Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5528) > Сторінка 69 з 93
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
GC08MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MUR2510 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4 |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MUR2510 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| GB03SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
BR62 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 200V 6A 4-Pin Case BR-6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BR64 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 400V 6A 4-Pin Case BR-6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G2R1000MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1N3889R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 50V 12A 200ns 2-Pin DO-4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GBPC3508W | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 35A 4-Pin Case GBPC-W |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GBPC3508W | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 35A 4-Pin Case GBPC-W |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GC02MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GC02MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GC10MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GC10MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G3R60MT07D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G3R60MT07D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G2R50MT33K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G2R50MT33K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G3R40MT12D | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R40MT12D | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G3R40MT12D | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R160MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R160MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R160MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R160MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G2R1000MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R350MT12D | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R350MT12D | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G3R75MT12D | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GBPC3506W | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 600V 35A 4-Pin Case GBPC-W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G3R60MT07K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G3R60MT07K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| G3R12MT12K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| G3R12MT12K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| G3R12MT12K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
G3R60MT07J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G3R60MT07J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R450MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R450MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G3R450MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G3R450MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G2R1000MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 3810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KBL608G | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 6A 4-Pin Case KBL |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1N6096 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G2R1000MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
FR30G02 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Switching 400V 30A 2-Pin DO-5 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GBJ15M | GeneSiC Semiconductor |
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GB10MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide power schottky diode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| GC08MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2510 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 1301.98 грн |
| 25+ | 1145.78 грн |
| 50+ | 1073.92 грн |
| 100+ | 987.38 грн |
| 250+ | 860.33 грн |
| MUR2510 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GB03SLT12-220 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 522.52 грн |
| 100+ | 495.43 грн |
| 250+ | 469.31 грн |
| 500+ | 415.98 грн |
| 1000+ | 365.50 грн |
| BR62 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 6A 4-Pin Case BR-6
Rectifier Bridge Diode Single 200V 6A 4-Pin Case BR-6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR64 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 6A 4-Pin Case BR-6
Rectifier Bridge Diode Single 400V 6A 4-Pin Case BR-6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G2R1000MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 950+ | 318.32 грн |
| 1N3889R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 50V 12A 200ns 2-Pin DO-4
Rectifier Diode Switching 50V 12A 200ns 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBPC3508W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 35A 4-Pin Case GBPC-W
Rectifier Bridge Diode Single 800V 35A 4-Pin Case GBPC-W
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 268+ | 47.29 грн |
| 270+ | 47.06 грн |
| GBPC3508W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 35A 4-Pin Case GBPC-W
Rectifier Bridge Diode Single 800V 35A 4-Pin Case GBPC-W
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 207.06 грн |
| 15+ | 50.42 грн |
| GC02MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GC02MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GC10MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GC10MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R60MT07D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R60MT07D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G2R50MT33K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 24885.78 грн |
| 10+ | 22585.50 грн |
| G2R50MT33K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 145+ | 7058.50 грн |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R40MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 1104.10 грн |
| G3R40MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R40MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 1182.97 грн |
| G3R160MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 400+ | 1714.74 грн |
| G3R160MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 1059.33 грн |
| 14+ | 958.13 грн |
| 25+ | 915.38 грн |
| 100+ | 826.65 грн |
| 250+ | 730.64 грн |
| 500+ | 675.42 грн |
| G3R160MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1135.00 грн |
| 10+ | 1026.56 грн |
| 25+ | 980.77 грн |
| 100+ | 885.69 грн |
| 250+ | 782.83 грн |
| 500+ | 723.67 грн |
| G3R160MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G2R1000MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 363.25 грн |
| G3R350MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 322.67 грн |
| 120+ | 308.46 грн |
| 270+ | 303.12 грн |
| G3R350MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R75MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| GBPC3506W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 35A 4-Pin Case GBPC-W
Rectifier Bridge Diode Single 600V 35A 4-Pin Case GBPC-W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R60MT07K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R60MT07K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R12MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 5213.01 грн |
| 10+ | 4858.21 грн |
| 30+ | 4703.62 грн |
| 120+ | 4349.91 грн |
| G3R12MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R12MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5585.37 грн |
| 10+ | 5205.23 грн |
| 30+ | 5039.60 грн |
| 120+ | 4660.62 грн |
| G3R60MT07J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R60MT07J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R350MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 332.84 грн |
| G3R350MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 419.34 грн |
| 33+ | 389.86 грн |
| 34+ | 374.90 грн |
| 100+ | 340.99 грн |
| 250+ | 292.72 грн |
| 500+ | 255.02 грн |
| G3R350MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 356.61 грн |
| G3R350MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R350MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 449.29 грн |
| 10+ | 417.70 грн |
| 25+ | 401.68 грн |
| 100+ | 365.34 грн |
| 250+ | 313.63 грн |
| 500+ | 273.24 грн |
| G3R450MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 604.34 грн |
| G3R450MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| G3R450MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R450MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 647.51 грн |
| 10+ | 559.08 грн |
| 30+ | 525.32 грн |
| 120+ | 486.05 грн |
| 270+ | 432.75 грн |
| G2R1000MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 517.50 грн |
| 26+ | 495.27 грн |
| 50+ | 476.39 грн |
| 100+ | 443.80 грн |
| 250+ | 398.46 грн |
| 500+ | 372.11 грн |
| 1000+ | 363.01 грн |
| 2500+ | 355.00 грн |
| KBL608G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 6A 4-Pin Case KBL
Rectifier Bridge Diode Single 800V 6A 4-Pin Case KBL
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24000+ | 43.81 грн |
| 1N6096 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4
Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GB01SLT12-214 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GB01SLT12-214 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD50MPS12H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 1094.22 грн |
| 120+ | 1042.26 грн |
| 270+ | 1006.36 грн |
| 510+ | 956.33 грн |
| GD50MPS12H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD50MPS12H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 1172.38 грн |
| 120+ | 1116.71 грн |
| 270+ | 1078.25 грн |
| 510+ | 1024.64 грн |
| G2R1000MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FR30G02 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 400V 30A 2-Pin DO-5
Diode Switching 400V 30A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ15M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GB10MPS17-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide power schottky diode
Silicon Carbide power schottky diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 600+ | 817.59 грн |



























