Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (3943) > Сторінка 65 з 66

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 60 61 62 63 64 65 66  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
YJJ09N03A YJJ09N03A Yangjie Technology YJJ09N03A.pdf Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.17 грн
15000+6.51 грн
30000+6.11 грн
60000+5.36 грн
120000+4.84 грн
300000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL02N10A YJL02N10A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC16936FEF618BF&compId=YJL02N10A.pdf?ci_sign=2957408ffa694014da6d91c44af1615af30d1bc1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03G10A YJL03G10A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB919FCB49F456C0C7&compId=YJL03G10A.pdf?ci_sign=92d88a828f5f1adb073bf9656d0c7a57c160abe5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
81+5.33 грн
100+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03G10A YJL03G10A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB919FCB49F456C0C7&compId=YJL03G10A.pdf?ci_sign=92d88a828f5f1adb073bf9656d0c7a57c160abe5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
49+6.40 грн
100+5.55 грн
250+4.72 грн
263+4.26 грн
723+4.03 грн
3000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N04A YJL03N04A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.47 грн
15000+2.22 грн
30000+2.06 грн
60000+1.86 грн
120000+1.64 грн
300000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06A YJL03N06A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1772A8AEA78BF&compId=YJL03N06A.pdf?ci_sign=db9173cc23148a69957962f558eb05b87c0e5314 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06A YJL03N06A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1772A8AEA78BF&compId=YJL03N06A.pdf?ci_sign=db9173cc23148a69957962f558eb05b87c0e5314 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
40+8.21 грн
100+3.14 грн
500+2.69 грн
3000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AQ YJL03N06AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.28 грн
15000+4.76 грн
30000+4.52 грн
60000+3.95 грн
120000+3.58 грн
300000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06B YJL03N06B Yangjie Technology YJL03N06B.pdf Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.78 грн
15000+2.52 грн
30000+2.38 грн
60000+2.09 грн
120000+1.88 грн
300000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04AQ YJL05N04AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.98 грн
15000+3.68 грн
30000+3.45 грн
60000+3.02 грн
120000+2.73 грн
300000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N06AL YJL05N06AL Yangjie Technology Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.20 грн
15000+5.67 грн
30000+5.28 грн
60000+4.67 грн
120000+4.24 грн
300000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2300A YJL2300A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC186682DC238BF&compId=YJL2300A.pdf?ci_sign=9bf64c4f3083cada6afd9f54472b5637bb2c37ab Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CQ YJL2301CQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.78 грн
15000+4.37 грн
30000+4.13 грн
60000+3.65 грн
120000+3.28 грн
300000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301D YJL2301D Yangjie Technology Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.72 грн
15000+2.54 грн
30000+2.38 грн
60000+2.09 грн
120000+1.86 грн
300000+1.71 грн
600000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301D YJL2301D YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1993FD362B8BF&compId=YJL2301D.pdf?ci_sign=c323e1e1ebec5f34241d251119aa9dcd52b1f6eb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
160+2.78 грн
180+2.34 грн
500+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301D YJL2301D YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1993FD362B8BF&compId=YJL2301D.pdf?ci_sign=c323e1e1ebec5f34241d251119aa9dcd52b1f6eb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
100+3.33 грн
120+2.92 грн
500+2.49 грн
3000+2.23 грн
12000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301F YJL2301F YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC19CFF1800F8BF&compId=YJL2301F.pdf?ci_sign=238e9a03127ca25e9e4923df7c0acef4bc139b24 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.59 грн
240+1.80 грн
500+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301F YJL2301F YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC19CFF1800F8BF&compId=YJL2301F.pdf?ci_sign=238e9a03127ca25e9e4923df7c0acef4bc139b24 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
80+4.31 грн
140+2.25 грн
500+1.91 грн
3000+1.71 грн
12000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301G YJL2301G Yangjie Technology Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.98 грн
15000+1.83 грн
30000+1.67 грн
60000+1.49 грн
120000+1.34 грн
