Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4217) > Сторінка 28 з 71
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT-227Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X10MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X10MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X10MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GD2X150MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double independent; 650V; If: 150Ax2; SOT227B; screw Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 150A x2 Semiconductor structure: double independent Features of semiconductor devices: MPS Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.8V Max. load current: 440A Max. forward impulse current: 0.84kA Kind of package: tube Reverse recovery time: 10ns Type of semiconductor module: diode Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GD2X150MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 300A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X150MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 300A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD2X150MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Array 2 Independent 650 V 150A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 1948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 50A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V |
на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GD2X30MPS06D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: MPS Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.8V Max. load current: 88A Max. forward impulse current: 0.168kA Kind of package: tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.5V Electrical mounting: screw Max. load current: 60A Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: MPS Technology: SiC Reverse recovery time: 10ns Max. forward impulse current: 0.168kA Kind of package: tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MPPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V |
на замовлення 569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD2X60MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double independent; 650V; If: 60Ax2; SOT227B; screw Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 60A x2 Semiconductor structure: double independent Features of semiconductor devices: MPS Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.8V Max. load current: 176A Max. forward impulse current: 0.336kA Kind of package: tube Reverse recovery time: 10ns Type of semiconductor module: diode Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
650V 120A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
650V 120A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
650V 120A SiC Schottky MPS Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X75MPS17N | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-227 Kapazitive Gesamtladung: 524nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: MPS Gen IV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X75MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GD2X75MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 6704.39 грн |
| 30+ | 6476.98 грн |
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 6704.39 грн |
| 30+ | 6476.98 грн |
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Description: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6165.70 грн |
| 10+ | 5471.54 грн |
| 25+ | 5295.96 грн |
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6211.12 грн |
| 10+ | 5642.04 грн |
| 30+ | 4749.32 грн |
| 100+ | 4636.22 грн |
| GD2X10MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 645.47 грн |
| GD2X10MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 646.31 грн |
| GD2X10MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
SiC Schottky Diodes 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 644.34 грн |
| 10+ | 571.31 грн |
| 30+ | 475.28 грн |
| 120+ | 445.44 грн |
| 270+ | 427.40 грн |
| 600+ | 414.22 грн |
| GD2X150MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 150Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 150A x2
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 440A
Max. forward impulse current: 0.84kA
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 10ns
Type of semiconductor module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 150Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 150A x2
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 440A
Max. forward impulse current: 0.84kA
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 10ns
Type of semiconductor module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X150MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 300A SOT-227 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 300A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4787.25 грн |
| 10+ | 4361.39 грн |
| 30+ | 3675.26 грн |
| 100+ | 3514.98 грн |
| GD2X150MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 300A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 650V 300A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X150MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Array 2 Independent 650 V 150A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
Diode Array 2 Independent 650 V 150A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 847.52 грн |
| 10+ | 726.10 грн |
| 30+ | 547.44 грн |
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 552.84 грн |
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 821.16 грн |
| 10+ | 715.43 грн |
| 25+ | 686.86 грн |
| 100+ | 606.82 грн |
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 552.84 грн |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 3977.34 грн |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 3872.45 грн |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3246.84 грн |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 50A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 50A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3516.37 грн |
| 10+ | 2982.60 грн |
| 30+ | 2589.40 грн |
| 100+ | 2542.91 грн |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3246.84 грн |
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 698.61 грн |
| 10+ | 604.33 грн |
| 25+ | 579.23 грн |
| 100+ | 509.79 грн |
| 250+ | 488.58 грн |
| 500+ | 473.11 грн |
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 676.19 грн |
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 681.58 грн |
| 10+ | 578.49 грн |
| 30+ | 444.06 грн |
| 120+ | 439.89 грн |
| 270+ | 430.18 грн |
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 88A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 88A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 676.19 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1862.61 грн |
| 10+ | 1569.49 грн |
| 30+ | 1364.08 грн |
| 100+ | 1253.76 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 60A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 60A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1731.38 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 2530.61 грн |
| 25+ | 2251.35 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2368.77 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2374.34 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 1755.13 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 1266.99 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1301.64 грн |
| 10+ | 1171.34 грн |
| 30+ | 981.78 грн |
| 120+ | 929.74 грн |
| 270+ | 896.44 грн |
| 510+ | 872.15 грн |
| 1020+ | 866.60 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 1385.38 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1295.74 грн |
| 10+ | 1138.69 грн |
| 25+ | 1098.29 грн |
| 100+ | 975.22 грн |
| 250+ | 940.70 грн |
| 500+ | 914.98 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 1266.99 грн |
| GD2X30MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2358.01 грн |
| 10+ | 2063.40 грн |
| 100+ | 1661.74 грн |
| 250+ | 1658.96 грн |
| GD2X30MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 3193.01 грн |
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3451.05 грн |
| 10+ | 3250.56 грн |
| 30+ | 3234.78 грн |
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X60MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 60A x2
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 176A
Max. forward impulse current: 0.336kA
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 10ns
Type of semiconductor module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 60A x2
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 176A
Max. forward impulse current: 0.336kA
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 10ns
Type of semiconductor module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X60MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2583.68 грн |
| 10+ | 2285.34 грн |
| 25+ | 2209.45 грн |
| 100+ | 1970.73 грн |
| 250+ | 1904.90 грн |
| GD2X60MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2536.09 грн |
| 10+ | 2072.98 грн |
| 30+ | 1796.34 грн |
| 100+ | 1704.06 грн |
| GD2X60MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2563.69 грн |
| GD2X60MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2566.47 грн |
| GD2X60MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X75MPS17N |
![]() |
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11632.99 грн |
| GD2X75MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X75MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7541.09 грн |
| 10+ | 6756.73 грн |
| 30+ | 5824.07 грн |
| 100+ | 5777.58 грн |

















