Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5557) > Сторінка 66 з 93
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GBJ6G | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 400V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GBJ6D | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 200V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GBJ6K | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 800V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
S12B | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
G3F09MT12GB4 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F09MT12GB4-T | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F05MT12GB2 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD15MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD05MPS17J-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
1N3297AR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A1400PV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
1N3289A | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 200PV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
KBJ804 | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers 400V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
KBJ802 | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers 200V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
KBJ801 | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers 100V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BR104 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 400P/280 |
на замовлення 1754 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BR106 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 600P/420 |
на замовлення 4840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BR1005 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BR102 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 200P/140 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BR101 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A100P/70 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BR108 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 800P/560 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
1N3673A | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1000V 12A Std. Recovery |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| Діодний міст KBU8M | GeneSiC Semiconductor | Диодный мост корп. SIP-4 (в ряд) U=1000V I=8A |
на замовлення 20 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| Діод Шотткі GD20MPS12A | GeneSiC Semiconductor | Діод Шотткі TO-220AC-2 If=42 A Vrrm=1200 V Fast Recovery =< 10 ns AEC-Q101 qualified |
на замовлення 40 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| G2R1000MT17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G2R1000MT17J SMD N channel transistors |
на замовлення 187 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| G3R160MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R160MT12D THT N channel transistors |
на замовлення 845 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| G3R160MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R160MT17D THT N channel transistors |
на замовлення 153 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
G3R20MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 219nC On-state resistance: 20mΩ Drain current: 90A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 542W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 569 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R20MT12N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 74A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 365W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Mechanical mounting: screw Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 110 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R350MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 12nC On-state resistance: 0.35Ω Drain current: 8A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 74W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 372 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| G3R40MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R40MT12D THT N channel transistors |
на замовлення 94 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
G3R40MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 106nC On-state resistance: 40mΩ Drain current: 50A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 333W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 277 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| G3R450MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R450MT17D THT N channel transistors |
на замовлення 85 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| G3R450MT17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R450MT17J SMD N channel transistors |
на замовлення 841 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| G3R45MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R45MT17D THT N channel transistors |
на замовлення 12 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| G3R45MT17K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R45MT17K THT N channel transistors |
на замовлення 269 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| G3R75MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R75MT12D THT N channel transistors |
на замовлення 57 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
G3R75MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 54nC On-state resistance: 75mΩ Drain current: 29A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 207W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 453 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GC02MPS12-220 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.5V Load current: 2A Max. forward impulse current: 16A Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GC15MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GC15MPS12-247 THT Schottky diodes |
на замовлення 49 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GC2X10MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GC2X15MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GC2X15MPS12-247 THT Schottky diodes |
на замовлення 21 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GC2X5MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GC2X5MPS12-247 THT Schottky diodes |
на замовлення 28 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
GC2X8MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: MPS Case: TO247-3 Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.5V Max. load current: 16A Max. forward impulse current: 60A Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GD10MPS17H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD10MPS17H THT Schottky diodes |
на замовлення 250 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GD15MPS17H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD15MPS17H THT Schottky diodes |
