Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (3979) > Сторінка 65 з 67
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
YBS2008 | Yangjie Technology |
Description: Diodes - Bridge Rectifiers YBS 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBS2010 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 2A; Ifsm: 75A; YBS; SMT Electrical mounting: SMT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 2A Max. forward impulse current: 75A Kind of package: reel; tape Type of bridge rectifier: single-phase Case: YBS |
на замовлення 2730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBS2206 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT Electrical mounting: SMT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2.2A Max. forward impulse current: 90A Kind of package: reel; tape Type of bridge rectifier: single-phase Case: YBS |
на замовлення 2845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBS2208 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 2.2A Max. forward impulse current: 90A Case: YBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBS2210 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 2.2A Max. forward impulse current: 90A Case: YBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBS3008 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Max. forward impulse current: 110A Case: YBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBSM40005 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 50V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 50V Load current: 4A Max. forward impulse current: 120A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBSM4001 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 100V Load current: 4A Max. forward impulse current: 120A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBSM4004 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 400V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 4A Max. forward impulse current: 120A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBSM4006 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 4A Max. forward impulse current: 120A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBSM4006 | Yangjie Technology | Description: YBSM 600V 4.0A Diodes Bridge R |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBSM4008 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 4A Max. forward impulse current: 120A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBSM4010 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 4A Max. forward impulse current: 120A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YBSM6006 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 6A Max. forward impulse current: 150A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1784 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBSM6006 | Yangjie Technology |
Description: YBSM 600V 6.0A Diodes Bridge R Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBSM6010 | Yangjie Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YBSM6010 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 6A Max. forward impulse current: 150A Case: YBS3 Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape |
на замовлення 524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJ10N60CZ | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 178W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 178W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.33mm |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ2N60CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 23W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ2N60CP | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 44W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ2N65CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 23W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ2N65CP | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 44W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ2N65CZ | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 54W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.33mm |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ4N60CP | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 51W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ4N65CP | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 51W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ4N65CZ | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.33mm |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ7N60CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ7N65CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJ7N80CI | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 49W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
YJA3134KA | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 1000000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJB150N06BQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD112010DG1 | Yangjie Technology |
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD120N04A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD15N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 22.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD15N10A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD180N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD20N06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 22.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3090 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD20N06A | Yangjie Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD40N04A | Yangjie Technology | Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD50N03A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD50N06A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
YJD50N06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 21.6W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
