Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5670) > Сторінка 68 з 95

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 81 90 95  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571AC80C7&compId=G3R20MT12K.pdf?ci_sign=24c5cc08cfe874c5b61f676ade8dcc0043159f11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 569 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2862.42 грн
3+2653.37 грн
10+2527.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12N.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4464.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT17N.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R350MT12D.pdf G3R350MT12D THT N channel transistors
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+341.73 грн
10+329.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12D.pdf G3R40MT12D THT N channel transistors
на замовлення 663 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1263.48 грн
3+1194.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1371.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R450MT17D.pdf G3R450MT17D THT N channel transistors
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+634.35 грн
3+438.63 грн
8+414.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E7C0C7&compId=G3R450MT17J.pdf?ci_sign=fb6f69167c3c5663eef111d5bcd6739f8e8e0312 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 91W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+567.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17D.pdf G3R45MT17D THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2437.67 грн
2+2304.73 грн
30+2300.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17K.pdf G3R45MT17K THT N channel transistors
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2699.69 грн
2+2553.15 грн
270+2548.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793EB80C7&compId=G3R75MT12D.pdf?ci_sign=15ac56251724ba4e0af9a71a5fc5a4fda96229ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+819.33 грн
10+786.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 453 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+738.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6B778B9A0C7&compId=GC02MPS12-220.pdf?ci_sign=5b7cd32c33a073a9b17522300153aa93377d3d17 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 16A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.50 грн
5+110.85 грн
25+94.13 грн
100+92.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F708B5DC80C7&compId=GC15MPS12-247.pdf?ci_sign=4ac77057ece4747c92a492a58a4553c9ddd81843 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 120A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+802.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750DDC0C7&compId=GC2X10MPS12-247.pdf?ci_sign=e075ca835a1a5ec526ae3d81441dbc12a96a6763 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+641.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750DF00C7&compId=GC2X15MPS12-247.pdf?ci_sign=178143544f1be58c59460efff2b373df8bffe5f5 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 120A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+789.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6DAEE6940C7&compId=GC2X5MPS12-247.pdf?ci_sign=22b717436d147819ca0797c4a474a406b23594d6 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 5A x2
Max. load current: 10A
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+390.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6DAEE6A80C7&compId=GC2X8MPS12-247.pdf?ci_sign=8c5e325e271b4f22def450d924e930f6cf152081 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 60A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+840.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD10MPS17H.pdf GD10MPS17H THT Schottky diodes
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+720.05 грн
3+561.87 грн
6+530.82 грн
510+530.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD15MPS17H.pdf GD15MPS17H THT Schottky diodes
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+855.90 грн
4+826.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 29A
Max. load current: 67A
Max. forward impulse current: 128A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+457.74 грн
10+413.17 грн
25+380.40 грн
50+365.85 грн
100+353.23 грн
250+338.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Load current: 27A
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 128A
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.9V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+541.34 грн
3+492.78 грн
30+465.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84B0D7831F3880D2&compId=GD2X100MPS06N.pdf?ci_sign=1b2ed4d223639b685bea14afaa75997f05600f5d Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 108A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.44kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 231A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4198.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F71CC1F860C7&compId=GD2X30MPS06N.pdf?ci_sign=efe1bfcbb3de999f478691de546827d7c91eaa55 Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 60A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1870.66 грн
10+1790.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD30MPS06H.pdf GD30MPS06H THT Schottky diodes
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+616.58 грн
3+460.95 грн
7+435.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F77752E620C7&compId=GD30MPS06J.pdf?ci_sign=f8b1e4b27ce9688c062b7b8c34999d76d8340eac Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Max. off-state voltage: 650V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+422.20 грн
5+395.03 грн
25+373.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GeneSiC SEMICONDUCTOR GE06MPS06A.pdf GE06MPS06A THT Schottky diodes
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+155.71 грн
10+123.24 грн
26+116.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE2X8MPS06D GE2X8MPS06D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F7D2B0E420C7&compId=GE2X8MPS06D.pdf?ci_sign=d66b91dcf83eef08485d0063aca1ea9d1b133d03 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 36A
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+346.96 грн
3+319.45 грн
10+301.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KBL406G KBL406G GeneSiC Semiconductor kbl408g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case KBL
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+37.73 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