300000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301N YJL2301N Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.81 грн
15000+1.67 грн
30000+1.51 грн
60000+1.34 грн
120000+1.19 грн
300000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A YJL2302A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1AD130E1018BF&compId=YJL2302A.pdf?ci_sign=6794f97cdb9cd9db65b730c83d69c994d09d9e3f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
130+3.42 грн
220+1.89 грн
500+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A YJL2302A Yangjie Technology YJL2302A.pdf Description: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.23 грн
15000+1.98 грн
30000+1.91 грн
60000+1.64 грн
120000+1.49 грн
300000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A YJL2302A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1AD130E1018BF&compId=YJL2302A.pdf?ci_sign=6794f97cdb9cd9db65b730c83d69c994d09d9e3f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
80+4.10 грн
130+2.35 грн
500+2.02 грн
3000+1.80 грн
12000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304A YJL2304A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1B3D6D00558BF&compId=YJL2304A.pdf?ci_sign=b65049b10a8a6c80c71097a0b38b595224f6ab42 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
170+2.65 грн
220+1.87 грн
500+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304A YJL2304A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1B3D6D00558BF&compId=YJL2304A.pdf?ci_sign=b65049b10a8a6c80c71097a0b38b595224f6ab42 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
100+3.18 грн
130+2.33 грн
500+2.00 грн
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305A YJL2305A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1BA20DCF158BF&compId=YJL2305A.pdf?ci_sign=97db82c6e1d3565fc4171d27f8ab5d5e43cda9df Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
150+2.95 грн
200+2.06 грн
500+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305A YJL2305A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1BA20DCF158BF&compId=YJL2305A.pdf?ci_sign=97db82c6e1d3565fc4171d27f8ab5d5e43cda9df Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
90+3.54 грн
120+2.57 грн
500+2.20 грн
3000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B YJL2305B YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C3FC624058BF&compId=YJL2305B.pdf?ci_sign=c0398c014f9f7ef705f204e1ee078eed5e92af72 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -4.4A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
160+2.54 грн
500+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B YJL2305B YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C3FC624058BF&compId=YJL2305B.pdf?ci_sign=c0398c014f9f7ef705f204e1ee078eed5e92af72 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -4.4A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
100+3.17 грн
500+2.71 грн
3000+2.42 грн
12000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A YJL2312A Yangjie Technology Description: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.89 грн
15000+2.62 грн
30000+2.46 грн
60000+2.16 грн
120000+1.94 грн
300000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A YJL2312A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C87F151158BF&compId=YJL2312A.pdf?ci_sign=14798a51d0e6f46150da34ff01d50476a545c2c9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
130+3.29 грн
150+2.76 грн
500+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A YJL2312A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C87F151158BF&compId=YJL2312A.pdf?ci_sign=14798a51d0e6f46150da34ff01d50476a545c2c9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
80+3.95 грн
100+3.44 грн
500+2.94 грн
3000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AL YJL2312AL Yangjie Technology Description: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.71 грн
15000+3.33 грн
30000+3.18 грн
60000+2.76 грн
120000+2.46 грн
300000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AQ YJL2312AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.28 грн
15000+4.76 грн
30000+4.52 грн
60000+3.95 грн
120000+3.58 грн
300000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400B YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD090BD13B2758B60DF&compId=YJL3400B.pdf?ci_sign=09759616b5e838051ec07fad9e609ee14906a5f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
100+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400B YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD090BD13B2758B60DF&compId=YJL3400B.pdf?ci_sign=09759616b5e838051ec07fad9e609ee14906a5f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
100+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401A YJL3401A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC22D97A2FF98BF&compId=YJL3401A.pdf?ci_sign=8cbe903263886f6065d4b7d56313d8f564eb2162 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