YJD60N02A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD60N04A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD60N04A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 42A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 35W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 12250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD80N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD80N03B | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD90N06A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG100N04A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG105N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG150N03A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG15GP10A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG20N06A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG30N06A | Yangjie Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG40G10A | Yangjie Technology |
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG40G10AQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG40N03A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG40P03A | Yangjie Technology | Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG50N03B | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJGD20G10A | Yangjie Technology | Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
YBS2008 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Diodes - Bridge Rectifiers YBS 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Diodes - Bridge Rectifiers YBS 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 8.91 грн |
15000+ | 8.12 грн |
30000+ | 7.59 грн |
60000+ | 6.69 грн |
120000+ | 6.04 грн |
300000+ | 5.61 грн |
YBS2010 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 2A; Ifsm: 75A; YBS; SMT
Electrical mounting: SMT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 75A
Kind of package: reel; tape
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: YBS
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 2A; Ifsm: 75A; YBS; SMT
Electrical mounting: SMT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 75A
Kind of package: reel; tape
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: YBS
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
40+ | 11.39 грн |
65+ | 5.98 грн |
100+ | 5.21 грн |
195+ | 4.67 грн |
525+ | 4.44 грн |
YBS2206 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT
Electrical mounting: SMT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2.2A
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: reel; tape
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: YBS
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT
Electrical mounting: SMT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2.2A
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: reel; tape
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: YBS
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
40+ | 11.39 грн |
65+ | 6.21 грн |
100+ | 5.44 грн |
185+ | 4.90 грн |
300+ | 4.83 грн |
500+ | 4.67 грн |
YBS2208 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2.2A
Max. forward impulse current: 90A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2.2A
Max. forward impulse current: 90A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
40+ | 10.89 грн |
65+ | 5.98 грн |
100+ | 5.29 грн |
185+ | 4.90 грн |
300+ | 4.67 грн |
YBS2210 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2.2A
Max. forward impulse current: 90A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 2.2A; Ifsm: 90A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2.2A
Max. forward impulse current: 90A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
40+ | 11.39 грн |
65+ | 6.21 грн |
100+ | 5.44 грн |
185+ | 5.06 грн |
300+ | 4.90 грн |
500+ | 4.75 грн |
YBS3008 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 110A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 110A
Case: YBS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
40+ | 11.39 грн |
65+ | 6.36 грн |
100+ | 5.59 грн |
180+ | 5.13 грн |
300+ | 4.98 грн |
495+ | 4.83 грн |
YBSM40005 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 50V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 50V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
23+ | 18.40 грн |
38+ | 10.27 грн |
100+ | 9.04 грн |
106+ | 8.51 грн |
290+ | 8.05 грн |
YBSM4001 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
23+ | 18.40 грн |
38+ | 10.27 грн |
100+ | 9.04 грн |
106+ | 8.51 грн |
290+ | 8.05 грн |
YBSM4004 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 400V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 400V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 19.56 грн |
36+ | 10.81 грн |
100+ | 9.50 грн |
106+ | 8.74 грн |
YBSM4006 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 23.93 грн |
28+ | 13.72 грн |
78+ | 11.64 грн |
213+ | 11.01 грн |
500+ | 10.96 грн |
YBSM4006 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: YBSM 600V 4.0A Diodes Bridge R
Description: YBSM 600V 4.0A Diodes Bridge R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1800+ | 14.85 грн |
9000+ | 13.50 грн |
18000+ | 12.71 грн |
36000+ | 11.18 грн |
72000+ | 10.03 грн |
180000+ | 9.28 грн |
YBSM4008 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 21.21 грн |
33+ | 11.65 грн |
99+ | 9.04 грн |
272+ | 8.58 грн |
YBSM4010 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 4A; Ifsm: 120A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YBSM6006 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 20.88 грн |
27+ | 14.41 грн |
78+ | 11.65 грн |
212+ | 10.96 грн |
YBSM6006 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: YBSM 600V 6.0A Diodes Bridge R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: YBSM 600V 6.0A Diodes Bridge R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1800+ | 19.42 грн |
9000+ | 17.63 грн |
18000+ | 16.63 грн |
36000+ | 14.60 грн |
72000+ | 13.16 грн |
180000+ | 12.15 грн |
YBSM6010 |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: YBS3 1000V 6.0A Diodes Bridge
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: YBS3 1000V 6.0A Diodes Bridge
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1800+ | 18.16 грн |
9000+ | 16.49 грн |
18000+ | 15.56 грн |
36000+ | 13.66 грн |
72000+ | 12.31 грн |
180000+ | 11.37 грн |
YBSM6010 |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; YBS3; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: YBS3
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 56.94 грн |
15+ | 26.52 грн |
25+ | 15.94 грн |
76+ | 11.88 грн |
209+ | 11.19 грн |
