Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (3827) > Сторінка 64 з 64
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
YJQ2301A | Yangjie Technology | Description: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJQ3400A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 2W Case: DFN2020-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJQ3400A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 2W Case: DFN2020-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1937 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJQ35N04A | Yangjie Technology | Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJQ4606A | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJQ4666B | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -16V Drain current: -5.6A Pulsed drain current: -28A Power dissipation: 2.2W Case: DFN2020-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJQ4666B | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -16V Drain current: -5.6A Pulsed drain current: -28A Power dissipation: 2.2W Case: DFN2020-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJQ50N03A | Yangjie Technology |
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJQ50P03A | Yangjie Technology |
Description: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJQ60N03A | Yangjie Technology |
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| YJQD12N03A | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
YJQD25N04A | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJR20N06A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 495000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS03N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER HV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 14880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS03N10A | Yangjie Technology |
Description: SOT-23-6L N 100V 3A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS03N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER HV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 14880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS05N06A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 N 60V 5A Transistors FETs |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS05N15B | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 2.9A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 3.1W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJS12G06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 7.5A; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.5A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 1.24W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJS12G06D | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 N 60V 12A Transistors FET Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS12G10A | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 N 100V 12A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS12N03A | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS12N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 3.3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
YJS18N03A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 N 30V 18A Transistors FET |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| YJS2022A | YANGJIE TECHNOLOGY | YJS2022A-YAN SMD P channel transistors |
на замовлення 8687 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
YJS2301A | Yangjie Technology |
Description: SOT-23-6L P -20V -3.7A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS2301A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: TRENCH POWER LV Type of transistor: P-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Case: SOT23-6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Pulsed drain current: -16A Drain current: -3A Gate charge: 4.3nC On-state resistance: 95mΩ Power dissipation: 1.3W Gate-source voltage: ±10V |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS2301A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: TRENCH POWER LV Type of transistor: P-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Case: SOT23-6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Pulsed drain current: -16A Drain current: -3A Gate charge: 4.3nC On-state resistance: 95mΩ Power dissipation: 1.3W Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS3404A | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 N 30V 8.5A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS4407J | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS4409A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS4435A | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS4447B | Yangjie Technology | Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS4606A | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 N/P 30 -30V 6.0 -5.0A Tra Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS4606A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6/-5A Pulsed drain current: 24...-20A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 6917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS4606A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6/-5A Pulsed drain current: 24...-20A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6917 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS4953A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 P -30V -5.1A Transistors |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS7328A | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors FPackaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS8205A | Yangjie Technology |
