Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4204) > Сторінка 56 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MSRT15060(A)D MSRT15060(A)D GeneSiC Semiconductor msrt150100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15060(A)D MSRT15060(A)D GeneSiC Semiconductor msrt15060ad_thru_msrt150100ad-1132828.pdf Discrete Semiconductor Modules 600V 150A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15060D GeneSiC Semiconductor msrt150100d.pdf Description: 600V 150A THREE TOWER SILICON RE
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15060D MSRT15060D GeneSiC Semiconductor msrt15060d-2451948.pdf Discrete Semiconductor Modules 600V 150A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080A MSRT15080A GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 800V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080(A) MSRT15080(A) GeneSiC Semiconductor msrt15060a_thru_msrt150100a.pdf Description: DIODE MODULE 800V 150A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080(A)D MSRT15080(A)D GeneSiC Semiconductor msrt15060ad_thru_msrt150100ad-1132828.pdf Discrete Semiconductor Modules 800V 150A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080AD MSRT15080AD GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 800V 150A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080(A)D MSRT15080(A)D GeneSiC Semiconductor msrt15060(a)d_thru_msrt150100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080D GeneSiC Semiconductor msrt150100d.pdf Description: 800V 150A THREE TOWER SILICON RE
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080D MSRT15080D GeneSiC Semiconductor msrt15080d-2451951.pdf Discrete Semiconductor Modules 800V 150A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200100A MSRT200100A GeneSiC Semiconductor MSRT20060%7E200100%28A%29.pdf Description: DIODE MOD GP 1000V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200100(A) MSRT200100(A) GeneSiC Semiconductor msrt20060a_thru_msrt200100a.pdf Description: DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200100(A)D MSRT200100(A)D GeneSiC Semiconductor msrt20060(a)d_thru_msrt200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200100AD MSRT200100AD GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 1KV 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200100(A)D MSRT200100(A)D GeneSiC Semiconductor msrt20060ad_thru_msrt200100ad-1132254.pdf Discrete Semiconductor Modules 1000V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200100D MSRT200100D GeneSiC Semiconductor msrt200160d-2451587.pdf Discrete Semiconductor Modules 1600V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200120(A) MSRT200120(A) GeneSiC Semiconductor msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200120A MSRT200120A GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200120AD MSRT200120AD GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200120(A)D MSRT200120(A)D GeneSiC Semiconductor msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200120(A)D MSRT200120(A)D GeneSiC Semiconductor msrt200120ad_thru_msrt200160ad-1132716.pdf Discrete Semiconductor Modules 1200V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200120D MSRT200120D GeneSiC Semiconductor msrt200120d-2452277.pdf Discrete Semiconductor Modules 1200V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200140(A) MSRT200140(A) GeneSiC Semiconductor msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200140A MSRT200140A GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 1.4KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200140(A)D MSRT200140(A)D GeneSiC Semiconductor msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200140(A)D MSRT200140(A)D GeneSiC Semiconductor msrt200120ad_thru_msrt200160ad-1132716.pdf Discrete Semiconductor Modules 1400V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200140AD MSRT200140AD GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 1.4KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200160A MSRT200160A GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MOD GP 1600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200160(A) MSRT200160(A) GeneSiC Semiconductor msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200160(A) MSRT200160(A) GeneSiC Semiconductor msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf Diode Modules 1600V 200A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200160AD MSRT200160AD GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MOD GP 1600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200160(A)D MSRT200160(A)D GeneSiC Semiconductor msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf Diode Modules 1600V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200160(A)D MSRT200160(A)D GeneSiC Semiconductor msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20060(A) MSRT20060(A) GeneSiC Semiconductor MSRT20060~200100(A).pdf Description: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20060A MSRT20060A GeneSiC Semiconductor MSRT20060%7E200100%28A%29.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20060AD MSRT20060AD GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20060(A)D MSRT20060(A)D GeneSiC Semiconductor msrt200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20060(A)D MSRT20060(A)D GeneSiC Semiconductor msrt20060ad_thru_msrt200100ad-1132254.pdf Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20060D MSRT20060D GeneSiC Semiconductor msrt20060d-2452235.pdf Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20060D GeneSiC Semiconductor msrt20060d.pdf Description: 600V 200A THREE TOWER SILICON RE
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20080(A) MSRT20080(A) GeneSiC Semiconductor msrt20060a_thru_msrt200100a.pdf Description: DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20080(A)D MSRT20080(A)D GeneSiC Semiconductor msrt20060(a)d_thru_msrt200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20080AD MSRT20080AD GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE GP 800V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20080(A)D MSRT20080(A)D GeneSiC Semiconductor msrt20060ad_thru_msrt200100ad-1132254.pdf Discrete Semiconductor Modules 800V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20080D MSRT20080D GeneSiC Semiconductor msrt20080d-2452238.pdf Discrete Semiconductor Modules 800V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20080D GeneSiC Semiconductor MSRT20060%7E200100%28A%29.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT250100(A) MSRT250100(A) GeneSiC Semiconductor msrt25060a_thru_msrt250100a.pdf Description: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT250100A MSRT250100A GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MOD GP 1000V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT250120(A) MSRT250120(A) GeneSiC Semiconductor msrt250120a_thru_msrt250160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT250140(A) MSRT250140(A) GeneSiC Semiconductor msrt250120a_thru_msrt250160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT250160(A) MSRT250160(A) GeneSiC Semiconductor msrt250120a_thru_msrt250160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT25060(A) MSRT25060(A) GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT25080(A) MSRT25080(A) GeneSiC Semiconductor msrt25060a_thru_msrt250100a.pdf Description: DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200100(A)D MSRTA200100(A)D GeneSiC Semiconductor msrta20060(a)d_thru_msrta200100(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200100(A)D MSRTA200100(A)D GeneSiC Semiconductor msrta20060(a)d_thru_msrta200100(a)d.pdf Diode Modules 1000V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200100D MSRTA200100D GeneSiC Semiconductor msrta200100d-3481508.pdf Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200120(A)D MSRTA200120(A)D GeneSiC Semiconductor msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf Diode Modules 1200V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200120(A)D MSRTA200120(A)D GeneSiC Semiconductor msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200120D MSRTA200120D GeneSiC Semiconductor msrta200120d-3482688.pdf Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15060(A)D msrt150100(a)d.pdf
