Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5801) > Сторінка 68 з 97

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 81 90 97  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MSRT200160(A) MSRT200160(A) GeneSiC Semiconductor msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf Diode Modules 1600V 200A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP2005G KBP2005G GeneSiC Semiconductor ds21205.pdf KBP2005G%20THRU%20KBP210G%20N1746%20REV.A.pdf Bridge Rectifiers 50V 2A KBP Silicon Bridge Rectifer
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR84 BR84 GeneSiC Semiconductor br84-3477877.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 8A 400P/280R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR86 BR86 GeneSiC Semiconductor br86-3477260.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 8A 600P/420R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR81 BR81 GeneSiC Semiconductor br81-3479844.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 8A 100P/70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor GD02MPS12E-3478590.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.33 грн
10+103.98 грн
25+85.10 грн
100+78.26 грн
250+73.63 грн
500+70.66 грн
1000+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1N3893R 1N3893R GeneSiC Semiconductor 1n3893r.pdf Rectifiers 400V 12A REV Leads Fast Recovery
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+712.70 грн
10+570.58 грн
25+456.65 грн
100+402.70 грн
250+385.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BR32 BR32 GeneSiC Semiconductor br32.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 200P/140R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2 G3F17MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8375.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4-T G3F18MT12FB4-T GeneSiC Semiconductor G3F18MT12FB4.pdf MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11202.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2-T G3F09MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12380.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4 G3F18MT12FB4 GeneSiC Semiconductor G3F18MT12FB4.pdf MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10617.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2 G3F09MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11734.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2-T G3F17MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8834.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200100D MSRTA200100D GeneSiC Semiconductor msrta200100d-3481508.pdf Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200140D MSRTA200140D GeneSiC Semiconductor msrta200140d-3482278.pdf Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200120D MSRTA200120D GeneSiC Semiconductor msrta200120d-3482688.pdf Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA20080D MSRTA20080D GeneSiC Semiconductor msrta20080d-3481365.pdf Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200160D MSRTA200160D GeneSiC Semiconductor msrta200160d-3482600.pdf Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
W01M GeneSiC Semiconductor W005M~W10M.pdf Bridge Rectifiers 100V 1.5A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12N.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2583.99 грн
10+2338.24 грн
30+1965.63 грн
100+1867.62 грн
250+1816.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06K G3F25MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1164.79 грн
10+1044.17 грн
30+873.78 грн
120+824.40 грн
270+794.00 грн
510+771.97 грн
1020+749.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06L-TR G3F45MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.53 грн
10+548.74 грн
25+459.69 грн
100+433.09 грн
250+417.90 грн
500+405.74 грн
1200+394.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06L-TR G3F60MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+405.99 грн
10+363.49 грн
25+304.68 грн
100+287.21 грн
250+276.57 грн
500+268.21 грн
1200+260.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06K G3F45MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+750.82 грн
10+672.81 грн
30+562.26 грн
120+531.11 грн
270+511.35 грн
510+496.92 грн
1020+483.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06D G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+565.55 грн
10+507.67 грн
30+423.97 грн
120+400.42 грн
270+385.22 грн
510+374.59 грн
1020+363.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06L-TR G3F25MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1131.99 грн
10+1014.46 грн
25+848.71 грн
100+800.84 грн
250+771.21 грн
500+749.17 грн
1200+727.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06K G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+579.74 грн
10+519.03 грн
30+433.85 грн
120+409.54 грн
270+394.34 грн
510+383.70 грн
1020+372.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06D G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+726.00 грн
10+650.97 грн
30+544.03 грн
120+513.63 грн
270+494.64 грн
510+480.20 грн
1020+466.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06K G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+865.17 грн
10+775.92 грн
30+648.88 грн
120+613.17 грн
270+590.37 грн
510+572.90 грн
1020+556.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06L-TR G3F33MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+811.99 грн
10+727.86 грн
25+609.37 грн
100+575.18 грн
250+553.14 грн
500+537.95 грн
1200+521.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC35005W GBPC35005W GeneSiC Semiconductor gbpc35005w-3477452.pdf Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE12MPS06E-TR GE12MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+173.74 грн
2500+153.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_3163666-3479785.pdf SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.13 грн
10+133.69 грн
25+109.41 грн
100+100.30 грн
250+95.74 грн
500+91.18 грн
1000+87.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E-TR GE10MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_3163668-3479722.pdf SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.09 грн
10+182.62 грн
25+151.20 грн
100+139.81 грн
250+132.97 грн
500+128.41 грн
1000+123.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E-TR GE04MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_GE04MPS06E-3479634.pdf SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 6046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.88 грн
