Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4169) > Сторінка 56 з 70
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
MSRT200140(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
MSRT200160A | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD GP 1600V 200A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT200160(A) | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1600V 200A Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT200160(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT200160(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1600V 200A Forward |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT200160(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
MSRT200160AD | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD GP 1600V 200A 3TOWER Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT20060(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
MSRT20060A | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWEROperating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT20060(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Forward |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
|
MSRT20060AD | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT20060(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT20060D | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT20060D | GeneSiC Semiconductor |
Description: 600V 200A THREE TOWER SILICON RESupplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
|
MSRT20080(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT20080(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT20080(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 800V 200A Forward |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
|
MSRT20080AD | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 800V 200A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT20080D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWERPackaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
|
MSRT20080D | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 800V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT250100(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
MSRT250100A | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD GP 1000V 250A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 250 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT250120(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT250140(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT250160(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT25060(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT25080(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA200100(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA200100(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1000V 200A Forward |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA200100D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA200120(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA200120(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1200V 200A Forward |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA200120D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA200140(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA200140(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1400V 200A Forward |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA200140D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA200160(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1600V 200A Forward |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA200160(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA200160D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA20060(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 600V 200A Forward |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA20060(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA20060D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA20080(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA20080(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 800V 200A Forward |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA20080D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA300100(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1000V 300A Forward |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA300100(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA300120(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA300120(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1200V 300A Forward |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA300140(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1400V 300A Forward |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA300140(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA300160(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching 1600V 300A Forward |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA300160(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA300160D | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1600V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA30060(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA30060(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA30060(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 600V 300A Forward |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA30060D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 600V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. |
|
MSRTA30080A | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 800V 300A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 300 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA30080(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 800V 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200140(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT200160A |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1600V 200A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MOD GP 1600V 200A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT200160(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Std. Recovery
Diode Modules 1600V 200A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT200160(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT200160(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Forward
Diode Modules 1600V 200A Forward
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT200160(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT200160AD |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1600V 200A 3TOWER
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Description: DIODE MOD GP 1600V 200A 3TOWER
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT20060(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT20060A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT20060(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Forward
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Forward
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT20060AD |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT20060(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT20060D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT20060D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 600V 200A THREE TOWER SILICON RE
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Description: 600V 200A THREE TOWER SILICON RE
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT20080(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT20080(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT20080(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 800V 200A Forward
Discrete Semiconductor Modules 800V 200A Forward
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT20080AD |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 800V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Description: DIODE MODULE GP 800V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT20080D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 800V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Discrete Semiconductor Modules 800V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT250100(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT250100A |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 250A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MOD GP 1000V 250A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT250120(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT250140(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT250160(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT25060(A) |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT25080(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200100(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
Description: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200100(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1000V 200A Forward
Diode Modules 1000V 200A Forward
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200100D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200120(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
Description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200120(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 200A Forward
Diode Modules 1200V 200A Forward
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200120D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200140(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200140(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1400V 200A Forward
Diode Modules 1400V 200A Forward
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200140D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200160(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Forward
Diode Modules 1600V 200A Forward
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200160(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200160D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA20060(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 200A Forward
Diode Modules 600V 200A Forward
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA20060(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA20060D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA20080(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA20080(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 800V 200A Forward
Diode Modules 800V 200A Forward
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA20080D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA300100(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1000V 300A Forward
Rectifiers 1000V 300A Forward
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA300100(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA300120(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA300120(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1200V 300A Forward
Rectifiers 1200V 300A Forward
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA300140(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1400V 300A Forward
Rectifiers 1400V 300A Forward
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA300140(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA300160(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching 1600V 300A Forward
Diodes - General Purpose, Power, Switching 1600V 300A Forward
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MSRTA300160(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA300160D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1600V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Discrete Semiconductor Modules 1600V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA30060(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA30060(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER
Description: DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA30060(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 300A Forward
Diode Modules 600V 300A Forward
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA30060D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 600V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA30080A |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 800V 300A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 800V 300A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA30080(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 800V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.