140+2.84 грн
500+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401A YJL3401A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC22D97A2FF98BF&compId=YJL3401A.pdf?ci_sign=8cbe903263886f6065d4b7d56313d8f564eb2162 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
80+4.05 грн
100+3.54 грн
500+3.03 грн
3000+2.71 грн
12000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL YJL3401AL YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1D7A55420D8BF&compId=YJL3401AL.pdf?ci_sign=37558a64080fcc6034c2a2e33577e6760a459c90 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
55+7.78 грн
125+3.19 грн
500+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL YJL3401AL Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.12 грн
15000+3.73 грн
30000+3.57 грн
60000+3.13 грн
120000+2.83 грн
300000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL YJL3401AL YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1D7A55420D8BF&compId=YJL3401AL.pdf?ci_sign=37558a64080fcc6034c2a2e33577e6760a459c90 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
35+9.34 грн
100+3.98 грн
500+3.41 грн
3000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AQ YJL3401AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.28 грн
15000+4.76 грн
30000+4.52 грн
60000+3.95 грн
120000+3.58 грн
300000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404AQ YJL3404AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.44 грн
15000+5.00 грн
30000+4.68 грн
60000+4.10 грн
120000+3.72 грн
300000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407A YJL3407A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC241C9FDDC18BF&compId=YJL3407A.pdf?ci_sign=262ef08183db2939e608c94b85e202cf14018610 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+27.36 грн
32+12.70 грн
63+6.38 грн
100+4.45 грн
250+3.56 грн
500+3.18 грн
1000+2.68 грн
3000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407A YJL3407A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC241C9FDDC18BF&compId=YJL3407A.pdf?ci_sign=262ef08183db2939e608c94b85e202cf14018610 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.83 грн
19+15.83 грн
38+7.66 грн
100+5.34 грн
250+4.28 грн
500+3.82 грн
1000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AL YJL3407AL YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC23C0BC2DC18BF&compId=YJL3407AL.pdf?ci_sign=5cf4cb3fd4b8c39a55258ae084a93b116a2bc051 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
100+4.36 грн
160+2.55 грн
500+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AL YJL3407AL YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC23C0BC2DC18BF&compId=YJL3407AL.pdf?ci_sign=5cf4cb3fd4b8c39a55258ae084a93b116a2bc051 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
60+5.23 грн
100+3.18 грн
500+2.72 грн
3000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
YJM04N10A YJM04N10A Yangjie Technology Description: SOT-223 N 100V 4A Transistors F
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
YJM04N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJM04N10A-YAN SMD N channel transistors
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
36+8.62 грн
180+6.29 грн
495+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
YJM05N06A YJM05N06A Yangjie Technology Description: SOT-223 N 60V 5A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.30 грн
12500+8.50 грн
25000+7.96 грн
50000+7.04 грн
100000+6.32 грн
250000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
YJP25N15B YJP25N15B YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ13N03A YJQ13N03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.88 грн
15000+6.25 грн
30000+5.88 грн
60000+5.17 грн
120000+4.68 грн
300000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ15GP10A YJQ15GP10A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1B33760C8C240C7&compId=YJQ15GP10A.pdf?ci_sign=cf10b2691da003efc83a25b5adc66847c6b5c287 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9.5A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 17.2W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ2012A YJQ2012A Yangjie Technology Description: DFN2020-6L N 20V 12A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.52 грн
15000+5.00 грн
30000+4.68 грн
60000+4.17 грн
120000+3.72 грн
300000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ20N04A YJQ20N04A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 20A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.63 грн
25000+9.68 грн
50000+9.13 грн
100000+8.05 грн
200000+7.23 грн
500000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ20P03A YJQ20P03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.67 грн
25000+10.57 грн
50000+9.98 грн
100000+8.73 грн
200000+7.90 грн
