Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (74574) > Сторінка 534 з 1243

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 124 248 372 496 529 530 531 532 533 534 535 536 537 538 539 620 744 868 992 1116 1240 1243  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG-7 Diodes Incorporated DMT10H015LCG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG-7 Diodes Incorporated DMT10H015LCG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.42 грн
10+63.27 грн
100+41.62 грн
500+32.85 грн
1000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 DMT10H009SPS-13 Diodes Incorporated DMT10H009SPS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.96 грн
5000+26.35 грн
7500+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 DMT10H009SPS-13 Diodes Incorporated DMT10H009SPS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 112318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.17 грн
10+66.58 грн
100+45.12 грн
500+33.18 грн
1000+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7 DMT10H009LCG-7 Diodes Incorporated DMT10H009LCG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7 DMT10H009LCG-7 Diodes Incorporated DMT10H009LCG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.23 грн
10+82.14 грн
100+55.22 грн
500+40.93 грн
1000+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H014LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.13 грн
5000+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H014LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.67 грн
10+78.03 грн
100+52.83 грн
500+39.72 грн
1000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LK3-13 DMT10H009LK3-13 Diodes Incorporated DMT10H009LK3.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 1935612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.87 грн
10+81.19 грн
100+54.43 грн
500+40.32 грн
1000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-13 DMT10H072LFDF-13 Diodes Incorporated DMT10H072LFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-13 DMT10H072LFDFQ-13 Diodes Incorporated DMT10H072LFDFQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H052LFDF-13 DMT10H052LFDF-13 Diodes Incorporated DMT10H052LFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LSS-13 DMT10H025LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H025LSS.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 12.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SCG-7 DMT10H009SCG-7 Diodes Incorporated DMT10H009SCG.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.09 грн
4000+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H003SPSW-13 Diodes Incorporated DMT10H003SPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7 DMT10H032SFVW-7 Diodes Incorporated DMT10H032SFVW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13 DMT10H009SK3-13 Diodes Incorporated DMT10H009SK3.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2028 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.25 грн
5000+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LSS-13 DMT10H032LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H032LSS.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7 DMT10H032LFDF-7 Diodes Incorporated DMT10H032LFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-13 DMT10H032LFDF-13 Diodes Incorporated DMT10H032LFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-13 DMT10H032SFVW-13 Diodes Incorporated DMT10H032SFVW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.96 грн
6000+14.15 грн
9000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SPS-13 DMT10H015SPS-13 Diodes Incorporated DMT10H015SPS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.01 грн
5000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13 DMT10H015SK3-13 Diodes Incorporated DMT10H015SK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 54A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.08 грн
5000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LK3-13 DMT10H032LK3-13 Diodes Incorporated DMT10H032LK3.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H052LFDF-7 DMT10H052LFDF-7 Diodes Incorporated DMT10H052LFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-13 DMT10H015LCG-13 Diodes Incorporated DMT10H015LCG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LFG-7 DMT10H009LFG-7 Diodes Incorporated DMT10H009LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2361 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M5LPS-13 Diodes Incorporated DMT10H4M5LPS.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4843 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.93 грн
5000+67.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LDV-13 DMT10H032LDV-13 Diodes Incorporated DMT10H032LDV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-13 DMT10H032LFVW-13 Diodes Incorporated DMT10H032LFVW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SSS-13 Diodes Incorporated DMT10H009SSS.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.35 грн
5000+31.51 грн
12500+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LH3 Diodes Incorporated DMT10H009LH3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 84A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP2210N-3.3TRG1-50 AP2210N-3.3TRG1-50 Diodes Incorporated AP2210.pdf Description: LDO CMOS LowCurr SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 180 µA
Voltage - Input (Max): 13.2V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Current Limit
Part Status: Active
PSRR: 75dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Current - Supply (Max): 15 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ17A-13 SMBJ17A-13 Diodes Incorporated SMBJ5.0%28C%29A%7ESMBJ170%28C%29A.pdf Description: TVS DIODE 17VWM 27.6VC SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17V
Supplier Device Package: SMB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.6V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ17A-13-F SMBJ17A-13-F Diodes Incorporated ds19002.pdf Description: TVS DIODE 17V 27.6V SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17V
