sign=edf90e3781289916461715116e5c208a35597069
YJQ3400A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.32 грн
100+4.36 грн
240+3.77 грн
660+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ3407A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCAB8550BF3FC540CE&compId=YJQ3407A.pdf?ci_sign=fbe9f91bf85954caa161eb5143fe6bada378ad49
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.4A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.4W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ35G10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 54W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ35N04A
YJQ35N04A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.09 грн
25000+12.83 грн
50000+12.09 грн
100000+10.59 грн
200000+9.55 грн
500000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ35N04A YJQ35N04A.pdf
YJQ35N04A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 40W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+12.18 грн
40+10.32 грн
100+9.17 грн
110+8.23 грн
300+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ4606A
YJQ4606A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+9.20 грн
25000+8.36 грн
50000+7.85 грн
100000+6.90 грн
200000+6.22 грн
500000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ50N03A
YJQ50N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.73 грн
25000+12.46 грн
50000+11.77 грн
100000+10.33 грн
200000+9.33 грн
500000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ50P03A
YJQ50P03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.99 грн
25000+24.54 грн
50000+23.09 грн
100000+20.30 грн
200000+18.29 грн
500000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ60N03A
YJQ60N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+21.91 грн
25000+19.95 грн
50000+18.73 грн
100000+16.50 грн
200000+14.85 грн
500000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQD12N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJQD25N04A
YJQD25N04A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.09 грн
25000+12.83 грн
50000+12.09 грн
100000+10.59 грн
200000+9.55 грн
500000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 60 61 62 63 64 65 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]