Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (4047) > Сторінка 66 з 68
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
UMD22N | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
UMD3N | Yangjie Technology |
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
UMH3N | Yangjie Technology |
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
UMX1N | Yangjie Technology |
Description: SOT-363 NPN+NPN 0.2W 0.15A 60V T Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
UMZ1N | Yangjie Technology |
Description: SOT-363 NPN+PNP 0.2W 0.15A 60 -6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN, PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBS2006 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 2A; Ifsm: 75A; YBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2A Max. forward impulse current: 75A Case: YBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YBS2008 | Yangjie Technology |
Description: Diodes - Bridge Rectifiers YBS 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBS2010 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 2A; Ifsm: 75A; YBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 2A Max. forward impulse current: 75A Case: YBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBS2206 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2.2A Max. forward impulse current: 90A Case: YBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBS2208 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 2.2A Max. forward impulse current: 90A Case: YBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBS2210 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape Case: YBS Type of bridge rectifier: single-phase Load current: 2.2A Max. forward impulse current: 90A Max. off-state voltage: 1kV |
на замовлення 2247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBS3008 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Max. forward impulse current: 110A Case: YBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1611 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBS3010 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Max. forward impulse current: 110A Case: YBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1686 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBSM40005 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 50V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 50V Load current: 4A Max. forward impulse current: 120A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBSM4002 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 200V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 200V Load current: 4A Max. forward impulse current: 120A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBSM4004 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 400V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 4A Max. forward impulse current: 120A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBSM4006 | Yangjie Technology | Description: YBSM 600V 4.0A Diodes Bridge R |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBSM4008 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 4A Max. forward impulse current: 120A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBSM6001 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 100V Load current: 6A Max. forward impulse current: 150A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBSM6004 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 400V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 6A Max. forward impulse current: 150A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBSM6006 | Yangjie Technology |
Description: YBSM 600V 6.0A Diodes Bridge R Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBSM6006 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 6A Max. forward impulse current: 150A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1784 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBSM6010 | Yangjie Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBSM6010 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 6A Max. forward impulse current: 150A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ2N60CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 23W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ2N60CP | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 44W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ2N65CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 23W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ2N65CP | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 44W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ2N65CZ | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 54W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.33mm |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ4N60CP | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 51W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ4N65CP | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 51W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ4N65CZ | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.33mm |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ4N70CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 16A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ7N60CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ7N65CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ7N80CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 49W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJA3134KA | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 1000000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJB150N06BQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD112010DG1 | Yangjie Technology |
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD120N04A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD15N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 22.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 9120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD15N10A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD180N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD20N06A | Yangjie Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD40N04A | Yangjie Technology | Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD50N03A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD50N06A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
