Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5673) > Сторінка 71 з 95
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
G3R45MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R45MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R45MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R45MT17K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| G3R45MT17K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| G3R45MT17K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| G3R45MT17K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
GBU4A | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 50V 4A 4-Pin Case GBU |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD20MPS12A | GeneSiC Semiconductor |
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD20MPS12A | GeneSiC Semiconductor |
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
G3R160MT12D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G2R1000MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GC08MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GC08MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GBPC2510W | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 25A 4-Pin Case GBPC-W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MUR2510 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4 |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MUR2510 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GB03SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BR62 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 200V 6A 4-Pin Case BR-6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BR64 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 400V 6A 4-Pin Case BR-6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
G2R1000MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1N3889R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 50V 12A 200ns 2-Pin DO-4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GBPC3508W | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 35A 4-Pin Case GBPC-W |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GBPC3508W | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 35A 4-Pin Case GBPC-W |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GC02MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GC02MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GC10MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GC10MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
G3R60MT07D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
G3R60MT07D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
G2R50MT33K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G2R50MT33K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
G3R40MT12D | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R40MT12D | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
G3R40MT12D | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R160MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R160MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R160MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R160MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
G2R1000MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R350MT12D | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R350MT12D | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
G3R75MT12D | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GBPC3506W | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 600V 35A 4-Pin Case GBPC-W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
G3R60MT07K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
G3R60MT07K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R12MT12K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| G3R12MT12K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| G3R12MT12K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
G3R60MT07J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
G3R60MT07J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R450MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R450MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| G3R45MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 2043.68 грн |
| 10+ | 1915.17 грн |
| 30+ | 1859.63 грн |
| 120+ | 1758.03 грн |
| 270+ | 1613.00 грн |
| G3R45MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2189.66 грн |
| 10+ | 2051.97 грн |
| 30+ | 1992.46 грн |
| 120+ | 1883.61 грн |
| 270+ | 1728.22 грн |
| G3R45MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R45MT17K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 1579.30 грн |
| G3R45MT17K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 5301.27 грн |
| G3R45MT17K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 2377.88 грн |
| G3R45MT17K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBU4A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 50V 4A 4-Pin Case GBU
Rectifier Bridge Diode Single 50V 4A 4-Pin Case GBU
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD20MPS12A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 276.97 грн |
| GD20MPS12A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R160MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 536.25 грн |
| 26+ | 481.20 грн |
| 27+ | 460.89 грн |
| 50+ | 443.63 грн |
| 100+ | 386.11 грн |
| 250+ | 332.51 грн |
| 500+ | 306.64 грн |
| G2R1000MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 996+ | 291.59 грн |
| GC08MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GC08MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBPC2510W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 25A 4-Pin Case GBPC-W
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 25A 4-Pin Case GBPC-W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2510 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 1277.81 грн |
| 25+ | 1124.51 грн |
| 50+ | 1053.98 грн |
| 100+ | 969.05 грн |
| 250+ | 844.36 грн |
| MUR2510 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GB03SLT12-220 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 512.82 грн |
| 100+ | 486.24 грн |
| 250+ | 460.60 грн |
| 500+ | 408.26 грн |
| 1000+ | 358.72 грн |
| BR62 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 6A 4-Pin Case BR-6
Rectifier Bridge Diode Single 200V 6A 4-Pin Case BR-6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR64 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 6A 4-Pin Case BR-6
Rectifier Bridge Diode Single 400V 6A 4-Pin Case BR-6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G2R1000MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 950+ | 312.42 грн |
| 1N3889R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 50V 12A 200ns 2-Pin DO-4
Rectifier Diode Switching 50V 12A 200ns 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBPC3508W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 35A 4-Pin Case GBPC-W
Rectifier Bridge Diode Single 800V 35A 4-Pin Case GBPC-W
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 268+ | 46.41 грн |
| 270+ | 46.19 грн |
| GBPC3508W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 35A 4-Pin Case GBPC-W
Rectifier Bridge Diode Single 800V 35A 4-Pin Case GBPC-W
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 203.22 грн |
| 15+ | 49.49 грн |
| GC02MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GC02MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GC10MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GC10MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R60MT07D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R60MT07D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G2R50MT33K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 24423.87 грн |
| 10+ | 22166.28 грн |
| G2R50MT33K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 145+ | 6927.49 грн |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R40MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 1083.61 грн |
| G3R40MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R40MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 1161.01 грн |
| G3R160MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 400+ | 1682.92 грн |
| G3R160MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 1039.67 грн |
| 14+ | 940.34 грн |
| 25+ | 898.39 грн |
| 100+ | 811.30 грн |
| 250+ | 717.08 грн |
| 500+ | 662.88 грн |
| G3R160MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1113.93 грн |
| 10+ | 1007.51 грн |
| 25+ | 962.56 грн |
| 100+ | 869.25 грн |
| 250+ | 768.30 грн |
| 500+ | 710.23 грн |
| G3R160MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G2R1000MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 356.50 грн |
| G3R350MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 316.68 грн |
| 120+ | 302.73 грн |
| 270+ | 297.49 грн |
| G3R350MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R75MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| GBPC3506W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 35A 4-Pin Case GBPC-W
Rectifier Bridge Diode Single 600V 35A 4-Pin Case GBPC-W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R60MT07K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R60MT07K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R12MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 5116.25 грн |
| 10+ | 4768.04 грн |
| 30+ | 4616.32 грн |
| 120+ | 4269.17 грн |
| G3R12MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R12MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5481.70 грн |
| 10+ | 5108.61 грн |
| 30+ | 4946.05 грн |
| 120+ | 4574.11 грн |
| G3R60MT07J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R60MT07J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R350MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 326.66 грн |
| G3R350MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 411.56 грн |
| 33+ | 382.62 грн |
| 34+ | 367.95 грн |
| 100+ | 334.66 грн |
| 250+ | 287.29 грн |
| 500+ | 250.29 грн |
| G3R350MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 349.99 грн |
| G3R350MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R350MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 440.95 грн |
| 10+ | 409.95 грн |
| 25+ | 394.23 грн |
| 100+ | 358.56 грн |
| 250+ | 307.81 грн |
| 500+ | 268.17 грн |
| G3R450MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 593.12 грн |
| G3R450MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.