MSRT15060(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15060(A)D msrt15060ad_thru_msrt150100ad-1132828.pdf
MSRT15060(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 150A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15060D msrt150100d.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 600V 150A THREE TOWER SILICON RE
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15060D msrt15060d-2451948.pdf
MSRT15060D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 150A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080A
MSRT15080A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080(A) msrt15060a_thru_msrt150100a.pdf
MSRT15080(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 150A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080(A)D msrt15060ad_thru_msrt150100ad-1132828.pdf
MSRT15080(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 800V 150A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080AD
MSRT15080AD
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 150A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080(A)D msrt15060(a)d_thru_msrt150100(a)d.pdf
MSRT15080(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080D msrt150100d.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 800V 150A THREE TOWER SILICON RE
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080D msrt15080d-2451951.pdf
MSRT15080D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 800V 150A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200100A MSRT20060%7E200100%28A%29.pdf
MSRT200100A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200100(A) msrt20060a_thru_msrt200100a.pdf
MSRT200100(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200100(A)D msrt20060(a)d_thru_msrt200100(a)d.pdf
MSRT200100(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200100AD
MSRT200100AD
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1KV 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200100(A)D msrt20060ad_thru_msrt200100ad-1132254.pdf
MSRT200100(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1000V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200100D msrt200160d-2451587.pdf
MSRT200100D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1600V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200120(A) msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf
MSRT200120(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200120A
MSRT200120A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200120AD
MSRT200120AD
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200120(A)D msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf
MSRT200120(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200120(A)D msrt200120ad_thru_msrt200160ad-1132716.pdf
MSRT200120(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200120D msrt200120d-2452277.pdf
MSRT200120D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200140(A) msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf
MSRT200140(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200140A
MSRT200140A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1.4KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200140(A)D msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf
MSRT200140(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200140(A)D msrt200120ad_thru_msrt200160ad-1132716.pdf
MSRT200140(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1400V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200140AD
MSRT200140AD
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1.4KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200160A
MSRT200160A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200160(A) msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf
MSRT200160(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200160(A) msrt200120a_thru_msrt200160a.pdf
MSRT200160(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200160AD
MSRT200160AD
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200160(A)D msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf
MSRT200160(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200160(A)D msrt200120(a)d_thru_msrt200160(a)d.pdf
MSRT200160(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20060(A) MSRT20060~200100(A).pdf
MSRT20060(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20060A MSRT20060%7E200100%28A%29.pdf
MSRT20060A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20060AD
MSRT20060AD
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20060(A)D msrt200100(a)d.pdf
MSRT20060(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20060(A)D msrt20060ad_thru_msrt200100ad-1132254.pdf
MSRT20060(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20060D msrt20060d-2452235.pdf
MSRT20060D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20060D msrt20060d.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 600V 200A THREE TOWER SILICON RE
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20080(A) msrt20060a_thru_msrt200100a.pdf
MSRT20080(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20080(A)D msrt20060(a)d_thru_msrt200100(a)d.pdf
MSRT20080(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20080AD
MSRT20080AD
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 800V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20080(A)D msrt20060ad_thru_msrt200100ad-1132254.pdf
MSRT20080(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 800V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20080D msrt20080d-2452238.pdf
MSRT20080D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 800V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT20080D MSRT20060%7E200100%28A%29.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT250100(A) msrt25060a_thru_msrt250100a.pdf
MSRT250100(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT250100A
MSRT250100A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT250120(A) msrt250120a_thru_msrt250160a.pdf
MSRT250120(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT250140(A) msrt250120a_thru_msrt250160a.pdf
MSRT250140(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT250160(A) msrt250120a_thru_msrt250160a.pdf
MSRT250160(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT25060(A)
MSRT25060(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT25080(A) msrt25060a_thru_msrt250100a.pdf
MSRT25080(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200100(A)D msrta20060(a)d_thru_msrta200100(a)d.pdf
MSRTA200100(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200100(A)D msrta20060(a)d_thru_msrta200100(a)d.pdf
MSRTA200100(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1000V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200100D msrta200100d-3481508.pdf
MSRTA200100D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200120(A)D msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf
MSRTA200120(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200120(A)D msrta200120(a)d_thru_msrta200160(a)d.pdf
MSRTA200120(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA200120D msrta200120d-3482688.pdf
MSRTA200120D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]