Description: SOT-23-6L N 20V 5.5A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS8205B | Yangjie Technology | Description: SOT-23-6L N 20V 7A Transistors |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS9435A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS9435A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.1A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJS9435A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.1A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 945 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJSD12N03A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 7475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJSD12N03A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
YJSD12N03A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 7475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| ZMM55C3V3 | Yangjie Technology | Стабілітрон SMD; Uz, В = 3,3; Точн., % = 5; Тексп, °C = до 175; SOD-80 |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| YJQ2301A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto
Description: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.98 грн |
| 15000+ | 6.32 грн |
| 30000+ | 5.99 грн |
| 60000+ | 5.23 грн |
| 120000+ | 4.77 грн |
| 300000+ | 4.39 грн |
| YJQ3400A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 55+ | 8.01 грн |
| 100+ | 4.20 грн |
| 500+ | 3.74 грн |
| YJQ3400A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 9.61 грн |
| 100+ | 5.23 грн |
| 500+ | 4.48 грн |
| 3000+ | 4.36 грн |
| YJQ35N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 14.90 грн |
| 25000+ | 13.57 грн |
| 50000+ | 12.79 грн |
| 100000+ | 11.20 грн |
| 200000+ | 10.10 грн |
| 500000+ | 9.37 грн |
| YJQ4606A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 9.73 грн |
| 25000+ | 8.84 грн |
| 50000+ | 8.31 грн |
| 100000+ | 7.29 грн |
| 200000+ | 6.58 грн |
| 500000+ | 6.08 грн |
| YJQ4666B |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 90+ | 4.92 грн |
| 120+ | 3.51 грн |
| 500+ | 3.12 грн |
| YJQ4666B |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 5.90 грн |
| 100+ | 4.37 грн |
| 500+ | 3.75 грн |
| YJQ50N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 14.53 грн |
| 25000+ | 13.18 грн |
| 50000+ | 12.45 грн |
| 100000+ | 10.93 грн |
| 200000+ | 9.87 грн |
| 500000+ | 9.11 грн |
| YJQ50P03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 28.55 грн |
| 25000+ | 25.96 грн |
| 50000+ | 24.42 грн |
| 100000+ | 21.48 грн |
| 200000+ | 19.35 грн |
| 500000+ | 17.91 грн |
| YJQ60N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 23.18 грн |
| 25000+ | 21.11 грн |
| 50000+ | 19.81 грн |
| 100000+ | 17.45 грн |
| 200000+ | 15.71 грн |
| 500000+ | 14.57 грн |
| YJQD12N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJQD25N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 14.90 грн |
| 25000+ | 13.57 грн |
| 50000+ | 12.79 грн |
| 100000+ | 11.20 грн |
| 200000+ | 10.10 грн |
| 500000+ | 9.37 грн |
| YJR20N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 495000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4950+ | 12.01 грн |
| 24750+ | 10.92 грн |
| 49500+ | 10.27 грн |
| 99000+ | 9.03 грн |
| 198000+ | 8.20 грн |
| 495000+ | 7.59 грн |
| YJS03N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER HV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER HV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 10.19 грн |
| 100+ | 5.90 грн |
| 500+ | 5.26 грн |
| 3000+ | 4.77 грн |
| YJS03N10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 100V 3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23-6L N 100V 3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.73 грн |
| 15000+ | 7.04 грн |
| 30000+ | 6.63 грн |
| 60000+ | 5.84 грн |
| 120000+ | 5.24 грн |
| 300000+ | 4.86 грн |
| YJS03N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER HV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER HV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 14880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 12.23 грн |
| 100+ | 7.36 грн |
| 500+ | 6.31 грн |
| 3000+ | 5.73 грн |
| YJS05N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 60V 5A Transistors FETs
Description: SOP-8 N 60V 5A Transistors FETs
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 12.39 грн |
| 20000+ | 11.31 грн |
| 40000+ | 10.61 грн |
| 80000+ | 9.37 грн |
| 160000+ | 8.42 грн |
| 400000+ | 7.83 грн |
| YJS05N15B |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 2.9A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 2.9A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJS12G06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 7.5A; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 1.24W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 7.5A; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 1.24W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJS12G06D |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 60V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 N 60V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 22.51 грн |
| 20000+ | 20.46 грн |
| 40000+ | 19.25 грн |
| 80000+ | 16.92 грн |
| 160000+ | 15.25 грн |
| 400000+ | 14.12 грн |
| YJS12G10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 100V 12A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 N 100V 12A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 20.57 грн |
| 20000+ | 18.76 грн |
| 40000+ | 17.63 грн |
| 80000+ | 15.48 грн |
| 160000+ | 13.96 грн |
| 400000+ | 12.90 грн |
| YJS12N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 8.23 грн |
| 20000+ | 7.44 грн |
| 40000+ | 7.04 грн |
| 80000+ | 6.15 грн |
| 160000+ | 5.54 грн |
| 400000+ | 5.16 грн |
| YJS12N10A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| YJS18N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 18A Transistors FET
Description: SOP-8 N 30V 18A Transistors FET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 9.28 грн |
| YJS2022A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YJS2022A-YAN SMD P channel transistors
YJS2022A-YAN SMD P channel transistors
на замовлення 8687 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.94 грн |
