Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5817) > Сторінка 69 з 97

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 81 90 97  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3F09MT12FB2-T G3F09MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11986.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4 G3F18MT12FB4 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11356.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2 G3F09MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11362.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2-T G3F17MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8553.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200100D MSRTA200100D GeneSiC Semiconductor msrta200100d-3481508.pdf Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200140D MSRTA200140D GeneSiC Semiconductor msrta200140d-3482278.pdf Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200120D MSRTA200120D GeneSiC Semiconductor msrta200120d-3482688.pdf Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA20080D MSRTA20080D GeneSiC Semiconductor msrta20080d-3481365.pdf Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200160D MSRTA200160D GeneSiC Semiconductor msrta200160d-3482600.pdf Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR104 BR104 GeneSiC Semiconductor br104-3477348.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 400P/280
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.66 грн
10+126.91 грн
25+98.58 грн
100+83.13 грн
200+69.30 грн
600+68.12 грн
1000+57.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5006EA960C7&compId=G2R1000MT17J.pdf?ci_sign=9f1568725f74f7b947922ae5bebc5e8f409c5571 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 8A
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 711 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+523.89 грн
3+447.88 грн
7+408.30 грн
10+402.79 грн
50+392.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT33J.pdf G2R1000MT33J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR sic-mosfet-selector-guide.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 3.3kV
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 250 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12D.pdf G3R160MT12D THT N channel transistors
на замовлення 880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+787.32 грн
3+474.51 грн
7+448.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12J.pdf G3R160MT12J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17D.pdf G3R160MT17D THT N channel transistors
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+953.70 грн
2+734.76 грн
5+694.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17J.pdf G3R160MT17J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571AC80C7&compId=G3R20MT12K.pdf?ci_sign=24c5cc08cfe874c5b61f676ade8dcc0043159f11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 577 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2823.46 грн
2+2574.60 грн
10+2470.97 грн
30+2387.29 грн
120+2383.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571ADC0C7&compId=G3R20MT12N.pdf?ci_sign=867d61cd446a78630c72e74f61a8649267248476 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
On-state resistance: 20mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Power dissipation: 365W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4293.13 грн
3+4050.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT17K.pdf G3R20MT17K THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B040C7&compId=G3R20MT17N.pdf?ci_sign=afc1eeace1efd0fdabc1ddaf96306901c2848764 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
On-state resistance: 20mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Power dissipation: 523W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+9782.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 68A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 459W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B2C0C7&compId=G3R30MT12K.pdf?ci_sign=417d67b664418281382a923165baa7b388c1663a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 63A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B400C7&compId=G3R350MT12D.pdf?ci_sign=b08bdf2e36df35986c19da23f6988a87e11ba7b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+322.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B540C7&compId=G3R350MT12J.pdf?ci_sign=bef8077c9190b9467b7b0ad2edbd6d200231deb8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Technology: G3R™; SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+386.23 грн
3+360.98 грн
9+345.77 грн
10+331.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12D.pdf G3R40MT12D THT N channel transistors
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1259.86 грн
3+1190.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12J.pdf G3R40MT12J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1291.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R450MT17D.pdf G3R450MT17D THT N channel transistors
на замовлення 597 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+661.55 грн
3+449.69 грн
7+425.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R450MT17J.pdf G3R450MT17J SMD N channel transistors
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+657.59 грн
2+543.48 грн
6+514.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17D.pdf G3R45MT17D THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2671.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17K.pdf G3R45MT17K THT N channel transistors
на замовлення 349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2594.20 грн
2+2453.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793EB80C7&compId=G3R75MT12D.pdf?ci_sign=15ac56251724ba4e0af9a71a5fc5a4fda96229ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 207W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+832.88 грн
3+767.80 грн
10+717.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12J.pdf G3R75MT12J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 529 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+760.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F604D1BD40C7&compId=GAP3SLT33-214.pdf?ci_sign=3f7c816d7df04ea04b3ce4c56965ceee66bdb19f Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3.3kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FF520C7&compId=GB01SLT06-214.pdf?ci_sign=46b721560c9c4ae69c2461509e665c72076e625f Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 7A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 15000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793F0C0C7&compId=GB01SLT12-214.pdf?ci_sign=1a27e0d251e1ef15eaa527409a4d59f19d8e34a1 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 8A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB01SLT12-252.pdf GB01SLT12-252 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793F340C7&compId=GB02SLT12-214.pdf?ci_sign=aa4195c60dcde06bd2fa2d1777fb0c659414c11e Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB02SLT12-252.pdf GB02SLT12-252 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB05MPS33-263.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 3.3kV; 5A; tube
Max. off-state voltage: 3.3kV
Max. forward voltage: 2.4V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB10MPS17-247.pdf GB10MPS17-247 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB20SLT12-247.pdf GB20SLT12-247 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB2X100MPS12-227.pdf GB2X100MPS12-227 Diode modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X50MPS12-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB2X50MPS12-227.pdf GB2X50MPS12-227 Diode modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X50MPS17-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB2X50MPS17-227.pdf GB2X50MPS17-227 Diode modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB50SLT12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB50SLT12-247.pdf GB50SLT12-247 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC02MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+145.58 грн
5+127.01 грн
11+100.24 грн
30+94.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC05MPS12-252.pdf GC05MPS12-252 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC08MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC08MPS12-252.pdf GC08MPS12-252 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC10MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC10MPS12-252.pdf GC10MPS12-252 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC15MPS12-247.pdf GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1284.47 грн
2+805.57 грн
4+762.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC20MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC20MPS12-247.pdf GC20MPS12-247 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X100MPS06-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X100MPS06-227.pdf GC2X100MPS06-227 Diode modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X10MPS12-247.pdf GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1076.50 грн
2+649.24 грн