Supplier Device Package: SMB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.6V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.43 грн
6000+5.67 грн
9000+5.40 грн
15000+4.78 грн
21000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-7 DMN10H170SFG-7 Diodes Incorporated DMN10H170SFG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.03 грн
6000+13.54 грн
10000+12.61 грн
50000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-7 DMN10H170SFG-7 Diodes Incorporated DMN10H170SFG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V
на замовлення 51045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.65 грн
10+34.99 грн
25+32.67 грн
100+24.54 грн
250+22.79 грн
500+19.28 грн
1000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AP1186K5-33G-13 AP1186K5-33G-13 Diodes Incorporated AP1186.pdf Description: IC REG LINEAR 3.3V 1.5A TO263-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: 0°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 16V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-263-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Part Status: Obsolete
PSRR: 70dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 1.5A
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 150 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBP310 GBP310 Diodes Incorporated GBP306-GBP310.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.44 грн
35+29.27 грн
105+25.50 грн
525+18.61 грн
1015+16.27 грн
2030+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PI6C49X0202WIEX PI6C49X0202WIEX Diodes Incorporated PI6C49X0202.pdf Description: IC CLK BUFFER 1:2 250MHZ 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Number of Circuits: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS, LVTTL
Type: Fanout Buffer (Distribution)
Input: LVCMOS, LVTTL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.375V ~ 3.465V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Frequency - Max: 250 MHz
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PI6C49X0202WIEX PI6C49X0202WIEX Diodes Incorporated PI6C49X0202.pdf Description: IC CLK BUFFER 1:2 250MHZ 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Number of Circuits: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS, LVTTL
Type: Fanout Buffer (Distribution)
Input: LVCMOS, LVTTL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.375V ~ 3.465V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Frequency - Max: 250 MHz
на замовлення 39955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.63 грн
10+186.24 грн
25+161.22 грн
100+124.85 грн
250+112.00 грн
500+104.17 грн
1000+96.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AP9211S-AH-HAC-7 AP9211S-AH-HAC-7 Diodes Incorporated AP9211.pdf Description: IC BATT PROT LI-ION 1CELL 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Number of Cells: 1
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Protection
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Battery Chemistry: Lithium Ion
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type C)
Fault Protection: Over Current, Over Voltage
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP9211S-AF-HAC-7 AP9211S-AF-HAC-7 Diodes Incorporated AP9211.pdf Description: IC BATT PROT LI-ION 1CELL 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Number of Cells: 1
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Protection
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Battery Chemistry: Lithium Ion
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type C)
Fault Protection: Over Current, Over Voltage
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP9211S-AF-HAC-7 AP9211S-AF-HAC-7 Diodes Incorporated AP9211.pdf Description: IC BATT PROT LI-ION 1CELL 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Number of Cells: 1
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Protection
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Battery Chemistry: Lithium Ion
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type C)
Fault Protection: Over Current, Over Voltage
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES3C-13-F ES3C-13-F Diodes Incorporated ds14003.pdf Description: DIODE STANDARD 150V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.80 грн
6000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ES3C-13-F ES3C-13-F Diodes Incorporated ds14003.pdf Description: DIODE STANDARD 150V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
на замовлення 211890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.62 грн
10+50.15 грн
100+42.30 грн
500+31.13 грн
1000+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DTH8L06DNC-13 Diodes Incorporated DTH8L06DNC.pdf Description: DIODE GP 600V 8A TO252 T&R 2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252 (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7 DMN53D0LV-7 Diodes Incorporated DMN53D0LV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.34 грн
6000+6.91 грн
9000+6.12 грн
30000+5.67 грн
75000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7 DMN53D0LV-7 Diodes Incorporated DMN53D0LV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.81 грн
14+22.67 грн
100+11.45 грн
500+9.52 грн
1000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1502 GBPC1502 Diodes Incorporated ds21208.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 15A GBPC
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDT5100D1-13 SDT5100D1-13 Diodes Incorporated SDT5100D1.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDT5100D1-13 SDT5100D1-13 Diodes Incorporated SDT5100D1.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.22 грн
10+54.50 грн
100+35.88 грн
500+26.14 грн