YJD50N06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 21.6W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
YJD60N02A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD60N04A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD60N04A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 42A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 35W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 9255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD80N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD80N03B | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD90N06A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG100N04A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG105N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG150N03A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG15GP10A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG15N15B | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 15A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 29W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJG20N06A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
UMD22N |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.24 грн |
15000+ | 2.02 грн |
30000+ | 1.94 грн |
60000+ | 1.69 грн |
120000+ | 1.55 грн |
300000+ | 1.42 грн |
UMD3N |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.45 грн |
15000+ | 2.21 грн |
30000+ | 2.13 грн |
60000+ | 1.85 грн |
120000+ | 1.70 грн |
300000+ | 1.55 грн |
UMH3N |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.45 грн |
15000+ | 2.21 грн |
30000+ | 2.13 грн |
60000+ | 1.85 грн |
120000+ | 1.70 грн |
300000+ | 1.55 грн |
UMX1N |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-363 NPN+NPN 0.2W 0.15A 60V T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Description: SOT-363 NPN+NPN 0.2W 0.15A 60V T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.37 грн |
15000+ | 2.13 грн |
30000+ | 1.97 грн |
60000+ | 1.77 грн |
120000+ | 1.63 грн |
300000+ | 1.48 грн |
UMZ1N |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-363 NPN+PNP 0.2W 0.15A 60 -6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Description: SOT-363 NPN+PNP 0.2W 0.15A 60 -6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.37 грн |
15000+ | 2.13 грн |
30000+ | 1.97 грн |
60000+ | 1.77 грн |
120000+ | 1.63 грн |
300000+ | 1.48 грн |
YBS2006 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 2A; Ifsm: 75A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 75A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 2A; Ifsm: 75A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 75A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
65+ | 6.96 грн |
115+ | 3.56 грн |
130+ | 3.11 грн |
300+ | 2.80 грн |
YBS2008 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Diodes - Bridge Rectifiers YBS 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Diodes - Bridge Rectifiers YBS 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 9.16 грн |
15000+ | 8.35 грн |
30000+ | 7.80 грн |
60000+ | 6.87 грн |
120000+ | 6.21 грн |
300000+ | 5.77 грн |
YBS2010 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 2A; Ifsm: 75A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 75A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 2A; Ifsm: 75A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 75A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 9.16 грн |
85+ | 4.79 грн |
100+ | 4.25 грн |
YBS2206 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2.2A
Max. forward impulse current: 90A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2.2A
Max. forward impulse current: 90A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 9.33 грн |
80+ | 5.04 грн |
100+ | 4.49 грн |
300+ | 4.41 грн |
YBS2208 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2.2A
Max. forward impulse current: 90A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2.2A
Max. forward impulse current: 90A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 9.33 грн |
80+ | 5.04 грн |
100+ | 4.41 грн |
YBS2210 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Case: YBS
Type of bridge rectifier: single-phase
Load current: 2.2A
Max. forward impulse current: 90A
Max. off-state voltage: 1kV
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Case: YBS
Type of bridge rectifier: single-phase
Load current: 2.2A
Max. forward impulse current: 90A
Max. off-state voltage: 1kV
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 9.16 грн |
80+ | 5.04 грн |
100+ | 4.41 грн |
YBS3008 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 110A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 110A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 9.16 грн |
80+ | 5.04 грн |
100+ | 4.57 грн |
YBS3010 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 110A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 110A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
35+ | 12.38 грн |
60+ | 6.85 грн |
100+ | 6.06 грн |
160+ | 5.91 грн |
300+ | 5.43 грн |
YBSM40005 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 50V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 50V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
23+ | 18.66 грн |
38+ | 10.40 грн |
100+ | 9.14 грн |
106+ | 8.74 грн |
290+ | 8.27 грн |
500+ | 8.19 грн |
YBSM4002 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 200V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 200V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
27+ | 15.86 грн |
46+ | 8.74 грн |
100+ | 7.72 грн |
500+ | 7.64 грн |
YBSM4004 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 400V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 400V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
23+ | 18.66 грн |
39+ | 10.24 грн |
YBSM4006 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: YBSM 600V 4.0A Diodes Bridge R
Description: YBSM 600V 4.0A Diodes Bridge R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1800+ | 15.26 грн |
9000+ | 13.88 грн |
18000+ | 13.06 грн |
36000+ | 11.49 грн |
72000+ | 10.31 грн |
180000+ | 9.54 грн |
YBSM4008 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
24+ | 18.07 грн |
40+ | 9.92 грн |
100+ | 8.74 грн |