10+107.48 грн
25+88.14 грн
100+81.30 грн
250+76.74 грн
500+74.46 грн
2500+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J-3478629.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ6B GBJ6B GeneSiC Semiconductor gbj6b-3477385.pdf Bridge Rectifiers 100V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ6G GBJ6G GeneSiC Semiconductor gbj6g-3480696.pdf Bridge Rectifiers 400V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ6D GBJ6D GeneSiC Semiconductor gbj6d-3481238.pdf Bridge Rectifiers 200V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ6K GBJ6K GeneSiC Semiconductor gbj6k-3477887.pdf Bridge Rectifiers 800V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S12B S12B GeneSiC Semiconductor s12b.pdf Rectifiers 100V 12A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4 GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+21215.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4-T G3F09MT12GB4-T GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+22381.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F05MT12GB2 G3F05MT12GB2 GeneSiC Semiconductor G3F05MT12GB2.pdf MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+21228.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5006EA960C7&compId=G2R1000MT17J.pdf?ci_sign=9f1568725f74f7b947922ae5bebc5e8f409c5571 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+521.64 грн
3+446.79 грн
7+420.75 грн
10+404.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT33J.pdf G2R1000MT33J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR sic-mosfet-selector-guide.pdf G2R120MT33J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F57F1B3060C7&compId=G3R160MT12D.pdf?ci_sign=086ae24aaa3e50a514892fe6bd224ecc7bfc54d3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+528.80 грн
3+471.45 грн
7+442.59 грн
30+426.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12J.pdf G3R160MT12J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17D.pdf G3R160MT17D THT N channel transistors
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+984.98 грн
2+758.86 грн
5+717.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17J.pdf G3R160MT17J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571AC80C7&compId=G3R20MT12K.pdf?ci_sign=24c5cc08cfe874c5b61f676ade8dcc0043159f11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 569 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2918.12 грн
2+2660.04 грн
10+2497.88 грн
30+2462.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571ADC0C7&compId=G3R20MT12N.pdf?ci_sign=867d61cd446a78630c72e74f61a8649267248476 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4516.79 грн
100+4187.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT17K.pdf G3R20MT17K THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B040C7&compId=G3R20MT17N.pdf?ci_sign=afc1eeace1efd0fdabc1ddaf96306901c2848764 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+9923.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12J.pdf G3R30MT12J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B2C0C7&compId=G3R30MT12K.pdf?ci_sign=417d67b664418281382a923165baa7b388c1663a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B400C7&compId=G3R350MT12D.pdf?ci_sign=b08bdf2e36df35986c19da23f6988a87e11ba7b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+332.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R350MT12J.pdf G3R350MT12J SMD N channel transistors
на замовлення 889 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+536.98 грн
3+394.15 грн
8+373.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200160(A) msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf
MSRT200160(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP2005G ds21205.pdf KBP2005G%20THRU%20KBP210G%20N1746%20REV.A.pdf
KBP2005G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50V 2A KBP Silicon Bridge Rectifer
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR84 br84-3477877.pdf
BR84
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 8A 400P/280R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR86 br86-3477260.pdf
BR86
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 8A 600P/420R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR81 br81-3479844.pdf
BR81
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 8A 100P/70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E GD02MPS12E-3478590.pdf
GD02MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.33 грн
10+103.98 грн
25+85.10 грн
100+78.26 грн
250+73.63 грн
500+70.66 грн
1000+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1N3893R 1n3893r.pdf
1N3893R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 400V 12A REV Leads Fast Recovery
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+712.70 грн
10+570.58 грн
25+456.65 грн
100+402.70 грн
250+385.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BR32 br32.pdf
BR32
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 200P/140R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2
G3F17MT12FB2
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8375.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4-T G3F18MT12FB4.pdf
G3F18MT12FB4-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11202.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2-T
G3F09MT12FB2-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12380.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4 G3F18MT12FB4.pdf
G3F18MT12FB4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10617.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2
G3F09MT12FB2
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11734.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2-T
G3F17MT12FB2-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8834.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200100D msrta200100d-3481508.pdf
MSRTA200100D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200140D msrta200140d-3482278.pdf
MSRTA200140D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200120D msrta200120d-3482688.pdf
MSRTA200120D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA20080D msrta20080d-3481365.pdf
MSRTA20080D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200160D msrta200160d-3482600.pdf
MSRTA200160D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
W01M W005M~W10M.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 1.5A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N.pdf
GD2X30MPS12N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2583.99 грн
10+2338.24 грн
