Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (3860) > Сторінка 64 з 65

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 59 60 61 62 63 64 65  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
YJL2304A YJL2304A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1B3D6D00558BF&compId=YJL2304A.pdf?ci_sign=b65049b10a8a6c80c71097a0b38b595224f6ab42 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
170+2.62 грн
220+1.85 грн
500+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304A YJL2304A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1B3D6D00558BF&compId=YJL2304A.pdf?ci_sign=b65049b10a8a6c80c71097a0b38b595224f6ab42 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
100+3.14 грн
130+2.31 грн
500+1.98 грн
3000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305A YJL2305A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1BA20DCF158BF&compId=YJL2305A.pdf?ci_sign=97db82c6e1d3565fc4171d27f8ab5d5e43cda9df Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
150+2.91 грн
200+2.04 грн
500+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305A YJL2305A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1BA20DCF158BF&compId=YJL2305A.pdf?ci_sign=97db82c6e1d3565fc4171d27f8ab5d5e43cda9df Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
90+3.50 грн
120+2.54 грн
500+2.17 грн
3000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B YJL2305B YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C3FC624058BF&compId=YJL2305B.pdf?ci_sign=c0398c014f9f7ef705f204e1ee078eed5e92af72 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -4.4A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
160+2.51 грн
500+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B YJL2305B YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C3FC624058BF&compId=YJL2305B.pdf?ci_sign=c0398c014f9f7ef705f204e1ee078eed5e92af72 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -4.4A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
100+3.13 грн
500+2.67 грн
3000+2.39 грн
12000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A YJL2312A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C87F151158BF&compId=YJL2312A.pdf?ci_sign=14798a51d0e6f46150da34ff01d50476a545c2c9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
130+3.25 грн
150+2.73 грн
500+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A YJL2312A Yangjie Technology Description: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.85 грн
15000+2.59 грн
30000+2.43 грн
60000+2.14 грн
120000+1.91 грн
300000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A YJL2312A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C87F151158BF&compId=YJL2312A.pdf?ci_sign=14798a51d0e6f46150da34ff01d50476a545c2c9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
80+3.90 грн
100+3.40 грн
500+2.91 грн
3000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AL YJL2312AL Yangjie Technology Description: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.67 грн
15000+3.29 грн
30000+3.14 грн
60000+2.72 грн
120000+2.43 грн
300000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AQ YJL2312AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.21 грн
15000+4.71 грн
30000+4.47 грн
60000+3.90 грн
120000+3.53 грн
300000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400B YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD090BD13B2758B60DF&compId=YJL3400B.pdf?ci_sign=09759616b5e838051ec07fad9e609ee14906a5f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
100+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400B YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD090BD13B2758B60DF&compId=YJL3400B.pdf?ci_sign=09759616b5e838051ec07fad9e609ee14906a5f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
100+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401A YJL3401A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC22D97A2FF98BF&compId=YJL3401A.pdf?ci_sign=8cbe903263886f6065d4b7d56313d8f564eb2162 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
140+2.81 грн
500+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401A YJL3401A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC22D97A2FF98BF&compId=YJL3401A.pdf?ci_sign=8cbe903263886f6065d4b7d56313d8f564eb2162 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
80+4.00 грн
100+3.50 грн
500+2.99 грн
3000+2.67 грн
12000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL YJL3401AL Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.07 грн
15000+3.69 грн
30000+3.53 грн
60000+3.09 грн
120000+2.80 грн
300000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL YJL3401AL YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1D7A55420D8BF&compId=YJL3401AL.pdf?ci_sign=37558a64080fcc6034c2a2e33577e6760a459c90 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
55+7.69 грн
125+3.15 грн
500+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL YJL3401AL YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1D7A55420D8BF&compId=YJL3401AL.pdf?ci_sign=37558a64080fcc6034c2a2e33577e6760a459c90 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
35+9.23 грн
100+3.93 грн
500+3.37 грн
3000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AQ YJL3401AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.21 грн
15000+4.71 грн
30000+4.47 грн
60000+3.90 грн
120000+3.53 грн
300000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404AQ YJL3404AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.38 грн
15000+4.94 грн
30000+4.63 грн
60000+4.05 грн
120000+3.68 грн
300000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407A YJL3407A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC241C9FDDC18BF&compId=YJL3407A.pdf?ci_sign=262ef08183db2939e608c94b85e202cf14018610 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+27.88 грн
32+12.63 грн
62+6.34 грн
100+4.42 грн
250+3.53 грн
500+3.15 грн
1000+2.65 грн
