Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (3860) > Сторінка 65 з 65
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
YJS2301A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS3404A | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 N 30V 8.5A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS4407J | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS4409A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS4435A | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS4447B | Yangjie Technology | Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS4606A | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 N/P 30 -30V 6.0 -5.0A Tra Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS4606A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6/-5A Pulsed drain current: 24...-20A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 6937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS4606A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6/-5A Pulsed drain current: 24...-20A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6937 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS4953A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 P -30V -5.1A Transistors |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS7328A | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors FPackaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS8205A | Yangjie Technology |
Description: SOT-23-6L N 20V 5.5A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS8205B | Yangjie Technology | Description: SOT-23-6L N 20V 7A Transistors |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS9435A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.1A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS9435A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS9435A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.1A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJSD12N03A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 7475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJSD12N03A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJSD12N03A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 7475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| ZMM55C3V3 | Yangjie Technology | Стабілітрон SMD; Uz, В = 3,3; Точн., % = 5; Тексп, °C = до 175; SOD-80 |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| YJS2301A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 5.37 грн |
| 100+ | 4.67 грн |
| 500+ | 3.99 грн |
| 3000+ | 3.72 грн |
| YJS3404A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 8.5A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 N 30V 8.5A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 6.84 грн |
| 20000+ | 6.20 грн |
| 40000+ | 5.81 грн |
| 80000+ | 5.15 грн |
| 160000+ | 4.64 грн |
| 400000+ | 4.27 грн |
| YJS4407J |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 12.30 грн |
| 20000+ | 11.14 грн |
| 40000+ | 10.51 грн |
| 80000+ | 9.20 грн |
| 160000+ | 8.32 грн |
| 400000+ | 7.73 грн |
| YJS4409A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F
Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 23.05 грн |
| 20000+ | 20.93 грн |
| 40000+ | 19.73 грн |
| 80000+ | 17.32 грн |
| 160000+ | 15.61 грн |
| 400000+ | 14.49 грн |
| YJS4435A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 7.70 грн |
| 20000+ | 6.96 грн |
| 40000+ | 6.58 грн |
| 80000+ | 5.75 грн |
| 160000+ | 5.18 грн |
| 400000+ | 4.83 грн |
| YJS4447B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F
Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 20.74 грн |
| YJS4606A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N/P 30 -30V 6.0 -5.0A Tra
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 N/P 30 -30V 6.0 -5.0A Tra
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 7.98 грн |
| 20000+ | 7.22 грн |
| 40000+ | 6.82 грн |
| 80000+ | 5.96 грн |
| 160000+ | 5.37 грн |
| 400000+ | 5.01 грн |
| YJS4606A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-5A
Pulsed drain current: 24...-20A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-5A
Pulsed drain current: 24...-20A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 53+ | 8.03 грн |
| 68+ | 5.79 грн |
| 193+ | 4.80 грн |
| 530+ | 4.54 грн |
| 4000+ | 4.36 грн |
| YJS4606A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-5A
Pulsed drain current: 24...-20A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-5A
Pulsed drain current: 24...-20A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6937 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 9.63 грн |
| 50+ | 7.21 грн |
| 193+ | 5.76 грн |
| 530+ | 5.45 грн |
| 4000+ | 5.23 грн |
| YJS4953A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 P -30V -5.1A Transistors
Description: SOP-8 P -30V -5.1A Transistors
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 7.70 грн |
| 20000+ | 6.96 грн |
| 40000+ | 6.58 грн |
| 80000+ | 5.75 грн |
| 160000+ | 5.18 грн |
| 400000+ | 4.83 грн |
| YJS7328A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 13.41 грн |
| 20000+ | 12.18 грн |
| 40000+ | 11.45 грн |
| 80000+ | 10.05 грн |
| 160000+ | 9.09 грн |
| 400000+ | 8.40 грн |
| YJS8205A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 20V 5.5A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23-6L N 20V 5.5A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.56 грн |
| 15000+ | 4.16 грн |
| 30000+ | 3.92 грн |
| 60000+ | 3.39 грн |
| 120000+ | 3.09 грн |
| 300000+ | 2.87 грн |
| YJS8205B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 20V 7A Transistors
Description: SOT-23-6L N 20V 7A Transistors
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.99 грн |
| 15000+ | 4.52 грн |
| 30000+ | 4.23 грн |
| 60000+ | 3.77 грн |
| 120000+ | 3.37 грн |
| 300000+ | 3.10 грн |
| YJS9435A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 12.33 грн |
| 55+ | 7.15 грн |
| 100+ | 5.36 грн |
| 500+ | 4.74 грн |
| YJS9435A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 6.44 грн |
| 20000+ | 5.88 грн |
| 40000+ | 5.57 грн |
| 80000+ | 4.86 грн |
| 160000+ | 4.42 грн |
| 400000+ | 4.05 грн |
| YJS9435A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 14.80 грн |
| 35+ | 8.92 грн |
| 100+ | 6.43 грн |
| 500+ | 5.69 грн |
| 2000+ | 5.10 грн |
| 8000+ | 4.83 грн |
| YJSD12N03A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 15.38 грн |
| 40+ | 10.36 грн |
| 100+ | 9.10 грн |
| 500+ | 8.08 грн |
| YJSD12N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 12.26 грн |
| 20000+ | 11.12 грн |
| 40000+ | 10.52 грн |
| 80000+ | 9.23 грн |
| 160000+ | 8.31 грн |
| 400000+ | 7.67 грн |
| YJSD12N03A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 7475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 18.45 грн |
| 25+ | 12.90 грн |
| 100+ | 10.92 грн |
| 500+ | 9.70 грн |
| 8000+ | 9.32 грн |
| ZMM55C3V3 |
Виробник: Yangjie Technology
Стабілітрон SMD; Uz, В = 3,3; Точн., % = 5; Тексп, °C = до 175; SOD-80
Стабілітрон SMD; Uz, В = 3,3; Точн., % = 5; Тексп, °C = до 175; SOD-80
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.