5+614.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X15MPS12-247.pdf GC2X15MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1322.11 грн
2+793.62 грн
4+750.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2-T
G3F09MT12FB2-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11986.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4
G3F18MT12FB4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11356.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2
G3F09MT12FB2
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11362.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2-T
G3F17MT12FB2-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8553.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200100D msrta200100d-3481508.pdf
MSRTA200100D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200140D msrta200140d-3482278.pdf
MSRTA200140D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200120D msrta200120d-3482688.pdf
MSRTA200120D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA20080D msrta20080d-3481365.pdf
MSRTA20080D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200160D msrta200160d-3482600.pdf
MSRTA200160D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR104 br104-3477348.pdf
BR104
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 400P/280
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.66 грн
10+126.91 грн
25+98.58 грн
100+83.13 грн
200+69.30 грн
600+68.12 грн
1000+57.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5006EA960C7&compId=G2R1000MT17J.pdf?ci_sign=9f1568725f74f7b947922ae5bebc5e8f409c5571
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 8A
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 711 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+523.89 грн
3+447.88 грн
7+408.30 грн
10+402.79 грн
50+392.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G2R1000MT33J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 3.3kV
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 250 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT12D THT N channel transistors
на замовлення 880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+787.32 грн
3+474.51 грн
7+448.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT12J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT17D THT N channel transistors
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+953.70 грн
2+734.76 грн
5+694.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT17J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571AC80C7&compId=G3R20MT12K.pdf?ci_sign=24c5cc08cfe874c5b61f676ade8dcc0043159f11
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 577 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2823.46 грн
2+2574.60 грн
10+2470.97 грн
30+2387.29 грн
120+2383.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571ADC0C7&compId=G3R20MT12N.pdf?ci_sign=867d61cd446a78630c72e74f61a8649267248476
G3R20MT12N
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
On-state resistance: 20mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Power dissipation: 365W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4293.13 грн
3+4050.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17K G3R20MT17K.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R20MT17K THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B040C7&compId=G3R20MT17N.pdf?ci_sign=afc1eeace1efd0fdabc1ddaf96306901c2848764
G3R20MT17N
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
On-state resistance: 20mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Power dissipation: 523W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9782.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 68A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 459W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B2C0C7&compId=G3R30MT12K.pdf?ci_sign=417d67b664418281382a923165baa7b388c1663a
G3R30MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 63A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B400C7&compId=G3R350MT12D.pdf?ci_sign=b08bdf2e36df35986c19da23f6988a87e11ba7b7
G3R350MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+322.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B540C7&compId=G3R350MT12J.pdf?ci_sign=bef8077c9190b9467b7b0ad2edbd6d200231deb8
G3R350MT12J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Technology: G3R™; SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+386.23 грн
3+360.98 грн
9+345.77 грн
10+331.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R40MT12D THT N channel transistors
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1259.86 грн
3+1190.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R40MT12J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0
G3R40MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1291.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R450MT17D THT N channel transistors
на замовлення 597 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+661.55 грн
3+449.69 грн
7+425.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R450MT17J SMD N channel transistors
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+657.59 грн
2+543.48 грн
6+514.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17D THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2671.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17K THT N channel transistors
на замовлення 349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2594.20 грн
2+2453.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793EB80C7&compId=G3R75MT12D.pdf?ci_sign=15ac56251724ba4e0af9a71a5fc5a4fda96229ad
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 207W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+832.88 грн
3+767.80 грн
10+717.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R75MT12J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 529 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+760.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F604D1BD40C7&compId=GAP3SLT33-214.pdf?ci_sign=3f7c816d7df04ea04b3ce4c56965ceee66bdb19f
GAP3SLT33-214
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3.3kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FF520C7&compId=GB01SLT06-214.pdf?ci_sign=46b721560c9c4ae69c2461509e665c72076e625f
GB01SLT06-214
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 7A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 15000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793F0C0C7&compId=GB01SLT12-214.pdf?ci_sign=1a27e0d251e1ef15eaa527409a4d59f19d8e34a1
GB01SLT12-214
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 8A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB01SLT12-252 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793F340C7&compId=GB02SLT12-214.pdf?ci_sign=aa4195c60dcde06bd2fa2d1777fb0c659414c11e
GB02SLT12-214
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-252 GB02SLT12-252.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB02SLT12-252 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263.pdf
GB05MPS33-263
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 3.3kV; 5A; tube
Max. off-state voltage: 3.3kV
Max. forward voltage: 2.4V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB10MPS17-247 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247 GB20SLT12-247.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB20SLT12-247 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12-227.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB2X100MPS12-227 Diode modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X50MPS12-227 GB2X50MPS12-227.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB2X50MPS12-227 Diode modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X50MPS17-227 GB2X50MPS17-227.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB2X50MPS17-227 Diode modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB50SLT12-247 GB50SLT12-247.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB50SLT12-247 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220.pdf
GC02MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.58 грн
5+127.01 грн
11+100.24 грн
30+94.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC05MPS12-252 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220.pdf
GC08MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-252 GC08MPS12-252.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC08MPS12-252 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220.pdf
GC10MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC10MPS12-252 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1284.47 грн
2+805.57 грн
4+762.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220.pdf
GC20MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC20MPS12-247 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X100MPS06-227 GC2X100MPS06-227.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X100MPS06-227 Diode modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1076.50 грн
2+649.24 грн
5+614.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X15MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1322.11 грн
2+793.62 грн
4+750.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 81 90 97  [ Наступна Сторінка >> ]