3000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407A YJL3407A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC241C9FDDC18BF&compId=YJL3407A.pdf?ci_sign=262ef08183db2939e608c94b85e202cf14018610 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5646 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.46 грн
19+15.74 грн
38+7.61 грн
100+5.30 грн
250+4.24 грн
500+3.78 грн
1000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AL YJL3407AL YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC23C0BC2DC18BF&compId=YJL3407AL.pdf?ci_sign=5cf4cb3fd4b8c39a55258ae084a93b116a2bc051 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
100+4.35 грн
160+2.53 грн
500+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AL YJL3407AL YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC23C0BC2DC18BF&compId=YJL3407AL.pdf?ci_sign=5cf4cb3fd4b8c39a55258ae084a93b116a2bc051 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
60+5.22 грн
100+3.15 грн
500+2.69 грн
3000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
YJM04N10A YJM04N10A Yangjie Technology Description: SOT-223 N 100V 4A Transistors F
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
YJM04N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJM04N10A-YAN SMD N channel transistors
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
36+8.52 грн
180+6.21 грн
495+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
YJM05N06A YJM05N06A Yangjie Technology Description: SOT-223 N 60V 5A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.19 грн
12500+8.40 грн
25000+7.87 грн
50000+6.96 грн
100000+6.25 грн
250000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
YJP25N15B YJP25N15B YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ13N03A YJQ13N03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.80 грн
15000+6.18 грн
30000+5.81 грн
60000+5.11 грн
120000+4.63 грн
300000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ2012A YJQ2012A Yangjie Technology Description: DFN2020-6L N 20V 12A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.46 грн
15000+4.94 грн
30000+4.63 грн
60000+4.12 грн
120000+3.68 грн
300000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ20N04A YJQ20N04A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 20A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.51 грн
25000+9.57 грн
50000+9.02 грн
100000+7.95 грн
200000+7.14 грн
500000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ20P03A YJQ20P03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.54 грн
25000+10.45 грн
50000+9.86 грн
100000+8.63 грн
200000+7.80 грн
500000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ2301A YJQ2301A Yangjie Technology Description: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.78 грн
15000+6.13 грн
30000+5.81 грн
60000+5.08 грн
120000+4.63 грн
300000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ3400A YJQ3400A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC00E5916B858BF&compId=YJQ3400A.pdf?ci_sign=edf90e3781289916461715116e5c208a35597069 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
55+7.77 грн
100+4.09 грн
500+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ3400A YJQ3400A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC00E5916B858BF&compId=YJQ3400A.pdf?ci_sign=edf90e3781289916461715116e5c208a35597069 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
35+9.33 грн
100+5.09 грн
500+4.36 грн
3000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ3407A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCAB8550BF3FC540CE&compId=YJQ3407A.pdf?ci_sign=fbe9f91bf85954caa161eb5143fe6bada378ad49 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.4A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.4W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ35G10A YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 54W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ35N04A YJQ35N04A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.46 грн
25000+13.17 грн
50000+12.41 грн
100000+10.86 грн
200000+9.80 грн
500000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ4606A YJQ4606A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.44 грн
25000+8.58 грн
50000+8.06 грн
100000+7.08 грн
200000+6.38 грн
500000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ4666B YJQ4666B YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC023D8EF6E78BF&compId=YJQ4666B.pdf?ci_sign=8d540fe7042fad1ee75623e59d7378d0b6796652 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
90+4.77 грн
120+3.40 грн
500+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ4666B YJQ4666B YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC023D8EF6E78BF&compId=YJQ4666B.pdf?ci_sign=8d540fe7042fad1ee75623e59d7378d0b6796652 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
60+5.73 грн
100+4.24 грн
500+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ50N03A YJQ50N03A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.09 грн
25000+12.79 грн
50000+12.08 грн
100000+10.60 грн
200000+9.57 грн
500000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ50P03A YJQ50P03A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.70 грн
25000+25.18 грн
50000+23.69 грн
100000+20.83 грн
200000+18.77 грн
500000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ60N03A YJQ60N03A Yangjie Technology Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.48 грн
25000+20.48 грн
50000+19.22 грн
100000+16.93 грн
200000+15.24 грн
500000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQD12N03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJQD25N04A YJQD25N04A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.46 грн
25000+13.17 грн
50000+12.41 грн
100000+10.86 грн
200000+9.80 грн
500000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJR20N06A YJR20N06A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 495000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4950+11.65 грн
24750+10.59 грн
49500+9.96 грн
99000+8.76 грн
198000+7.95 грн
495000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 4950
В кошику  од. на суму  грн.
