Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4259) > Сторінка 21 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GB03SLT12-220 GB03SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 3A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB03SLT12-247 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky, 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB04SLT17-247 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-247 GB05MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-247-1856147.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-247 GB05MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 334pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-263 GB05MPS17-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-263.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 18A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-263 GB05MPS17-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17_263-2449516.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS33_263-2449528.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2275.94 грн
10+2053.96 грн
25+1724.44 грн
100+1635.14 грн
250+1586.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT06-CAL GeneSiC Semiconductor GCSR_S_A0001014615_1-2548954.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 5A 225Deg C AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT06-CAU GeneSiC Semiconductor GCSR_S_A0001014616_1-2548827.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 5A 225 DegC Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT12-CAL GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC 1200V 5A 225DegC AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT12-CAU GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC 1200V 5A 225DegC Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-220 GB05SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-220 GB05SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-252 GB05SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-252-476375.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-252 GB05SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-252.pdf Description: DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB08SLT17-247 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB100XCP12-227 GB100XCP12-227 GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 100A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.55 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB100XCP12-227 GB100XCP12-227 GeneSiC Semiconductor GCSR_S_A0000008350_1-2548811.pdf IGBT Modules 1200V 100A SIC IGBT CoPak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247 GeneSiC Semiconductor gb10mps17-247.pdf Silicon Carbide power schottky diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB10MPS17-247-1856229.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 10A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247 GeneSiC Semiconductor gb10mps17-247.pdf Silicon Carbide power schottky diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+836.56 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB10MPS17-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 50A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 669pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247 GeneSiC Semiconductor gb10mps17-247.pdf Silicon Carbide power schottky diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+896.32 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
GB10SLT12-214 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10SLT12-220 GB10SLT12-220 GeneSiC Semiconductor 37261816135461512gb10slt12-220.pdf Rectifier Diode Schottky 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10SLT12-220 GB10SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10SLT12-220 GB10SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10SLT12-247 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10SLT12-247D GB10SLT12-247D GeneSiC Semiconductor Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 12A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10SLT12-252 GB10SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-252-218486.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V - 10A SiC Schottky Rect.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10SLT12-252 GB10SLT12-252 GeneSiC Semiconductor gb10slt12-252.pdf Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(2+Tab) TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10SLT12-252 GB10SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB16SLT17-247 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SHT06-CAL GeneSiC Semiconductor GCSR_S_A0001013990_1-2548907.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 20A 225DegC AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SHT06-CAU GeneSiC Semiconductor GB20SHT06-CAU-218506.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC650V 20A 225DegC Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SHT12-CAL GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC1200V 20A 225DegC AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SHT12-CAU GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC1200V 20A 225DegC Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247 GeneSiC Semiconductor GB20SLT12-247.pdf Rectifier Diode Schottky 1.2KV 67A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247 GB20SLT12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB20SLT12-247.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 160A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-220 GB20SLT12-220 GeneSiC Semiconductor gb20slt12_220-3479769.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 50A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247 GB20SLT12-247 GeneSiC Semiconductor GB20SLT12-247-1568221.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky, 1200V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247 GB20SLT12-247 GeneSiC Semiconductor GB20SLT12-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 968pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247D GB20SLT12-247D GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 25A TO247D
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB25MPS17-247 GB25MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB25MPS17_247-2449230.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB25MPS17-247 GB25MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB25MPS17-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 52A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2350pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 52A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12-227 GeneSiC Semiconductor GB2X100MPS12_227-3479539.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9879.12 грн
10+9078.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12-227 GeneSiC Semiconductor GB2X100MPS12-227.pdf Description: DIODE MOD SIC 1200V 185A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 185A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9591.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12-227 GeneSiC Semiconductor gb2x100mps12-227.pdf Silicon Carbide Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12-227 GeneSiC Semiconductor gb2x100mps12-227.pdf Silicon Carbide Power
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+21120.72 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12-227 GeneSiC Semiconductor gb2x100mps12-227.pdf Silicon Carbide Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X50MPS12-227 GB2X50MPS12-227 GeneSiC Semiconductor GB2X50MPS12-227.pdf Description: DIODE MOD SIC 1200V 93A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 93A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5953.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X50MPS12-227 GB2X50MPS12-227 GeneSiC Semiconductor GB2X50MPS12-227.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5546.10 грн
10+5079.96 грн
30+4289.98 грн
100+4131.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X50MPS12-227 GB2X50MPS12-227 GeneSiC Semiconductor gb2x50mps12-227.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+12448.25 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X50MPS12-227 GB2X50MPS12-227 GeneSiC Semiconductor gb2x50mps12-227.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X50MPS12-227 GB2X50MPS12-227 GeneSiC Semiconductor gb2x50mps12-227.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X50MPS17-227 GB2X50MPS17-227 GeneSiC Semiconductor GB2X50MPS17_227-2450045.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8591.73 грн
10+7835.29 грн