30+1965.63 грн
100+1867.62 грн
250+1816.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06K
G3F25MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1164.79 грн
10+1044.17 грн
30+873.78 грн
120+824.40 грн
270+794.00 грн
510+771.97 грн
1020+749.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06L-TR
G3F45MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+612.53 грн
10+548.74 грн
25+459.69 грн
100+433.09 грн
250+417.90 грн
500+405.74 грн
1200+394.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06L-TR
G3F60MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.99 грн
10+363.49 грн
25+304.68 грн
100+287.21 грн
250+276.57 грн
500+268.21 грн
1200+260.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06K
G3F45MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+750.82 грн
10+672.81 грн
30+562.26 грн
120+531.11 грн
270+511.35 грн
510+496.92 грн
1020+483.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06D
G3F60MT06D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+565.55 грн
10+507.67 грн
30+423.97 грн
120+400.42 грн
270+385.22 грн
510+374.59 грн
1020+363.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06L-TR
G3F25MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1131.99 грн
10+1014.46 грн
25+848.71 грн
100+800.84 грн
250+771.21 грн
500+749.17 грн
1200+727.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06K
G3F60MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+579.74 грн
10+519.03 грн
30+433.85 грн
120+409.54 грн
270+394.34 грн
510+383.70 грн
1020+372.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06D
G3F45MT06D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+726.00 грн
10+650.97 грн
30+544.03 грн
120+513.63 грн
270+494.64 грн
510+480.20 грн
1020+466.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06K
G3F33MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+865.17 грн
10+775.92 грн
30+648.88 грн
120+613.17 грн
270+590.37 грн
510+572.90 грн
1020+556.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06L-TR
G3F33MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+811.99 грн
10+727.86 грн
25+609.37 грн
100+575.18 грн
250+553.14 грн
500+537.95 грн
1200+521.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC35005W gbpc35005w-3477452.pdf
GBPC35005W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE12MPS06E-TR
GE12MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+173.74 грн
2500+153.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR Genesic_07032024_3163666-3479785.pdf
GE06MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.13 грн
10+133.69 грн
25+109.41 грн
100+100.30 грн
250+95.74 грн
500+91.18 грн
1000+87.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E-TR Genesic_07032024_3163668-3479722.pdf
GE10MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.09 грн
10+182.62 грн
25+151.20 грн
100+139.81 грн
250+132.97 грн
500+128.41 грн
1000+123.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E-TR Genesic_07032024_GE04MPS06E-3479634.pdf
GE04MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 6046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.88 грн
10+107.48 грн
25+88.14 грн
100+81.30 грн
250+76.74 грн
500+74.46 грн
2500+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-3478629.pdf
G2R1000MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ6B gbj6b-3477385.pdf
GBJ6B
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ6G gbj6g-3480696.pdf
GBJ6G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ6D gbj6d-3481238.pdf
GBJ6D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ6K gbj6k-3477887.pdf
GBJ6K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S12B s12b.pdf
S12B
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4.pdf
G3F09MT12GB4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21215.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4-T G3F09MT12GB4.pdf
G3F09MT12GB4-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+22381.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F05MT12GB2 G3F05MT12GB2.pdf
G3F05MT12GB2
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21228.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5006EA960C7&compId=G2R1000MT17J.pdf?ci_sign=9f1568725f74f7b947922ae5bebc5e8f409c5571
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+521.64 грн
3+446.79 грн
7+420.75 грн
10+404.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G2R1000MT33J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G2R120MT33J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F57F1B3060C7&compId=G3R160MT12D.pdf?ci_sign=086ae24aaa3e50a514892fe6bd224ecc7bfc54d3
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.80 грн
3+471.45 грн
7+442.59 грн
30+426.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT12J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT17D THT N channel transistors
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+984.98 грн
2+758.86 грн
5+717.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT17J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571AC80C7&compId=G3R20MT12K.pdf?ci_sign=24c5cc08cfe874c5b61f676ade8dcc0043159f11
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 569 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2918.12 грн
2+2660.04 грн
10+2497.88 грн
30+2462.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571ADC0C7&compId=G3R20MT12N.pdf?ci_sign=867d61cd446a78630c72e74f61a8649267248476
G3R20MT12N
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4516.79 грн
100+4187.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17K G3R20MT17K.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R20MT17K THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B040C7&compId=G3R20MT17N.pdf?ci_sign=afc1eeace1efd0fdabc1ddaf96306901c2848764
G3R20MT17N
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9923.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R30MT12J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B2C0C7&compId=G3R30MT12K.pdf?ci_sign=417d67b664418281382a923165baa7b388c1663a
G3R30MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B400C7&compId=G3R350MT12D.pdf?ci_sign=b08bdf2e36df35986c19da23f6988a87e11ba7b7
G3R350MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+332.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R350MT12J SMD N channel transistors
на замовлення 889 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+536.98 грн
3+394.15 грн
8+373.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 81 90 97  [ Наступна Сторінка >> ]