500000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ2301A YJQ2301A Yangjie Technology Description: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.86 грн
15000+6.20 грн
30000+5.88 грн
60000+5.14 грн
120000+4.69 грн
300000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ3400A YJQ3400A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC00E5916B858BF&compId=YJQ3400A.pdf?ci_sign=edf90e3781289916461715116e5c208a35597069 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
55+7.86 грн
100+4.12 грн
500+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ3400A YJQ3400A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC00E5916B858BF&compId=YJQ3400A.pdf?ci_sign=edf90e3781289916461715116e5c208a35597069 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
35+9.44 грн
100+5.13 грн
500+4.40 грн
3000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ35G10A YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 54W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJJ09N03A YJJ09N03A.pdf
YJJ09N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.17 грн
15000+6.51 грн
30000+6.11 грн
60000+5.36 грн
120000+4.84 грн
300000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL02N10A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC16936FEF618BF&compId=YJL02N10A.pdf?ci_sign=2957408ffa694014da6d91c44af1615af30d1bc1
YJL02N10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03G10A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB919FCB49F456C0C7&compId=YJL03G10A.pdf?ci_sign=92d88a828f5f1adb073bf9656d0c7a57c160abe5
YJL03G10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
81+5.33 грн
100+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03G10A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB919FCB49F456C0C7&compId=YJL03G10A.pdf?ci_sign=92d88a828f5f1adb073bf9656d0c7a57c160abe5
YJL03G10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
49+6.40 грн
100+5.55 грн
250+4.72 грн
263+4.26 грн
723+4.03 грн
3000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N04A
YJL03N04A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.47 грн
15000+2.22 грн
30000+2.06 грн
60000+1.86 грн
120000+1.64 грн
300000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1772A8AEA78BF&compId=YJL03N06A.pdf?ci_sign=db9173cc23148a69957962f558eb05b87c0e5314
YJL03N06A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1772A8AEA78BF&compId=YJL03N06A.pdf?ci_sign=db9173cc23148a69957962f558eb05b87c0e5314
YJL03N06A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.21 грн
100+3.14 грн
500+2.69 грн
3000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AQ
YJL03N06AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.28 грн
15000+4.76 грн
30000+4.52 грн
60000+3.95 грн
120000+3.58 грн
300000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06B YJL03N06B.pdf
YJL03N06B
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.78 грн
15000+2.52 грн
30000+2.38 грн
60000+2.09 грн
120000+1.88 грн
300000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04AQ
YJL05N04AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.98 грн
15000+3.68 грн
30000+3.45 грн
60000+3.02 грн
120000+2.73 грн
300000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N06AL
YJL05N06AL
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.20 грн
15000+5.67 грн
30000+5.28 грн
60000+4.67 грн
120000+4.24 грн
300000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2300A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC186682DC238BF&compId=YJL2300A.pdf?ci_sign=9bf64c4f3083cada6afd9f54472b5637bb2c37ab
YJL2300A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CQ
YJL2301CQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.78 грн
15000+4.37 грн
30000+4.13 грн
60000+3.65 грн
120000+3.28 грн
300000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301D
YJL2301D
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.72 грн
15000+2.54 грн
30000+2.38 грн
60000+2.09 грн
120000+1.86 грн
300000+1.71 грн
600000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1993FD362B8BF&compId=YJL2301D.pdf?ci_sign=c323e1e1ebec5f34241d251119aa9dcd52b1f6eb
YJL2301D
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
160+2.78 грн
180+2.34 грн
500+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1993FD362B8BF&compId=YJL2301D.pdf?ci_sign=c323e1e1ebec5f34241d251119aa9dcd52b1f6eb
YJL2301D
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
100+3.33 грн
120+2.92 грн
500+2.49 грн
3000+2.23 грн
12000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC19CFF1800F8BF&compId=YJL2301F.pdf?ci_sign=238e9a03127ca25e9e4923df7c0acef4bc139b24
YJL2301F
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
120+3.59 грн
240+1.80 грн
500+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC19CFF1800F8BF&compId=YJL2301F.pdf?ci_sign=238e9a03127ca25e9e4923df7c0acef4bc139b24
YJL2301F
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