1000+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AP2121AK-2.5TRE1 AP2121AK-2.5TRE1 Diodes Incorporated AP2121.pdf Description: IC REG LINEAR 2.5V 200MA SOT23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 50 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-23-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 200mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP2121AK-2.5TRE1 AP2121AK-2.5TRE1 Diodes Incorporated AP2121.pdf Description: IC REG LINEAR 2.5V 200MA SOT23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 50 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-23-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 200mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.39 грн
10+41.15 грн
25+38.64 грн
100+29.59 грн
250+27.49 грн
500+23.39 грн
1000+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AP2120N-5.0TRG1 AP2120N-5.0TRG1 Diodes Incorporated AP2120.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 50 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
PSRR: 65dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AP2120N-5.0TRG1 AP2120N-5.0TRG1 Diodes Incorporated AP2120.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 150MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 50 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
PSRR: 65dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.84 грн
51+6.24 грн
58+5.50 грн
100+4.36 грн
250+3.98 грн
500+3.75 грн
1000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
AP2125KS-1.8TRG1 AP2125KS-1.8TRG1 Diodes Incorporated AP2125.pdf Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA SC-70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 90 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-70-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70db (100Hz ~ 1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.36V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 393000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.27 грн
6000+5.85 грн
9000+5.75 грн
15000+5.30 грн
21000+5.24 грн
30000+5.19 грн
75000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AP2125KS-1.8TRG1 AP2125KS-1.8TRG1 Diodes Incorporated AP2125.pdf Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA SC-70-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 90 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-70-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70db (100Hz ~ 1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.36V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 394423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.58 грн
31+10.27 грн
35+9.07 грн
100+7.27 грн
250+6.68 грн
500+6.32 грн
1000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V3TS-7-F BZX84C3V3TS-7-F Diodes Incorporated BCX84C2V4TS-39TS.pdf Description: DIODE ZENER ARRAY 3.3V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6%
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.85 грн
6000+4.93 грн
9000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V3TS-7-F BZX84C3V3TS-7-F Diodes Incorporated BCX84C2V4TS-39TS.pdf Description: DIODE ZENER ARRAY 3.3V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6%
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 18047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.15 грн
22+14.77 грн
100+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG.pdf
DMT10H015LCG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG.pdf
DMT10H015LCG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.42 грн
10+63.27 грн
100+41.62 грн
500+32.85 грн
1000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 DMT10H009SPS.pdf
DMT10H009SPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.96 грн
5000+26.35 грн
7500+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 DMT10H009SPS.pdf
DMT10H009SPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 112318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.17 грн
10+66.58 грн
100+45.12 грн
500+33.18 грн
1000+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7 DMT10H009LCG.pdf
DMT10H009LCG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7 DMT10H009LCG.pdf
DMT10H009LCG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.23 грн
10+82.14 грн
100+55.22 грн
500+40.93 грн
1000+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DMT10H014LSS.pdf
DMT10H014LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.13 грн
5000+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DMT10H014LSS.pdf
DMT10H014LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.67 грн
10+78.03 грн
100+52.83 грн
500+39.72 грн
1000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LK3-13 DMT10H009LK3.pdf
DMT10H009LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 1935612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.87 грн
10+81.19 грн
100+54.43 грн
500+40.32 грн
1000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-13 DMT10H072LFDF.pdf
DMT10H072LFDF-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-13 DMT10H072LFDFQ.pdf
DMT10H072LFDFQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H052LFDF-13 DMT10H052LFDF.pdf
DMT10H052LFDF-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LSS-13 DMT10H025LSS.pdf
DMT10H025LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 12.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SCG-7 DMT10H009SCG.pdf
DMT10H009SCG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+27.09 грн
4000+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H003SPSW-13 DMT10H003SPSW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7 DMT10H032SFVW.pdf
DMT10H032SFVW-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13 DMT10H009SK3.pdf
DMT10H009SK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2028 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.25 грн
5000+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LSS-13 DMT10H032LSS.pdf
DMT10H032LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7 DMT10H032LFDF.pdf
DMT10H032LFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-13 DMT10H032LFDF.pdf