YJ10N60CZ |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 178W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 178W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 178W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 178W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ2N60CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ2N60CP |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ2N65CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ2N65CP |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ2N65CZ |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ4N60CP |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ4N65CP |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ4N65CZ |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ7N60CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ7N65CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJ7N80CI |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJA3134KA |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10000+ | 1.91 грн |
50000+ | 1.76 грн |
100000+ | 1.61 грн |
200000+ | 1.44 грн |
400000+ | 1.29 грн |
1000000+ | 1.22 грн |
YJB150N06BQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 52.84 грн |
4000+ | 48.05 грн |
8000+ | 45.21 грн |
16000+ | 39.77 грн |
32000+ | 35.81 грн |
80000+ | 33.15 грн |
YJD112010DG1 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 422.57 грн |
12500+ | 384.32 грн |
25000+ | 361.71 грн |
50000+ | 318.24 грн |
100000+ | 286.38 грн |
250000+ | 265.16 грн |
YJD120N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 27.06 грн |
12500+ | 24.60 грн |
25000+ | 23.14 грн |
50000+ | 20.35 грн |
100000+ | 18.34 грн |
250000+ | 16.97 грн |
YJD15N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
35+ | 12.54 грн |
95+ | 9.73 грн |
260+ | 9.20 грн |
YJD15N10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 15.12 грн |
12500+ | 13.72 грн |
25000+ | 12.87 грн |
50000+ | 11.36 грн |
100000+ | 10.21 грн |
250000+ | 9.49 грн |
YJD180N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 27.06 грн |
12500+ | 24.60 грн |
25000+ | 23.14 грн |
50000+ | 20.35 грн |
100000+ | 18.34 грн |
250000+ | 16.97 грн |
YJD20N06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 15.52 грн |
35+ | 12.03 грн |
95+ | 9.50 грн |
260+ | 8.97 грн |
2500+ | 8.66 грн |
YJD20N06A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 14.88 грн |
12500+ | 13.56 грн |
25000+ | 12.72 грн |
50000+ | 11.22 грн |
100000+ | 10.07 грн |
250000+ | 9.35 грн |
YJD40N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 11.13 грн |
12500+ | 10.13 грн |
25000+ | 9.53 грн |
50000+ | 8.39 грн |
100000+ | 7.56 грн |
250000+ | 7.01 грн |
YJD50N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 14.64 грн |
12500+ | 13.33 грн |
25000+ | 12.57 грн |
50000+ | 11.00 грн |
100000+ | 9.92 грн |
250000+ | 9.21 грн |
YJD50N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 19.58 грн |
12500+ | 17.78 грн |
25000+ | 16.78 грн |
50000+ | 14.74 грн |
100000+ | 13.30 грн |
250000+ | 12.30 грн |
YJD50N06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
YJD60N02A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 13.29 грн |
12500+ | 12.11 грн |
25000+ | 11.42 грн |
50000+ | 10.00 грн |
100000+ | 8.99 грн |
250000+ | 8.34 грн |
YJD60N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 14.80 грн |
12500+ | 13.49 грн |
25000+ | 12.72 грн |
50000+ | 11.15 грн |
100000+ | 10.07 грн |
250000+ | 9.28 грн |
YJD60N04A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
35+ | 13.04 грн |
100+ | 10.88 грн |
105+ | 8.81 грн |
280+ | 8.35 грн |
YJD80N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 18.62 грн |
12500+ | 16.94 грн |
25000+ | 15.94 грн |
50000+ | 14.02 грн |
100000+ | 12.66 грн |
250000+ | 11.72 грн |
YJD80N03B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 13.29 грн |
12500+ | 12.11 грн |
25000+ | 11.42 грн |
50000+ | 10.00 грн |
100000+ | 8.99 грн |
250000+ | 8.34 грн |
YJD90N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 25.94 грн |
12500+ | 23.60 грн |
25000+ | 22.22 грн |
50000+ | 19.56 грн |
100000+ | 17.62 грн |
250000+ | 16.33 грн |
YJG100N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 22.60 грн |
25000+ | 20.61 грн |
50000+ | 19.39 грн |
100000+ | 17.04 грн |
200000+ | 15.32 грн |
500000+ | 14.17 грн |
YJG105N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 18.73 грн |
25000+ | 17.03 грн |
50000+ | 16.03 грн |
100000+ | 14.10 грн |
200000+ | 12.68 грн |
500000+ | 11.74 грн |
YJG150N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 23.40 грн |
25000+ | 21.30 грн |
50000+ | 20.08 грн |
100000+ | 17.62 грн |
200000+ | 15.89 грн |
500000+ | 14.67 грн |
YJG15GP10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 21.73 грн |
25000+ | 19.77 грн |
50000+ | 18.62 грн |
100000+ | 16.40 грн |
200000+ | 14.74 грн |
500000+ | 13.66 грн |
YJG20N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 11.30 грн |
25000+ | 10.27 грн |
50000+ | 9.66 грн |
100000+ | 8.56 грн |
200000+ | 7.70 грн |
500000+ | 7.12 грн |
YJG30N06A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 60V 30A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 60V 30A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 14.64 грн |
25000+ | 13.33 грн |
50000+ | 12.57 грн |
100000+ | 11.00 грн |
200000+ | 9.92 грн |
500000+ | 9.21 грн |
YJG40G10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 20.21 грн |
25000+ | 18.39 грн |
50000+ | 17.32 грн |
100000+ | 15.25 грн |
200000+ | 13.66 грн |
500000+ | 12.66 грн |
YJG40G10AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 39.95 грн |
25000+ | 36.32 грн |
50000+ | 34.18 грн |
100000+ | 30.06 грн |
200000+ | 27.04 грн |
500000+ | 25.03 грн |
YJG40N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 11.78 грн |
25000+ | 10.73 грн |
50000+ | 10.04 грн |
100000+ | 8.85 грн |
200000+ | 7.98 грн |
500000+ | 7.41 грн |
YJG40P03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis
Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 14.04 грн |
25000+ | 12.82 грн |
50000+ | 12.05 грн |
100000+ | 10.58 грн |
200000+ | 9.53 грн |
500000+ | 8.81 грн |
YJG50N03B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 13.29 грн |
25000+ | 12.11 грн |
50000+ | 11.42 грн |
100000+ | 10.00 грн |
200000+ | 8.99 грн |
500000+ | 8.34 грн |
YJGD20G10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 38.07 грн |
25000+ | 34.67 грн |
50000+ | 32.60 грн |
100000+ | 28.65 грн |
200000+ | 25.80 грн |
500000+ | 23.93 грн |