80+4.31 грн
140+2.25 грн
500+1.91 грн
3000+1.71 грн
12000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301G
YJL2301G
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.98 грн
15000+1.83 грн
30000+1.67 грн
60000+1.49 грн
120000+1.34 грн
300000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301N
YJL2301N
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.81 грн
15000+1.67 грн
30000+1.51 грн
60000+1.34 грн
120000+1.19 грн
300000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1AD130E1018BF&compId=YJL2302A.pdf?ci_sign=6794f97cdb9cd9db65b730c83d69c994d09d9e3f
YJL2302A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
130+3.42 грн
220+1.89 грн
500+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A YJL2302A.pdf
YJL2302A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.23 грн
15000+1.98 грн
30000+1.91 грн
60000+1.64 грн
120000+1.49 грн
300000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1AD130E1018BF&compId=YJL2302A.pdf?ci_sign=6794f97cdb9cd9db65b730c83d69c994d09d9e3f
YJL2302A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
80+4.10 грн
130+2.35 грн
500+2.02 грн
3000+1.80 грн
12000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1B3D6D00558BF&compId=YJL2304A.pdf?ci_sign=b65049b10a8a6c80c71097a0b38b595224f6ab42
YJL2304A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
170+2.65 грн
220+1.87 грн
500+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1B3D6D00558BF&compId=YJL2304A.pdf?ci_sign=b65049b10a8a6c80c71097a0b38b595224f6ab42
YJL2304A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
100+3.18 грн
130+2.33 грн
500+2.00 грн
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1BA20DCF158BF&compId=YJL2305A.pdf?ci_sign=97db82c6e1d3565fc4171d27f8ab5d5e43cda9df
YJL2305A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
150+2.95 грн
200+2.06 грн
500+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1BA20DCF158BF&compId=YJL2305A.pdf?ci_sign=97db82c6e1d3565fc4171d27f8ab5d5e43cda9df
YJL2305A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
90+3.54 грн
120+2.57 грн
500+2.20 грн
3000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C3FC624058BF&compId=YJL2305B.pdf?ci_sign=c0398c014f9f7ef705f204e1ee078eed5e92af72
YJL2305B
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -4.4A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
160+2.54 грн
500+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C3FC624058BF&compId=YJL2305B.pdf?ci_sign=c0398c014f9f7ef705f204e1ee078eed5e92af72
YJL2305B
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -4.4A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
100+3.17 грн
500+2.71 грн
3000+2.42 грн
12000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A
YJL2312A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.89 грн
15000+2.62 грн
30000+2.46 грн
60000+2.16 грн
120000+1.94 грн
300000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C87F151158BF&compId=YJL2312A.pdf?ci_sign=14798a51d0e6f46150da34ff01d50476a545c2c9
YJL2312A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
130+3.29 грн
150+2.76 грн
500+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C87F151158BF&compId=YJL2312A.pdf?ci_sign=14798a51d0e6f46150da34ff01d50476a545c2c9
YJL2312A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
80+3.95 грн
100+3.44 грн
500+2.94 грн
3000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AL
YJL2312AL
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.71 грн
15000+3.33 грн
30000+3.18 грн
60000+2.76 грн
120000+2.46 грн
300000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AQ
YJL2312AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.28 грн
15000+4.76 грн
30000+4.52 грн
60000+3.95 грн
120000+3.58 грн
300000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD090BD13B2758B60DF&compId=YJL3400B.pdf?ci_sign=09759616b5e838051ec07fad9e609ee14906a5f1
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD090BD13B2758B60DF&compId=YJL3400B.pdf?ci_sign=09759616b5e838051ec07fad9e609ee14906a5f1
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
100+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC22D97A2FF98BF&compId=YJL3401A.pdf?ci_sign=8cbe903263886f6065d4b7d56313d8f564eb2162
YJL3401A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
140+2.84 грн
500+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC22D97A2FF98BF&compId=YJL3401A.pdf?ci_sign=8cbe903263886f6065d4b7d56313d8f564eb2162
YJL3401A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
80+4.05 грн
100+3.54 грн
500+3.03 грн
3000+2.71 грн
12000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1D7A55420D8BF&compId=YJL3401AL.pdf?ci_sign=37558a64080fcc6034c2a2e33577e6760a459c90
YJL3401AL
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
55+7.78 грн
125+3.19 грн
500+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL
