Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4066) > Сторінка 28 з 68

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36 42 48 54 60 66 68  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GD30MPS06H GD30MPS06H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD30MPS06H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+472.24 грн
10+375.13 грн
30+374.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J-2450011.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J GENESIC SEMICONDUCTOR 3163696.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC SEMICONDUCTOR GD30MPS06J.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+374.48 грн
5+338.31 грн
25+328.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Average Rectified (Io): 51A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+513.90 грн
10+443.22 грн
25+424.26 грн
100+377.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12H GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor GD30MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 55A
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+695.61 грн
10+601.78 грн
25+576.73 грн
100+508.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12H GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor GD30MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+892.52 грн
10+773.29 грн
25+741.66 грн
100+653.31 грн
250+650.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J-TR GeneSiC Semiconductor GD30MPS12J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+730.03 грн
10+632.31 грн
25+612.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J-TR GeneSiC Semiconductor GD30MPS12J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+549.65 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor GD50MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 92A
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1165.49 грн
10+1021.88 грн
25+984.19 грн
100+872.85 грн
250+841.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor gd50mps12h.pdf Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1218.62 грн
120+1160.76 грн
270+1120.78 грн
510+1065.05 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor gd50mps12h.pdf Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor gd50mps12h.pdf Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1218.62 грн
120+1160.76 грн
270+1120.78 грн
510+1065.05 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor GD50MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS06H GD60MPS06H GeneSiC Semiconductor GD60MPS06H-3075533.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS06H GD60MPS06H GeneSiC Semiconductor GD60MPS06H.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 82A
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+791.67 грн
10+685.49 грн
25+657.48 грн
100+579.62 грн
250+555.39 грн
500+538.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H GeneSiC Semiconductor GD60MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 122A
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3143.45 грн
10+2800.02 грн
25+2714.62 грн
100+2430.43 грн
250+2355.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H GENESIC SEMICONDUCTOR 3593581.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H GeneSiC Semiconductor GD60MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06A GE04MPS06A GeneSiC Semiconductor GE04MPS06A.pdf SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06A GE04MPS06A GeneSiC Semiconductor GE04MPS06A.pdf Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
на замовлення 7188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.50 грн
10+139.29 грн
25+131.78 грн
100+113.79 грн
250+107.64 грн
500+103.29 грн
1000+97.39 грн
2500+96.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E GE04MPS06E GeneSiC Semiconductor GE04MPS06E-2308147.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E GE04MPS06E GeneSiC Semiconductor GE04MPS06E.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 11A
Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.08 грн
10+110.38 грн
25+104.37 грн
100+89.92 грн
250+85.00 грн
500+81.45 грн
1000+76.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E-TR GE04MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_GE04MPS06E.pdf SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06Q GE04MPS06Q GeneSiC Semiconductor GE04MPS06Q.pdf SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06Q GE04MPS06Q GeneSiC Semiconductor GE04MPS06Q.pdf Description: 650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 4 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06Q-TR GE04MPS06Q-TR GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A GeneSiC Semiconductor GE06MPS06A.pdf Description: 650V 6A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
на замовлення 3294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.91 грн
10+158.56 грн
25+150.13 грн
100+129.65 грн
250+122.75 грн
500+121.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A GeneSiC Semiconductor GE06MPS06A.pdf SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A GeneSiC SEMICONDUCTOR GE06MPS06A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 27A
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.25V
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+138.35 грн
5+116.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A GENESIC SEMICONDUCTOR 3163673.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E GENESIC SEMICONDUCTOR 3163666.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 17A TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 17A
Capacitance @ Vr, F: 279pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E-2449760.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E GENESIC SEMICONDUCTOR GE06MPS06E.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_3163666.pdf SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E.pdf Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E.pdf Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.57 грн
10+177.06 грн
25+151.20 грн
100+114.48 грн
250+101.01 грн
500+92.73 грн
1000+84.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06Q GE06MPS06Q GeneSiC Semiconductor GE06MPS06Q.pdf Description: 650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 6 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06Q-TR GE06MPS06Q-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_3163666.pdf SiC Schottky Diodes 650V 6A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06A GE08MPS06A GeneSiC Semiconductor GE08MPS06A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06A GE08MPS06A GeneSiC Semiconductor GE08MPS06A.pdf SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E GE08MPS06E GeneSiC Semiconductor GE08MPS06E-2449700.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E GeneSiC Semiconductor GE08MPS06E.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 21A
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E-TR GE08MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_3163669.pdf SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06Q GE08MPS06Q GeneSiC Semiconductor GE08MPS06Q.pdf Description: 650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 8 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06Q GE08MPS06Q GeneSiC Semiconductor GE08MPS06Q.pdf SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06Q-TR GE08MPS06Q-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_3163669.pdf SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06A GE10MPS06A GeneSiC Semiconductor GE10MPS06A.pdf SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06A GE10MPS06A GeneSiC Semiconductor GE10MPS06A.pdf Description: 650V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.16 грн
10+224.16 грн
25+213.06 грн
100+185.20 грн
250+176.00 грн
500+169.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E GeneSiC Semiconductor GE10MPS06E.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 26A
Capacitance @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E GE10MPS06E GeneSiC Semiconductor GE10MPS06E.pdf SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E-TR GE10MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_3163668.pdf SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06Q GE10MPS06Q GeneSiC Semiconductor GE10MPS06Q.pdf Description: 650V 10A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 10 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06Q-TR GE10MPS06Q-TR GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 650V 10A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 2776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE12MPS06A GE12MPS06A GeneSiC Semiconductor Description: 650V 12A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