DMT10H032LFDF-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-13 DMT10H032SFVW.pdf
DMT10H032SFVW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.96 грн
6000+14.15 грн
9000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SPS-13 DMT10H015SPS.pdf
DMT10H015SPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.01 грн
5000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13 DMT10H015SK3.pdf
DMT10H015SK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 54A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.08 грн
5000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LK3-13 DMT10H032LK3.pdf
DMT10H032LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H052LFDF-7 DMT10H052LFDF.pdf
DMT10H052LFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-13 DMT10H015LCG.pdf
DMT10H015LCG-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LFG-7 DMT10H009LFG.pdf
DMT10H009LFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2361 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M5LPS-13 DMT10H4M5LPS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4843 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+72.93 грн
5000+67.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LDV-13 DMT10H032LDV.pdf
DMT10H032LDV-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 100V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-13 DMT10H032LFVW.pdf
DMT10H032LFVW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SSS-13 DMT10H009SSS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.35 грн
5000+31.51 грн
12500+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LH3 DMT10H009LH3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 84A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP2210N-3.3TRG1-50 AP2210.pdf
AP2210N-3.3TRG1-50
Виробник: Diodes Incorporated
Description: LDO CMOS LowCurr SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 180 µA
Voltage - Input (Max): 13.2V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Current Limit
Part Status: Active
PSRR: 75dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Current - Supply (Max): 15 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ17A-13 SMBJ5.0%28C%29A%7ESMBJ170%28C%29A.pdf
SMBJ17A-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 17VWM 27.6VC SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17V
Supplier Device Package: SMB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.6V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ17A-13-F ds19002.pdf
SMBJ17A-13-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 17V 27.6V SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17V
Supplier Device Package: SMB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.6V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.43 грн
6000+5.67 грн
9000+5.40 грн
15000+4.78 грн
21000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-7 DMN10H170SFG.pdf
DMN10H170SFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+15.03 грн
6000+13.54 грн
10000+12.61 грн
50000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-7 DMN10H170SFG.pdf
DMN10H170SFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V
на замовлення 51045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.65 грн
10+34.99 грн
25+32.67 грн
100+24.54 грн
250+22.79 грн
500+19.28 грн
1000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AP1186K5-33G-13 AP1186.pdf
AP1186K5-33G-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REG LINEAR 3.3V 1.5A TO263-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: 0°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 16V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-263-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Part Status: Obsolete
PSRR: 70dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 1.5A
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 150 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBP310 GBP306-GBP310.pdf
GBP310
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.44 грн
35+29.27 грн
105+25.50 грн
525+18.61 грн
1015+16.27 грн
2030+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PI6C49X0202WIEX PI6C49X0202.pdf
PI6C49X0202WIEX
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC CLK BUFFER 1:2 250MHZ 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Number of Circuits: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS, LVTTL
Type: Fanout Buffer (Distribution)
Input: LVCMOS, LVTTL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.375V ~ 3.465V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Frequency - Max: 250 MHz
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+95.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PI6C49X0202WIEX PI6C49X0202.pdf
PI6C49X0202WIEX
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC CLK BUFFER 1:2 250MHZ 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Number of Circuits: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS, LVTTL
Type: Fanout Buffer (Distribution)
Input: LVCMOS, LVTTL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.375V ~ 3.465V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Frequency - Max: 250 MHz
на замовлення 39955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.63 грн
10+186.24 грн
25+161.22 грн
100+124.85 грн
250+112.00 грн
500+104.17 грн
1000+96.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AP9211S-AH-HAC-7 AP9211.pdf
AP9211S-AH-HAC-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC BATT PROT LI-ION 1CELL 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Number of Cells: 1
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Protection
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Battery Chemistry: Lithium Ion
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type C)
Fault Protection: Over Current, Over Voltage
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP9211S-AF-HAC-7 AP9211.pdf
AP9211S-AF-HAC-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC BATT PROT LI-ION 1CELL 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Number of Cells: 1