на замовлення 458 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GD20MPS12A | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD20MPS12A THT Schottky diodes |
на замовлення 1107 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GD20MPS12H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD20MPS12H THT Schottky diodes |
на замовлення 531 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GD2X100MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD2X100MPS06N Diode modules |
на замовлення 83 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GD2X30MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD2X30MPS06N Diode modules |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GD30MPS06H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD30MPS06H THT Schottky diodes |
на замовлення 84 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GD30MPS06J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD30MPS06J SMD Schottky diodes |
на замовлення 65 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GE06MPS06A | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GE06MPS06A THT Schottky diodes |
на замовлення 16 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GE2X8MPS06D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GE2X8MPS06D THT Schottky diodes |
на замовлення 60 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
KBL406G | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case KBL |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GBL04 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 400V 4A 4-Pin Case GBL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GBL10 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GBL02 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 200V 4A 4-Pin Case GBL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
KBPC2508T | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 25A 4-Pin Case KBPC-T |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
KBPC5010T | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-T |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DB104G | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 400V 1A 4-Pin Case DB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| GBJ6G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 400V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ6D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 200V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ6K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 800V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12B |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3F09MT12GB4 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 22035.25 грн |
| G3F09MT12GB4-T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 23246.90 грн |
| G3F05MT12GB2 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 22049.06 грн |
| GD15MPS17H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 863.62 грн |
| 10+ | 738.75 грн |
| 30+ | 606.88 грн |
| 120+ | 587.94 грн |
| 270+ | 563.47 грн |
| GD05MPS17J-TR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N3297AR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A1400PV
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A1400PV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N3289A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 200PV
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 200PV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBJ804 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
Bridge Rectifiers 400V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBJ802 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
Bridge Rectifiers 200V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBJ801 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
Bridge Rectifiers 100V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR104 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 400P/280
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 400P/280
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 166.65 грн |
| 10+ | 123.43 грн |
| 25+ | 95.49 грн |
| 100+ | 80.50 грн |
| 200+ | 66.21 грн |
| 600+ | 64.24 грн |
| 1000+ | 56.19 грн |
| BR106 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 600P/420
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 600P/420
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 167.57 грн |
| 10+ | 124.33 грн |
| 25+ | 96.28 грн |
| 100+ | 84.44 грн |
| 200+ | 79.71 грн |
| 600+ | 66.21 грн |
| 1000+ | 60.69 грн |
| BR1005 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 166.65 грн |
| 10+ | 123.43 грн |
| 25+ | 95.49 грн |
| 100+ | 82.86 грн |
| 200+ | 69.92 грн |
| 600+ | 66.21 грн |
| 1000+ | 61.87 грн |
| BR102 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 200P/140
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 200P/140
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR101 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A100P/70
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A100P/70
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR108 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 800P/560
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 800P/560
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N3673A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1000V 12A Std. Recovery
Rectifiers 1000V 12A Std. Recovery
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 500.86 грн |
| 10+ | 397.51 грн |
| 25+ | 317.25 грн |
| 100+ | 278.58 грн |
| 250+ | 254.90 грн |
| 500+ | 249.38 грн |
| Діодний міст KBU8M |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Диодный мост корп. SIP-4 (в ряд) U=1000V I=8A
Диодный мост корп. SIP-4 (в ряд) U=1000V I=8A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.24 грн |
| 10+ | 61.49 грн |
| Діод Шотткі GD20MPS12A |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Діод Шотткі TO-220AC-2 If=42 A Vrrm=1200 V Fast Recovery =< 10 ns AEC-Q101 qualified
Діод Шотткі TO-220AC-2 If=42 A Vrrm=1200 V Fast Recovery =< 10 ns AEC-Q101 qualified
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 722.40 грн |
| G2R1000MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G2R1000MT17J SMD N channel transistors
G2R1000MT17J SMD N channel transistors
на замовлення 187 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 558.80 грн |
| 3+ | 467.59 грн |
| 7+ | 441.94 грн |
| 100+ | 441.52 грн |
| G3R160MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT12D THT N channel transistors
G3R160MT12D THT N channel transistors
на замовлення 845 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 566.23 грн |
| 3+ | 493.24 грн |
| 7+ | 465.61 грн |
| 2520+ | 465.08 грн |
| G3R160MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT17D THT N channel transistors
G3R160MT17D THT N channel transistors
на замовлення 153 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 993.30 грн |
| 2+ | 801.01 грн |
| 5+ | 757.61 грн |