YJS03N10A YJS03N10A Yangjie Technology Description: SOT-23-6L N 100V 3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.49 грн
15000+6.82 грн
30000+6.43 грн
60000+5.67 грн
120000+5.08 грн
300000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS03N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJS03N10A-YAN SMD N channel transistors
на замовлення 18040 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
23+13.38 грн
200+5.65 грн
540+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
YJS05N06A YJS05N06A Yangjie Technology Description: SOP-8 N 60V 5A Transistors FETs
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.02 грн
20000+10.97 грн
40000+10.29 грн
80000+9.09 грн
160000+8.17 грн
400000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS05N15B YJS05N15B YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 2.9A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJS12G06D YJS12G06D Yangjie Technology Description: SOP-8 N 60V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.83 грн
20000+19.85 грн
40000+18.67 грн
80000+16.42 грн
160000+14.80 грн
400000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS12G10A YJS12G10A Yangjie Technology Description: SOP-8 N 100V 12A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.96 грн
20000+18.20 грн
40000+17.10 грн
80000+15.02 грн
160000+13.55 грн
400000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS12N03A YJS12N03A Yangjie Technology Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.98 грн
20000+7.22 грн
40000+6.82 грн
80000+5.96 грн
160000+5.37 грн
400000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS12N10A YJS12N10A YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJS18N03A YJS18N03A Yangjie Technology Description: SOP-8 N 30V 18A Transistors FET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS2022A YJS2022A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8EF39C72E8C800C7&compId=YJS2022A.pdf?ci_sign=9bba0981fe8cb53b2b113b911caf68eb14978f0e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 20V; -10.4A; 3W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: -10.4A
Pulsed drain current: -55A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.79 грн
28+14.12 грн
40+9.81 грн
100+6.59 грн
173+5.33 грн
475+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
YJS2022A YJS2022A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8EF39C72E8C800C7&compId=YJS2022A.pdf?ci_sign=9bba0981fe8cb53b2b113b911caf68eb14978f0e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 20V; -10.4A; 3W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: -10.4A
Pulsed drain current: -55A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8787 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.55 грн
17+17.60 грн
25+11.77 грн
100+7.91 грн
173+6.40 грн
475+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
YJS2301A YJS2301A Yangjie Technology Description: SOT-23-6L P -20V -3.7A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.46 грн
15000+4.94 грн
30000+4.63 грн
60000+4.12 грн
120000+3.68 грн
300000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS2301A YJS2301A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9CAA38485D3A60D3&compId=YJS2301A.pdf?ci_sign=bb159df7511a86ee0d2a55ced52b63ec4b871283 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
100+4.48 грн
110+3.75 грн
500+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1B3D6D00558BF&compId=YJL2304A.pdf?ci_sign=b65049b10a8a6c80c71097a0b38b595224f6ab42
YJL2304A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
170+2.62 грн
220+1.85 грн
500+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1B3D6D00558BF&compId=YJL2304A.pdf?ci_sign=b65049b10a8a6c80c71097a0b38b595224f6ab42
YJL2304A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
100+3.14 грн
130+2.31 грн
500+1.98 грн
3000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1BA20DCF158BF&compId=YJL2305A.pdf?ci_sign=97db82c6e1d3565fc4171d27f8ab5d5e43cda9df
YJL2305A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
150+2.91 грн
200+2.04 грн
500+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1BA20DCF158BF&compId=YJL2305A.pdf?ci_sign=97db82c6e1d3565fc4171d27f8ab5d5e43cda9df
YJL2305A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
90+3.50 грн
120+2.54 грн
500+2.17 грн
3000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C3FC624058BF&compId=YJL2305B.pdf?ci_sign=c0398c014f9f7ef705f204e1ee078eed5e92af72
YJL2305B
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -4.4A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
160+2.51 грн
500+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C3FC624058BF&compId=YJL2305B.pdf?ci_sign=c0398c014f9f7ef705f204e1ee078eed5e92af72
YJL2305B
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -4.4A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
100+3.13 грн
500+2.67 грн
3000+2.39 грн
12000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C87F151158BF&compId=YJL2312A.pdf?ci_sign=14798a51d0e6f46150da34ff01d50476a545c2c9
YJL2312A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
130+3.25 грн
150+2.73 грн
500+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A
YJL2312A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.85 грн
15000+2.59 грн
30000+2.43 грн
60000+2.14 грн
120000+1.91 грн
300000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1C87F151158BF&compId=YJL2312A.pdf?ci_sign=14798a51d0e6f46150da34ff01d50476a545c2c9
YJL2312A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
80+3.90 грн
100+3.40 грн
500+2.91 грн
3000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AL
YJL2312AL
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.67 грн
15000+3.29 грн
30000+3.14 грн
60000+2.72 грн
120000+2.43 грн
300000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AQ
YJL2312AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.21 грн