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Protection
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Battery Chemistry: Lithium Ion
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type C)
Fault Protection: Over Current, Over Voltage
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP9211S-AF-HAC-7 AP9211.pdf
AP9211S-AF-HAC-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC BATT PROT LI-ION 1CELL 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Number of Cells: 1
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Protection
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Battery Chemistry: Lithium Ion
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type C)
Fault Protection: Over Current, Over Voltage
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES3C-13-F ds14003.pdf
ES3C-13-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STANDARD 150V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.80 грн
6000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ES3C-13-F ds14003.pdf
ES3C-13-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STANDARD 150V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
на замовлення 211890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.62 грн
10+50.15 грн
100+42.30 грн
500+31.13 грн
1000+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DTH8L06DNC-13 DTH8L06DNC.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE GP 600V 8A TO252 T&R 2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252 (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7 DMN53D0LV.pdf
DMN53D0LV-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.34 грн
6000+6.91 грн
9000+6.12 грн
30000+5.67 грн
75000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LV-7 DMN53D0LV.pdf
DMN53D0LV-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.81 грн
14+22.67 грн
100+11.45 грн
500+9.52 грн
1000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1502 ds21208.pdf
GBPC1502
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 15A GBPC
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDT5100D1-13 SDT5100D1.pdf
SDT5100D1-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDT5100D1-13 SDT5100D1.pdf
SDT5100D1-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.22 грн
10+54.50 грн
100+35.88 грн
500+26.14 грн
1000+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AP2121AK-2.5TRE1 AP2121.pdf
AP2121AK-2.5TRE1
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REG LINEAR 2.5V 200MA SOT23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 50 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-23-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 200mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP2121AK-2.5TRE1 AP2121.pdf
AP2121AK-2.5TRE1
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REG LINEAR 2.5V 200MA SOT23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 50 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-23-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 200mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.39 грн
10+41.15 грн
25+38.64 грн
100+29.59 грн
250+27.49 грн
500+23.39 грн
1000+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AP2120N-5.0TRG1 AP2120.pdf
AP2120N-5.0TRG1
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REG LINEAR 5V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 50 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
PSRR: 65dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AP2120N-5.0TRG1 AP2120.pdf
AP2120N-5.0TRG1
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REG LINEAR 5V 150MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 50 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
PSRR: 65dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.84 грн
51+6.24 грн
58+5.50 грн
100+4.36 грн
250+3.98 грн
500+3.75 грн
1000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
AP2125KS-1.8TRG1 AP2125.pdf
AP2125KS-1.8TRG1
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA SC-70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 90 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-70-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70db (100Hz ~ 1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.36V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 393000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.27 грн
6000+5.85 грн
9000+5.75 грн
15000+5.30 грн
21000+5.24 грн
30000+5.19 грн
75000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AP2125KS-1.8TRG1 AP2125.pdf
AP2125KS-1.8TRG1
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA SC-70-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 90 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-70-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70db (100Hz ~ 1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.36V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 394423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.58 грн
31+10.27 грн
35+9.07 грн
100+7.27 грн
250+6.68 грн
500+6.32 грн
1000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V3TS-7-F BCX84C2V4TS-39TS.pdf
BZX84C3V3TS-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER ARRAY 3.3V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6%
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.85 грн
6000+4.93 грн
9000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V3TS-7-F BCX84C2V4TS-39TS.pdf
BZX84C3V3TS-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER ARRAY 3.3V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6%
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 18047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.15 грн
22+14.77 грн
100+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 124 248 372 496 529 530 531 532 533 534 535 536 537 538 539 620 744 868 992 1116 1240 1243  [ Наступна Сторінка >> ]