YJL3401AL
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.12 грн
15000+3.73 грн
30000+3.57 грн
60000+3.13 грн
120000+2.83 грн
300000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1D7A55420D8BF&compId=YJL3401AL.pdf?ci_sign=37558a64080fcc6034c2a2e33577e6760a459c90
YJL3401AL
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
35+9.34 грн
100+3.98 грн
500+3.41 грн
3000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AQ
YJL3401AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.28 грн
15000+4.76 грн
30000+4.52 грн
60000+3.95 грн
120000+3.58 грн
300000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404AQ
YJL3404AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.44 грн
15000+5.00 грн
30000+4.68 грн
60000+4.10 грн
120000+3.72 грн
300000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC241C9FDDC18BF&compId=YJL3407A.pdf?ci_sign=262ef08183db2939e608c94b85e202cf14018610
YJL3407A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.36 грн
32+12.70 грн
63+6.38 грн
100+4.45 грн
250+3.56 грн
500+3.18 грн
1000+2.68 грн
3000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC241C9FDDC18BF&compId=YJL3407A.pdf?ci_sign=262ef08183db2939e608c94b85e202cf14018610
YJL3407A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.83 грн
19+15.83 грн
38+7.66 грн
100+5.34 грн
250+4.28 грн
500+3.82 грн
1000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC23C0BC2DC18BF&compId=YJL3407AL.pdf?ci_sign=5cf4cb3fd4b8c39a55258ae084a93b116a2bc051
YJL3407AL
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+4.36 грн
160+2.55 грн
500+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC23C0BC2DC18BF&compId=YJL3407AL.pdf?ci_sign=5cf4cb3fd4b8c39a55258ae084a93b116a2bc051
YJL3407AL
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
60+5.23 грн
100+3.18 грн
500+2.72 грн
3000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
YJM04N10A
YJM04N10A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-223 N 100V 4A Transistors F
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
YJM04N10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YJM04N10A-YAN SMD N channel transistors
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
36+8.62 грн
180+6.29 грн
495+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
YJM05N06A
YJM05N06A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-223 N 60V 5A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.30 грн
12500+8.50 грн
25000+7.96 грн
50000+7.04 грн
100000+6.32 грн
250000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
YJP25N15B
YJP25N15B
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ13N03A
YJQ13N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.88 грн
15000+6.25 грн
30000+5.88 грн
60000+5.17 грн
120000+4.68 грн
300000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ15GP10A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1B33760C8C240C7&compId=YJQ15GP10A.pdf?ci_sign=cf10b2691da003efc83a25b5adc66847c6b5c287
YJQ15GP10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9.5A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 17.2W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ2012A
YJQ2012A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN2020-6L N 20V 12A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.52 грн
15000+5.00 грн
30000+4.68 грн
60000+4.17 грн
120000+3.72 грн
300000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ20N04A
YJQ20N04A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 20A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.63 грн
25000+9.68 грн
50000+9.13 грн
100000+8.05 грн
200000+7.23 грн
500000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ20P03A
YJQ20P03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.67 грн
25000+10.57 грн
50000+9.98 грн
100000+8.73 грн
200000+7.90 грн
500000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ2301A
YJQ2301A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.86 грн
15000+6.20 грн
30000+5.88 грн
60000+5.14 грн
120000+4.69 грн
300000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ3400A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC00E5916B858BF&compId=YJQ3400A.pdf?ci_sign=edf90e3781289916461715116e5c208a35597069
YJQ3400A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
55+7.86 грн
100+4.12 грн
500+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ3400A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC00E5916B858BF&compId=YJQ3400A.pdf?ci_sign=edf90e3781289916461715116e5c208a35597069
YJQ3400A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
35+9.44 грн
100+5.13 грн
500+4.40 грн
3000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ35G10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 54W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 60 61 62 63 64 65 66  [ Наступна Сторінка >> ]