Current - Max: 12 A
Supplier Device Package: TO-220-2
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Diode Type: Schottky - Single
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE12MPS06A GE12MPS06A GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE12MPS06E-TR GE12MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE12MPS06Q GE12MPS06Q GeneSiC Semiconductor GE12MPS06Q.pdf Description: 650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 12 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H.pdf
GD30MPS06H
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+472.24 грн
10+375.13 грн
30+374.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J-2450011.pdf
GD30MPS06J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J 3163696.pdf
GD30MPS06J
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J.pdf
GD30MPS06J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+374.48 грн
5+338.31 грн
25+328.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J.pdf
GD30MPS06J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Average Rectified (Io): 51A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+513.90 грн
10+443.22 грн
25+424.26 грн
100+377.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12H GD30MPS12H.pdf
GD30MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 55A
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+695.61 грн
10+601.78 грн
25+576.73 грн
100+508.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12H GD30MPS12H.pdf
GD30MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+892.52 грн
10+773.29 грн
25+741.66 грн
100+653.31 грн
250+650.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J.pdf
GD30MPS12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+730.03 грн
10+632.31 грн
25+612.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J.pdf
GD30MPS12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+549.65 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H.pdf
GD50MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 92A
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1165.49 грн
10+1021.88 грн
25+984.19 грн
100+872.85 грн
250+841.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H gd50mps12h.pdf
GD50MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+1218.62 грн
120+1160.76 грн
270+1120.78 грн
510+1065.05 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H gd50mps12h.pdf
GD50MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H gd50mps12h.pdf
GD50MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+1218.62 грн
120+1160.76 грн
270+1120.78 грн
510+1065.05 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H.pdf
GD50MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS06H GD60MPS06H-3075533.pdf
GD60MPS06H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS06H GD60MPS06H.pdf
GD60MPS06H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 82A
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+791.67 грн
10+685.49 грн
25+657.48 грн
100+579.62 грн
250+555.39 грн
500+538.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H.pdf
GD60MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 122A
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3143.45 грн
10+2800.02 грн
25+2714.62 грн
100+2430.43 грн
250+2355.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H 3593581.pdf
GD60MPS17H
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H.pdf
GD60MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06A GE04MPS06A.pdf
GE04MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06A GE04MPS06A.pdf
GE04MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
на замовлення 7188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.50 грн
10+139.29 грн
25+131.78 грн
100+113.79 грн
250+107.64 грн
500+103.29 грн
1000+97.39 грн
2500+96.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E GE04MPS06E-2308147.pdf
GE04MPS06E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E GE04MPS06E.pdf
GE04MPS06E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 11A
Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.08 грн
10+110.38 грн
25+104.37 грн
100+89.92 грн
250+85.00 грн
500+81.45 грн
1000+76.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E-TR Genesic_07032024_GE04MPS06E.pdf
GE04MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06Q GE04MPS06Q.pdf
GE04MPS06Q
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06Q GE04MPS06Q.pdf
GE04MPS06Q
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 4 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06Q-TR
GE04MPS06Q-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A.pdf
GE06MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
на замовлення 3294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+188.91 грн
10+158.56 грн
25+150.13 грн
100+129.65 грн
250+122.75 грн
500+121.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A.pdf
GE06MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A.pdf
GE06MPS06A
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 27A
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.25V
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+138.35 грн
5+116.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A 3163673.pdf
GE06MPS06A
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E 3163666.pdf
GE06MPS06E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 17A TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 17A
Capacitance @ Vr, F: 279pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E-2449760.pdf
GE06MPS06E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E.pdf
GE06MPS06E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR Genesic_07032024_3163666.pdf
GE06MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E.pdf
GE06MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E.pdf
GE06MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+286.57 грн
10+177.06 грн
25+151.20 грн
100+114.48 грн
250+101.01 грн
500+92.73 грн
1000+84.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06Q GE06MPS06Q.pdf
GE06MPS06Q
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 6 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06Q-TR Genesic_07032024_3163666.pdf
GE06MPS06Q-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06A GE08MPS06A.pdf
GE08MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+204.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06A GE08MPS06A.pdf
GE08MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E GE08MPS06E-2449700.pdf
GE08MPS06E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E GE08MPS06E.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 21A
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E-TR Genesic_07032024_3163669.pdf
GE08MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06Q GE08MPS06Q.pdf
GE08MPS06Q
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 8 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06Q GE08MPS06Q.pdf
GE08MPS06Q
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06Q-TR Genesic_07032024_3163669.pdf
GE08MPS06Q-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06A GE10MPS06A.pdf
GE10MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06A GE10MPS06A.pdf
GE10MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+264.16 грн
10+224.16 грн
25+213.06 грн
100+185.20 грн
250+176.00 грн
500+169.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E GE10MPS06E.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 26A
Capacitance @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E GE10MPS06E.pdf
GE10MPS06E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E-TR Genesic_07032024_3163668.pdf
GE10MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06Q GE10MPS06Q.pdf
GE10MPS06Q
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 10A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 10 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06Q-TR
GE10MPS06Q-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 2776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE12MPS06A
GE12MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 12A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
Current - Max: 12 A
Supplier Device Package: TO-220-2
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Diode Type: Schottky - Single
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE12MPS06A
GE12MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE12MPS06E-TR
GE12MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE12MPS06Q GE12MPS06Q.pdf
GE12MPS06Q
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 12 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36 42 48 54 60 66 68  [ Наступна Сторінка >> ]