Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5801) > Сторінка 69 з 97
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
G3R40MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 50A Case: TO247-3 On-state resistance: 40mΩ Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 333W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 106nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 671 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
G3R40MT12J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
G3R40MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 106nC On-state resistance: 40mΩ Drain current: 50A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 333W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 279 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
G3R450MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 18nC On-state resistance: 0.45Ω Drain current: 6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 88W Drain-source voltage: 1.7kV Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 407 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
G3R450MT17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 18nC On-state resistance: 0.45Ω Drain current: 6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 91W Drain-source voltage: 1.7kV Case: TO263-7 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 841 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
G3R45MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
G3R45MT17K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 349 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
G3R75MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 29A Case: TO247-3 On-state resistance: 75mΩ Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 207W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 54nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
G3R75MT12J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
G3R75MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 54nC On-state resistance: 75mΩ Drain current: 29A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 207W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 461 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
GAP3SLT33-214 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
GB01SLT06-214 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
GB01SLT12-214 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
GB01SLT12-252 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 8A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
GB02SLT12-214 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
GB02SLT12-252 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 16A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
GB05MPS33-263 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
GB10MPS17-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
GB20SLT12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
GB2X100MPS12-227 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
GB2X50MPS12-227 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
GB2X50MPS17-227 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
GB50SLT12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
GC02MPS12-220 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.5V Load current: 2A Max. forward impulse current: 16A Max. off-state voltage: 1.2kV Case: TO220-2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
GC05MPS12-252 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 40A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
GC08MPS12-220 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
GC08MPS12-252 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 60A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
GC10MPS12-220 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
GC10MPS12-252 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 80A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
GC15MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
GC20MPS12-220 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
GC20MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
GC2X100MPS06-227 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
GC2X10MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
GC2X15MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
GC2X20MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
GC2X50MPS06-227 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
GC2X5MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
GC2X8MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
GD02MPS12E | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 16A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
GD05MPS17H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 127 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
GD05MPS17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR | GD05MPS17J SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
GD10MPS12A | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
GD10MPS12E | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 18A Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 18A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Max. forward voltage: 1.9V Max. forward impulse current: 64A Kind of package: reel; tape Max. load current: 33A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
GD10MPS12H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO247-2; tube Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 33A Load current: 16A Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 64A Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.9V кількість в упаковці: 600 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
GD10MPS17H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.7kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 2.1V Max. forward impulse current: 80A Kind of package: tube Max. load current: 42A Features of semiconductor devices: MPS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 361 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
GD15MPS17H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.7kV Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 2.1V Max. forward impulse current: 120A Kind of package: tube Max. load current: 63A Features of semiconductor devices: MPS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 458 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
GD20MPS12A | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 29A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.9V Max. forward impulse current: 128A Kind of package: tube Max. load current: 67A Features of semiconductor devices: MPS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1107 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
GD20MPS12H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 27A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.9V Max. forward impulse current: 128A Kind of package: tube Max. load current: 67A Features of semiconductor devices: MPS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 545 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
GD2X100MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double independent Features of semiconductor devices: MPS Kind of package: tube Case: SOT227B Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Technology: SiC Reverse recovery time: 10ns Max. forward voltage: 1.8V Load current: 108A x2 Max. load current: 231A Max. forward impulse current: 0.44kA Max. off-state voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
GD2X100MPS12N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
GD2X150MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
GD2X20MPS12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
GD2X30MPS06D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
GD2X30MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double independent Features of semiconductor devices: MPS Kind of package: tube Case: SOT227B Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Technology: SiC Reverse recovery time: 10ns Max. forward voltage: 1.5V Load current: 30A x2 Max. load current: 60A Max. forward impulse current: 0.168kA Max. off-state voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
GD2X30MPS12N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
GD2X60MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
GD2X75MPS17N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
GD30MPS06A | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
GD30MPS06H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 0.168kA Kind of package: tube Features of semiconductor devices: MPS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
G3R40MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Case: TO247-3
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Case: TO247-3
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1326.60 грн |
3+ | 1209.20 грн |
30+ | 1119.77 грн |
G3R40MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R40MT12J SMD N channel transistors
G3R40MT12J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
G3R40MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1335.81 грн |
G3R450MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 88W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 88W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 585.06 грн |
3+ | 442.85 грн |
8+ | 403.65 грн |
G3R450MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 91W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 91W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 552.32 грн |
G3R45MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17D THT N channel transistors
G3R45MT17D THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2759.07 грн |
G3R45MT17K |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17K THT N channel transistors
G3R45MT17K THT N channel transistors
на замовлення 349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2679.29 грн |