15000+4.71 грн
30000+4.47 грн
60000+3.90 грн
120000+3.53 грн
300000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD090BD13B2758B60DF&compId=YJL3400B.pdf?ci_sign=09759616b5e838051ec07fad9e609ee14906a5f1
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD090BD13B2758B60DF&compId=YJL3400B.pdf?ci_sign=09759616b5e838051ec07fad9e609ee14906a5f1
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
100+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC22D97A2FF98BF&compId=YJL3401A.pdf?ci_sign=8cbe903263886f6065d4b7d56313d8f564eb2162
YJL3401A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
140+2.81 грн
500+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC22D97A2FF98BF&compId=YJL3401A.pdf?ci_sign=8cbe903263886f6065d4b7d56313d8f564eb2162
YJL3401A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
80+4.00 грн
100+3.50 грн
500+2.99 грн
3000+2.67 грн
12000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL
YJL3401AL
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.07 грн
15000+3.69 грн
30000+3.53 грн
60000+3.09 грн
120000+2.80 грн
300000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1D7A55420D8BF&compId=YJL3401AL.pdf?ci_sign=37558a64080fcc6034c2a2e33577e6760a459c90
YJL3401AL
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
55+7.69 грн
125+3.15 грн
500+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1D7A55420D8BF&compId=YJL3401AL.pdf?ci_sign=37558a64080fcc6034c2a2e33577e6760a459c90
YJL3401AL
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
35+9.23 грн
100+3.93 грн
500+3.37 грн
3000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AQ
YJL3401AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.21 грн
15000+4.71 грн
30000+4.47 грн
60000+3.90 грн
120000+3.53 грн
300000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404AQ
YJL3404AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.38 грн
15000+4.94 грн
30000+4.63 грн
60000+4.05 грн
120000+3.68 грн
300000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC241C9FDDC18BF&compId=YJL3407A.pdf?ci_sign=262ef08183db2939e608c94b85e202cf14018610
YJL3407A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.88 грн
32+12.63 грн
62+6.34 грн
100+4.42 грн
250+3.53 грн
500+3.15 грн
1000+2.65 грн
3000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC241C9FDDC18BF&compId=YJL3407A.pdf?ci_sign=262ef08183db2939e608c94b85e202cf14018610
YJL3407A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5646 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.46 грн
19+15.74 грн
38+7.61 грн
100+5.30 грн
250+4.24 грн
500+3.78 грн
1000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC23C0BC2DC18BF&compId=YJL3407AL.pdf?ci_sign=5cf4cb3fd4b8c39a55258ae084a93b116a2bc051
YJL3407AL
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+4.35 грн
160+2.53 грн
500+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC23C0BC2DC18BF&compId=YJL3407AL.pdf?ci_sign=5cf4cb3fd4b8c39a55258ae084a93b116a2bc051
YJL3407AL
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
60+5.22 грн
100+3.15 грн
500+2.69 грн
3000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
YJM04N10A
YJM04N10A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-223 N 100V 4A Transistors F
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
YJM04N10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YJM04N10A-YAN SMD N channel transistors
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
36+8.52 грн
180+6.21 грн
495+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
YJM05N06A
YJM05N06A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-223 N 60V 5A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.19 грн
12500+8.40 грн
25000+7.87 грн
50000+6.96 грн
100000+6.25 грн
250000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
YJP25N15B
YJP25N15B
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ13N03A
YJQ13N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.80 грн
15000+6.18 грн
30000+5.81 грн
60000+5.11 грн
120000+4.63 грн
300000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ2012A
YJQ2012A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN2020-6L N 20V 12A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.46 грн
15000+4.94 грн
30000+4.63 грн
60000+4.12 грн
120000+3.68 грн
300000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ20N04A
YJQ20N04A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 20A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.51 грн
25000+9.57 грн
50000+9.02 грн
100000+7.95 грн
200000+7.14 грн
500000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ20P03A
YJQ20P03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.54 грн
25000+10.45 грн
50000+9.86 грн
100000+8.63 грн
200000+7.80 грн
500000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ2301A
YJQ2301A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.78 грн
15000+6.13 грн
30000+5.81 грн
60000+5.08 грн
120000+4.63 грн
300000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ3400A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC00E5916B858BF&compId=YJQ3400A.pdf?ci_sign=edf90e3781289916461715116e5c208a35597069
YJQ3400A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
55+7.77 грн
100+4.09 грн
500+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ3400A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC00E5916B858BF&compId=YJQ3400A.pdf?ci_sign=edf90e3781289916461715116e5c208a35597069
YJQ3400A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
35+9.33 грн
100+5.09 грн
500+4.36 грн
3000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ3407A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCAB8550BF3FC540CE&compId=YJQ3407A.pdf?ci_sign=fbe9f91bf85954caa161eb5143fe6bada378ad49
