Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4204) > Сторінка 28 з 71
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
GD25MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD25MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1700V 56A TO2472Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1083pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 56A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V |
на замовлення 1202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD25MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD25MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD25MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT-227Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X10MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X10MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X10MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X150MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 300A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X150MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 300A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 1948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 50A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V |
на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MPPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V |
на замовлення 569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Description: 1200V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY M |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
650V 120A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| GD25MPS17H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| GD25MPS17H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 56A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1083pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Description: DIODE SIL CARB 1700V 56A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1083pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 1202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1209.52 грн |
| 10+ | 1051.52 грн |
| 25+ | 1009.51 грн |
| 100+ | 890.95 грн |
| 250+ | 855.14 грн |
| 500+ | 829.65 грн |
| GD25MPS17H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1264.94 грн |
| 10+ | 1126.05 грн |
| 30+ | 939.95 грн |
| 120+ | 883.92 грн |
| 270+ | 848.90 грн |
| 510+ | 846.10 грн |
| GD25MPS17H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| GD25MPS17H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3473.34 грн |
| 10+ | 3069.41 грн |
| 25+ | 2966.13 грн |
| 100+ | 2643.40 грн |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 3470.41 грн |
| 10+ | 3229.25 грн |
| 30+ | 3188.62 грн |
| 100+ | 2958.06 грн |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 145+ | 7222.27 грн |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3718.29 грн |
| 10+ | 3459.91 грн |
| 30+ | 3416.38 грн |
| 100+ | 3169.35 грн |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3640.39 грн |
| 10+ | 3292.78 грн |
| 30+ | 2768.03 грн |
| 100+ | 2628.65 грн |
| 250+ | 2622.34 грн |
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6269.97 грн |
| 10+ | 5695.50 грн |
| 30+ | 4794.32 грн |
| 100+ | 4680.15 грн |
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 6243.27 грн |
| 30+ | 6031.50 грн |
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Description: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6224.12 грн |
| 10+ | 5523.38 грн |
| 25+ | 5346.15 грн |
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 6689.22 грн |
| 30+ | 6462.33 грн |
| GD2X10MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
SiC Schottky Diodes 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 650.45 грн |
| 10+ | 576.72 грн |
| 30+ | 479.78 грн |
| 120+ | 449.66 грн |
| 270+ | 431.45 грн |
| 600+ | 418.15 грн |
| GD2X10MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 601.85 грн |
| GD2X10MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 644.01 грн |
| GD2X150MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 300A SOT-227 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 300A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4832.61 грн |
| 10+ | 4402.72 грн |
| 30+ | 3710.08 грн |
| 100+ | 3548.29 грн |
| GD2X150MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 300A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 650V 300A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 855.55 грн |
| 10+ | 732.98 грн |
| 30+ | 552.62 грн |
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 514.81 грн |
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 828.94 грн |
| 10+ | 722.21 грн |
| 25+ | 693.37 грн |
| 100+ | 612.57 грн |
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 551.59 грн |
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 50A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 50A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3549.69 грн |
| 10+ | 3010.86 грн |
| 30+ | 2613.94 грн |
| 100+ | 2567.01 грн |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3023.53 грн |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 3703.78 грн |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3239.50 грн |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 3863.69 грн |
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 688.04 грн |
| 10+ | 583.97 грн |
| 30+ | 448.26 грн |
| 120+ | 444.06 грн |
| 270+ | 434.26 грн |
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 629.69 грн |
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 705.23 грн |
| 10+ | 610.06 грн |
| 25+ | 584.72 грн |
| 100+ | 514.62 грн |
| 250+ | 493.21 грн |
| 500+ | 477.59 грн |
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 674.66 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2211.03 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 2356.56 грн |
| 25+ | 2096.51 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1880.26 грн |
| 10+ | 1584.37 грн |
| 30+ | 1377.01 грн |
| 100+ | 1265.64 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2363.41 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 1634.42 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 1290.09 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1308.02 грн |
| 10+ | 1149.47 грн |
| 25+ | 1108.70 грн |
| 100+ | 984.46 грн |
| 250+ | 949.62 грн |
| 500+ | 923.65 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1313.97 грн |
| 10+ | 1182.44 грн |
| 30+ | 991.08 грн |
| 120+ | 938.55 грн |
| 270+ | 904.93 грн |
| 510+ | 880.42 грн |
| 1020+ | 874.81 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 1264.13 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 1179.85 грн |
| GD2X30MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY M
Description: 1200V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY M
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2739.75 грн |
| 10+ | 2422.86 грн |
| 25+ | 2341.84 грн |
| 100+ | 2130.00 грн |
| GD2X30MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2380.35 грн |
| 10+ | 2082.95 грн |
| 100+ | 1677.49 грн |
| 250+ | 1674.68 грн |
| GD2X30MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 2973.40 грн |
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3443.24 грн |
| 10+ | 3243.20 грн |
| 30+ | 3227.46 грн |
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X60MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2557.89 грн |

