2+ | 2533.97 грн |
G3R75MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Case: TO247-3
On-state resistance: 75mΩ
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Case: TO247-3
On-state resistance: 75mΩ
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 849.97 грн |
4+ | 799.88 грн |
10+ | 740.82 грн |
G3R75MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R75MT12J SMD N channel transistors
G3R75MT12J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
G3R75MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 721.09 грн |
GAP3SLT33-214 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GAP3SLT33-214 SMD Schottky diodes
GAP3SLT33-214 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GB01SLT06-214 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB01SLT06-214 SMD Schottky diodes
GB01SLT06-214 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GB01SLT12-214 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB01SLT12-214 SMD Schottky diodes
GB01SLT12-214 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GB01SLT12-252 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 8A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 8A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GB02SLT12-214 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB02SLT12-214 SMD Schottky diodes
GB02SLT12-214 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GB02SLT12-252 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GB05MPS33-263 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB05MPS33-263 SMD Schottky diodes
GB05MPS33-263 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GB10MPS17-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB10MPS17-247 THT Schottky diodes
GB10MPS17-247 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GB20SLT12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB20SLT12-247 THT Schottky diodes
GB20SLT12-247 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GB2X100MPS12-227 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB2X100MPS12-227 Diode modules
GB2X100MPS12-227 Diode modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GB2X50MPS12-227 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB2X50MPS12-227 Diode modules
GB2X50MPS12-227 Diode modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GB2X50MPS17-227 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB2X50MPS17-227 Diode modules
GB2X50MPS17-227 Diode modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GB50SLT12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GB50SLT12-247 THT Schottky diodes
GB50SLT12-247 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GC02MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 16A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO220-2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 16A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO220-2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 122.74 грн |
5+ | 106.52 грн |
12+ | 99.73 грн |
25+ | 90.23 грн |
GC05MPS12-252 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GC08MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC08MPS12-220 THT Schottky diodes
GC08MPS12-220 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GC08MPS12-252 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GC10MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC10MPS12-220 THT Schottky diodes
GC10MPS12-220 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GC10MPS12-252 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GC15MPS12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1326.60 грн |
2+ | 831.99 грн |
4+ | 787.35 грн |
GC20MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC20MPS12-220 THT Schottky diodes
GC20MPS12-220 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GC20MPS12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC20MPS12-247 THT Schottky diodes
GC20MPS12-247 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GC2X100MPS06-227 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X100MPS06-227 Diode modules
GC2X100MPS06-227 Diode modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GC2X10MPS12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1111.81 грн |
2+ | 670.53 грн |
5+ | 634.44 грн |
GC2X15MPS12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X15MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X15MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1365.47 грн |
2+ | 819.65 грн |
4+ | 775.01 грн |
GC2X20MPS12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X20MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X20MPS12-247 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GC2X50MPS06-227 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X50MPS06-227 Diode modules
GC2X50MPS06-227 Diode modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GC2X5MPS12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X5MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X5MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 673.02 грн |
3+ | 406.50 грн |
8+ | 384.65 грн |
GC2X8MPS12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X8MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X8MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 884.74 грн |
3+ | 529.97 грн |
6+ | 501.48 грн |
GD02MPS12E |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GD05MPS17H |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD05MPS17H THT Schottky diodes
GD05MPS17H THT Schottky diodes
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 488.91 грн |
3+ | 405.55 грн |
8+ | 383.70 грн |
2520+ | 383.67 грн |
GD05MPS17J |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD05MPS17J SMD Schottky diodes
GD05MPS17J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GD10MPS12A |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD10MPS12A THT Schottky diodes
GD10MPS12A THT Schottky diodes
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 411.18 грн |
4+ | 281.13 грн |
11+ | 265.93 грн |
GD10MPS12E |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 18A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 18A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 64A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 33A
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 18A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 18A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 64A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 33A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GD10MPS12H |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 33A
Load current: 16A
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 64A
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.9V
кількість в упаковці: 600 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 33A
Load current: 16A
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 64A
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.9V
кількість в упаковці: 600 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GD10MPS17H |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 663.81 грн |
3+ | 568.11 грн |
6+ | 517.62 грн |
120+ | 497.68 грн |
GD15MPS17H |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Max. load current: 63A
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Max. load current: 63A
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 835.65 грн |
GD20MPS12A |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 128A
Kind of package: tube
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 128A
Kind of package: tube
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 493.00 грн |
4+ | 377.75 грн |
9+ | 343.81 грн |
GD20MPS12H |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 128A
Kind of package: tube
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 128A
Kind of package: tube
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 579.94 грн |
3+ | 520.76 грн |
7+ | 473.93 грн |
30+ | 463.49 грн |
120+ | 455.89 грн |
GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: tube
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 108A x2
Max. load current: 231A
Max. forward impulse current: 0.44kA
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: tube
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 108A x2
Max. load current: 231A
Max. forward impulse current: 0.44kA
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4072.88 грн |
GD2X100MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD2X100MPS12N Diode modules
GD2X100MPS12N Diode modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GD2X150MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD2X150MPS06N Diode modules
GD2X150MPS06N Diode modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD2X20MPS12D THT Schottky diodes
GD2X20MPS12D THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD2X30MPS06D THT Schottky diodes
GD2X30MPS06D THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: tube
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A x2
Max. load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: tube
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A x2
Max. load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1815.51 грн |
10+ | 1737.85 грн |
GD2X30MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD2X30MPS12N Diode modules
GD2X30MPS12N Diode modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GD2X60MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD2X60MPS06N Diode modules
GD2X60MPS06N Diode modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GD2X75MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD2X75MPS17N Diode modules
GD2X75MPS17N Diode modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GD30MPS06A |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD30MPS06A THT Schottky diodes
GD30MPS06A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GD30MPS06H |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 478.68 грн |
7+ | 440.87 грн |
30+ | 408.40 грн |