284+ | 8.43 грн |
500+ | 8.11 грн |
YBSM6001 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 20.61 грн |
29+ | 13.86 грн |
87+ | 10.71 грн |
239+ | 10.08 грн |
YBSM6004 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 400V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 400V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 15.27 грн |
38+ | 10.40 грн |
91+ | 10.24 грн |
100+ | 9.37 грн |
YBSM6006 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: YBSM 600V 6.0A Diodes Bridge R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: YBSM 600V 6.0A Diodes Bridge R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1800+ | 19.96 грн |
9000+ | 18.12 грн |
18000+ | 17.09 грн |
36000+ | 15.01 грн |
72000+ | 13.53 грн |
180000+ | 12.49 грн |
YBSM6006 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 20.10 грн |
29+ | 14.02 грн |
78+ | 11.97 грн |
212+ | 11.34 грн |
500+ | 11.11 грн |
YBSM6010 |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: YBS3 1000V 6.0A Diodes Bridge
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: YBS3 1000V 6.0A Diodes Bridge
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1800+ | 18.67 грн |
9000+ | 16.95 грн |
18000+ | 15.99 грн |
36000+ | 14.04 грн |
72000+ | 12.65 грн |
180000+ | 11.68 грн |
YBSM6010 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ2N60CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ2N60CP |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ2N65CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ2N65CP |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ2N65CZ |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ4N60CP |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ4N65CP |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ4N65CZ |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ4N70CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 16A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 16A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ7N60CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ7N65CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ7N80CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJA3134KA |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10000+ | 1.96 грн |
50000+ | 1.81 грн |
100000+ | 1.65 грн |
200000+ | 1.48 грн |
400000+ | 1.33 грн |
1000000+ | 1.26 грн |
YJB150N06BQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 54.31 грн |
4000+ | 49.39 грн |
8000+ | 46.47 грн |
16000+ | 40.88 грн |
32000+ | 36.81 грн |
80000+ | 34.08 грн |
YJD112010DG1 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 434.33 грн |
12500+ | 395.00 грн |
25000+ | 371.77 грн |
50000+ | 327.09 грн |
100000+ | 294.34 грн |
250000+ | 272.53 грн |
YJD120N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 27.81 грн |
12500+ | 25.28 грн |
25000+ | 23.79 грн |
50000+ | 20.92 грн |
100000+ | 18.85 грн |
250000+ | 17.44 грн |
YJD15N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
40+ | 11.88 грн |
100+ | 10.00 грн |
110+ | 8.66 грн |
295+ | 8.19 грн |
2500+ | 7.88 грн |
YJD15N10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 15.54 грн |
12500+ | 14.10 грн |
25000+ | 13.23 грн |
50000+ | 11.68 грн |
100000+ | 10.50 грн |
250000+ | 9.76 грн |
YJD180N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 27.81 грн |
12500+ | 25.28 грн |
25000+ | 23.79 грн |
50000+ | 20.92 грн |
100000+ | 18.85 грн |
250000+ | 17.44 грн |
YJD20N06A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 15.30 грн |
12500+ | 13.94 грн |
25000+ | 13.07 грн |
50000+ | 11.53 грн |
100000+ | 10.35 грн |
250000+ | 9.61 грн |
YJD40N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 11.44 грн |
12500+ | 10.41 грн |
25000+ | 9.80 грн |
50000+ | 8.63 грн |
100000+ | 7.77 грн |
250000+ | 7.20 грн |
YJD50N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 15.05 грн |
12500+ | 13.71 грн |
25000+ | 12.92 грн |
50000+ | 11.31 грн |
100000+ | 10.20 грн |
250000+ | 9.46 грн |
YJD50N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 20.12 грн |
12500+ | 18.27 грн |
25000+ | 17.25 грн |
50000+ | 15.15 грн |
100000+ | 13.67 грн |
250000+ | 12.64 грн |
YJD50N06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJD60N02A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 13.66 грн |
12500+ | 12.44 грн |
25000+ | 11.74 грн |
50000+ | 10.27 грн |
100000+ | 9.24 грн |
250000+ | 8.57 грн |
YJD60N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 15.21 грн |
12500+ | 13.86 грн |
25000+ | 13.07 грн |
50000+ | 11.46 грн |
100000+ | 10.35 грн |
250000+ | 9.54 грн |
YJD60N04A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
35+ | 12.98 грн |
100+ | 10.87 грн |
105+ | 9.06 грн |
280+ | 8.59 грн |
YJD80N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 19.14 грн |
12500+ | 17.41 грн |
25000+ | 16.38 грн |
50000+ | 14.41 грн |
100000+ | 13.01 грн |
250000+ | 12.05 грн |
YJD80N03B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 13.66 грн |
12500+ | 12.44 грн |
25000+ | 11.74 грн |
50000+ | 10.27 грн |
100000+ | 9.24 грн |
250000+ | 8.57 грн |
YJD90N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 26.66 грн |
12500+ | 24.26 грн |
25000+ | 22.84 грн |
50000+ | 20.11 грн |
100000+ | 18.11 грн |
250000+ | 16.78 грн |
YJG100N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 23.23 грн |
25000+ | 21.19 грн |
50000+ | 19.93 грн |
100000+ | 17.52 грн |
200000+ | 15.74 грн |
500000+ | 14.56 грн |
YJG105N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 19.26 грн |
25000+ | 17.51 грн |
50000+ | 16.47 грн |
100000+ | 14.49 грн |
200000+ | 13.03 грн |
500000+ | 12.06 грн |
YJG150N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 24.05 грн |
25000+ | 21.90 грн |
50000+ | 20.64 грн |
100000+ | 18.11 грн |
200000+ | 16.34 грн |
500000+ | 15.08 грн |
YJG15GP10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 22.33 грн |
25000+ | 20.32 грн |
50000+ | 19.14 грн |
100000+ | 16.85 грн |
200000+ | 15.15 грн |
500000+ | 14.04 грн |
YJG15N15B |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 29W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 29W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJG20N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 11.61 грн |
25000+ | 10.55 грн |
50000+ | 9.92 грн |
100000+ | 8.80 грн |
200000+ | 7.91 грн |
500000+ | 7.32 грн |