GBL04 GBL04 GeneSiC Semiconductor gbl01.pdf Rectifier Bridge Diode Single 400V 4A 4-Pin Case GBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBL10 GBL10 GeneSiC Semiconductor gbl10.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBL02 GeneSiC Semiconductor GBL005 SERIES_K2103.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 4A 4-Pin Case GBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC2508T KBPC2508T GeneSiC Semiconductor kbpc2506w.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 25A 4-Pin Case KBPC-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC5010T KBPC5010T GeneSiC Semiconductor kbpc5010t.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8G KBU8G GeneSiC Semiconductor kbu8d.pdf Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case KBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DB104G DB104G GeneSiC Semiconductor db103g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 400V 1A 4-Pin Case DB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5010T GBPC5010T GeneSiC Semiconductor gbpc5006t.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case GBPC-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20045CT MBR20045CT GeneSiC Semiconductor mbr20080ct.pdf Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ25M GBJ25M GeneSiC Semiconductor gbj25m.pdf Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10020CT MUR10020CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR400100CT MBR400100CT GeneSiC Semiconductor 2497125744268350mbr40045ct_thru_mbr400100ctr.pdf Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC2502T KBPC2502T GeneSiC Semiconductor kbpc2501w.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 25A 4-Pin Case KBPC-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N3881 1N3881 GeneSiC Semiconductor 1n3883r.pdf Diode Switching 200V 6A 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR3545 MBR3545 GeneSiC Semiconductor 34976362909671172mbr3545_thru_mbr35100r.pdf Diode Schottky 45V 35A 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
150KR40A 150KR40A GeneSiC Semiconductor 150kr20a.pdf Diode Switching Si 400V 150A 2-Pin DO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N1206AR 1N1206AR GeneSiC Semiconductor 1n1200a.pdf Diode Switching 600V 12A 2-Pin DO-4
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.62 грн
11+67.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBL01 GBL01 GeneSiC Semiconductor gbl01.pdf Rectifier Bridge Diode Single 100V 4A 4-Pin Case GBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST160100 GeneSiC Semiconductor fst160100.pdf Rectifier Diode Schottky 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6676.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FST16080 GeneSiC Semiconductor fst160100.pdf Rectifier Diode Schottky 80V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST16045 GeneSiC Semiconductor fst160100.pdf Rectifier Diode Schottky 45V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB50MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB50MPS17-247.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB50MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB50MPS17-247.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB50SLT12-247 GeneSiC Semiconductor GB50SLT12-247.pdf Rectifier Diode Schottky 1.2KV 100A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N1190 1N1190 GeneSiC Semiconductor 1n1188r.pdf Diode Switching 600V 35A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N1190A 1N1190A GeneSiC Semiconductor 1n1184a.pdf Rectifier Diode Switching 600V 40A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR5020 MUR5020 GeneSiC Semiconductor mur5005.pdf Rectifier Diode Switching 200V 50A 75ns 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR5010 MUR5010 GeneSiC Semiconductor mur5005.pdf Rectifier Diode Switching 100V 50A 75ns 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N8030-GA 1N8030-GA GeneSiC Semiconductor 9733158768511141n8030-ga.pdf Diode Schottky 650V 0.75A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N8032-GA 1N8032-GA GeneSiC Semiconductor 9732867828337061n8032-ga.pdf Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ25G GeneSiC Semiconductor gbj25g.pdf Diode Rectifier Bridge Single 400V 4.5A 4-Pin Case GBJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571AC80C7&compId=G3R20MT12K.pdf?ci_sign=24c5cc08cfe874c5b61f676ade8dcc0043159f11
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 569 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2862.42 грн
3+2653.37 грн
10+2527.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N.pdf
G3R20MT12N
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4464.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N.pdf
G3R20MT17N
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R350MT12D THT N channel transistors
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+341.73 грн
10+329.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R40MT12D THT N channel transistors
на замовлення 663 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1263.48 грн
3+1194.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0
G3R40MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1371.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R450MT17D THT N channel transistors
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+634.35 грн
3+438.63 грн
8+414.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E7C0C7&compId=G3R450MT17J.pdf?ci_sign=fb6f69167c3c5663eef111d5bcd6739f8e8e0312
G3R450MT17J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 91W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+567.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17D THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2437.67 грн
2+2304.73 грн
30+2300.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17K THT N channel transistors
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2699.69 грн
2+2553.15 грн
270+2548.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793EB80C7&compId=G3R75MT12D.pdf?ci_sign=15ac56251724ba4e0af9a71a5fc5a4fda96229ad
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+819.33 грн
10+786.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 453 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+738.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6B778B9A0C7&compId=GC02MPS12-220.pdf?ci_sign=5b7cd32c33a073a9b17522300153aa93377d3d17
GC02MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 16A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.50 грн
5+110.85 грн
25+94.13 грн
100+92.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F708B5DC80C7&compId=GC15MPS12-247.pdf?ci_sign=4ac77057ece4747c92a492a58a4553c9ddd81843
GC15MPS12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 120A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+802.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750DDC0C7&compId=GC2X10MPS12-247.pdf?ci_sign=e075ca835a1a5ec526ae3d81441dbc12a96a6763
GC2X10MPS12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+641.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750DF00C7&compId=GC2X15MPS12-247.pdf?ci_sign=178143544f1be58c59460efff2b373df8bffe5f5
GC2X15MPS12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 120A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+789.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6DAEE6940C7&compId=GC2X5MPS12-247.pdf?ci_sign=22b717436d147819ca0797c4a474a406b23594d6
GC2X5MPS12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 5A x2
Max. load current: 10A
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+390.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6DAEE6A80C7&compId=GC2X8MPS12-247.pdf?ci_sign=8c5e325e271b4f22def450d924e930f6cf152081
