Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5688) > Сторінка 68 з 95
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
G3R40MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 106nC On-state resistance: 40mΩ Drain current: 50A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 333W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 279 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
G3R450MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 18nC On-state resistance: 0.45Ω Drain current: 6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 88W Drain-source voltage: 1.7kV Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 407 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
G3R450MT17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 18nC On-state resistance: 0.45Ω Drain current: 6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 91W Drain-source voltage: 1.7kV Case: TO263-7 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 841 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| G3R45MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R45MT17D THT N channel transistors |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
G3R45MT17K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W Type of transistor: N-MOSFET Technology: G3R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 43A Power dissipation: 438W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 160A Gate charge: 182nC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
G3R75MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W Type of transistor: N-MOSFET Technology: G3R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 29A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 207W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
G3R75MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 54nC On-state resistance: 75mΩ Drain current: 29A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 207W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 461 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
GC02MPS12-220 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 16A Kind of package: tube Features of semiconductor devices: MPS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| GC15MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GC15MPS12-247 THT Schottky diodes |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| GC2X10MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
GC2X15MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube Mounting: THT Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO247-3 Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.5V Load current: 15A x2 Max. load current: 30A Max. forward impulse current: 120A Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| GC2X5MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GC2X5MPS12-247 THT Schottky diodes |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| GC2X8MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GC2X8MPS12-247 THT Schottky diodes |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
GD10MPS17H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.7kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 2.1V Max. forward impulse current: 80A Kind of package: tube Max. load current: 42A Features of semiconductor devices: MPS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 255 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
GD15MPS17H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.7kV Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 2.1V Max. forward impulse current: 120A Kind of package: tube Max. load current: 63A Features of semiconductor devices: MPS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 458 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
GD20MPS12A | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 29A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.9V Max. forward impulse current: 128A Kind of package: tube Max. load current: 67A Features of semiconductor devices: MPS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1107 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
GD20MPS12H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 27A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.9V Max. forward impulse current: 128A Kind of package: tube Max. load current: 67A Features of semiconductor devices: MPS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 531 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double independent Features of semiconductor devices: MPS Kind of package: tube Case: SOT227B Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Technology: SiC Reverse recovery time: 10ns Max. forward voltage: 1.8V Load current: 108A x2 Max. load current: 231A Max. forward impulse current: 0.44kA Max. off-state voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double independent Features of semiconductor devices: MPS Kind of package: tube Case: SOT227B Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Technology: SiC Reverse recovery time: 10ns Max. forward voltage: 1.5V Load current: 30A x2 Max. load current: 60A Max. forward impulse current: 0.168kA Max. off-state voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
GD30MPS06H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 0.168kA Kind of package: tube Features of semiconductor devices: MPS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| GD30MPS06J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD30MPS06J SMD Schottky diodes |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| GE06MPS06A | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GE06MPS06A THT Schottky diodes |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| GE2X8MPS06D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GE2X8MPS06D THT Schottky diodes |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
DB107G | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 1A 4-Pin Case DB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
KBL406G | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case KBL |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
GBL04 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 400V 4A 4-Pin Case GBL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
GBL10 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| GBL02 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 200V 4A 4-Pin Case GBL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
KBPC2508T | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 25A 4-Pin Case KBPC-T |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
KBPC5010T | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-T |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
KBU8G | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case KBU |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DB104G | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 400V 1A 4-Pin Case DB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