30+6791.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X50MPS17-227 GB2X50MPS17-227 GeneSiC Semiconductor GB2X50MPS17-227.pdf Description: DIODE MOD SIC 1700V 136A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1700 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6419.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB50MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB50MPS17-247.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB50MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB50MPS17-247.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB03SLT12-220
GB03SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 3A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB03SLT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky, 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB04SLT17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-247 GB05MPS17-247-1856147.pdf
GB05MPS17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-247 GB05MPS17-247.pdf
GB05MPS17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 334pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-263 GB05MPS17-263.pdf
GB05MPS17-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 18A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-263 GB05MPS17_263-2449516.pdf
GB05MPS17-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS33-263 GB05MPS33_263-2449528.pdf
GB05MPS33-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2275.94 грн
10+2053.96 грн
25+1724.44 грн
100+1635.14 грн
250+1586.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT06-CAL GCSR_S_A0001014615_1-2548954.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 5A 225Deg C AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT06-CAU GCSR_S_A0001014616_1-2548827.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 5A 225 DegC Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT12-CAL
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 5A 225DegC AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT12-CAU
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 5A 225DegC Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-220
GB05SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-220
GB05SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-252 GB05SLT12-252-476375.pdf
GB05SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-252 GB05SLT12-252.pdf
GB05SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB08SLT17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB100XCP12-227 GB100XCP12-227.pdf
GB100XCP12-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: IGBT MODULE 1200V 100A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.55 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB100XCP12-227 GCSR_S_A0000008350_1-2548811.pdf
GB100XCP12-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
IGBT Modules 1200V 100A SIC IGBT CoPak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 gb10mps17-247.pdf
GB10MPS17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide power schottky diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247-1856229.pdf
GB10MPS17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 10A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 gb10mps17-247.pdf
GB10MPS17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide power schottky diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+836.56 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247.pdf
GB10MPS17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 50A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 669pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 gb10mps17-247.pdf
GB10MPS17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide power schottky diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+896.32 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
GB10SLT12-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10SLT12-220 37261816135461512gb10slt12-220.pdf
GB10SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10SLT12-220
GB10SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10SLT12-220
GB10SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10SLT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10SLT12-247D
GB10SLT12-247D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 12A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10SLT12-252 GB10SLT12-252-218486.pdf
GB10SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V - 10A SiC Schottky Rect.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10SLT12-252 gb10slt12-252.pdf
GB10SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(2+Tab) TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10SLT12-252 GB10SLT12-252.pdf
GB10SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB16SLT17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SHT06-CAL GCSR_S_A0001013990_1-2548907.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 20A 225DegC AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SHT06-CAU GB20SHT06-CAU-218506.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC650V 20A 225DegC Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SHT12-CAL
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC1200V 20A 225DegC AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SHT12-CAU
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC1200V 20A 225DegC Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247 GB20SLT12-247.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 67A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247 GB20SLT12-247.pdf
GB20SLT12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 160A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-220 gb20slt12_220-3479769.pdf
GB20SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 50A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247 GB20SLT12-247-1568221.pdf
GB20SLT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky, 1200V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247 GB20SLT12-247.pdf
GB20SLT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 968pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247D
GB20SLT12-247D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 25A TO247D
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB25MPS17-247 GB25MPS17_247-2449230.pdf
GB25MPS17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB25MPS17-247 GB25MPS17-247.pdf
GB25MPS17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 52A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2350pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 52A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12_227-3479539.pdf
GB2X100MPS12-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9879.12 грн
10+9078.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12-227.pdf
GB2X100MPS12-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 185A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 185A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9591.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 gb2x100mps12-227.pdf
GB2X100MPS12-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 gb2x100mps12-227.pdf
GB2X100MPS12-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Power
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+21120.72 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 gb2x100mps12-227.pdf
GB2X100MPS12-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X50MPS12-227 GB2X50MPS12-227.pdf
GB2X50MPS12-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 93A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 93A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5953.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X50MPS12-227 GB2X50MPS12-227.pdf
GB2X50MPS12-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5546.10 грн
10+5079.96 грн
30+4289.98 грн
100+4131.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X50MPS12-227 gb2x50mps12-227.pdf
GB2X50MPS12-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+12448.25 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X50MPS12-227 gb2x50mps12-227.pdf
GB2X50MPS12-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X50MPS12-227 gb2x50mps12-227.pdf
GB2X50MPS12-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X50MPS17-227 GB2X50MPS17_227-2450045.pdf
GB2X50MPS17-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8591.73 грн
10+7835.29 грн
30+6791.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X50MPS17-227 GB2X50MPS17-227.pdf
GB2X50MPS17-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1700V 136A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1700 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6419.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB50MPS17-247 GB50MPS17-247.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB50MPS17-247 GB50MPS17-247.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]