| G3R20MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 569 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2823.73 грн |
| 3+ | 2683.96 грн |
| G3R20MT12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4551.12 грн |
| G3R350MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 358.01 грн |
| 10+ | 338.06 грн |
| G3R40MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R40MT12D THT N channel transistors
G3R40MT12D THT N channel transistors
на замовлення 94 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1296.22 грн |
| 3+ | 1225.20 грн |
| G3R40MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 277 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1401.24 грн |
| G3R450MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R450MT17D THT N channel transistors
G3R450MT17D THT N channel transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 625.73 грн |
| 3+ | 449.83 грн |
| 8+ | 425.17 грн |
| G3R450MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R450MT17J SMD N channel transistors
G3R450MT17J SMD N channel transistors
на замовлення 841 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 617.23 грн |
| 2+ | 593.86 грн |
| 6+ | 561.30 грн |
| 100+ | 560.35 грн |
| G3R45MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17D THT N channel transistors
G3R45MT17D THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2499.72 грн |
| 2+ | 2363.58 грн |
| 30+ | 2360.24 грн |
| G3R45MT17K |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17K THT N channel transistors
G3R45MT17K THT N channel transistors
на замовлення 269 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2770.01 грн |
| 2+ | 2619.08 грн |
| 270+ | 2615.32 грн |
| G3R75MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R75MT12D THT N channel transistors
G3R75MT12D THT N channel transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 911.50 грн |
| 2+ | 857.24 грн |
| 4+ | 810.88 грн |
| 120+ | 809.29 грн |
| G3R75MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 453 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 756.40 грн |
| GC02MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 16A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 16A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.92 грн |
| 5+ | 116.78 грн |
| 25+ | 99.63 грн |
| 100+ | 94.70 грн |
| GC15MPS12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 965.68 грн |
| 2+ | 844.42 грн |
| 4+ | 798.05 грн |
| 30+ | 796.99 грн |
| GC2X10MPS12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 735.15 грн |
| 2+ | 670.80 грн |
| 5+ | 634.30 грн |
| 30+ | 633.09 грн |
| GC2X15MPS12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X15MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X15MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 904.06 грн |
| 2+ | 823.70 грн |
| 4+ | 778.33 грн |
| 20+ | 777.53 грн |
| GC2X5MPS12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X5MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X5MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 447.25 грн |
| 3+ | 409.39 грн |
| 8+ | 386.70 грн |
| 20+ | 386.20 грн |
| GC2X8MPS12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 60A
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 60A
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 840.32 грн |
| GD10MPS17H |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD10MPS17H THT Schottky diodes
GD10MPS17H THT Schottky diodes
на замовлення 250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 709.65 грн |
| 3+ | 576.10 грн |
| 6+ | 544.53 грн |
| 510+ | 543.96 грн |
| GD15MPS17H |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD15MPS17H THT Schottky diodes
GD15MPS17H THT Schottky diodes
на замовлення 458 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 957.18 грн |
| 2+ | 896.70 грн |
| 4+ | 848.36 грн |
| 600+ | 847.19 грн |
| GD20MPS12A |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD20MPS12A THT Schottky diodes
GD20MPS12A THT Schottky diodes
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 526.93 грн |
| 4+ | 382.75 грн |
| 9+ | 362.03 грн |
| GD20MPS12H |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD20MPS12H THT Schottky diodes
GD20MPS12H THT Schottky diodes
на замовлення 531 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 620.41 грн |
| 3+ | 527.76 грн |
| 7+ | 499.15 грн |
| 1020+ | 498.89 грн |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD2X100MPS06N Diode modules
GD2X100MPS06N Diode modules
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4150.08 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD2X30MPS06N Diode modules
GD2X30MPS06N Diode modules
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1942.36 грн |
| 2+ | 1835.82 грн |
| GD30MPS06H |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD30MPS06H THT Schottky diodes
GD30MPS06H THT Schottky diodes
на замовлення 84 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 607.67 грн |
| 3+ | 472.52 грн |
| 7+ | 446.87 грн |
| 300+ | 445.62 грн |
| GD30MPS06J |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD30MPS06J SMD Schottky diodes
GD30MPS06J SMD Schottky diodes
на замовлення 65 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 516.30 грн |
| 3+ | 420.24 грн |
| 8+ | 397.55 грн |
| GE06MPS06A |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GE06MPS06A THT Schottky diodes
GE06MPS06A THT Schottky diodes
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 191.22 грн |
| 10+ | 126.27 грн |
| 26+ | 119.36 грн |
| GE2X8MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GE2X8MPS06D THT Schottky diodes
GE2X8MPS06D THT Schottky diodes
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 424.94 грн |
| 4+ | 341.32 грн |
| 10+ | 322.58 грн |
| 60+ | 321.67 грн |
| KBL406G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case KBL
Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case KBL
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 38.35 грн |
| GBL04 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 4A 4-Pin Case GBL
Rectifier Bridge Diode Single 400V 4A 4-Pin Case GBL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBL10 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBL02 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 4A 4-Pin Case GBL
Rectifier Bridge Diode Single 200V 4A 4-Pin Case GBL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBPC2508T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 25A 4-Pin Case KBPC-T
Rectifier Bridge Diode Single 800V 25A 4-Pin Case KBPC-T
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBPC5010T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-T
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-T
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DB104G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 1A 4-Pin Case DB
Rectifier Bridge Diode Single 400V 1A 4-Pin Case DB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.













