Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5819) > Сторінка 69 з 97

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 81 90 97  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G2R1000MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT33J.pdf G2R1000MT33J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR sic-mosfet-selector-guide.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 3.3kV
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 250 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 123W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 862 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+567.47 грн
3+479.40 грн
7+435.89 грн
30+434.05 грн
120+421.18 грн
600+419.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12J.pdf G3R160MT12J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 392 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+880.41 грн
2+779.26 грн
5+709.93 грн
10+702.58 грн
30+682.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17J.pdf G3R160MT17J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2802.66 грн
2+2555.50 грн
30+2388.21 грн
120+2366.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12N.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4315.91 грн
3+4032.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT17K.pdf G3R20MT17K THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT17N.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+10668.94 грн
10+9879.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 68A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 459W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 63A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R350MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+372.37 грн
4+339.01 грн
10+296.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R350MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Technology: G3R™; SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+472.39 грн
3+392.49 грн
8+356.81 грн
100+344.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 694 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1303.29 грн
3+1187.98 грн
30+1106.28 грн
120+1099.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 53A; Idm: 140A; 374W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 374W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1409.26 грн
3+1286.35 грн
10+1224.91 грн
30+1190.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R450MT17D.pdf G3R450MT17D THT N channel transistors
на замовлення 597 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+661.55 грн
3+449.69 грн
7+425.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R450MT17J.pdf G3R450MT17J SMD N channel transistors
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+657.59 грн
2+543.48 грн
6+514.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17D.pdf G3R45MT17D THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2671.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17K.pdf G3R45MT17K THT N channel transistors
на замовлення 349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2594.20 грн
2+2453.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+863.58 грн
2+831.78 грн
3+766.95 грн
4+756.83 грн
10+729.24 грн
30+727.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 80A; 224W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 224W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 529 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+848.72 грн
3+770.66 грн
10+731.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR GAP3SLT33-214.pdf GAP3SLT33-214 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB01SLT06-214.pdf GB01SLT06-214 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB01SLT12-214.pdf GB01SLT12-214 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB01SLT12-252.pdf GB01SLT12-252 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB02SLT12-214.pdf GB02SLT12-214 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB02SLT12-252.pdf GB02SLT12-252 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB05MPS33-263.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 3.3kV; 5A; tube
Max. off-state voltage: 3.3kV
Max. forward voltage: 2.4V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB10MPS17-247.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 87A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB20SLT12-247.pdf GB20SLT12-247 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB2X100MPS12-227.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 100Ax2; SOT227B; 200A
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 200A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 100A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.8kA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X50MPS12-227 GB2X50MPS12-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB2X50MPS12-227.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 50A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.4kA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X50MPS17-227 GB2X50MPS17-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB2X50MPS17-227.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.7kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 50A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.432kA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB50SLT12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB50SLT12-247.pdf GB50SLT12-247 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC02MPS12-220.pdf GC02MPS12-220 THT Schottky diodes
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+272.34 грн
7+163.69 грн
19+154.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC05MPS12-252.pdf GC05MPS12-252 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC08MPS12-220.pdf GC08MPS12-220 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC08MPS12-252.pdf GC08MPS12-252 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC10MPS12-220.pdf GC10MPS12-220 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC10MPS12-252.pdf GC10MPS12-252 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC15MPS12-247.pdf GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1284.47 грн
2+805.57 грн
4+762.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC20MPS12-220.pdf GC20MPS12-220 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC20MPS12-247.pdf GC20MPS12-247 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X100MPS06-227 GC2X100MPS06-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X100MPS06-227.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 100Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 200A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 100A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.64kA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X10MPS12-247.pdf GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1076.50 грн
2+649.24 грн
5+614.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X15MPS12-247.pdf GC2X15MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1322.11 грн
2+793.62 грн
4+750.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X20MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X20MPS12-247.pdf GC2X20MPS12-247 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X50MPS06-227 GC2X50MPS06-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X50MPS06-227.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 50A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.32kA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X5MPS12-247.pdf GC2X5MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+651.64 грн
3+393.59 грн
8+372.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X8MPS12-247.pdf GC2X8MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+856.64 грн
3+513.14 грн
6+485.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E GeneSiC SEMICONDUCTOR GD02MPS12E.pdf GD02MPS12E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD05MPS17H.pdf GD05MPS17H THT Schottky diodes
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+473.38 грн
3+392.67 грн
8+371.52 грн
2520+371.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J GeneSiC SEMICONDUCTOR GD05MPS17J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR GD10MPS12A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 33A
Load current: 16A
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 64A
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.9V
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+275.31 грн
5+256.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GeneSiC SEMICONDUCTOR GD10MPS12E.pdf GD10MPS12E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD10MPS12H.pdf GD10MPS12H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD10MPS17H.pdf GD10MPS17H THT Schottky diodes