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.4A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.4W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ35G10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 54W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ35N04A
YJQ35N04A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.46 грн
25000+13.17 грн
50000+12.41 грн
100000+10.86 грн
200000+9.80 грн
500000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ4606A
YJQ4606A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+9.44 грн
25000+8.58 грн
50000+8.06 грн
100000+7.08 грн
200000+6.38 грн
500000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ4666B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC023D8EF6E78BF&compId=YJQ4666B.pdf?ci_sign=8d540fe7042fad1ee75623e59d7378d0b6796652
YJQ4666B
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
90+4.77 грн
120+3.40 грн
500+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ4666B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC023D8EF6E78BF&compId=YJQ4666B.pdf?ci_sign=8d540fe7042fad1ee75623e59d7378d0b6796652
YJQ4666B
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
60+5.73 грн
100+4.24 грн
500+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ50N03A
YJQ50N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.09 грн
25000+12.79 грн
50000+12.08 грн
100000+10.60 грн
200000+9.57 грн
500000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ50P03A
YJQ50P03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+27.70 грн
25000+25.18 грн
50000+23.69 грн
100000+20.83 грн
200000+18.77 грн
500000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQ60N03A
YJQ60N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.48 грн
25000+20.48 грн
50000+19.22 грн
100000+16.93 грн
200000+15.24 грн
500000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJQD12N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJQD25N04A
YJQD25N04A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.46 грн
25000+13.17 грн
50000+12.41 грн
100000+10.86 грн
200000+9.80 грн
500000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
YJR20N06A
YJR20N06A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 495000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4950+11.65 грн
24750+10.59 грн
49500+9.96 грн
99000+8.76 грн
198000+7.95 грн
495000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 4950
В кошику  од. на суму  грн.
YJS03N10A
YJS03N10A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 100V 3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.49 грн
15000+6.82 грн
30000+6.43 грн
60000+5.67 грн
120000+5.08 грн
300000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS03N10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YJS03N10A-YAN SMD N channel transistors
на замовлення 18040 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
23+13.38 грн
200+5.65 грн
540+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
YJS05N06A
YJS05N06A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 60V 5A Transistors FETs
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+12.02 грн
20000+10.97 грн
40000+10.29 грн
80000+9.09 грн
160000+8.17 грн
400000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS05N15B
YJS05N15B
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 2.9A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJS12G06D
YJS12G06D
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 60V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.83 грн
20000+19.85 грн
40000+18.67 грн
80000+16.42 грн
160000+14.80 грн
400000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS12G10A
YJS12G10A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 100V 12A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.96 грн
20000+18.20 грн
40000+17.10 грн
80000+15.02 грн
160000+13.55 грн
400000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS12N03A
YJS12N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.98 грн
20000+7.22 грн
40000+6.82 грн
80000+5.96 грн
160000+5.37 грн
400000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS12N10A
YJS12N10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJS18N03A
YJS18N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 18A Transistors FET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS2022A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8EF39C72E8C800C7&compId=YJS2022A.pdf?ci_sign=9bba0981fe8cb53b2b113b911caf68eb14978f0e
YJS2022A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 20V; -10.4A; 3W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: -10.4A
Pulsed drain current: -55A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.79 грн
28+14.12 грн
40+9.81 грн
100+6.59 грн
173+5.33 грн
475+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
YJS2022A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8EF39C72E8C800C7&compId=YJS2022A.pdf?ci_sign=9bba0981fe8cb53b2b113b911caf68eb14978f0e
YJS2022A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 20V; -10.4A; 3W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: -10.4A
Pulsed drain current: -55A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8787 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.55 грн
17+17.60 грн
25+11.77 грн
100+7.91 грн
173+6.40 грн
475+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
YJS2301A
YJS2301A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L P -20V -3.7A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.46 грн
15000+4.94 грн
30000+4.63 грн
60000+4.12 грн
120000+3.68 грн
300000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJS2301A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9CAA38485D3A60D3&compId=YJS2301A.pdf?ci_sign=bb159df7511a86ee0d2a55ced52b63ec4b871283
YJS2301A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+4.48 грн
110+3.75 грн
500+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 59 60 61 62 63 64 65  [ Наступна Сторінка >> ]