GBPC5010T | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case GBPC-T |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MBR20045CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MBR60100 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 100V 60A 2-Pin DO-5 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
GBJ25M | GeneSiC Semiconductor |
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MUR10020CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MBR40060CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 60V 400A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MBR400100CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
KBPC2502T | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 200V 25A 4-Pin Case KBPC-T |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
1N3881 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Switching 200V 6A 2-Pin DO-4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MBR3545 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 45V 35A 2-Pin DO-4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
150KR40A | GeneSiC Semiconductor |
Diode Switching Si 400V 150A 2-Pin DO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
1N1206AR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Switching 600V 12A 2-Pin DO-4 |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
KBPC2504W | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 400V 25A 4-Pin Case KBPC-W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
GBL01 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 100V 4A 4-Pin Case GBL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FST160100 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| FST16080 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 80V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FST16045 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 45V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| GB50MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| GB50MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| GB50SLT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 100A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
1N1190 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Switching 600V 35A 2-Pin DO-5 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
1N1190A | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 600V 40A 2-Pin DO-5 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MUR5020 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 200V 50A 75ns 2-Pin DO-5 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MUR5010 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 100V 50A 75ns 2-Pin DO-5 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
1N8030-GA | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 0.75A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
1N8032-GA | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| GBJ25G | GeneSiC Semiconductor |
Diode Rectifier Bridge Single 400V 4.5A 4-Pin Case GBJ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| GBJ25G | GeneSiC Semiconductor |
Diode Rectifier Bridge Single 400V 4.5A 4-Pin Case GBJ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| G3R40MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1342.60 грн |
| G3R450MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 88W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 88W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 588.03 грн |
| 3+ | 445.10 грн |
| 8+ | 405.70 грн |
| G3R450MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 91W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 91W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 555.13 грн |
| G3R45MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17D THT N channel transistors
G3R45MT17D THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2397.94 грн |
| 2+ | 2267.16 грн |
| 30+ | 2263.16 грн |
| G3R45MT17K |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 160A
Gate charge: 182nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 160A
Gate charge: 182nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2722.21 грн |
| 2+ | 2598.22 грн |
| 30+ | 2405.57 грн |
| G3R75MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 805.97 грн |
| 10+ | 773.22 грн |
| G3R75MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 724.76 грн |
| GC02MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 124.39 грн |
| 5+ | 108.05 грн |
| 12+ | 100.23 грн |
| 25+ | 91.64 грн |
| 100+ | 90.69 грн |
| GC15MPS12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 792.61 грн |
| 4+ | 765.58 грн |
| GC2X10MPS12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 630.18 грн |
| 5+ | 608.08 грн |
| GC2X15MPS12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 120A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 120A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 773.07 грн |
| GC2X5MPS12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X5MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X5MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 384.48 грн |
| 8+ | 371.34 грн |
| GC2X8MPS12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X8MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X8MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 928.30 грн |
| 2+ | 836.22 грн |
| 4+ | 790.40 грн |
| GD10MPS17H |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 673.36 грн |
| 3+ | 570.99 грн |
| 6+ | 520.25 грн |
| 120+ | 502.12 грн |
| 510+ | 500.21 грн |
| GD15MPS17H |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Max. load current: 63A
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Max. load current: 63A
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 839.90 грн |
| GD20MPS12A |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 128A
Kind of package: tube
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 128A
Kind of package: tube
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 499.62 грн |
| 4+ | 379.67 грн |
| 9+ | 345.56 грн |
| GD20MPS12H |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 128A
Kind of package: tube
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 128A
Kind of package: tube
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 588.03 грн |
| 3+ | 523.41 грн |
| 7+ | 476.34 грн |
| 30+ | 470.61 грн |
| 120+ | 458.20 грн |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: tube
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 108A x2
Max. load current: 231A
Max. forward impulse current: 0.44kA
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: tube
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 108A x2
Max. load current: 231A
Max. forward impulse current: 0.44kA
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4093.59 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: tube
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A x2
Max. load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: tube