на замовлення 492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+924.98 грн
2+549.92 грн
6+519.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G2R1000MT33J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 3.3kV
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 250 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 123W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 862 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+567.47 грн
3+479.40 грн
7+435.89 грн
30+434.05 грн
120+421.18 грн
600+419.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT12J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D.pdf
G3R160MT17D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 392 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+880.41 грн
2+779.26 грн
5+709.93 грн
10+702.58 грн
30+682.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT17J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K.pdf
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2802.66 грн
2+2555.50 грн
30+2388.21 грн
120+2366.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N.pdf
G3R20MT12N
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4315.91 грн
3+4032.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17K G3R20MT17K.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R20MT17K THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N.pdf
G3R20MT17N
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10668.94 грн
10+9879.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 68A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 459W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K.pdf
G3R30MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 63A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D.pdf
G3R350MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+372.37 грн
4+339.01 грн
10+296.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Technology: G3R™; SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+472.39 грн
3+392.49 грн
8+356.81 грн
100+344.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 694 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1303.29 грн
3+1187.98 грн
30+1106.28 грн
120+1099.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 53A; Idm: 140A; 374W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 374W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K.pdf
G3R40MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1409.26 грн
3+1286.35 грн
10+1224.91 грн
30+1190.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R450MT17D THT N channel transistors
на замовлення 597 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+661.55 грн
3+449.69 грн
7+425.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R450MT17J SMD N channel transistors
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+657.59 грн
2+543.48 грн
6+514.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17D THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2671.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17K THT N channel transistors
на замовлення 349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2594.20 грн
2+2453.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+863.58 грн
2+831.78 грн
3+766.95 грн
4+756.83 грн
10+729.24 грн
30+727.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 80A; 224W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 224W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 529 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+848.72 грн
3+770.66 грн
10+731.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GAP3SLT33-214 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB01SLT06-214 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB01SLT12-214 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB01SLT12-252 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB02SLT12-214 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-252 GB02SLT12-252.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB02SLT12-252 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263.pdf
GB05MPS33-263
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 3.3kV; 5A; tube
Max. off-state voltage: 3.3kV
Max. forward voltage: 2.4V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247.pdf
GB10MPS17-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 87A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247 GB20SLT12-247.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB20SLT12-247 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12-227.pdf
GB2X100MPS12-227
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 100Ax2; SOT227B; 200A
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 200A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 100A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.8kA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X50MPS12-227 GB2X50MPS12-227.pdf
GB2X50MPS12-227
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 50A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.4kA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X50MPS17-227 GB2X50MPS17-227.pdf
GB2X50MPS17-227
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.7kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 50A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.432kA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB50SLT12-247 GB50SLT12-247.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB50SLT12-247 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC02MPS12-220 THT Schottky diodes
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.34 грн
7+163.69 грн
19+154.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC05MPS12-252 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC08MPS12-220 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-252 GC08MPS12-252.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC08MPS12-252 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC10MPS12-220 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC10MPS12-252 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1284.47 грн
2+805.57 грн
4+762.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC20MPS12-220 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC20MPS12-247 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X100MPS06-227 GC2X100MPS06-227.pdf
GC2X100MPS06-227
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 100Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 200A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 100A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.64kA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1076.50 грн
2+649.24 грн
5+614.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X15MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1322.11 грн
2+793.62 грн
4+750.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X20MPS12-247 GC2X20MPS12-247.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X20MPS12-247 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X50MPS06-227 GC2X50MPS06-227.pdf
GC2X50MPS06-227
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 50A x2
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.32kA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X5MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+651.64 грн
3+393.59 грн
8+372.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X8MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+856.64 грн
3+513.14 грн
6+485.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E GD02MPS12E.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD02MPS12E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17H GD05MPS17H.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD05MPS17H THT Schottky diodes
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+473.38 грн
3+392.67 грн
8+371.52 грн
2520+371.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD05MPS17J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A.pdf
GD10MPS12A
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 33A
Load current: 16A
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 64A
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.9V
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.31 грн
5+256.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD10MPS12E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD10MPS12H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD10MPS17H THT Schottky diodes
на замовлення 492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+924.98 грн
2+549.92 грн
6+519.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 81 90 97  [ Наступна Сторінка >> ]