GC2X8MPS12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 60A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+840.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD10MPS17H THT Schottky diodes
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+720.05 грн
3+561.87 грн
6+530.82 грн
510+530.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17H GD15MPS17H.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD15MPS17H THT Schottky diodes
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+855.90 грн
4+826.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A.pdf
GD20MPS12A
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 29A
Max. load current: 67A
Max. forward impulse current: 128A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+457.74 грн
10+413.17 грн
25+380.40 грн
50+365.85 грн
100+353.23 грн
250+338.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H.pdf
GD20MPS12H
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Load current: 27A
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 128A
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.9V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+541.34 грн
3+492.78 грн
30+465.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84B0D7831F3880D2&compId=GD2X100MPS06N.pdf?ci_sign=1b2ed4d223639b685bea14afaa75997f05600f5d
GD2X100MPS06N
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 108A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.44kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 231A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4198.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F71CC1F860C7&compId=GD2X30MPS06N.pdf?ci_sign=efe1bfcbb3de999f478691de546827d7c91eaa55
GD2X30MPS06N
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 60A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1870.66 грн
10+1790.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD30MPS06H THT Schottky diodes
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+616.58 грн
3+460.95 грн
7+435.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F77752E620C7&compId=GD30MPS06J.pdf?ci_sign=f8b1e4b27ce9688c062b7b8c34999d76d8340eac
GD30MPS06J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Max. off-state voltage: 650V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+422.20 грн
5+395.03 грн
25+373.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GE06MPS06A THT Schottky diodes
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.71 грн
10+123.24 грн
26+116.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE2X8MPS06D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F7D2B0E420C7&compId=GE2X8MPS06D.pdf?ci_sign=d66b91dcf83eef08485d0063aca1ea9d1b133d03
GE2X8MPS06D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 36A
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+346.96 грн
3+319.45 грн
10+301.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KBL406G kbl408g.pdf
KBL406G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case KBL
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+37.73 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
GBL04 gbl01.pdf
GBL04
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 4A 4-Pin Case GBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBL10 gbl10.pdf
GBL10
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBL02 GBL005 SERIES_K2103.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 4A 4-Pin Case GBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC2508T kbpc2506w.pdf
KBPC2508T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 25A 4-Pin Case KBPC-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC5010T kbpc5010t.pdf
KBPC5010T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8G kbu8d.pdf
KBU8G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case KBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DB104G db103g.pdf
DB104G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 1A 4-Pin Case DB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5010T gbpc5006t.pdf
GBPC5010T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case GBPC-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20045CT mbr20080ct.pdf
MBR20045CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ25M gbj25m.pdf
GBJ25M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10020CT mur10005ct.pdf
MUR10020CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR400100CT 2497125744268350mbr40045ct_thru_mbr400100ctr.pdf
MBR400100CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC2502T kbpc2501w.pdf
KBPC2502T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 25A 4-Pin Case KBPC-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N3881 1n3883r.pdf
1N3881
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 200V 6A 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR3545 34976362909671172mbr3545_thru_mbr35100r.pdf
MBR3545
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 35A 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
150KR40A 150kr20a.pdf
150KR40A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching Si 400V 150A 2-Pin DO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N1206AR 1n1200a.pdf
1N1206AR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 600V 12A 2-Pin DO-4
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+276.62 грн
11+67.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBL01 gbl01.pdf
GBL01
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 100V 4A 4-Pin Case GBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST160100 fst160100.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6676.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FST16080 fst160100.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 80V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST16045 fst160100.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 45V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB50MPS17-247 GB50MPS17-247.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB50MPS17-247 GB50MPS17-247.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB50SLT12-247 GB50SLT12-247.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 100A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N1190 1n1188r.pdf
1N1190
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 600V 35A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N1190A 1n1184a.pdf
1N1190A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 600V 40A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR5020 mur5005.pdf
MUR5020
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 200V 50A 75ns 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR5010 mur5005.pdf
MUR5010
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 50A 75ns 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N8030-GA 9733158768511141n8030-ga.pdf
1N8030-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 0.75A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N8032-GA 9732867828337061n8032-ga.pdf
1N8032-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ25G gbj25g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Rectifier Bridge Single 400V 4.5A 4-Pin Case GBJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 81 90 95  [ Наступна Сторінка >> ]