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A x2
Max. load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1824.74 грн |
| 10+ | 1746.68 грн |
| GD30MPS06H |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 575.69 грн |
| 3+ | 468.89 грн |
| 7+ | 426.70 грн |
| 120+ | 420.98 грн |
| 300+ | 410.48 грн |
| GD30MPS06J |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD30MPS06J SMD Schottky diodes
GD30MPS06J SMD Schottky diodes
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 412.24 грн |
| 3+ | 402.84 грн |
| 8+ | 381.84 грн |
| 100+ | 380.66 грн |
| GE06MPS06A |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GE06MPS06A THT Schottky diodes
GE06MPS06A THT Schottky diodes
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 153.18 грн |
| 10+ | 121.23 грн |
| 26+ | 114.55 грн |
| GE2X8MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GE2X8MPS06D THT Schottky diodes
GE2X8MPS06D THT Schottky diodes
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 339.25 грн |
| 4+ | 327.43 грн |
| 10+ | 309.29 грн |
| 60+ | 308.30 грн |
| DB107G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 1A 4-Pin Case DB
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 1A 4-Pin Case DB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBL406G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case KBL
Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case KBL
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 37.55 грн |
| GBL04 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 4A 4-Pin Case GBL
Rectifier Bridge Diode Single 400V 4A 4-Pin Case GBL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBL10 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBL02 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 4A 4-Pin Case GBL
Rectifier Bridge Diode Single 200V 4A 4-Pin Case GBL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBPC2508T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 25A 4-Pin Case KBPC-T
Rectifier Bridge Diode Single 800V 25A 4-Pin Case KBPC-T
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBPC5010T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-T
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-T
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBU8G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case KBU
Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case KBU
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DB104G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 1A 4-Pin Case DB
Rectifier Bridge Diode Single 400V 1A 4-Pin Case DB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBPC5010T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case GBPC-T
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case GBPC-T
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR20045CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower
Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR60100 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 100V 60A 2-Pin DO-5
Diode Schottky 100V 60A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ25M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10020CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR40060CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 60V 400A 3-Pin Twin Tower
Diode Schottky 60V 400A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR400100CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower
Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBPC2502T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 25A 4-Pin Case KBPC-T
Rectifier Bridge Diode Single 200V 25A 4-Pin Case KBPC-T
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N3881 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 200V 6A 2-Pin DO-4
Diode Switching 200V 6A 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR3545 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 35A 2-Pin DO-4
Diode Schottky 45V 35A 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 150KR40A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching Si 400V 150A 2-Pin DO-8
Diode Switching Si 400V 150A 2-Pin DO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N1206AR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 600V 12A 2-Pin DO-4
Diode Switching 600V 12A 2-Pin DO-4
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 275.31 грн |
| 11+ | 67.04 грн |
| KBPC2504W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 25A 4-Pin Case KBPC-W
Rectifier Bridge Diode Single 400V 25A 4-Pin Case KBPC-W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBL01 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 100V 4A 4-Pin Case GBL
Rectifier Bridge Diode Single 100V 4A 4-Pin Case GBL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST160100 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
Rectifier Diode Schottky 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6645.24 грн |
| FST16080 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 80V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
Rectifier Diode Schottky 80V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST16045 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 45V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
Rectifier Diode Schottky 45V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GB50MPS17-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GB50MPS17-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GB50SLT12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 100A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 100A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N1190 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 600V 35A 2-Pin DO-5
Diode Switching 600V 35A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N1190A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 600V 40A 2-Pin DO-5
Rectifier Diode Switching 600V 40A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5020 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 200V 50A 75ns 2-Pin DO-5
Rectifier Diode Switching 200V 50A 75ns 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5010 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 50A 75ns 2-Pin DO-5
Rectifier Diode Switching 100V 50A 75ns 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N8030-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 0.75A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
Diode Schottky 650V 0.75A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N8032-GA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ25G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Rectifier Bridge Single 400V 4.5A 4-Pin Case GBJ
Diode Rectifier Bridge Single 400V 4.5A 4-Pin Case GBJ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ25G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Rectifier Bridge Single 400V 4.5A 4-Pin Case GBJ
Diode Rectifier Bridge Single 400V 4.5A 4-Pin Case GBJ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.





