| 173+ | 6.60 грн |
| 475+ | 6.31 грн |
| YJS2301A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L P -20V -3.7A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23-6L P -20V -3.7A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.63 грн |
| 15000+ | 5.09 грн |
| 30000+ | 4.77 грн |
| 60000+ | 4.25 грн |
| 120000+ | 3.79 грн |
| 300000+ | 3.49 грн |
| YJS2301A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER LV
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -3A
Gate charge: 4.3nC
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±10V
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER LV
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -3A
Gate charge: 4.3nC
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±10V
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 4.53 грн |
| 110+ | 3.77 грн |
| 500+ | 3.35 грн |
| YJS2301A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER LV
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -3A
Gate charge: 4.3nC
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 10 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER LV
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -3A
Gate charge: 4.3nC
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 5.43 грн |
| 100+ | 4.70 грн |
| 500+ | 4.02 грн |
| 3000+ | 3.87 грн |
| YJS3404A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 8.5A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 N 30V 8.5A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 7.05 грн |
| 20000+ | 6.39 грн |
| 40000+ | 5.98 грн |
| 80000+ | 5.31 грн |
| 160000+ | 4.78 грн |
| 400000+ | 4.40 грн |
| YJS4407J |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 12.68 грн |
| 20000+ | 11.48 грн |
| 40000+ | 10.84 грн |
| 80000+ | 9.49 грн |
| 160000+ | 8.58 грн |
| 400000+ | 7.97 грн |
| YJS4409A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F
Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 23.76 грн |
| 20000+ | 21.57 грн |
| 40000+ | 20.34 грн |
| 80000+ | 17.86 грн |
| 160000+ | 16.09 грн |
| 400000+ | 14.93 грн |
| YJS4435A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 7.94 грн |
| 20000+ | 7.18 грн |
| 40000+ | 6.79 грн |
| 80000+ | 5.93 грн |
| 160000+ | 5.34 грн |
| 400000+ | 4.98 грн |
| YJS4447B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F
Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 21.38 грн |
| YJS4606A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N/P 30 -30V 6.0 -5.0A Tra
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 N/P 30 -30V 6.0 -5.0A Tra
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 8.23 грн |
| 20000+ | 7.44 грн |
| 40000+ | 7.04 грн |
| 80000+ | 6.15 грн |
| 160000+ | 5.54 грн |
| 400000+ | 5.16 грн |
| YJS4606A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-5A
Pulsed drain current: 24...-20A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-5A
Pulsed drain current: 24...-20A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 57+ | 7.66 грн |
| 74+ | 5.53 грн |
| 250+ | 4.97 грн |
| 1000+ | 4.51 грн |
| YJS4606A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-5A
Pulsed drain current: 24...-20A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-5A
Pulsed drain current: 24...-20A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6917 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 9.20 грн |
| 50+ | 6.89 грн |
| 250+ | 5.97 грн |
| 1000+ | 5.41 грн |
| YJS4953A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 P -30V -5.1A Transistors
Description: SOP-8 P -30V -5.1A Transistors
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 7.94 грн |
| 20000+ | 7.18 грн |
| 40000+ | 6.79 грн |
| 80000+ | 5.93 грн |
| 160000+ | 5.34 грн |
| 400000+ | 4.98 грн |
| YJS7328A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 13.83 грн |
| 20000+ | 12.56 грн |
| 40000+ | 11.80 грн |
| 80000+ | 10.36 грн |
| 160000+ | 9.37 грн |
| 400000+ | 8.66 грн |
| YJS8205A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 20V 5.5A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23-6L N 20V 5.5A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.70 грн |
| 15000+ | 4.29 грн |
| 30000+ | 4.04 грн |
| 60000+ | 3.49 грн |
| 120000+ | 3.19 грн |
| 300000+ | 2.96 грн |
| YJS8205B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 20V 7A Transistors
Description: SOT-23-6L N 20V 7A Transistors
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.14 грн |
| 15000+ | 4.66 грн |
| 30000+ | 4.36 грн |
| 60000+ | 3.88 грн |
| 120000+ | 3.47 грн |
| 300000+ | 3.19 грн |
| YJS9435A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 6.63 грн |
| 20000+ | 6.07 грн |
| 40000+ | 5.74 грн |
| 80000+ | 5.01 грн |
| 160000+ | 4.55 грн |
| 400000+ | 4.17 грн |
| YJS9435A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 12.54 грн |
| 60+ | 7.34 грн |
| 100+ | 5.48 грн |
| 500+ | 4.85 грн |
| YJS9435A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 15.05 грн |
| 35+ | 9.15 грн |
| 100+ | 6.58 грн |
| 500+ | 5.82 грн |
| 2000+ | 5.23 грн |
| 8000+ | 4.95 грн |
| YJSD12N03A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 15.68 грн |
| 40+ | 10.59 грн |
| 100+ | 9.38 грн |
| 500+ | 8.33 грн |
| YJSD12N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 12.64 грн |
| 20000+ | 11.47 грн |
| 40000+ | 10.84 грн |
| 80000+ | 9.52 грн |
| 160000+ | 8.56 грн |
| 400000+ | 7.91 грн |
| YJSD12N03A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 7475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 18.81 грн |
| 25+ | 13.20 грн |
| 100+ | 11.26 грн |
| 500+ | 10.00 грн |
| 8000+ | 9.61 грн |
| ZMM55C3V3 |
Виробник: Yangjie Technology
Стабілітрон SMD; Uz, В = 3,3; Точн., % = 5; Тексп, °C = до 175; SOD-80
Стабілітрон SMD; Uz, В = 3,3; Точн., % = 5; Тексп, °C = до 175; SOD-80
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.



.jpg)







